架2重合連接的第二接腳架3，此處所表述的重合連接是指第一接腳架2與第二接腳架3的一部分重合在一起，形成固定連接，在本實(shí)施例中為分開焊接固定的方式固定連接，第一接腳架2與第二接腳架3電性連接。
[0023]本實(shí)施例通過(guò)將原有的一體成型長(zhǎng)條型料片的導(dǎo)線架分為第一接腳架2與第二接腳架3，增厚了重合部分厚度，使在瞬間EMC的沖擊下，瞬態(tài)電壓抑制晶片通過(guò)上下設(shè)置的散熱座以及導(dǎo)線架來(lái)吸收瞬間所產(chǎn)生的熱能，由于導(dǎo)線架為第一接腳架2與第二接腳架3構(gòu)成，增厚的導(dǎo)線架的厚度，使導(dǎo)線架能夠吸收掉瞬間EMC的沖擊下產(chǎn)生的熱量，提高了瞬態(tài)電壓抑制晶片的使用壽命以及可靠性。
[0024]為了避免在加工過(guò)程中，因散熱座1上的承載面積大于瞬態(tài)電壓抑制晶片4，而導(dǎo)致瞬態(tài)抑制電壓器封裝可靠度降低，在本實(shí)施例中，在散熱座1上設(shè)置了連接突起11，連接突起11與第一焊接面固定連接(此處所表述的固定連接直接通過(guò)錫焊的方式固定連接)，連接突起11的形狀與第一焊接面的形狀一致，由于瞬態(tài)電壓抑制晶片4的形狀以及第一焊接面的形狀均為方形，故在本實(shí)施例中，連接突起11的形狀也為方形，連接突起11的面積要小于等于第一焊接面的面積，連接突起11的面積要確保連接突起與瞬態(tài)電壓抑制晶片4電性連接，故連接突起11的面積最好和第一焊接面的面積一致或者微小于第一焊接面的面積，通過(guò)連接突起11的設(shè)置，避免了瞬態(tài)抑制電壓器在封裝體成型時(shí)所產(chǎn)生的壓力使瞬態(tài)電壓抑制晶片4損傷，也避免了焊錫溢出瞬態(tài)電壓抑制晶片4上造成其功能損失。
[0025]為了方便在加工時(shí)，焊錫外溢，在本實(shí)施例中，在散熱座1上設(shè)置有沿連接突起11外邊緣設(shè)置的方形凹槽12，方形凹槽12的主要作用就是方便焊錫的外溢，防止在焊接過(guò)程中，對(duì)瞬態(tài)電壓抑制晶片上造成其功能損失。
[0026]為了更好的保護(hù)瞬態(tài)電壓抑制晶片4的功能，在本實(shí)施例中，第一接腳架2包括與第二焊接面連接的固定部21以及與第二接腳架3重合連接的重合部22，固定部21的形狀與第二焊接面的形狀一致，固定部21的面積小于等于第二焊接面的面積，固定部21的厚度和散熱座1的厚度一致，并且固定部21的面積也與連接突起11的面積一致，第一接腳架2的設(shè)置使本實(shí)施例提供的具有散熱座的瞬態(tài)電壓抑制器在EMC或穩(wěn)壓的應(yīng)用上大量提升元件的熱消散功率，并相對(duì)提升與高溫下元件的性能表現(xiàn)。
[0027]為了更好提供熱消散功率，在本實(shí)施例中，重合部22呈V字型設(shè)置，重合部22呈V字型設(shè)置有利于增大散熱面積，來(lái)更好的提供熱消散功率，當(dāng)然重合部22也可以設(shè)置成W字型，考慮到后期的加工，故在本實(shí)施例中，選用V字型結(jié)構(gòu)。
[0028]在本實(shí)施例中，所提供的第二接腳架3主要為了與第一接腳架2配合，故第二接腳架3包括與第一接腳架2重合連接的連接部31以及貫穿封裝體5的折彎部32，重合部呈V字型設(shè)置。第二接腳架3的折彎部32與傳統(tǒng)導(dǎo)線架的折彎部一致，故在此不再詳細(xì)的描述。
[0029]實(shí)施例2，本實(shí)施例提供一種效果更好的具有散熱座的瞬態(tài)電壓抑制器:
[0030]本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同之處在于，在本實(shí)施例中，將第一接腳架與第二接腳架之間采用整體成型結(jié)構(gòu)，使第一接腳架2與第二接腳架3之間為一體化結(jié)構(gòu)，即整個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器的導(dǎo)線架為整體結(jié)構(gòu)，這樣設(shè)置的原因在于:實(shí)施例1在加工過(guò)程中，需要多點(diǎn)同時(shí)焊接，才能保證使用，且不良率較高，故在本實(shí)施例中，將第一接腳架與第二接腳架之間采用整體成型結(jié)構(gòu)，在沖壓生產(chǎn)時(shí)，可降低不良率，節(jié)省生產(chǎn)成本。
