一種電機定子線圈匝間絕緣結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種電機定子線圈匝間絕緣結(jié)構(gòu)，其包括銅扁線、耐電暈聚酰亞胺薄膜和聚酯薄膜補強云母帶，所述耐電暈聚酰亞胺薄膜半疊包設(shè)在銅扁線的外層，在所述耐電暈聚酰亞胺薄膜外層半疊包有雙層聚酯薄膜補強云母帶，所述耐電暈聚酰亞胺薄膜層與雙層聚酯薄膜補強云母帶層的厚度之和為0.68mm至0.72mm。本發(fā)明由于采用耐電暈聚酰亞胺薄膜層，在暈聚酰亞胺薄膜層外設(shè)有雙層薄膜補強云母帶，提高了抵御局部放電的能力，此外由于增加了整個絕緣層的厚度，從而大大提高了絕緣性能。
【專利說明】一種電機定子線圈匝間絕緣結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電機制造領(lǐng)域，尤其涉及一種電機定子線圈匝間絕緣結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著交流變頻調(diào)速系統(tǒng)在工業(yè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，變頻調(diào)速電機市場需求逐漸上升。交流高壓變頻電機技術(shù)開發(fā)的關(guān)鍵在于電機絕緣結(jié)構(gòu)的設(shè)計，其定子線圈匝間絕緣在變頻器運行條件下相對傳統(tǒng)工頻所受電應(yīng)力更為嚴酷，對匝間絕緣結(jié)構(gòu)的要求也更高，與工頻電源不同，在變頻器運行條件下，定子線圈匝間絕緣需承受來自變頻器的沖擊電壓，且沖擊上升時間很短，這將導致電壓在繞組上分布不均勻，首末匝線圈承受大部分沖擊電壓，有資料表明，電機端電壓的80%將落在電機繞組的首末匝線圈上。這就是高壓變頻電機定子線圈匝間絕緣過早破壞的主要原因之一。此外，局部放電也是變頻電機匝間絕緣破壞的主要根源。匝間絕緣產(chǎn)生局部放電需要兩個條件:一是相鄰匝間的電壓超過起暈電壓；二是相鄰匝間存在氣隙或氣泡。在電機生產(chǎn)過程中，盡管采用了先進的真空壓力浸潰工藝(VPI工藝)，但仍不可完全避免相鄰匝間產(chǎn)生氣隙或氣泡。當相鄰匝間的電壓超過起暈電壓時，氣泡處即發(fā)生局部放電。局部放電一方面會氧化絕緣，另一方面會裂解絕緣，從而導致絕緣失效。
[0003]通常電機匝間絕緣即電磁線絕緣，其絕緣結(jié)構(gòu)取決于額定電壓和線圈匝數(shù)。按常規(guī)設(shè)計，對于額定電壓3.3kV定子線圈匝間絕緣，其絕緣結(jié)構(gòu)為在銅扁線外設(shè)有一層聚酰亞胺薄膜，聚酰亞胺薄膜外層再繞包有雙層玻璃絲，聚酰亞胺薄膜一般厚度為0.03mm，采用半疊包后該聚酰亞胺薄膜的厚度約為0.12mm，單層玻璃絲層的厚度一般為0.07，采用半疊包后該雙層玻璃絲層的厚度為0.28，聚酰亞胺薄膜層與雙層玻璃絲層的絕緣厚度之和為
0.40_。此種結(jié)構(gòu)存在以下缺陷:1、由于沒有考慮變頻器運行情況下沖擊電壓的影響，絕緣厚度較薄，在高的電場強度下易產(chǎn)生絕緣擊穿，導致絕緣失效；2、由于局部放電的侵襲，容易導致匝間絕緣被擊穿，導致絕緣失效。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于克服以上缺陷，提供一種絕緣效果好，不容易被擊穿的電機定子線圈匝間絕緣結(jié)構(gòu)。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案為:一種電機定子線圈匝間絕緣結(jié)構(gòu)，其包括銅扁線、耐電暈聚酰亞胺薄膜和聚酯薄膜補強云母帶，所述耐電暈聚酰亞胺薄膜半疊包設(shè)在銅扁線的外層，在所述耐電暈聚酰亞胺薄膜外層半疊包有雙層聚酯薄膜補強云母帶，所述耐電暈聚酰亞胺薄膜層與雙層聚酯薄膜補強云母帶層的厚度之和為0.68 mm至0.72mm。
[0006]優(yōu)選的，所述半疊包的疊包率為48%至50%。
[0007]優(yōu)選的,所述耐電暈聚酰亞胺薄膜的厚度為0.025 mm至0.035mm。
[0008]優(yōu)選的,所述單層聚酯薄膜補強云母帶的厚度為0.08 mm至0.09mm。
[0009]優(yōu)選的，所述兩層聚酯薄膜補強云母帶之間的疊縫是錯開的。[0010]本發(fā)明的有益技術(shù)效果是，由于采用耐電暈聚酰亞胺薄膜層，在暈聚酰亞胺薄膜層外設(shè)有雙層薄膜補強云母帶，提高了抵御局部放電的能力，此外由于增加了整個絕緣層的厚度，從而大大提高了絕緣性能。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是定子線圈外形示意圖；
圖2是圖1的B-B處剖視圖；
圖3是圖2的A處局部放大圖。
【具體實施方式】
[0012]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步說明:
實施例1:參照附圖，一種電機定子線圈匝間絕緣結(jié)構(gòu)，其包括銅扁線4、耐電暈聚酰亞胺薄膜5和聚酯薄膜補強云母帶6，所述耐電暈聚酰亞胺薄膜5的厚度為0.025mm,采用48%的疊包率包設(shè)在銅扁線4的外層并經(jīng)燒結(jié)熔合，所述聚酯薄膜補強云母帶6的單層厚度為
