專利名稱：鎖相回路和其應(yīng)用的回路濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種回路濾波器，特別是涉及一種具有快速設(shè)定且面積小的回路濾波器架構(gòu)的鎖相回路和其應(yīng)用的回路濾波器。
背景技術(shù)：
一般來說，在電子或電腦系統(tǒng)中都具有極為重要的時(shí)序要求。因此，提供給系統(tǒng)的周期性時(shí)脈訊號(hào)，必須精確地和參考時(shí)脈訊號(hào)同步。鎖相回路(Phase Locked Loop，簡(jiǎn)稱PLL)是一種被廣泛使用的電路，其可以精確地控制輸出訊號(hào)的頻率與輸入訊號(hào)的頻率達(dá)成同步。鎖相回路常常被應(yīng)用于頻率合成器、乘法器、除法器、單一與多重時(shí)脈訊號(hào)產(chǎn)生器、時(shí)脈訊號(hào)恢復(fù)電路以及無線通訊裝置等等。
圖1是一種現(xiàn)有習(xí)知的鎖相回路的電路方塊圖。請(qǐng)參閱圖1所示，例如為石英振蕩器的振蕩器101的輸出，是耦接至除頻器103，并且通過除頻器103而耦接至相位檢測(cè)電路105。相位檢測(cè)電路105會(huì)藉由電荷泵電路107而對(duì)回路濾波器109進(jìn)行操作。回路濾波器109的輸出，是耦接至鎖相回路的輸出OUT，并且耦接至壓控振蕩器111。而壓控振蕩器111會(huì)依據(jù)回路濾波器109，而將輸出送至除頻器113，并且除頻器113的輸出，會(huì)反饋至相位檢測(cè)電路105的輸入。
圖1中所示的回路濾波器109，是二階回路濾波器。詳細(xì)地說，回路濾波器的階數(shù)是依據(jù)所具有的電容個(gè)數(shù)來決定。在回路濾波器109中，包括了電容Cp和Cz，以及電阻Rz。其中，電容Cp又稱為極點(diǎn)電容，是用來在系統(tǒng)中提供一極點(diǎn)。電容Cp的其中一端耦接回路濾波器109的輸入與輸出，而另一端則接地。另外，電阻Rz和電容Cz則是在系統(tǒng)中提供一零點(diǎn)。其中，電阻Rz的一端是耦接回路濾波器109的輸入與輸出，而另一端則通過電容Cz接地。
一般來說，為了使零點(diǎn)能夠在極點(diǎn)之前產(chǎn)生。因此，會(huì)將電容Cz的電容值設(shè)計(jì)成遠(yuǎn)大于電容Cp的電容值，以致于電容Cz所占的面積相當(dāng)大。而為了降低電容Cz的電容值，又要使零點(diǎn)能在極點(diǎn)前被產(chǎn)生，因此就發(fā)展出相關(guān)的技術(shù)。
圖2是一種改良的鎖相回路的電路方塊圖。請(qǐng)參閱圖2所示，其中所示的鎖相回路，是在圖1所示的鎖相回路中，另外配置電荷泵電路201。其中，電荷泵電路201的操作，恰與電荷泵電路107相反。也就是說，當(dāng)電荷泵電路107對(duì)回路濾波器109進(jìn)行充電時(shí)，則電荷泵電路201則將電容Cz進(jìn)行放電，反之亦然。如此，就可以減少流過電容Cz的電流，以致于可以降低電容Cz的電容值。
然而，如圖2所示的鎖相回路有個(gè)缺點(diǎn)。由于在圖2所示的鎖相回路中，另外配置了電荷泵電路201，以致于雖然可以降低電容Cz的電容值來達(dá)到計(jì)降低電容Cz所占的空間。但是，卻增加了電荷泵電路201，并且電荷泵電路107和201之間也會(huì)存在著匹配的問題。
由此可見，上述現(xiàn)有的鎖相回路和其應(yīng)用的回路濾波器在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決鎖相回路和其應(yīng)用的回路濾波器存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的鎖相回路和其應(yīng)用的回路濾波器存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的鎖相回路和其應(yīng)用的回路濾波器，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的鎖相回路和其應(yīng)用的回路濾波器，