一種保護(hù)方法、保護(hù)電路及電子設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種保護(hù)方法、保護(hù)電路及電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著科技的不斷發(fā)展，越來(lái)越多的電子設(shè)備進(jìn)入了人們的生活，比如，智能手機(jī)、 平板電腦、筆記本電腦、一體型計(jì)算機(jī)等，這些電子設(shè)備給人們的生活帶來(lái)了極大的便利。 而為了滿足用戶的各種需求，電子設(shè)備需要具備的功能越來(lái)越多，因此，電子設(shè)備消耗的功 耗也越來(lái)越大。電子設(shè)備對(duì)于電池放電能力要求也越來(lái)越高，為了保護(hù)電子設(shè)備中各功能 模塊，對(duì)電池的放電過(guò)流保護(hù)的控制精度就變得越來(lái)越重要。現(xiàn)有技術(shù)中存在電池的放電 過(guò)流保護(hù)的控制精度較低，不能滿足設(shè)備用電安全要求的技術(shù)問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種保護(hù)方法、保護(hù)電路及電子設(shè)備，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中存 在電池的放電過(guò)流保護(hù)的控制精度較低，不能滿足設(shè)備用電安全要求的技術(shù)問(wèn)題。
[0004] 本發(fā)明實(shí)施例一方面提供了一種保護(hù)方法，應(yīng)用于對(duì)電源進(jìn)行放電過(guò)流保護(hù)的保 護(hù)電路中，所述方法包括：
[0005] 在電子開關(guān)導(dǎo)通的情況下，往復(fù)執(zhí)行如下步驟：
[0006] 實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電子開關(guān)兩端的導(dǎo)通電壓值與所述電子開關(guān)的溫度值；
[0007] 實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)在所述溫度值下的所述電子開關(guān)的驅(qū)動(dòng)電壓值；
[0008] 基于所述溫度值以及所述驅(qū)動(dòng)電壓值確定所述電子開關(guān)的阻抗值，所述阻抗值隨 著所述溫度的變化而變化；
[0009] 基于所述阻抗值以及預(yù)定保護(hù)電流，確定門限電壓閾值，所述門限電壓閾值隨著 所述阻抗值的變化而變化；
[0010]比較所述導(dǎo)通電壓值與所述門限電壓閾值以確定控制所述電子開關(guān)的斷開，從而 對(duì)所述電源進(jìn)行放電過(guò)流保護(hù)。
[0011] 可選的，所述電子開關(guān)為MOS管開關(guān)。
[0012] 可選的，所述保護(hù)電路包括控制芯片，所述MOS管開關(guān)封裝在所述控制芯片內(nèi)。
[0013] 可選的，所述方法還包括：
[0014] 預(yù)先存儲(chǔ)所述電子開關(guān)的溫度值、所述電子開關(guān)的驅(qū)動(dòng)電壓值與所述電子開關(guān)的 阻抗值對(duì)應(yīng)表；
[0015]所述對(duì)應(yīng)表具有依次取i為1至N，j為1至M，所述MOS管開關(guān)在第i個(gè)電芯溫度以第j 個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓驅(qū)動(dòng)時(shí)，所述MOS管開關(guān)導(dǎo)通電阻;其中，N為大于0的整數(shù)，M為大于0的整數(shù)。
[0016] 可選的，所述比較所述導(dǎo)通電壓值與所述門限電壓閾值以確定控制所述電子開關(guān) 的斷開，具體包括：
[0017] 判斷所述導(dǎo)通電壓值是否大于所述門限電壓閾值;如果是，控制所述電子開關(guān)處 于關(guān)斷狀態(tài);如果否，維持所述電子開關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)。
[0018]可選的，在比較所述導(dǎo)通電壓值與所述門限電壓閾值以確定控制所述電子開關(guān)的 斷開之后，所述方法還包括：
[0019]在確定所述導(dǎo)通電壓大于所述門限電壓閾值時(shí)，輸出一提示信息，用于提示電源 處于放電過(guò)流狀態(tài)。
[0020] 本發(fā)明實(shí)施例另一方面提供一種保護(hù)電路，應(yīng)用于電源模塊，所述保護(hù)電路包括：
[0021] 控制芯片，所述控制芯片包括電源輸入端與電源輸出端，所述電源輸入端與電源 模塊的正極連接；
