本發(fā)明涉及機電技術領域，特別地，涉及一種三電平變流器的直接轉矩控制方法與裝置。

背景技術：

三電平npc(three-levelneutralpointclamped)拓撲自提出以來，就在中高壓交流傳動、柔性輸電、電網(wǎng)無功補償和吸收等多個領域得到了廣泛的應用。中點電位不平衡是二極管箝位型三電平逆變器的固有問題，中點電位的不平衡會大幅增加輸出電壓和電流諧波，導致開關管承受應力變大，甚至造成負載電機轉矩大幅震蕩。特別在電機控制領域，基于三電平變流器的直接轉矩控制一直以來是研究的熱點問題。

傳統(tǒng)的中點電位平衡方法根據(jù)中點電壓偏移和負載電流的方向來分配小矢量和中矢量的作用時間來平衡中點電位。根據(jù)中點電位偏移方向，調整成對小矢量的作用時間，增加有利于中點電位平衡的小矢量作用時間，減少不利于中點電位平衡的小矢量作用時間，平衡中點電位的偏移。但這類方法沒有考慮到中點電位偏移時成對小矢量幅值不相等，對矢量時間的計算不精確。且由于使用成對兩個小矢量，會使得動態(tài)響應較慢，開關損耗大。

傳統(tǒng)的三電平直接轉矩控制是通過轉矩和磁鏈滯環(huán)來選擇最合適的電壓矢量，容易導致轉矩波動，也導致在固定的采樣周期內，開關頻率不恒定，無法充分利用功率器件的容量，產(chǎn)生不同階次的諧波。同時由于滿足轉矩和磁鏈的電壓矢量，可能會使三電平變流器中點電位偏移，導致轉矩震蕩。

針對現(xiàn)有技術中直接轉矩控制方法對矢量時間的計算不精確、動態(tài)響應較慢、開關損耗大、轉矩波動的問題，目前尚未有有效的解決方案。

技術實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提出一種三電平變流器的直接轉矩控制方法與裝置，能夠精確計算矢量時間、快速動態(tài)響應、減少開關損耗與轉矩波動。

基于上述目的，本發(fā)明提供的技術方案如下：

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種三電平變流器的直接轉矩控制方法，包括：

使用pi轉矩控制器與目標電壓矢量計算單元確定輸出的兩相目標電壓矢量；

將兩相目標電壓矢量轉化為三相參考電壓矢量；

確定三相參考電壓矢量所在的扇區(qū)；

在三相參考電壓矢量所在的扇區(qū)內選擇有利于中點電位平衡的小矢量參與合成目標參考電壓矢量。

在一些實施方式中，所述使用pi轉矩控制器與目標電壓矢量計算單元確定輸出的兩相目標電壓矢量包括：

觀測磁鏈，獲得估算定子磁鏈矢量；

根據(jù)磁鏈與pi轉矩控制器獲得參考定子磁鏈矢量；

根據(jù)參考定子磁鏈矢量與估算定子磁鏈矢量獲得定子磁鏈偏差；

根據(jù)定子磁鏈轉矩角確定電磁轉矩；

根據(jù)定子磁鏈偏差與電磁轉矩確定兩相目標電壓矢量。

在一些實施方式中，所述將兩相目標電壓矢量轉化為三相參考電壓矢量為根據(jù)以下對應關系進行轉化：

其中，所述兩相目標電壓矢量分別為uα、uβ，所述三相參考電壓矢量分別為ua、ub、uc。

在一些實施方式中，所述確定三相參考電壓矢量所在的扇區(qū)包括：

根據(jù)所述三相參考電壓矢量的方向角確定所述三相參考電壓矢量所在的大扇區(qū)與所述三相參考電壓矢量所在大扇區(qū)的偏轉角；

根據(jù)所述三相參考電壓矢量所在的大扇區(qū)與所述三相參考電壓矢量所在大扇區(qū)的偏轉角確定所述三相參考電壓矢量所在的小扇區(qū)。

在一些實施方式中，所述在三相參考電壓矢量所在的扇區(qū)內選擇有利于中點電位平衡的小矢量參與合成目標參考電壓矢量包括：

確定中點電位不平衡度與調制度；

根據(jù)中矢量與兩個相鄰小矢量的平均值確定虛擬空間矢量；

確定中點電位不平衡度與調制度確定各矢量作用時間；

根據(jù)虛擬空間矢量與各矢量作用時間合成目標參考電壓矢量。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種三電平變流器的直接轉矩控制裝置，包括：