0.08mm，在耐電暈聚酰亞胺薄膜5外層以堅％的疊包率繞包有兩層聚酯薄膜補強云母帶6，兩層聚酯薄膜補強云母帶6之間的疊縫必須錯開，繞包后，耐電暈聚酰亞胺薄膜5與雙層聚酯薄膜補強云母帶6的厚度之和控制在0.68mm至0.72mm之間。繞包好耐電暈聚酰亞胺薄膜5和聚酯薄膜補強云母帶6的銅扁線4形成了電磁線1，用專業(yè)的設(shè)備將電磁線I繞成梭形的定子線圈，然后對成形的定子線圈進行匝間膠化，匝間膠化好的定子線圈上先用少膠云母帶2半疊包，然后用低阻帶3半疊包，將包好對地絕緣的定子線圈嵌入定子鐵芯，然后定子真空壓力浸潰無溶劑樹脂。
[0013]實施例2:參照附圖，一種電機定子線圈匝間絕緣結(jié)構(gòu)，除耐電暈聚酰亞胺薄膜5和雙層聚酯薄膜補強云母帶6的疊包率為50%外都和實施例1 一致。
[0014]實施例3:參照附圖，一種電機定子線圈匝間絕緣結(jié)構(gòu)，除耐電暈聚酰亞胺薄膜5的厚度為0.35mm和單層聚酯薄膜補強云母帶6的厚度為0.09mm外都和實施例1 一致。
[0015]實施例4:參照附圖，一種電機定子線圈匝間絕緣結(jié)構(gòu)，除耐電暈聚酰亞胺薄膜5的厚度為0.35mm、單層聚酯薄膜補強云母帶6的厚度為0.09mm和疊包率為50%外都和實施例I 一致。
[0016]以上只是本發(fā)明的四個優(yōu)選示范例。本發(fā)明申請請求保護的范圍并不只限于所述的實施例。凡與本實施例等效的技術(shù)方案如耐電暈聚酰亞胺薄膜的厚度和聚酯薄膜補強云母帶的厚度以及疊包時的疊包率采用其他數(shù)值組合，均屬于本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種電機定子線圈匝間絕緣結(jié)構(gòu)，其包括銅扁線、耐電暈聚酰亞胺薄膜和聚酯薄膜補強云母帶，其特征在于，所述耐電暈聚酰亞胺薄膜半疊包設(shè)在銅扁線的外層，在所述耐電暈聚酰亞胺薄膜外層半疊包有雙層聚酯薄膜補強云母帶，所述耐電暈聚酰亞胺薄膜層與雙層聚酯薄膜補強云母帶層的厚度之和為0.68 mm至0.72mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電機定子線圈匝間絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半疊包的疊包率為48%至50%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的一種電機定子線圈匝間絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述耐電暈聚酰亞胺薄膜的厚度為0.025 mm至0.035mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的一種電機定子線圈匝間絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單層聚酯薄膜補強云母帶的厚度為0.08 mm至0.09mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種電機定子線圈匝間絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單層聚酯薄膜補強云母帶的厚度為0.08 mm至0.09mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的一種電機定子線圈匝間絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述兩層聚酯薄膜補強云母帶之間的疊縫是錯開的。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種電機定子線圈匝間絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述兩層聚酯薄膜補強云母帶之間的疊縫是錯開的。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種電機定子線圈匝間絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述兩層聚酯薄膜補強云母帶之間的疊縫是錯開的。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種電機定子線圈匝間絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述兩層聚酯薄膜補強云母帶之間的疊縫是錯開的。
【文檔編號】H02K3/34GK103997148SQ201410262525
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年6月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月13日
【發(fā)明者】朱勇穗, 王放文, 張敬龍, 宋桂霞 申請人:湘潭電機股份有限公司