一種共陽極可控硅半控整流電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于電子電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種共陽極可控硅半控整流電路。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中的逆變發(fā)電機(jī)控制電路中，三相半控整流都是共陰極結(jié)構(gòu)。如圖2所示，這種共陰極的觸發(fā)電路較為簡單，缺點(diǎn)是需要一個(gè)比高壓輸出端(V+)還要高的電源(V+15)為觸發(fā)電路供電。而且因?yàn)楣β士煽毓璧年枠O都是和外殼相連，這種連接方法共陰極的接法在可控硅與散熱片連接時(shí)，需要采取絕緣措施，散熱效果不好。不符合社會(huì)發(fā)展的需要。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]實(shí)用新型目的:本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種能提高可控硅的散熱效果且不需要高端電源的共陽極可控硅半控整流電路。
[0004]技術(shù)方案:本實(shí)用新型所述的一種共陽極可控硅半控整流電路，包括觸發(fā)電路、可控硅半控整流電路、穩(wěn)壓電路；
[0005]所述觸發(fā)電路包括二極管D4、二極管D5、二極管D6、PNP三極管Q4，所述二極管D4、二極管D5、二極管D6并聯(lián)且它們的正極均與PNP三極管Q4的集電極C端相連；
[0006]所述可控硅半控整流電路包括可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3和二極管D1、二極管D2、二極管D3 ;所述可控硅Ql、可控硅Q2、可控硅Q3的陽極A端均與PNP三極管Q4的發(fā)射極E端相連且接地；所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的控制極G端均分別與二極管D4、二極管D5、二極管D6的負(fù)極連接；所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的陰極K端分別與二極管D1、二極管D2、二極管D3的正極連接；
[0007]所述穩(wěn)壓電路與PNP三極管Q4的基極B端相連。
[0008]進(jìn)一步的，所述穩(wěn)壓電路還設(shè)有輸入控制電源端、接地端和高壓輸出端V+，所述高壓輸出端V+與二極管Dl、二極管D2、二極管D3的負(fù)極連接。
[0009]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述輸入控制電源端包括正電源VCC和負(fù)電源一VCC。
[0010]進(jìn)一步的，所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的控制極G端與陰極K端之間還分別連接有電阻R1、電阻R2、電阻R3。
[0011]進(jìn)一步的，所述可控硅半控整流電路的可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的陰極K端均還連接有交流電源。
[0012]有益效果:本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，設(shè)計(jì)合理，將可控硅半控整流電路接成共陽極結(jié)構(gòu)，并為此專門設(shè)計(jì)了本實(shí)用新型中的觸發(fā)電路。本實(shí)用新型工作時(shí)，無需高端電源為觸發(fā)電路供電，穩(wěn)壓電路給PNP三極管Q4提供負(fù)觸發(fā)電流Ib，PNP三極管Q4導(dǎo)通后輸出電流Ic，電流Ic流過二極管D4、二極管D5、二極管D6，去觸發(fā)可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3。由于功率可控硅的陽極都是和外殼相連，這種連接方法保證了可控硅的外殼都接在了一起，并接地。這樣在可控硅與散熱片連接時(shí)，可以不采取絕緣措施，提高了可控硅的散熱效果。
【附圖說明】
[0013]圖1為本實(shí)用新型電路結(jié)構(gòu)原理圖。
[0014]圖2為現(xiàn)有的可控硅半控整流電路結(jié)構(gòu)原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合具體實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明:
[0016]如圖1所示的一種共陽極可控硅半控整流電路，包括觸發(fā)電路、可控硅半控整流電路、穩(wěn)壓電路。
[0017]觸發(fā)電路包括二極管D4、二極管D5、二極管D6、PNP三極管Q4，二極管D4、二極管D5、二極管D6并聯(lián)且它們的正極均與PNP三極管Q4的集電極C端相連。
[0018]可控硅半控整流電路包括可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3和二極管D1、二極管D2、二極管D3?？煽毓鑁l、可控硅Q2、可控硅Q3的陽極A端均與PNP三極管Q4的發(fā)射極E端相連且接地?？煽毓鑁1、可控硅Q2、可控硅Q3的控制極G端均分別與二極管D4、二極管D5、二極管D6的負(fù)極連接?？煽毓鑁1、可控硅Q2、可控硅Q3的陰極K端分別與二極管D1、二極管D2、二極管D3的正極連接。