計算模塊，用于根據(jù)pi轉矩控制器與目標電壓矢量計算單元確定輸出的兩相目標電壓矢量；

變換模塊，用于將兩相目標電壓矢量轉化為三相參考電壓矢量；

定位模塊，用于確定三相參考電壓矢量所在的扇區(qū)；

合成模塊，用于在三相參考電壓矢量所在的扇區(qū)內選擇有利于中點電位平衡的小矢量參與合成目標參考電壓矢量。

在一些實施方式中，所述計算模塊的工作步驟包括：

觀測磁鏈，獲得估算定子磁鏈矢量；

根據(jù)磁鏈與pi轉矩控制器獲得參考定子磁鏈矢量；

根據(jù)參考定子磁鏈矢量與估算定子磁鏈矢量獲得定子磁鏈偏差；

根據(jù)定子磁鏈轉矩角確定電磁轉矩；

根據(jù)定子磁鏈偏差與電磁轉矩確定兩相目標電壓矢量。

在一些實施方式中，所述變換模塊的工作為三相參考電壓矢量為根據(jù)以下對應關系進行轉化：

其中，所述兩相目標電壓矢量分別為uα、uβ，所述三相參考電壓矢量分別為ua、ub、uc。

在一些實施方式中，所述定位模塊的工作步驟包括：

根據(jù)所述三相參考電壓矢量的方向角確定所述三相參考電壓矢量所在的大扇區(qū)與所述三相參考電壓矢量所在大扇區(qū)的偏轉角；

根據(jù)所述三相參考電壓矢量所在的大扇區(qū)與所述三相參考電壓矢量所在大扇區(qū)的偏轉角確定所述三相參考電壓矢量所在的小扇區(qū)。

在一些實施方式中，所述合成模塊的工作步驟包括：

確定中點電位不平衡度與調制度；

根據(jù)中矢量與兩個相鄰小矢量的平均值確定虛擬空間矢量；

確定中點電位不平衡度與調制度確定各矢量作用時間；

根據(jù)虛擬空間矢量與各矢量作用時間合成目標參考電壓矢量。

從上面所述可以看出，本發(fā)明提供的技術方案通過使用pi轉矩控制器與目標電壓矢量計算單元確定輸出的兩相目標電壓矢量轉化為三相參考電壓矢量，確定所在的扇區(qū)并選擇有利于中點電位平衡的小矢量參與合成目標參考電壓矢量的技術手段，能夠精確計算矢量時間、快速動態(tài)響應、減少開關損耗與轉矩波動。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為根據(jù)本發(fā)明實施例的一種三電平變流器的直接轉矩控制方法的流程圖；

圖2為根據(jù)本發(fā)明實施例的一種三電平變流器的直接轉矩控制方法中，svm-dtc原理結構框圖；

圖3為根據(jù)本發(fā)明實施例的一種三電平變流器的直接轉矩控制方法的一個實施例中的空間矢量圖；

圖4為根據(jù)本發(fā)明實施例的一種三電平變流器的直接轉矩控制方法的一個實施例中的a扇區(qū)的矢量合成關系圖；

圖5為根據(jù)本發(fā)明實施例的一種三電平變流器的直接轉矩控制裝置的結構框圖；

圖6為根據(jù)本發(fā)明實施例的一種三電平變流器的直接轉矩控制方法的電子設備的一個實施例的硬件結構圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚明白，下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進一步進行清楚、完整、詳細地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