[0022] 電子開關(guān)，所述電子開關(guān)的一端與所述控制芯片的電源輸出端連接，用于接收所 述控制芯片提供的驅(qū)動(dòng)電壓，所述電子開關(guān)的另一端與所述電源模塊的負(fù)極串聯(lián)；
[0023] 其中，在所述電源模塊、所述控制芯片、所述電子開關(guān)與至少一個(gè)耗電設(shè)備形成回 路時(shí)，在電子開關(guān)導(dǎo)通的情況下，所述控制芯片往復(fù)執(zhí)行如下步驟:實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電子開關(guān)兩端 的導(dǎo)通電壓值與所述電子開關(guān)的溫度值;實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)在所述溫度值下的所述電子開關(guān)的驅(qū)動(dòng) 電壓值;基于所述溫度值以及所述驅(qū)動(dòng)電壓值確定所述電子開關(guān)的阻抗值，所述阻抗值隨 著所述溫度的變化而變化;基于所述阻抗值以及預(yù)定保護(hù)電流，確定門限電壓閾值，所述門 限電壓閾值隨著所述阻抗值的變化而變化;比較所述導(dǎo)通電壓值與所述門限電壓閾值以確 定控制所述電子開關(guān)的斷開，從而對(duì)所述電源模塊進(jìn)行放電過(guò)流保護(hù)。
[0024]可選的，所述電子開關(guān)為MOS管開關(guān)。
[0025] 可選的，所述電子開關(guān)封裝在所述控制芯片內(nèi)。
[0026] 可選的，所述控制芯片內(nèi)預(yù)存有所述電子開關(guān)的溫度值、所述電子開關(guān)的驅(qū)動(dòng)電 壓值與所述電子開關(guān)的阻抗值對(duì)應(yīng)表;所述對(duì)應(yīng)表具有依次取i為1至N，j為1至M，所述電子 開關(guān)在第i個(gè)電芯溫度以第j個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓驅(qū)動(dòng)時(shí)，所述電子開關(guān)導(dǎo)通電阻;其中，N為大于0的 整數(shù)，M為大于0的整數(shù)。
[0027] 可選的，所述控制芯片還用于：
[0028] 判斷所述導(dǎo)通電壓值是否大于所述門限電壓閾值;如果是，控制所述電子開關(guān)處 于關(guān)斷狀態(tài);如果否，維持所述電子開關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)。
[0029] 本發(fā)明實(shí)施例另一方面提供一種電子設(shè)備，包括：
[0030] 電源模塊；
[0031] 控制芯片，所述控制芯片包括電源輸入端與電源輸出端，所述電源輸入端與所述 電源模塊的正極連接；
[0032] 電子開關(guān)，所述電子開關(guān)的一端與所述控制芯片的電源輸出端連接，用于接收所 述控制芯片提供的驅(qū)動(dòng)電壓，所述電子開關(guān)的另一端與所述電源模塊的負(fù)極串聯(lián)；
[0033] 其中，在所述電源模塊、所述控制芯片、所述電子開關(guān)與至少一個(gè)耗電設(shè)備形成回 路時(shí)，在電子開關(guān)導(dǎo)通的情況下，所述控制芯片往復(fù)執(zhí)行如下步驟:實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電子開關(guān)兩端 的導(dǎo)通電壓值與所述電子開關(guān)的溫度值;實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)在所述溫度值下的所述電子開關(guān)的驅(qū)動(dòng) 電壓值;基于所述溫度值以及所述驅(qū)動(dòng)電壓值確定所述電子開關(guān)的阻抗值，所述阻抗值隨 著所述溫度的變化而變化;基于所述阻抗值以及預(yù)定保護(hù)電流，確定門限電壓閾值，所述門 限電壓閾值隨著所述阻抗值的變化而變化;比較所述導(dǎo)通電壓值與所述門限電壓閾值以確 定控制所述電子開關(guān)的斷開，從而對(duì)所述電源模塊進(jìn)行放電過(guò)流保護(hù)。
[0034] 本申請(qǐng)實(shí)施例中的上述一個(gè)或多個(gè)技術(shù)方案，至少具有如下一種或多種技術(shù)效 果：
