一種新型高頻低阻鋁電解電容器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于鋁電解電容器工程設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種新型高頻低阻鋁電解電容器。
【背景技術(shù)】
[0002]目前鋁電解電容器正向著小體積、大容量、低成本、高頻低阻抗方向發(fā)展，其生產(chǎn)技術(shù)亦有了長足的進(jìn)步，產(chǎn)品格局也在不斷變化之中，普通鋁電解電容器為了能夠承受更大的紋波電流，往往體積比較大，且普通鋁電解電容器ESR大，電解電容器自身的功率內(nèi)耗造成的溫度高，直接影響電解電容器的使用壽命，無法滿足目前開關(guān)電源的小型化，高功率，長壽命的問題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型旨在提供一種新型高頻低阻鋁電解電容器，比普通電解電容器相同體積下能夠承受更大的紋波電流，ESR更小，能夠滿足目前開關(guān)電源的小型化，高功率，長壽命的要求。
[0004]本實(shí)用新型的通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)。
[0005]—種新型高頻低阻鋁電解電容器，所述新型高頻低阻鋁電解電容器由內(nèi)到外依次排列為正極鋁箔、電解紙、負(fù)極鋁箔、電解紙、外部封裝，所述正極鋁箔的厚度為78?88um。
[0006]優(yōu)選的，所述正極鋁箔的厚度為78?88um。
[0007]優(yōu)選的，所述電解紙的密度0.36um，厚度為40umo
[0008]優(yōu)選的，所述負(fù)極鋁箔的厚度為28?32um。
[0009]優(yōu)選的，所述正極鋁箔為純度達(dá)99.9%以上的鋁箔。
[0010]優(yōu)選的，所述負(fù)極鋁箔為純度達(dá)99.9%以上的鋁箔。
[0011 ]優(yōu)選的，所述外部封裝內(nèi)填充有電解液。
[0012]優(yōu)選的，所述正極鋁箔上鉚接有正極引線，所述負(fù)極鋁箔上鉚接有負(fù)極引線。
[0013]優(yōu)選的，還包括電氣膠帶，所述電氣膠帶設(shè)置在所述外部封裝的開口處。
[0014]優(yōu)選的，所述外部封裝為鋁殼。
[0015]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是:本實(shí)用新型將正極鋁箔采用高純度的鋁箔，正極鋁箔的厚度由原來常規(guī)的100?120um減小到78?88um，使本實(shí)用新型比普通電解電容器相同體積下能夠承受更大的紋波電流，同時(shí)因ESR的減小電解電容器自身的功率內(nèi)耗造成的溫度上升就會(huì)降低，解決了目前電源中要求小型化，高功率，長壽命的等諸多性能要求。
【附圖說明】
[0016]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖
[0017]圖中:1.正極鋁箔，2.電解紙，3.負(fù)極鋁箔，4.正極引線，5.負(fù)極引線。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，但不作為本實(shí)用新型的限定。
[0019]實(shí)施例1
[0020]如圖1所示，一種新型高頻低阻鋁電解電容器，所述新型高頻低阻鋁電解電容器由內(nèi)到外依次排列為正極鋁箔1、電解紙2、負(fù)極鋁箔3、電解紙2、外部封裝、電氣膠帶，所述正極鋁箔I的純度高達(dá)99.9%，所述正極鋁箔I的厚度為78um，所述負(fù)極鋁箔3的純度高達(dá)99.9%，所述負(fù)極鋁箔3的厚度為28um，所述外部封裝內(nèi)填充有電解液，所述正極鋁箔I上鉚接有正極引線4，所述負(fù)極鋁箔3上鉚接有負(fù)極引線5，所述電氣膠帶設(shè)置在所述外部固定處，所述外部封裝為鋁殼。
[0021]實(shí)施例2
[0022]如圖1所示，一種新型高頻低阻鋁電解電容器，所述新型高頻低阻鋁電解電容器由內(nèi)到外依次排列為正極鋁箔1、電解紙2、負(fù)極鋁箔3、電解紙2、外部封裝、電氣膠帶，所述正極鋁箔I的純度高達(dá)99.9%，所述正極鋁箔I的厚度為78um，所述負(fù)極鋁箔3的純度高達(dá)99.9%，所述負(fù)極鋁箔3的厚度為25um，所述外部封裝內(nèi)填充有電解液，所述正極鋁箔I上鉚接有正極引線4，所述負(fù)極鋁箔3上鉚接有負(fù)極引線5，所述電氣膠帶設(shè)置在所述外部封裝的開口處，所述外部封裝為鋁殼。
[0023]實(shí)施例3
[0024]如圖1所示，一種新型高頻低阻鋁電解電容器，所述新型高頻低阻鋁電解電容器由內(nèi)到外依次排列為正極鋁箔1、電解紙2、負(fù)極鋁箔3、電解紙2、外部封裝、電氣膠帶，所述正極鋁箔I的純度高達(dá)99.9%，所述正極鋁箔I的厚度為83um，所述負(fù)極鋁箔3的純度高達(dá)99.9%，所述負(fù)極鋁箔3的厚度為30um，所述外部封裝內(nèi)填充有電解液，所述正極鋁箔I上鉚接有正極引線4，所述負(fù)極鋁箔3上鉚接有負(fù)極引線5，所述電氣膠帶設(shè)置在所述外部封裝的開口處，所述外部封裝為鋁殼。