基于上述目的，根據(jù)本發(fā)明的第一個實施例，提供了一種三電平變流器的直接轉矩控制方法。

如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明實施例提供的三電平變流器的直接轉矩控制方法包括：

步驟s101，使用pi轉矩控制器與目標電壓矢量計算單元確定輸出的兩相目標電壓矢量；

步驟s103，將兩相目標電壓矢量轉化為三相參考電壓矢量；

步驟s105，確定三相參考電壓矢量所在的扇區(qū)；

步驟s107，在三相參考電壓矢量所在的扇區(qū)內選擇有利于中點電位平衡的小矢量參與合成目標參考電壓矢量。

在一些實施方式中，所述使用pi轉矩控制器與目標電壓矢量計算單元確定輸出的兩相目標電壓矢量包括：

觀測磁鏈，獲得估算定子磁鏈矢量；

根據(jù)磁鏈與pi轉矩控制器獲得參考定子磁鏈矢量；

根據(jù)參考定子磁鏈矢量與估算定子磁鏈矢量獲得定子磁鏈偏差；

根據(jù)定子磁鏈轉矩角確定電磁轉矩；

根據(jù)定子磁鏈偏差與電磁轉矩確定兩相目標電壓矢量。

在一些實施方式中，所述將兩相目標電壓矢量轉化為三相參考電壓矢量為根據(jù)以下對應關系進行轉化：

其中，所述兩相目標電壓矢量分別為uα、uβ，所述三相參考電壓矢量分別為ua、ub、uc。

在一些實施方式中，所述確定三相參考電壓矢量所在的扇區(qū)包括：

根據(jù)所述三相參考電壓矢量的方向角確定所述三相參考電壓矢量所在的大扇區(qū)與所述三相參考電壓矢量所在大扇區(qū)的偏轉角；

根據(jù)所述三相參考電壓矢量所在的大扇區(qū)與所述三相參考電壓矢量所在大扇區(qū)的偏轉角確定所述三相參考電壓矢量所在的小扇區(qū)。

在一些實施方式中，所述在三相參考電壓矢量所在的扇區(qū)內選擇有利于中點電位平衡的小矢量參與合成目標參考電壓矢量包括：

確定中點電位不平衡度與調制度；

根據(jù)中矢量與兩個相鄰小矢量的平均值確定虛擬空間矢量；

確定中點電位不平衡度與調制度確定各矢量作用時間；

根據(jù)虛擬空間矢量與各矢量作用時間合成目標參考電壓矢量。

綜上所述，借助于本發(fā)明上述的技術方案，通過使用pi轉矩控制器與目標電壓矢量計算單元確定輸出的兩相目標電壓矢量轉化為三相參考電壓矢量，確定所在的扇區(qū)并選擇有利于中點電位平衡的小矢量參與合成目標參考電壓矢量的技術手段，能夠精確計算矢量時間、快速動態(tài)響應、減少開關損耗與轉矩波動。

基于上述目的，根據(jù)本發(fā)明的第二個實施例，提供了一種三電平變流器的直接轉矩控制方法的一個實施例。

在αβ靜止坐標系下，定子磁鏈ψs和定子電壓的us關系為：

定子磁鏈幅值

定子磁鏈角位置

θ＝arctan(ψsβ/ψsα)(3)

電機轉矩方程

式中ψsα、ψsβ、usα、usβ、isα、isβ分別為定子磁鏈矢量、定子電壓矢量、定子電流矢量在α、β上的分量，te為電磁轉矩，lσ為漏感，np為極對數(shù)，ψr為轉子磁鏈，rs為定子電阻，θ為轉子磁鏈與定子磁鏈夾角，即轉矩角。

由(4)式可知，當保持定、轉子磁鏈幅值恒定，改變轉矩角即可改變電磁轉矩。

本發(fā)明實施例提出的三電平直接轉矩控制利用pi轉矩控制器、目標電壓矢量計算單元替代了傳統(tǒng)dtc控制中的磁鏈、轉矩滯環(huán)比較器和電壓矢量開關表。通過磁鏈觀測可估算出磁鏈當前位置，結合轉矩pi控制器輸出可計算出參考定子磁鏈矢量。