[0019]穩(wěn)壓電路與PNP三極管Q4的基極B端相連。
[0020]作為對本實(shí)用新型的進(jìn)一步優(yōu)化，穩(wěn)壓電路還設(shè)有輸入控制電源端、接地端和高壓輸出端V+，高壓輸出端V+與二極管D1、二極管D2、二極管D3的負(fù)極連接。輸入控制電源端包括正電源VCC和負(fù)電源一VCC?？煽毓鑁1、可控硅Q2、可控硅Q3的控制極G端與陰極K端之間還分別連接有電阻R1、電阻R2、電阻R3?？煽毓璋肟卣麟娐返目煽毓鑁1、可控硅Q2、可控硅Q3的陰極K端均還連接有交流電源
[0021]本實(shí)用新型的電路工作時(shí)，無需高端電源為觸發(fā)電路供電，穩(wěn)壓電路給PNP三極管Q4提供負(fù)觸發(fā)電流Ib，PNP三極管Q4導(dǎo)通后輸出電流Ic，電流Ic流過二極管D4、二極管D5、二極管D6，去觸發(fā)可控硅Ql、可控硅Q2、可控硅Q3。
[0022]本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，設(shè)計(jì)合理，將可控硅半控整流電路接成共陽極結(jié)構(gòu)，并為此專門設(shè)計(jì)了本實(shí)用新型中的觸發(fā)電路。由于功率可控硅的陽極都是和外殼相連，這種連接方法保證了可控硅的外殼都接在了一起，并接地。這樣在可控硅與散熱片連接時(shí)，可以不采取絕緣措施，提高了可控硅的散熱效果。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種共陽極可控硅半控整流電路，其特征在于:包括觸發(fā)電路、可控硅半控整流電路、穩(wěn)壓電路； 所述觸發(fā)電路包括二極管D4、二極管D5、二極管D6、PNP三極管Q4，所述二極管D4、二極管D5、二極管D6并聯(lián)且它們的正極均與PNP三極管Q4的集電極C端相連； 所述可控硅半控整流電路包括可控硅Ql、可控硅Q2、可控硅Q3和二極管Dl、二極管D2、二極管D3 ;所述可控硅Ql、可控硅Q2、可控硅Q3的陽極A端均與PNP三極管Q4的發(fā)射極E端相連且接地；所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的控制極G端均分別與二極管D4、二極管D5、二極管D6的負(fù)極連接；所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的陰極K端分別與二極管Dl、二極管D2、二極管D3的正極連接； 所述穩(wěn)壓電路與PNP三極管Q4的基極B端相連。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種共陽極可控硅半控整流電路，其特征在于:所述穩(wěn)壓電路還設(shè)有輸入控制電源端、接地端和高壓輸出端V+，所述高壓輸出端V+與二極管D1、二極管D2、二極管D3的負(fù)極連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種共陽極可控硅半控整流電路，其特征在于:所述輸入控制電源端包括正電源VCC和負(fù)電源一VCC。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種共陽極可控硅半控整流電路，其特征在于:所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的控制極G端與陰極K端之間還分別連接有電阻R1、電阻R2、電阻R3o5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種共陽極可控硅半控整流電路，其特征在于:所述可控硅半控整流電路的可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的陰極K端均還連接有交流電源。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種共陽極可控硅半控整流電路，包括觸發(fā)電路、可控硅半控整流電路、穩(wěn)壓電路。觸發(fā)電路包括三個(gè)二極管、一個(gè)PNP三極管，三個(gè)二極管并聯(lián)且它們的正極均與PNP三極管的集電極端相連?？煽毓璋肟卣麟娐钒ㄈ齻€(gè)可控硅和三個(gè)二極管。三個(gè)可控硅的陽極端均與PNP三極管的發(fā)射極端相連且接地。三個(gè)可控硅的控制極端均分別與三個(gè)二極管的負(fù)極連接。三個(gè)可控硅的陰極端分別與三個(gè)二極管的正極連接。穩(wěn)壓電路與PNP三極管的基極端相連。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，設(shè)計(jì)合理，將可控硅半控整流電路接成共陽極結(jié)構(gòu)，由于功率可控硅的陽極是和外殼相連，保證了可控硅的外殼均連接并接地?？煽毓枧c散熱片連接時(shí)，可以不采取絕緣措施，提高了散熱效果。
【IPC分類】H02M7/155
【公開號】CN204652253
【申請?zhí)枴緾N201520322462
【發(fā)明人】高玉海
【申請人】紹興標(biāo)新機(jī)電科技有限公司
【公開日】2015年9月16日
【申請日】2015年5月18日