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      一種半橋電路結(jié)構(gòu)的制作方法

      文檔序號(hào):8545788閱讀:614來(lái)源:國(guó)知局
      一種半橋電路結(jié)構(gòu)的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001 ] 本申請(qǐng)屬于電路領(lǐng)域,尤其涉及一種半橋電路結(jié)構(gòu)。
      【背景技術(shù)】
      [0002]傳統(tǒng)的串聯(lián)諧振半橋電路利用諧振電感來(lái)實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān),可以減小開(kāi)關(guān)損耗。具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,效率高,受電磁干擾(Electromagnetic Interference,EMI)小的特點(diǎn)。但也存在一些不足,例如因增加了諧振電感,在次級(jí)二極管反向恢復(fù)過(guò)程中,二極管會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰和振蕩,增大了二極管開(kāi)關(guān)損耗,使電路的EMI變差;輸入母線電壓較低時(shí),諧振電感取值已比較小,此時(shí)主要是變壓器的漏感對(duì)次級(jí)二極管的影響比較嚴(yán)重;如果提高二極管耐壓或加入RC吸收電路,則會(huì)帶來(lái)EMI更差和效率更差的問(wèn)題。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本申請(qǐng)實(shí)目的是提供一種半橋電路結(jié)構(gòu),旨在解決現(xiàn)有的串聯(lián)諧振半橋電路EMI較差,效率較低的問(wèn)題。
      [0004]本申請(qǐng)實(shí)目的是這樣實(shí)現(xiàn)的,一種半橋電路結(jié)構(gòu),包括:
      [0005]作為能量傳輸回路為負(fù)載供給能量的初級(jí)諧振電路;
      [0006]與所述初級(jí)諧振電路連接,將諧振電感存儲(chǔ)的能量回授到電網(wǎng)的諧振電感能量回授電路;以及與所述初級(jí)諧振電路連接,將變壓器漏感儲(chǔ)存的能量回授到電網(wǎng)的變壓器漏感能量回授電路。
      [0007]進(jìn)一步地,所述初級(jí)諧振電路包括第一 MOS管Q1、第二 MOS管Q2、電感L1、第一變壓器TlA和第一電容Cl ;
      [0008]第一 MOS管Ql的漏極與電壓輸出端的正極連接,源極與電感LI的輸入端連接;
      [0009]第二 MOS管Q2的源極與電壓輸出端的負(fù)極連接,漏極與電感LI的輸入端連接;
      [0010]第一變壓器TlA的nl膽的一端與電感LI輸出端連接,另一端與第一電容Cl連接,第一電容Cl另一端連接電壓輸出端的負(fù)極。
      [0011]進(jìn)一步地,所述諧振電感能量回授電路包括第一電阻R1、第三二極管D3、第四二極管D4、第一 MOS管Ql和第二 MOS管Q2 ;
      [0012]第三二極管D3與第四二極管D4同相串聯(lián),連接在電壓輸入端的正負(fù)極之間;
      [0013]第一電阻Rl—端與電感LI的輸出端連接,另一端連接在第三二極管D3與第四二極管D4的連接處;
      [0014]第四二極管D4、第一電阻R1、電感LI和第一 MOS管Ql構(gòu)成正半周泄放回路;
      [0015]第三二極管D3、第一電阻R1、電感LI和第二 MOS管Q2構(gòu)成負(fù)半周泄放回路。
      [0016]進(jìn)一步地,所述變壓器漏感能量回授電路包括第二變壓器T1B、第五二極管D5、第六二極管D6、第一 MOS管Ql和第二 MOS管Q2 ;
      [0017]第五二極管D5與第六二極管D6同相串聯(lián),連接在電壓輸入端的正負(fù)極之間;
      [0018]第二變壓器TlB —端與第一 MOS管Ql的源極連接,另一端連接在第五二極管D5與第六二極管D6的連接處;
      [0019]第六二極管D6、第二變壓器T1B、第一 MOS管Ql構(gòu)成正半周泄放回路;