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的鎖相回路存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的鎖相回路，所要解決的技術(shù)問題是使其可以有較小的電路面積，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的另一目的在于，克服現(xiàn)有的回路濾波器存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的回路濾波器，所要解決的技術(shù)問題是使其可以增加電路的反應(yīng)速度，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達(dá)到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明是提供一種回路濾波器，其具有一輸入端和一輸出端，并且也包括了一第一電阻和一第二電阻。另外，本發(fā)明也包括了一NMOS晶體管，其第一源/汲極端是通過第一電阻接地，而其閘極端則通過第二電阻耦接至回路濾波器的輸入端和該輸出端。在NMOS晶體管的閘極端和第二源/汲極端之間，是跨接一第一電容。除此之外，本發(fā)明更包括用來做為電流鏡電路的第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管。其中，第一PMOS晶體管的第一源/汲極端與NMOS晶體管的第二源/汲極端彼此互相耦接，而第二源/汲極端則耦接一電壓源。另外，第二PMOS晶體管的第一源/汲極端是通過一電流源接地，其第二源/汲極端是同樣耦接電壓源，而其閘極端則與第一PMOS晶體管的閘極端彼此互相耦接，并且耦接第二PMOS晶體管的第二源/汲極端。
依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，是提供一種回路濾波器，同樣也是具有一輸入端和一輸出端，并且還包括第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管，以組合成電流鏡電路。其中，第一NMOS晶體管的第一源/汲極端接地，而第二NMOS晶體管的第一源/汲極端接地，其第二源/汲極端是通過一電流源耦接至一共同電位，而其閘極端是與第一NMOS晶體管的閘極端彼此互相耦接，并且耦接至第二NMOS晶體管的第二源/汲極端。此外，本發(fā)明還包括PMOS晶體管，其第一源/汲極端是與第一NMOS晶體管的第二源/汲極端彼此互相耦接，其第二源/汲極端是通過一第一電阻而連接至共同電位，而閘極端則通過第二電阻連接至回路濾波器的輸入端和該輸出端。另外，在PMOS晶體管的第一源/汲極端和閘極端之間，還跨接一第一電容。
從另一觀點(diǎn)來看，本發(fā)明提供一種回路濾波器，包括了一第一電阻、一第一電容和具有特定增益值的放大器。其中，放大器還具有一放大器輸入端，是通過第一電阻耦接至回路濾波器的輸入端和輸出端。此外，放大器也具有一放大器輸出端，其通過第一電容耦接至放大器輸入端。
從另一個(gè)觀點(diǎn)來看，本發(fā)明是提供一種鎖相回路，其具有一回路濾波器，而此回路濾波器則包括了一第一電阻、一第一電容和具有特定增益值的放大器。其中，放大器還具有一放大器輸入端，是通過第一電阻耦接至回路濾波器的輸入端和輸出端。此外，放大器也具有一放大器輸出端，其通過第一電容耦接至放大器輸入端。
經(jīng)上述可知，本發(fā)明是關(guān)于一種鎖相回路和其應(yīng)用的回路濾波器，該回路濾波器包括了一第一電阻、一第一電容和具有特定增益值的放大器。其中，放大器還具有一放大器輸入端，是通過第一電阻耦接至回路濾波器的輸入端和輸出端。此外，放大器也具有一放大器輸出端，其通過第一電容耦接至放大器輸入端。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明鎖相回路和其應(yīng)用的回路濾波器至少具有下列優(yōu)點(diǎn)1、由于本發(fā)明將回路濾波器內(nèi)的電容跨在放大器的輸入和輸出之間，在放大器的輸入端，會(huì)造成米勒效應(yīng)。因此，本發(fā)明可以使用小的電容，就可以得到大的電容值，以致于本發(fā)明可以顯著地降低電容所占據(jù)的空間。
