一種電子產(chǎn)品低功耗升壓電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種升壓電路，具體是一種電子產(chǎn)品低功耗升壓電路。
【背景技術(shù)】
[0002]手機(jī)等便攜式設(shè)備的廣泛應(yīng)用，對(duì)電源管理形成大量新的需求，為了支持日益復(fù)雜的系統(tǒng)電源要求和新功能，各大芯片設(shè)計(jì)公司提出了先進(jìn)的、各具特色和尺寸越來(lái)越小的電源管理解決方案，但小尺寸封裝的散熱能力不及大尺寸封裝產(chǎn)品，迫使提高器件的轉(zhuǎn)換效率，因此開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器正在取代線性調(diào)節(jié)器，以延長(zhǎng)工作的時(shí)間，但手機(jī)等便攜式設(shè)備的可工作時(shí)間還是不能滿(mǎn)足人們的使用需求，且噪聲和電磁干擾的問(wèn)題也隨之而來(lái)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、低電磁干擾的電子產(chǎn)品低功耗升壓電路，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問(wèn)題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
一種電子產(chǎn)品低功耗升壓電路，包括上拉電路和下拉電路，所述上拉電路包括PMOS管Pl和PMOS管P2，所述下拉電路包括NMOS管NI和NMOS管N2 ；
所述PMOS管Pl的G極連接UP信號(hào)輸入端，PMOS管Pl的S極分別連接電源Vdd、PM0S管P3的S極、PMOS管P4的S極和PMOS管P5的S極，所述PMOS管Pl的D極分別連接PMOS管P2的S極、PMOS管P2的D極、PMOS管P3的D極、PMOS管P3的G極、PMOS管P4的G極、PMOS管P5的D極、電容C和NMOS管N5的D極并接地，所述NMOS管N5的S極接地，所述PMOS管P5的G極、所述NMOS管N5的G極和PMOS管Pl的G極均連接UP信號(hào)輸入端，所述PMOS管P4的D極分別連接輸出電壓Vc和NMOS管N4的D極，NMOS管N4的S極分別連接NMOS管N2的S極、NMOS管N3的S極和NMOS管N6的S極并接地，所述NMOS管N4的G極分別連接NMOS管N3的G極、PMOS管P6的D極、NMOS管N3的D極、NMOS管NI的S極、NMOS管NI的G極、NMOS管NI的D極、NMOS管N2的D極、PMOS管P6的S極、電容C另一端、NMOS管N6的D極和電源Vdd，所述NMOS管N2的G極、NMOS管N6的G極和PMOS管P6的G極均連接DOWN信號(hào)輸入端。
[0005]作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案:所述DOWN信號(hào)為高電平時(shí)，NMOS管N2截止，NMOS管N3導(dǎo)通，電路工作在低壓下，NMOS管NI不導(dǎo)通，電容C放電。
[0006]作為本發(fā)明再進(jìn)一步的方案:所述DOWN信號(hào)為高電平時(shí)，NMOS管N2導(dǎo)通，NMOS管NI進(jìn)入飽和態(tài)工作，NMOS管N4中的電流近似為O。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明在不需要外接電感元件的情況下能實(shí)現(xiàn)一定的升壓，由于無(wú)電感元件，克服了基于電感的功率源可能帶來(lái)的EMI問(wèn)題，產(chǎn)生電磁干擾低，不僅效率高、電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、所占面積小、功耗低，而且在電源低電壓狀況下依然能高效的工作。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為電子產(chǎn)品低功耗升壓電路的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0010]請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例中，一種電子產(chǎn)品低功耗升壓電路，包括上拉電路和下拉電路，上拉電路包括PMOS管Pl和PMOS管P2，所述下拉電路包括NMOS管NI和NMOS管
N2o
[0011]所述PMOS管Pl的G極連接UP信號(hào)輸入端，PMOS管Pl的S極分別連接電源Vdd、PMOS管P3的S極、PMOS管P4的S極和PMOS管P5的S極，所述PMOS管Pl的D極分別連接PMOS管P2的S極、PMOS管P2的D極、PMOS管P3的D極、PMOS管P3的G極、PMOS管P4的G極、PMOS管P5的D極、電容C和NMOS管N5的D極并接地，所述NMOS管N5的S極接地，所述PMOS管P5的G極、所述NMOS管N5的G極和PMOS管Pl的G極均連接UP信號(hào)輸入端，所述PMOS管P4的D極分別連接輸出電壓Vc和NMOS管N4的D極，NMOS管N4的S極分別連接NMOS管N2的S極、NMOS管N3的S極和NMOS管N6的S極并接地，所述NMOS管N4的G極分別連接NMOS管N3的G極、PMOS管P6的D極、NMOS管N3的D極、NMOS管NI的S極、NMOS管NI的G極、NMOS管NI的D極、NMOS管N2的D極、PMOS管P6的S極、電容C另一端、NMOS管N6的D極和電源Vdd，所述NMOS管N2的G極、NMOS管N6的G極和PMOS管P6的G極均連接DOWN信號(hào)輸入端。