參考定子磁鏈矢量和估算出的定子磁鏈矢量得到定子磁鏈偏差。

結合(1)、(5)和(6)可確定目標輸出電壓矢量。

svm可減少輸出電流中的諧波，提高直流母線電壓利用率，同時保證功率器件的開關頻率恒定，實現(xiàn)磁鏈和轉矩的平滑控制，從而降低磁鏈、轉矩脈動。svm-dtc原理結構框圖如圖2所示。

該目標輸出電壓矢量通過空間矢量調制方法由幾個基本開關電壓矢量合成，合成過程中要考慮三電平變流器中點電位的平衡問題。

對三電平空間矢量進行重新分區(qū)，將一個大扇區(qū)平分為三個小扇區(qū)?？紤]到中點電位偏移時小矢量幅值的變化，引入中點電位不平衡度，根據(jù)中點電位偏移方向和相電流的方向，選擇有利于平衡中點電位的小矢量，精確計算矢量作用時間，合理安排矢量序列，實現(xiàn)對中點電位的精確控制。

計算參考電壓矢量幅值和相角的方法具體為三相-兩相變換的方法，其計算公式為：

根據(jù)上述公式可以計算參考電壓矢量的幅值uref和相角u。

參考電壓矢量所在大扇區(qū)的判斷方法為：

若0≤u<π/3，定子磁鏈位于a扇區(qū)，令s＝a,n＝1；

若π/3≤u<2π/3時，定子磁鏈位于b扇區(qū)，令s＝b,n＝2；

若2π/3≤u<π時，定子磁鏈位于c扇區(qū)，令s＝c,n＝3；

若π≤u<4π/3時，定子磁鏈位于d扇區(qū)，令s＝d,n＝4；

若4π/3≤u<5π/3時，定子磁鏈位于e扇區(qū)，令s＝e,n＝5；

若5π/3≤u<2π時，定子磁鏈位于f扇區(qū)，令s＝f,n＝6。

參考電壓矢量所在小扇區(qū)的判斷方法為：

當參考電壓矢量位于s(s＝a,b,c,d,e,f)扇區(qū)，令θ＝u-(n-1)π/3。

若或參考電壓矢量位于s1扇區(qū)；

若或參考電壓矢量位于s2扇區(qū)；

否則，參考電壓矢量位于s3扇區(qū)。

選擇有利于中點電位平衡的小矢量的判斷方法為：

考慮中點電位不平衡時，成對小矢量幅值大小并不相等，引入中點電位不平衡度k＝1-2uc2/udc。k表征中點電位偏移程度，k為0表示中點電位不發(fā)生偏移，k的絕對值越大，表示中點電位偏移越嚴重。調制度為線性調制區(qū)間為0<m<1?？紤]到中點電位偏移，應注意成對的小矢量大小并不相等。將扇區(qū)a以角平分線為邊界分為三個小扇區(qū)，引入虛擬空間矢量

零矢量和大矢量對應的工作狀態(tài)不與中點相連，對中點電位無影響；虛擬空間矢量流入中點的電流為零，則虛擬空間矢量的引入對中點電位也無影響。因此，根據(jù)中點電位偏移的方向和相電流方向來選取有利于中點電位平衡的小矢量，就可實現(xiàn)對中點電位的控制。由于只選擇成對小矢量中的一個小矢量參與合成參考矢量，而不是使用成對兩個矢量合成參考矢量，這樣使得治理中點電位偏移的速度更快，開關次數(shù)更少。

圖3示出的是在本實施例中的空間矢量圖。如圖3所示，空間矢量圖由零矢量，小矢量，中矢量和大矢量組成，分為abcdef這六個扇區(qū)?？紤]中點電位不平衡，中點電位偏移較大時，例如串聯(lián)電容兩側電壓比為uc1/uc2＝3/7時，成對小矢量大小并不相等，因此有必要考慮成對小矢量大小不相等對參考矢量合成的影響。

圖4示出的是本實施例中a扇區(qū)的矢量合成關系圖。如圖4所示，a扇區(qū)分為三個小扇區(qū)，參考矢量uref＝uref(cosθ+jsinθ)。本發(fā)明實施例令控制周期ts＝1為單位時間，以a扇區(qū)為例進行分析。