2、由于本發(fā)明可以使用較小的電容，因此充電和放電的時(shí)間會(huì)縮短，以致于會(huì)加快本發(fā)明的鎖相回路的電路速度。
綜上所述，本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的鎖相回路，可以有較小的電路面積。本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的回路濾波器，可以增加電路的反應(yīng)速度。其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類產(chǎn)品中未見有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在產(chǎn)品或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的鎖相回路和其應(yīng)用的回路濾波器具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1是一種現(xiàn)有習(xí)知的鎖相回路的電路方塊圖。
圖2是一種改良的鎖相回路的電路方塊圖。
圖3是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種鎖相回路的電路方塊圖。
圖4是一種電荷泵電路的電路示意圖。
圖5是一種米勒等效電路的示意圖。
圖6A是依照本發(fā)明第一實(shí)施例的一種回路濾波器的電路圖。
圖6B是依照本發(fā)明第二實(shí)施例的一種回路濾波器的電路圖。
圖7是依照本發(fā)明另一實(shí)施例的鎖相回路的電路方塊圖。
圖8是依照本發(fā)明另一實(shí)施例的一種鎖相回路的電路方塊圖。
101、301振蕩器 103、113、303、313除頻器105、305相位檢測(cè)電路 107、307電荷泵電路109、309回路濾波器 330、340回路濾波器111、311壓控振蕩器 320零點(diǎn)提供電路401、403開關(guān) 601、623、625NMOS晶體管603、605、621PMOS晶體管607、627電流源Ra、Rp、Rz、Ra電阻 Cp、Cz、Ca、Cc電容C1輸入電容 C2輸出電容具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的鎖相回路和其應(yīng)用的回路濾波器其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
圖3是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種鎖相回路的電路方塊圖。請(qǐng)參閱圖3所示，振蕩器301的輸出，是送至除頻器303，并且通過除頻器303耦接至相位檢測(cè)電路305。相位檢測(cè)電路305是藉由電荷泵電路307而對(duì)回路濾波器309進(jìn)行充電或放電的動(dòng)作。回路濾波器309的輸出端B，是耦接至本發(fā)明的鎖相回路的輸出OUT，并且耦接至壓控振蕩器311的輸入。而壓控振蕩器311是依據(jù)回路濾波器309，而將輸出耦接至除頻器313，并且通過除頻器313而耦接至相位檢測(cè)電路305的輸入。
其中，振蕩器301可以例如為石英振蕩器，是用來產(chǎn)生參考時(shí)脈訊號(hào)CLKO。而除頻器303則將參考時(shí)脈訊號(hào)CLKO的頻率除以一預(yù)設(shè)值后，而輸出比較時(shí)脈訊號(hào)CLKC至相位檢測(cè)電路305。相位檢測(cè)電路305會(huì)將比較時(shí)脈訊號(hào)CLKC的相位與一時(shí)脈訊號(hào)CLKA的相位進(jìn)行比較。當(dāng)時(shí)脈訊號(hào)CLKA的相位超前比較時(shí)脈訊號(hào)CLKC時(shí)，相位檢測(cè)電路305會(huì)輸出超前訊號(hào)D至電荷泵電路307。而若是時(shí)脈訊號(hào)CLKA的相位落后比較時(shí)脈訊號(hào)CLKC的相位時(shí)，則相位檢測(cè)電路就會(huì)輸出落后訊號(hào)U至電荷泵電路307。
