極管D3與第四二極管D4的連接處。諧振電感能量回授電路能夠保證第一二極管D1、第二二極管D2在反向恢復過程中，諧振電感正/負半周儲存的能量通過第三二極管D3、第四二極管D4回授到電網(wǎng)，從而保證第一二極管D1、第二二極管D2關斷時，諧振電感的能量不會疊加到其上邊。其中第四二極管D4、第一電阻R1、電感LI和第一 MOS管Ql構成正半周泄放回路；第三二極管D3、第一電阻R1、電感LI和第二 MOS管Q2構成負半周泄放回路。
[0039]第二變壓器T1B、第五二極管D5、第六二極管D6與第一 MOS管Q1、第二 MOS管Q2構成變壓器漏感能量回授電路3。
[0040]第五二極管D5與第六二極管D6同相串聯(lián)，連接在電壓輸入端的正負極之間，第二變壓器TlB —端與第一 MOS管Ql的源極連接，另一端連接在第五二極管D5與第六二極管D6的連接處。當電路工作在低輸入電壓條件下，變壓器漏感能量回授電路能夠保證第一二極管Dl、第二二極管D2在反向恢復過程中，變壓器漏感正/負半周儲存的能量通過第五二極管D5、第六二極管D6回授到電網(wǎng)，從而保證第一二極管D1、第二二極管D2關斷時，諧振電感的能量不會疊加到其上邊。其中，第六二極管D6、第二變壓器T1B、第一 MOS管Ql構成正半周泄放回路；第三二極管D3、第二變壓器T1B、第二 MOS管Q2構成負半周泄放回路。
[0041]在本申請實施例中，該半橋電路結構還可以增加零電壓開關電路4，由第一 MOS管Ql的源極與漏極間接入的第三電容C3，第二 MOS管Q2的源極與漏極間接入的第四電容C4，和電感LI構成，保證第一 MOS管Ql和第二 MOS管Q2在開通前，其Vds電壓接近為0V，使第一 MOS管Ql和第二 MOS管Q2的開通損耗接近于零，從而提高整機效率。
[0042]在本申請實施例中，該半橋電路結構還可以增加輸出整流濾波電路5，由D1、第二二極管D2和極性電容C2構成，第一二極管D1、第二二極管D2和極性電容C2構成。第一二極管Dl連接在第一變壓器TlA的n2匝的一端與電壓輸出端的正極之間，第二二極管D2連接在第一變壓器TlA的n2匝的另一端與電壓輸出端的正極之間，極性電容C2連接在電壓輸出端的正負極之間。
[0043]本申請實施例采用組合鉗位電路，可以將諧振電感和變壓器漏感所產(chǎn)生的干擾回授到電網(wǎng)內，能夠大大降低次級二極管的反向恢復尖峰，從而提高整機效率，降低EMI，使整機的可靠性大大提高，結構新穎，簡單可靠，通用性強，適用所有的半橋電路結構。
【主權項】
1.一種半橋電路結構，其特征在于，所述半橋電路結構包括: 作為能量傳輸回路為負載供給能量的初級諧振電路； 與所述初級諧振電路連接，將諧振電感存儲的能量回授到電網(wǎng)的諧振電感能量回授電路；以及 與所述初級諧振電路連接，將變壓器漏感儲存的能量回授到電網(wǎng)的變壓器漏感能量回授電路。
2.如權利要求1所述的半橋電路結構，其特征在于，所述初級諧振電路包第一MOS管Q1、第二 MOS管Q2、電感L1、第一變壓器TlA和第一電容Cl ； 第一 MOS管Ql的漏極與電壓輸出端的正極連接，源極與電感LI的輸入端連接； 第二 MOS管Q2的源極與電壓輸出端的負極連接，漏極與電感LI的輸入端連接； 第一變壓器TlA的nl匝的一端與電感LI輸出端連接，另一端與第一電容Cl連接，第一電容Cl另一端連接電壓輸出端的負極。
3.如權利要求1所述的半橋電路結構，其特征在于，所述諧振電感能量回授電路包括第一電阻R1、第三二極管D3、第四二極管D4、第一 MOS管Ql和第二 MOS管Q2 ;第三二極管D3與第四二極管D4同相串聯(lián)，連接在電壓輸入端的正負極之間； 第一電阻Rl —端與電感LI的輸出端連接，另一端連接在第三二極管D3與第四二極管D4的連接處； 第四二極管D4、第一電阻R1、電感LI和第一 MOS管Ql構成正半周泄放回路； 第三二極管D3、第一電阻R1、電感LI和第二 MOS管Q2構成負半周泄放回路。
4.如權利要求1所述的半橋電路結構，其特征在于，所述變壓器漏感能量回授電路包括第二變壓器T1B、第五二極管D5、第六二極管D6、第一 MOS管Ql和第二 MOS管Q2 ;第五二極管D5與第六二極管D6同相串聯(lián)，連接在電壓輸入端的正負極之間； 第二變壓器TlB —端與第一 MOS管Ql的源極連接，另一端連接在第五二極管D5與第六二極管D6的連接處； 第六二極管D6、第二變壓器T1B、第一 MOS管Ql構成正半周泄放回路；第三二極管D3、第二變壓器T1B、第二 MOS管Q2構成負半周泄放回路。
5.如權利要求2所述的半橋電路結構，其特征在于，所述半橋電路結構還包括與所述初級諧振電路連接的零電壓開關電路。
6.如權利要求5所述的半橋電路結構，其特征在于，所述零電壓開關電路包括第三電容C3、第四電容C4和電感LI ;第三電容C3接在第一 MOS管Ql的源極與漏極間，第四電容C4接在第二 MOS管Q2的源極與漏極間。
7.如權利要求2所述的半橋電路結構，其特征在于，所述半橋電路結構還包括與所述初級諧振電路連接的輸出整流濾波電路。
8.如權利要求7所述的半橋電路結構，其特征在于，所述輸出整流濾波電路包括第一二極管Dl、第二二極管D2和極性電容C2 ;第一二極管Dl連接在第一變壓器TlA的n2匝的一端與電壓輸出端的正極之間，第二二極管D2連接在第一變壓器TlA的n2匝的另一端與電壓輸出端的正極之間，極性電容C2連接在電壓輸出端的正負極之間。
【專利摘要】本申請適用于電路領域，提供了一種半橋電路結構，包括：作為能量傳輸回路為負載供給能量的初級諧振電路；與所述初級諧振電路連接，將諧振電感存儲的能量回授到電網(wǎng)的諧振電感能量回授電路；以及與所述初級諧振電路連接，將變壓器漏感儲存的能量回授到電網(wǎng)的變壓器漏感能量回授電路。本申請采用組合鉗位電路，可以將諧振電感和變壓器漏感所產(chǎn)生的干擾回授到電網(wǎng)內，能夠大大降低次級二極管的反向恢復尖峰，從而提高整機效率，降低EMI，使整機的可靠性大大提高，結構新穎，簡單可靠，通用性強，適用所有的半橋電路。
【IPC分類】H02M1-44
【公開號】CN104868712
【申請?zhí)枴緾N201510292824
【發(fā)明人】周玲
【申請人】周玲
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2015年5月26日