當參考電壓矢量uref位于a1扇區(qū)時，電壓矢量u0、u3和不影響中點電位。u1n的中點電流為ia，u1p的中點電流為-ia，u1n和u1p對中點電位的作用相反。通過判定k和ia的符號，選擇有利于平衡中點電位的小矢量合成參考矢量，分情況進行討論：

(1)kia<0，用u0、u1n和合成參考電壓矢量，此時參考矢量合成關系為：

t2+t1+t0＝1

可得各矢量作用時間：

t2＝3msinθ

t0＝1-t1-t2

若t0<0，則表明由于調制度較大，參考電壓矢量uref不能用u0參與合成，用u3代替u0參與合成參考電壓矢量uref。此時參考矢量合成關系為：

t2+t1+t3＝1

可得各矢量作用時間：

t2＝3msinθ

t3＝1-t1-t2

(2)kia>0，用u0、u1p和合成參考電壓矢量，此時參考矢量合成關系為

t2+t1+t0＝1

可得各矢量作用時間：

t2＝3msinθ

t0＝1-t1-t2

若t0<0，則表明由于調制度較大，參考電壓矢量uref不能用u0參與合成，此時用u3代替u0參與合成參考電壓矢量uref。此時參考矢量合成關系為：

t2+t1+t3＝1

可得各矢量作用時間：

t2＝3msinθ

t3＝1-t1-t2

輸出對應的電壓矢量序列，合成目標參考電壓矢量。

(2)參考矢量位于a2扇區(qū)

當參考電壓矢量uref位于a2扇區(qū)時，情況和a1扇區(qū)類似，電壓矢量u0、u5和不影響中點電位。u4n的中點電流為ic，u4p的中點電流為-ic，u4n和u4p對中點電位的作用相反。根據(jù)kic的符號選擇有利于中點電位平衡的小矢量(u4n或u4p)參與參考電壓矢量的合成。

(3)參考矢量位于a3扇區(qū)

當參考電壓矢量uref位于a3扇區(qū)時，由于u3、u5和的作用不影響中點電壓，參考矢量的合成不影響中點電壓。此時參考矢量合成關系為：

t2+t5+t3＝1

可得各矢量作用時間：

t2＝3-3msin(π/3+θ)

輸出對應的電壓矢量序列，合成目標參考電壓矢量。

綜上所述，借助于本發(fā)明上述的技術方案，通過使用pi轉矩控制器與目標電壓矢量計算單元確定輸出的兩相目標電壓矢量轉化為三相參考電壓矢量，確定所在的扇區(qū)并選擇有利于中點電位平衡的小矢量參與合成目標參考電壓矢量的技術手段，能夠精確計算矢量時間、快速動態(tài)響應、減少開關損耗與轉矩波動。