[0012]DOWN信號(hào)為高電平時(shí)，NMOS管N2截止，NMOS管N3導(dǎo)通，電路工作在低壓下，NMOS管NI不導(dǎo)通，電容C放電。
[0013]DOWN信號(hào)為高電平時(shí)，NMOS管N2導(dǎo)通，NMOS管NI進(jìn)入飽和態(tài)工作，NMOS管N4中的電流近似為O。
[0014]對(duì)于PMOS管P6和NMOS管N6所組成的電路，其作用是對(duì)b點(diǎn)電壓Vb進(jìn)行預(yù)充電處理從而保證電荷栗電路的高速，同時(shí)優(yōu)化了輸出電壓Vc在放電階段的線性度，當(dāng)Vb在高低電平間切換時(shí)，將會(huì)對(duì)電容C進(jìn)行充放電，PMOS管P6和NMOS管N6所組成的電路結(jié)構(gòu)會(huì)提尚此效率。
[0015]同理可以推得上拉部分電路的工作機(jī)理，其中，PMOS管P5和NMOS管N5對(duì)上拉電路中a點(diǎn)電壓Va的影響尤其明顯，因?yàn)镻MOS管空穴載流子的速度較低，在沒(méi)有PMOS管P5和NMOS管N5時(shí)，當(dāng)UP信號(hào)由I到O跳變時(shí)，Va電壓需要長(zhǎng)時(shí)間充電才能達(dá)到高電平。
[0016]本電路正常工作時(shí)，信號(hào)UP和信號(hào)DOWN是同相的，避免了因時(shí)序上不匹配而引起的輸出電壓的擾動(dòng)，可以減小相應(yīng)鎖相環(huán)的相位抖動(dòng)。
[0017]本電路結(jié)構(gòu)十分適合低壓低功耗高速鎖相環(huán)電路使用，基于0.18μπι工藝實(shí)現(xiàn)時(shí)，不僅降低了電池的功耗，而且在電源電壓不足時(shí)仍能高速高性能工作，又電路中沒(méi)有采用電感元件，所以造成的電磁干擾較小。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電子產(chǎn)品低功耗升壓電路，包括上拉電路和下拉電路，其特征在于，所述上拉電路包括PMOS管Pl和PMOS管P2，所述下拉電路包括NMOS管NI和NMOS管N2 ； 所述PMOS管Pl的G極連接UP信號(hào)輸入端，PMOS管Pl的S極分別連接電源Vdd、PM0S管P3的S極、PMOS管P4的S極和PMOS管P5的S極，所述PMOS管Pl的D極分別連接PMOS管P2的S極、PMOS管P2的D極、PMOS管P3的D極、PMOS管P3的G極、PMOS管P4的G極、PMOS管P5的D極、電容C和NMOS管N5的D極并接地，所述NMOS管N5的S極接地，所述PMOS管P5的G極、所述NMOS管N5的G極和PMOS管Pl的G極均連接UP信號(hào)輸入端，所述PMOS管P4的D極分別連接輸出電壓Vc和NMOS管N4的D極，NMOS管N4的S極分別連接NMOS管N2的S極、NMOS管N3的S極和NMOS管N6的S極并接地，所述NMOS管N4的G極分別連接NMOS管N3的G極、PMOS管P6的D極、NMOS管N3的D極、NMOS管NI的S極、NMOS管NI的G極、NMOS管NI的D極、NMOS管N2的D極、PMOS管P6的S極、電容C另一端、NMOS管N6的D極和電源Vdd，所述NMOS管N2的G極、NMOS管N6的G極和PMOS管P6的G極均連接DOWN信號(hào)輸入端。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子產(chǎn)品低功耗升壓電路，其特征在于，所述DOWN信號(hào)為高電平時(shí)，NMOS管N2截止，NMOS管N3導(dǎo)通，電路工作在低壓下，NMOS管NI不導(dǎo)通，電容C放電。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子產(chǎn)品低功耗升壓電路，其特征在于，所述DOWN信號(hào)為高電平時(shí)，NMOS管N2導(dǎo)通，NMOS管NI進(jìn)入飽和態(tài)工作，NMOS管N4中的電流近似為O。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種電子產(chǎn)品低功耗升壓電路，包括上拉電路和下拉電路，上拉電路包括PMOS管P1和PMOS管P2，所述下拉電路包括NMOS管N1和NMOS管N2，PMOS管P1的G極連接UP信號(hào)輸入端，PMOS管P1的S極分別連接電源Vdd、PMOS管P3的S極、PMOS管P4的S極和PMOS管P5的S極。本發(fā)明在不需要外接電感元件的情況下能實(shí)現(xiàn)一定的升壓，由于無(wú)電感元件，克服了基于電感的功率源可能帶來(lái)的EMI問(wèn)題，產(chǎn)生電磁干擾低，不僅效率高、電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、所占面積小、功耗低，而且在電源低電壓狀況下依然能高效的工作。
【IPC分類(lèi)】H02M3/155, H02M3/07
【公開(kāi)號(hào)】CN105186865
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510595389
【發(fā)明人】樊露
【申請(qǐng)人】成都米戈科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年12月23日
【申請(qǐng)日】2015年9月17日