      [0020]第三二極管D3、第二變壓器T1B、第二 MOS管Q2構(gòu)成負(fù)半周泄放回路。
      [0021]進(jìn)一步地,所述半橋電路還包括與所述初級(jí)諧振電路連接的零電壓開(kāi)關(guān)電路。
      [0022]進(jìn)一步地,所述零電壓開(kāi)關(guān)電路包括第三電容C3、第四電容C4和電感LI ;
      [0023]第三電容C3接在第一 MOS管Ql的源極與漏極間,第四電容C4接在第二 MOS管Q2的源極與漏極間。
      [0024]進(jìn)一步地,所述半橋電路結(jié)構(gòu)還包括與所述初級(jí)諧振電路連接的輸出整流濾波電路。
      [0025]進(jìn)一步地,所述輸出整流濾波電路包括第一二極管D1、第二二極管D2和極性電容C2 ;
      [0026]第一二極管Dl連接在第一變壓器TlA的n2匝的一端與電壓輸出端的正極之間,第二二極管D2連接在第一變壓器TlA的n2匝的另一端與電壓輸出端的正極之間,極性電容C2連接在電壓輸出端的正負(fù)極之間。
      [0027]本申請(qǐng)實(shí)施例采用組合鉗位電路,可以將諧振電感和變壓器漏感所產(chǎn)生的干擾回授到電網(wǎng)內(nèi),能夠大大降低次級(jí)二極管的反向恢復(fù)尖峰,從而提高整機(jī)效率,降低EMI,使整機(jī)的可靠性大大提高,結(jié)構(gòu)新穎,簡(jiǎn)單可靠,通用性強(qiáng),適用所有的半橋電路結(jié)構(gòu)。
      【附圖說(shuō)明】
      [0028]圖1是本申請(qǐng)電路結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖;
      [0029]圖2是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的半橋電路結(jié)構(gòu)的電路圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0030]為了使本申請(qǐng)的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本申請(qǐng),并不用于限定本申請(qǐng)。
      [0031 ] 圖1示出了本申請(qǐng)實(shí)施例中的半橋電路的結(jié)構(gòu),包括初級(jí)諧振電路1、諧振電感能量回授電路2和變壓器漏感能量回授電路3。
      [0032]初級(jí)諧振電路I作為能量傳輸回路為負(fù)載供給能量。
      [0033]諧振電感能量回授電路2與初級(jí)諧振電路I連接,將諧振電感存儲(chǔ)的能量回授到電網(wǎng)。
      [0034]變壓器漏感能量回授電路3與初級(jí)諧振電路I連接,將變壓器漏感儲(chǔ)存的能量回授到電網(wǎng)。
      [0035]如圖2所示,初級(jí)諧振電路I由第一 MOS管Q1、第二 MOS管Q2、電感L1、第一變壓器TlA和第一電容Cl構(gòu)成。
      [0036]第一 MOS管Ql的漏極與電壓輸出端的正極連接,源極與電感LI的輸入端連接,第二 MOS管Q2的源極與電壓輸出端的負(fù)極連接,漏極與電感LI的輸入端連接,第一變壓器TlA的nl匝的一端與電感LI輸出端連接,另一端與第一電容Cl連接,第一電容Cl另一端連接電壓輸出端的負(fù)極。第一 MOS管Ql、電感L1、第一變壓器TlA和第一電容Cl構(gòu)成變壓器正半周能量傳輸回路,經(jīng)第一二極管D1、電容C2供給負(fù)載正半周期能量;第二 MOS管Q2、電感L1、第一變壓器TlA和第一電容Cl構(gòu)成變壓器負(fù)半周能量傳輸回路,經(jīng)第二二極管D2、電容C2供給負(fù)載負(fù)半周期能量。
      [0037]第一電阻R1、第三二極管D3、第四二極管D4與第一 MOS管Q1、第二 MOS管Q2構(gòu)成諧振電感能量回授電路2。
      [0038]第三二極管D3與第四二極管D4同相串聯(lián),連接在電壓輸入端的正負(fù)極之間,第一電阻Rl —端與電感LI的輸出端連接,另一端連接在第三二
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