基于上述目的，根據(jù)本發(fā)明的第三個實施例，提供了一種三電平變流器的直接轉矩控制裝置。

如圖5所示，根據(jù)本發(fā)明實施例提供的三電平變流器的直接轉矩控制裝置包括：

計算模塊51，用于根據(jù)pi轉矩控制器與目標電壓矢量計算單元確定輸出的兩相目標電壓矢量；

變換模塊52，用于將兩相目標電壓矢量轉化為三相參考電壓矢量；

定位模塊53，用于確定三相參考電壓矢量所在的扇區(qū)；

合成模塊54，用于在三相參考電壓矢量所在的扇區(qū)內選擇有利于中點電位平衡的小矢量參與合成目標參考電壓矢量。

在一些實施方式中，所述計算模塊51的工作步驟包括：

觀測磁鏈，獲得估算定子磁鏈矢量；

根據(jù)磁鏈與pi轉矩控制器獲得參考定子磁鏈矢量；

根據(jù)參考定子磁鏈矢量與估算定子磁鏈矢量獲得定子磁鏈偏差；

根據(jù)定子磁鏈轉矩角確定電磁轉矩；

根據(jù)定子磁鏈偏差與電磁轉矩確定兩相目標電壓矢量。

在一些實施方式中，所述變換模塊52的工作為三相參考電壓矢量為根據(jù)以下對應關系進行轉化：

其中，所述兩相目標電壓矢量分別為uα、uβ，所述三相參考電壓矢量分別為ua、ub、uc。

在一些實施方式中，所述定位模塊53的工作步驟包括：

根據(jù)所述三相參考電壓矢量的方向角確定所述三相參考電壓矢量所在的大扇區(qū)與所述三相參考電壓矢量所在大扇區(qū)的偏轉角；

根據(jù)所述三相參考電壓矢量所在的大扇區(qū)與所述三相參考電壓矢量所在大扇區(qū)的偏轉角確定所述三相參考電壓矢量所在的小扇區(qū)。

在一些實施方式中，所述合成模塊54的工作步驟包括：

確定中點電位不平衡度與調制度；

根據(jù)中矢量與兩個相鄰小矢量的平均值確定虛擬空間矢量；

確定中點電位不平衡度與調制度確定各矢量作用時間；

根據(jù)虛擬空間矢量與各矢量作用時間合成目標參考電壓矢量。

綜上所述，借助于本發(fā)明上述的技術方案，通過使用pi轉矩控制器與目標電壓矢量計算單元確定輸出的兩相目標電壓矢量轉化為三相參考電壓矢量，確定所在的扇區(qū)并選擇有利于中點電位平衡的小矢量參與合成目標參考電壓矢量的技術手段，能夠精確計算矢量時間、快速動態(tài)響應、減少開關損耗與轉矩波動。

基于上述目的，根據(jù)本發(fā)明的第四個實施例，提供了一種執(zhí)行所述三電平變流器的直接轉矩控制方法的電子設備的一個實施例。

所述執(zhí)行所述三電平變流器的直接轉矩控制方法的電子設備包括至少一個處理器；以及與所述至少一個處理器通信連接的存儲器；其中，所述存儲器存儲有可被所述至少一個處理器執(zhí)行的指令，所述指令被所述至少一個處理器執(zhí)行，以使所述至少一個處理器能夠執(zhí)行如上所述任意一種方法。

如圖6所示，為本發(fā)明提供的執(zhí)行所述實時通話中的語音處理方法的電子設備的一個實施例的硬件結構示意圖。

以如圖6所示的電子設備為例，在該電子設備中包括一個處理器601以及一個存儲器602，并還可以包括：輸入裝置603和輸出裝置604。

處理器601、存儲器602、輸入裝置603和輸出裝置604可以通過總線或者其他方式連接，圖6中以通過總線連接為例。

存儲器602作為一種非易失性計算機可讀存儲介質，可用于存儲非易失性軟件程序、非易失性計算機可執(zhí)行程序以及模塊，如本申請實施例中的所述三電平變流器的直接轉矩控制方法對應的程序指令/模塊。處理器601通過運行存儲在存儲器602中的非易失性軟件程序、指令以及模塊，從而執(zhí)行服務器的各種功能應用以及數(shù)據(jù)處理，即實現(xiàn)上述方法實施例的三電平變流器的直接轉矩控制方法。

存儲器602可以包括存儲程序區(qū)和存儲數(shù)據(jù)區(qū)，其中，存儲程序區(qū)可存儲操作系統(tǒng)、至少一個功能所需要的應用程序；存儲數(shù)據(jù)區(qū)可存儲根據(jù)三電平變流器的直接轉矩控制裝置的使用所創(chuàng)建的數(shù)據(jù)等。此外，存儲器602可以包括高速隨機存取存儲器，還可以包括非易失性存儲器，例如至少一個磁盤存儲器件、閃存器件、或其他非易失性固態(tài)存儲器件。在一些實施例中，存儲器602可選包括相對于處理器601遠程設置的存儲器。上述網(wǎng)絡的實例包括但不限于互聯(lián)網(wǎng)、企業(yè)內部網(wǎng)、局域網(wǎng)、移動通信網(wǎng)及其組合。