[0035] 1、由于在本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案中，采用了在電子開關(guān)導(dǎo)通的情況下，往復(fù) 執(zhí)行如下步驟:實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電子開關(guān)兩端的導(dǎo)通電壓值與所述電子開關(guān)的溫度值;實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè) 在所述溫度值下的所述電子開關(guān)的驅(qū)動(dòng)電壓值;基于所述溫度值以及所述驅(qū)動(dòng)電壓值確定 所述電子開關(guān)的阻抗值，所述阻抗值隨著所述溫度的變化而變化;基于所述阻抗值以及預(yù) 定保護(hù)電流，確定門限電壓閾值，所述門限電壓閾值隨著所述阻抗值的變化而變化;比較所 述導(dǎo)通電壓值與所述門限電壓閾值以確定控制所述電子開關(guān)的斷開，從而對(duì)所述電源進(jìn)行 放電過(guò)流保護(hù)的技術(shù)手段。這樣，由于在電子開關(guān)運(yùn)行過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生熱量，造成電子開關(guān) 的溫度升高，又由于電子開關(guān)的阻抗值是隨著溫度變化的，如果不考慮溫度對(duì)于電子開關(guān) 的影響，由電子開關(guān)來(lái)對(duì)電源進(jìn)行放電過(guò)流保護(hù)時(shí)，控制精度就會(huì)不準(zhǔn)確。而本申請(qǐng)實(shí)施例 中的保護(hù)方法，充分考慮到溫度以及驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)于電子開關(guān)的影響，根據(jù)電子開關(guān)的驅(qū)動(dòng) 電壓以及溫度實(shí)時(shí)獲取電子開關(guān)的阻抗值，并根據(jù)該阻抗值與預(yù)設(shè)保護(hù)的電流值來(lái)設(shè)定門 限電壓，使得對(duì)于電源的放電過(guò)流保護(hù)的控制精度高，能有效解決現(xiàn)有技術(shù)中存在電池的 放電過(guò)流保護(hù)的控制精度較低，不能滿足設(shè)備用電安全要求的技術(shù)問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)有效地對(duì)電 源進(jìn)行放電過(guò)流保護(hù)，并且對(duì)于電源的放電過(guò)流保護(hù)的控制精度高效果好的技術(shù)效果。
[0036] 2、由于在本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案中，采用了所述保護(hù)電路包括控制芯片，所 述MOS管開關(guān)封裝在所述控制芯片內(nèi)的技術(shù)手段。由于，電子設(shè)備對(duì)于空間的限制越來(lái)越嚴(yán) 格，所以，電子設(shè)備中的電池的空間也嚴(yán)格受限，而本申請(qǐng)實(shí)施例中用于對(duì)電源進(jìn)行放電過(guò) 流保護(hù)的控制芯片與MOS管開關(guān)封裝在一起，能夠節(jié)省空間，有利于電子設(shè)備小型化設(shè)計(jì)。
【附圖說(shuō)明】
[0037] 為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)方案中的技術(shù)方案，下面對(duì)實(shí)施例描 述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一 些實(shí)施例。
[0038]圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例一中信息處理方法的流程圖；
[0039] 圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例一與實(shí)施例二中保護(hù)電路的示意圖；
[0040] 圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例三中一種電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0041] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種保護(hù)方法、保護(hù)電路及電子設(shè)備，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中存 在電池的放電過(guò)流保護(hù)的控制精度較低，不能滿足設(shè)備用電安全要求的技術(shù)問(wèn)題。
[0042]為解決上述的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種保護(hù)方法，