圖4是一種電荷泵電路的電路示意圖。請(qǐng)參閱圖4所示，在電荷泵電路307中，包括了開關(guān)401和403。而開關(guān)401和403是否導(dǎo)通，是依據(jù)相位檢測(cè)電路305來決定。若是相位檢測(cè)電路305檢測(cè)出時(shí)脈訊號(hào)CLKA的相位超前比較時(shí)脈訊號(hào)CLKC的相位時(shí)，就會(huì)送出超前訊號(hào)D至電荷泵電路307，以控制開關(guān)403導(dǎo)通。當(dāng)開關(guān)403導(dǎo)通后，就會(huì)將電流I從回路濾波器309抽出，也就是對(duì)回路濾波器309進(jìn)行放電。
反之，若是相位檢測(cè)電路305檢測(cè)出時(shí)脈訊號(hào)CLKA的相位落后給比較時(shí)脈訊號(hào)CLKC的相位時(shí)，則會(huì)送出落后訊號(hào)U至電荷泵電路307，以控制開關(guān)401導(dǎo)通。當(dāng)開關(guān)401導(dǎo)通時(shí)，電荷泵電路307就會(huì)對(duì)回路濾波器309送出電流I，也就是說，電荷泵電路307會(huì)對(duì)回路濾波器309進(jìn)行充電的動(dòng)作。如此對(duì)回路濾波器309交替進(jìn)行充/放電，就會(huì)使回路濾波器309產(chǎn)生輸出時(shí)脈訊號(hào)CLKOUT。
請(qǐng)回頭參閱圖3所示，輸出時(shí)脈訊號(hào)CLKOUT產(chǎn)生后，除了會(huì)從本發(fā)明的鎖相回路的輸出端OUT被輸出，同時(shí)也會(huì)被送至壓控振蕩器311。而壓控振蕩器311會(huì)依據(jù)輸出時(shí)脈訊號(hào)CLKOUT，而產(chǎn)生時(shí)脈訊號(hào)CLKB，并送至除頻器313進(jìn)行除頻。當(dāng)除頻器313將時(shí)脈訊號(hào)CLKB進(jìn)行除頻后，就會(huì)產(chǎn)生時(shí)脈訊號(hào)CLKA，并反饋至相位檢測(cè)電路305。而這樣的反饋動(dòng)作，就可以使輸出時(shí)脈訊號(hào)CLKOUT的頻率與參考時(shí)脈訊號(hào)CLKC的頻率同步。
在回路濾波器309中，是包括零點(diǎn)提供電路320。顧名思義，零點(diǎn)提供電路320是用來提供零點(diǎn)。在本發(fā)明中，零點(diǎn)提供電路320是包括了電阻Rz、電容Cc和具有增益值K的放大器322。在此，本發(fā)明利用電容Cc與放大器322而形成圖1中的電容Cz。然而，電容Cc和放大器322所占面積仍然小于電容Cz所占的面積。其中放大器322的輸入，是通過電阻Rz耦接至回路濾波器309的輸入端A與輸出端B，而電容Cc則是跨接在放大器322的輸出與輸入。
根據(jù)米勒定理，放大器322與電容Cc會(huì)可以等效為如圖5所示的等效電路。在圖5中，放大器322的輸入電容C1，可以等于(1-K)Cc。而輸出電容C2，則可以等于(1-1/K)Cc，其中K可以為負(fù)值，并且可利用負(fù)回授放大器電路得到。因此，熟習(xí)此技藝者只要調(diào)整放大器322的增益值K，就可以利用很小的電容Cc，而獲得很大的電容值。
以下本發(fā)明是提供了兩個(gè)實(shí)施例，來說明零點(diǎn)電路實(shí)際上的實(shí)施方式。
圖6A是依照本發(fā)明第一實(shí)施例的一種回路濾波器的電路圖。請(qǐng)參閱圖6A所示，在零點(diǎn)提供電路320中，包括了NMOS晶體管601、PMOS晶體管603和605。其中，NMOS晶體管601的第一源/汲極端是通過電阻R1接地，其閘極端是通過電阻R2耦接至回路濾波器309的輸入端A和輸出端B上，并且閘極端和其第二源/汲極端之間，還配置電容Cz。
此外，PMOS晶體管603和605是組合成電流鏡電路。其中，PMOS晶體管603的第一源/汲極端是耦接至NMOS晶體管601的第二源/汲極端，其第二源/汲極端則耦接一電壓源，其閘極端則與PMOS晶體管605的閘極端彼此互相耦接。而PMOS晶體管605的第二源/汲極端與PMOS晶體管603的第二源/汲極端相同，耦接至一電壓源，而PMOS晶體管605的第一源/汲極端則耦接至PMOS晶體管605的閘極端，并且通過電流源607接地。在本發(fā)明中，電流源607的電流方向是從PMOS晶體管605至接地端，并且其電流值Ic為可調(diào)整。