輸入裝置603可接收輸入的數(shù)字或字符信息，以及產(chǎn)生與三電平變流器的直接轉矩控制裝置的用戶設置以及功能控制有關的鍵信號輸入。輸出裝置604可包括顯示屏等顯示設備。

所述一個或者多個模塊存儲在所述存儲器602中，當被所述處理器601執(zhí)行時，執(zhí)行上述任意方法實施例中的三電平變流器的直接轉矩控制方法。

所述執(zhí)行所述三電平變流器的直接轉矩控制方法的電子設備的任何一個實施例，可以達到與之對應的前述任意方法實施例相同或者相類似的效果。

本領域普通技術人員可以理解實現(xiàn)上述實施例方法中的全部或部分流程，是可以通過計算機程序來指令相關硬件來完成，所述的程序可存儲于一計算機可讀取存儲介質中，該程序在執(zhí)行時，可包括如上述各方法的實施例的流程。其中，所述的存儲介質可為磁碟、光盤、只讀存儲記憶體(read-onlymemory，rom)或隨機存儲記憶體(randomaccessmemory，ram)等。所述計算機程序的實施例，可以達到與之對應的前述任意方法實施例相同或者相類似的效果。

此外，典型地，本公開所述的裝置、設備等可為各種電子終端設備，例如手機、個人數(shù)字助理(pda)、平板電腦(pad)、智能電視等，也可以是大型終端設備，如服務器等，因此本公開的保護范圍不應限定為某種特定類型的裝置、設備。本公開所述的客戶端可以是以電子硬件、計算機軟件或兩者的組合形式應用于上述任意一種電子終端設備中。

此外，根據(jù)本公開的方法還可以被實現(xiàn)為由cpu執(zhí)行的計算機程序，該計算機程序可以存儲在計算機可讀存儲介質中。在該計算機程序被cpu執(zhí)行時，執(zhí)行本公開的方法中限定的上述功能。

此外，上述方法步驟以及系統(tǒng)單元也可以利用控制器以及用于存儲使得控制器實現(xiàn)上述步驟或單元功能的計算機程序的計算機可讀存儲介質實現(xiàn)。

此外，應該明白的是，本發(fā)明所述的計算機可讀存儲介質(例如，存儲器)可以是易失性存儲器或非易失性存儲器，或者可以包括易失性存儲器和非易失性存儲器兩者。作為例子而非限制性的，非易失性存儲器可以包括只讀存儲器(rom)、可編程rom(prom)、電可編程rom(eprom)、電可擦寫可編程rom(eeprom)或快閃存儲器。易失性存儲器可以包括隨機存取存儲器(ram)，該ram可以充當外部高速緩存存儲器。作為例子而非限制性的，ram可以以多種形式獲得，比如同步ram(dram)、動態(tài)ram(dram)、同步dram(sdram)、雙數(shù)據(jù)速率sdram(ddrsdram)、增強sdram(esdram)、同步鏈路dram(sldram)以及直接rambusram(drram)。所公開的方面的存儲設備意在包括但不限于這些和其它合適類型的存儲器。

本領域技術人員還將明白的是，結合這里的公開所描述的各種示例性邏輯塊、模塊、電路和算法步驟可以被實現(xiàn)為電子硬件、計算機軟件或兩者的組合。為了清楚地說明硬件和軟件的這種可互換性，已經(jīng)就各種示意性組件、方塊、模塊、電路和步驟的功能對其進行了一般性的描述。這種功能是被實現(xiàn)為軟件還是被實現(xiàn)為硬件取決于具體應用以及施加給整個系統(tǒng)的設計約束。本領域技術人員可以針對每種具體應用以各種方式來實現(xiàn)所述的功能，但是這種實現(xiàn)決定不應被解釋為導致脫離本公開的范圍。