[0031]以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非是對(duì)本實(shí)用新型作其它形式的限制，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員可能利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容加以變更或改型為等同變化的等效實(shí)施例應(yīng)用于其它領(lǐng)域，但是凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與改型，仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種具有散熱座的瞬態(tài)電壓抑制器，包括散熱座以及設(shè)置在散熱座上方的導(dǎo)線架，所述散熱座以及導(dǎo)線架之間設(shè)置有瞬態(tài)電壓抑制晶片，所述散熱座以及導(dǎo)線架與瞬態(tài)電壓抑制晶片電性連接，所述瞬態(tài)電壓抑制晶片包括與散熱座連接的第一焊接面以及與導(dǎo)線架連接的第二焊接面，所述散熱座以及導(dǎo)線架外包裹有封裝體，所述導(dǎo)線架的一端貫穿封裝體，伸出封裝體外，其特征在于，所述導(dǎo)線架包括與瞬態(tài)電壓抑制晶片固定連接的第一接腳架以及設(shè)置在第一接腳架遠(yuǎn)離瞬態(tài)電壓抑制晶片一端與第一接腳架重合連接的第二接腳架，所述第一接腳架與第二接腳架電性連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有散熱座的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述散熱座上設(shè)置有連接突起，所述連接突起與第一焊接面固定連接，所述連接突起的形狀與第一焊接面的形狀一致，所述連接突起的面積小于等于第一焊接面的面積。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有散熱座的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述散熱座上設(shè)置有沿連接突起外邊緣設(shè)置的方形凹槽。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有散熱座的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述第一接腳架包括與第二焊接面連接的固定部以及與第二接腳架重合連接的重合部，所述固定部的形狀與第二焊接面的形狀一致，所述固定部的面積小于等于第二焊接面的面積。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有散熱座的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述重合部呈V字型設(shè)置。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有散熱座的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述第二接腳架包括與第一接腳架重合連接的連接部以及貫穿封裝體的折彎部，所述重合部呈V字型設(shè)置。
【專利摘要】本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，涉及瞬態(tài)電壓抑制器，尤其涉及一種具有散熱座的瞬態(tài)電壓抑制器。包括散熱座以及設(shè)置在散熱座上方的導(dǎo)線架，散熱座以及導(dǎo)線架之間設(shè)置有瞬態(tài)電壓抑制晶片，導(dǎo)線架包括與瞬態(tài)電壓抑制晶片固定連接的第一接腳架以及設(shè)置在第一接腳架遠(yuǎn)離瞬態(tài)電壓抑制晶片一端與第一接腳架重合連接的第二接腳架，第一接腳架與第二接腳架電性連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和積極效果在于,本實(shí)用新型通過(guò)第一接腳架以及與第一接腳架重合連接的第二接腳架，改變傳統(tǒng)條狀一體成型的結(jié)構(gòu)，從而解決傳統(tǒng)因?qū)Ь€架呈條狀一體成型所導(dǎo)致瞬態(tài)電壓抑制晶片的可靠性降低的技術(shù)問(wèn)題，進(jìn)而提高了瞬態(tài)電壓抑制晶片的可靠性以及使用壽命。
【IPC分類】H01L23/34, H01L23/48
【公開號(hào)】CN205028893
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520748129
【發(fā)明人】劉海
【申請(qǐng)人】濟(jì)南界龍科技有限公司
【公開日】2016年2月10日
【申請(qǐng)日】2015年9月24日