在本實(shí)施例中，晶體管603和605是電流鏡結(jié)構(gòu)，以致于電流值Ic可以被復(fù)制到晶體管603的第一源/汲極端。此外，電阻R1的電阻值加上電阻R2的電阻值，可以等于圖3的電阻Rz的電阻值。因此，只要調(diào)整電阻R1和R2之間的電阻值，就可以確保NMOS晶體管601工作在主動(dòng)區(qū)(Active Region)。
圖6B是依照本發(fā)明第二實(shí)施例的一種回路濾波器的電路圖。請(qǐng)參閱圖6所示，在零點(diǎn)提供電路320中，包括了PMOS晶體管621、NMOS晶體管623和625。其中，NMOS晶體管623的第一源/汲極端接地，而閘極端則與NMOS晶體管625的閘極端彼此互相耦接。NMOS晶體管625的第一源/汲極端同樣也是接地，而第二源汲極端是通過電流源627耦接至一電壓源，并且還耦接至NMOS晶體管625的閘極端，以致于NMOS晶體管623和625是形成電流鏡的結(jié)構(gòu)。其中，電流源627的電流值Ic同樣也是可調(diào)的，并且電流方向是朝向晶體管625的方向。
此外，PMOS晶體管621的第二源/汲極端是通過電阻R1耦接至電壓源，其閘極端則通過電阻R2耦接至回路濾波器的輸入端A與輸出端B。而PMOS晶體管621的第一源/汲極端是耦接至NMOS晶體管623的第二源汲極端，并且通過電容Cz耦接至PMOS晶體管621的閘極端。同樣地，電阻R1的電阻值加上電阻R2的電阻值，可以等于圖3的電阻Rz的電阻值。因此，只要調(diào)整電阻R1和R2之間的電阻值，就可以確保PMOS晶體管621工作在主動(dòng)區(qū)。
以上雖然提供兩種回路濾波器的結(jié)構(gòu)，但是并不以此來限定本發(fā)明。熟習(xí)此技藝者當(dāng)知，本發(fā)明主要的重點(diǎn)，在于將零點(diǎn)提供電路內(nèi)的電容跨接在放大器的輸入與輸出之間，而造成米勒效應(yīng)。因此，任何能夠?qū)崿F(xiàn)此一結(jié)果的方式與電路，都在本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍之內(nèi)。
在圖3內(nèi)所示的回路濾波器309，是稱為一階回路濾波器，其功能在于系統(tǒng)的頻率響應(yīng)中提供零點(diǎn)，以增加系統(tǒng)的頻率響應(yīng)的相位邊界(PhaseMargin)。但是本發(fā)明并不限定非要使用一階回路濾波器。
圖7是依照本發(fā)明另一實(shí)施例的鎖相回路的電路方塊圖。在圖7中所揭露的鎖相回路，是修改自圖3所示的鎖相回路。其差別在于，在回路濾波器309中，另外在加入電容Cp，其一端耦接回路濾波器330的輸入端A，并且通過電阻Rz耦接至放大器322的輸入端，其例如圖6A的NMOS晶體管601的閘極端或是圖6B的PMOS晶體管621的閘極端。
本實(shí)施例所提供的回路濾波器330，是二階回路濾波器。其在系統(tǒng)的頻率響應(yīng)中，除了可以提供零點(diǎn)之外，更可以提供一個(gè)極點(diǎn)。
圖8是依照本發(fā)明另一實(shí)施例的一種鎖相回路的電路方塊圖。在圖8中所揭露的鎖相回路，則是修改自圖7所示的鎖相回路。其差別在于，在回路濾波器340中，多增加了電阻Ra和電容Ca。其中，電阻Ra的一端耦接回路濾波器340的輸出端B，另一端則通過電阻Rz耦接至放大器322的輸入端，是例如圖6A的NMOS晶體管601的閘極端或是圖6B的PMOS晶體管621的閘極端。而電容Ca的一端是耦接回路濾波器340的輸出端B與電阻Ra，另一端則接地。而本實(shí)施例所揭露的回路濾波器340，是三階回路濾波器。