結合這里的公開所描述的各種示例性邏輯塊、模塊和電路可以利用被設計成用于執(zhí)行這里所述功能的下列部件來實現(xiàn)或執(zhí)行：通用處理器、數(shù)字信號處理器(dsp)、專用集成電路(asic)、現(xiàn)場可編程門陣列(fpga)或其它可編程邏輯器件、分立門或晶體管邏輯、分立的硬件組件或者這些部件的任何組合。通用處理器可以是微處理器，但是可替換地，處理器可以是任何傳統(tǒng)處理器、控制器、微控制器或狀態(tài)機。處理器也可以被實現(xiàn)為計算設備的組合，例如，dsp和微處理器的組合、多個微處理器、一個或多個微處理器結合dsp核、或任何其它這種配置。

結合這里的公開所描述的方法或算法的步驟可以直接包含在硬件中、由處理器執(zhí)行的軟件模塊中或這兩者的組合中。軟件模塊可以駐留在ram存儲器、快閃存儲器、rom存儲器、eprom存儲器、eeprom存儲器、寄存器、硬盤、可移動盤、cd-rom、或本領域已知的任何其它形式的存儲介質中。示例性的存儲介質被耦合到處理器，使得處理器能夠從該存儲介質中讀取信息或向該存儲介質寫入信息。在一個替換方案中，所述存儲介質可以與處理器集成在一起。處理器和存儲介質可以駐留在asic中。asic可以駐留在用戶終端中。在一個替換方案中，處理器和存儲介質可以作為分立組件駐留在用戶終端中。

在一個或多個示例性設計中，所述功能可以在硬件、軟件、固件或其任意組合中實現(xiàn)。如果在軟件中實現(xiàn)，則可以將所述功能作為一個或多個指令或代碼存儲在計算機可讀介質上或通過計算機可讀介質來傳送。計算機可讀介質包括計算機存儲介質和通信介質，該通信介質包括有助于將計算機程序從一個位置傳送到另一個位置的任何介質。存儲介質可以是能夠被通用或專用計算機訪問的任何可用介質。作為例子而非限制性的，該計算機可讀介質可以包括ram、rom、eeprom、cd-rom或其它光盤存儲設備、磁盤存儲設備或其它磁性存儲設備，或者是可以用于攜帶或存儲形式為指令或數(shù)據(jù)結構的所需程序代碼并且能夠被通用或專用計算機或者通用或專用處理器訪問的任何其它介質。此外，任何連接都可以適當?shù)胤Q為計算機可讀介質。例如，如果使用同軸線纜、光纖線纜、雙絞線、數(shù)字用戶線路(dsl)或諸如紅外線、無線電和微波的無線技術來從網(wǎng)站、服務器或其它遠程源發(fā)送軟件，則上述同軸線纜、光纖線纜、雙絞線、dsl或諸如紅外先、無線電和微波的無線技術均包括在介質的定義。如這里所使用的，磁盤和光盤包括壓縮盤(cd)、激光盤、光盤、數(shù)字多功能盤(dvd)、軟盤、藍光盤，其中磁盤通常磁性地再現(xiàn)數(shù)據(jù)，而光盤利用激光光學地再現(xiàn)數(shù)據(jù)。上述內容的組合也應當包括在計算機可讀介質的范圍內。

公開的示例性實施例，但是應當注公開的示例性實施例，但是應當注意，在不背離權利要求限定的本公開的范圍的前提下，可以進行多種改變和修改。根據(jù)這里描述的公開實施例的方法權利要求的功能、步驟和/或動作不需以任何特定順序執(zhí)行。此外，盡管本公開的元素可以以個體形式描述或要求，但是也可以設想多個，除非明確限制為單數(shù)。

應當理解的是，在本發(fā)明中使用的，除非上下文清楚地支持例外情況，單數(shù)形式“一個”(“a”、“an”、“the”)旨在也包括復數(shù)形式。還應當理解的是，在本發(fā)明中使用的“和/或”是指包括一個或者一個以上相關聯(lián)地列出的項目的任意和所有可能組合。

上述本公開實施例序號僅僅為了描述，不代表實施例的優(yōu)劣。

本領域普通技術人員可以理解實現(xiàn)上述實施例的全部或部分步驟可以通過硬件來完成，也可以通過程序來指令相關的硬件完成，所述的程序可以存儲于一種計算機可讀存儲介質中，上述提到的存儲介質可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。