[0025]實(shí)施例4
[0026]如圖1所示，一種新型高頻低阻鋁電解電容器，所述新型高頻低阻鋁電解電容器由內(nèi)到外依次排列為正極鋁箔1、電解紙2、負(fù)極鋁箔3、電解紙2、外部封裝、電氣膠帶，所述正極鋁箔I的純度高達(dá)99.9%，所述正極鋁箔I的厚度為85um，所述負(fù)極鋁箔3的純度高達(dá)99.9%，所述負(fù)極鋁箔3的厚度為35um，所述外部封裝內(nèi)填充有電解液，所述正極鋁箔I上鉚接有正極引線4，所述負(fù)極鋁箔3上鉚接有負(fù)極引線5，所述電氣膠帶設(shè)置在所述外部封裝的開口處，所述外部封裝為鋁殼。
[0027]實(shí)施例5
[0028]如圖1所示，一種新型高頻低阻鋁電解電容器，所述新型高頻低阻鋁電解電容器由內(nèi)到外依次排列為正極鋁箔1、電解紙2、負(fù)極鋁箔3、電解紙2、外部封裝、電氣膠帶，所述正極鋁箔I的純度高達(dá)99.9%，所述正極鋁箔I的厚度為88um，所述負(fù)極鋁箔3的純度高達(dá)99.9%,所述負(fù)極鋁箔3的厚度為45um，所述外部封裝內(nèi)填充有電解液，所述正極鋁箔I上鉚接有正極引線4，所述負(fù)極鋁箔3上鉚接有負(fù)極引線5，所述電氣膠帶設(shè)置在所述外部封裝的開口處，所述外部封裝為鋁殼。
[0029]以上所述僅為本實(shí)用新型較佳的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的實(shí)施方式及保護(hù)范圍，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，應(yīng)當(dāng)能夠意識(shí)到凡運(yùn)用本實(shí)用新型說明書及圖示內(nèi)容所作出的等同替換和顯而易見的變化所得到的方案，均應(yīng)當(dāng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種新型高頻低阻鋁電解電容器，其特征在于:所述新型高頻低阻鋁電解電容器由內(nèi)到外依次排列為正極鋁箔、電解紙、負(fù)極鋁箔、電解紙、外部封裝，所述正極鋁箔的厚度為78?88um02.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型高頻低阻鋁電解電容器，其特征在于:所述電解紙的密度0.3611111，厚度為40111]1。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型高頻低阻鋁電解電容器，其特征在于:所述正極鋁箔的厚度為80?83um。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型高頻低阻鋁電解電容器，其特征在于:所述負(fù)極鋁箔的厚度為28?32um。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的新型高頻低阻鋁電解電容器，其特征在于:所述正極鋁箔為純度達(dá)99.9%以上的鋁箔。6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的新型高頻低阻鋁電解電容器，其特征在于:所述負(fù)極鋁箔為純度達(dá)99.9%以上的鋁箔。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型高頻低阻鋁電解電容器，其特征在于:所述外部封裝內(nèi)有適量的電解液。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型高頻低阻鋁電解電容器，其特征在于:所述正極鋁箔上鉚接有正極引線，所述負(fù)極鋁箔上鉚接有負(fù)極引線。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型高頻低阻鋁電解電容器，其特征在于:還包括電氣膠帶，所述電氣膠帶設(shè)置在所述外部固定處。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型高頻低阻鋁電解電容器，其特征在于:所述外部封裝為
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種新型高頻低阻鋁電解電容器，所述新型高頻低阻鋁電解電容器由內(nèi)到外依次排列為正極鋁箔、電解紙、負(fù)極鋁箔、電解紙、外部封裝,所述正極鋁箔的厚度為78～88um。本實(shí)用新型比普通電解電容器相同體積下能夠承受更大的紋波電流，ESR更小，能夠滿足目前開關(guān)電源的小型化，高功率，長壽命的要求。
【IPC分類】H01G9/045, H01G9/048
【公開號(hào)】CN205194522
【申請?zhí)枴緾N201521028965
【發(fā)明人】張成偉, 方喜
【申請人】萬年縣佳輝電子科技有限公司
【公開日】2016年4月27日
【申請日】2015年12月10日