綜上所述，由于在本發(fā)明所提供的回路濾波器內(nèi)，是將電容橫跨在放大器的輸入與輸出之間，而造成米勒效應(yīng)。因此，本發(fā)明可以使用較小的電容來得到較大的電容值，以致于本發(fā)明的電路面積可以縮小，但整體電路還是可以正常操作。另外，由于本發(fā)明可以使用較小的電容，以致于充電和放電的時(shí)間可以縮短。因此，本發(fā)明所提供的鎖相回路的電路速度可以顯著地提升。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的結(jié)構(gòu)及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種回路濾波器，具有一輸入端和一輸出端，特征在于該回路濾波器包括一第一電阻；一第二電阻；一NMOS晶體管，其第一源/汲極端是通過該第一電阻接地，而其閘極端則通過該第二電阻耦接至該輸入端和該輸出端；一第一電容，其兩端分別耦接該NMOS晶體管的閘極端和第二源/汲極端；一第一PMOS晶體管，其第一源/汲極端與該NMOS晶體管的第二源/汲極端彼此互相耦接，而該第一PMOS晶體管的第二源/汲極端則耦接一電壓源；以及一第二PMOS晶體管，其第一源/汲極端是通過一電流源接地，其第二源/汲極端是耦接該電壓源，而其閘極端與該第一PMOS晶體管的閘極端彼此互相耦接，并耦接該第二PMOS晶體管的第二源/汲極端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的回路濾波器，其特征在于更包括一第二電容，其中一端耦接該輸入端，并通過該第二電阻耦接至該NMOS晶體管的閘極端，而該第二電容的另一端則接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的回路濾波器，其特征在于更包括一第三電阻，其中一端耦接該輸入端，并通過該第二電阻耦接至該NMOS晶體管的閘極端，而該第三電阻的另一端則耦接該輸出端；以及一第三電容，其中一端耦接該輸出端，另一端則接地。
4.一種回路濾波器，具有一輸入端和一輸出端，特征在于該回路濾波器包括一第一NMOS晶體管，其第一源/汲極端接地；一第二NMOS晶體管，其第一源/汲極端接地，其第二源/汲極端是通過一電流源耦接至一共同電位，而其閘極端是與該第一NMOS晶體管的閘極端彼此互相耦接，并耦接至該第二NMOS晶體管的第二源/汲極端；一PMOS晶體管，其第一源/汲極端是與該第一NMOS晶體管的第二源/汲極端彼此互相耦接；一第一電阻，用以將該P(yáng)MOS晶體管的第二源/汲極端連接至該共同電位；一第二電阻，用以將該P(yáng)MOS晶體管的閘極端連接至該輸入端和該輸出端；以及一第一電容，一端耦接該P(yáng)MOS晶體管的第一源/汲極端，另一端則耦接該P(yáng)MOS晶體管的閘極端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的回路濾波器，其特征在于更包括一第二電容，其中一端耦接該輸入端，并通過該第二電阻耦接至該P(yáng)MOS晶體管的閘極端，而該第二電容的另一端則接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的回路濾波器，其特征在于更包括一第三電阻，其中一端耦接該輸入端，并通過該第二電阻耦接至該P(yáng)MOS晶體管的閘極端，而該第三電阻的另一端則耦接該輸出端；以及一第三電容，其中一端耦接該輸出端，另一端則接地。
7.一種回路濾波器，其特征在于其包括一第一電阻一第一電容；以及一放大器，具有一增益值，并具有一放大器輸入端和一放大器輸出端，其中該放大器輸入端是通過該第一電阻耦接至該回路濾波器的輸入端和輸出端，而該放大器輸出端則通過該第一電容耦接至該放大器輸入端。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的回路濾波器，其特征在于更包括一第二電容，其中一端耦接該輸入端，并通過該第一電阻耦接至該放大器輸入端，而該第二電容的另一端則接地。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的回路濾波器，其特征在于更包括一第二電阻，其中一端耦接該輸入端，并通過該第一電阻耦接至該放大器輸入端，而該第二電阻的另一端則耦接該輸出端；以及一第三電容，其中一端耦接該輸出端，另一端則接地。
10.一種鎖相回路，其特征在于其包括一振蕩器，用以輸出一參考時(shí)脈訊號(hào)；一第一除頻器，用以將該參考時(shí)脈訊號(hào)進(jìn)行除頻，并產(chǎn)生一第一時(shí)脈訊號(hào)；一相位檢測(cè)電路，用以將該第一時(shí)脈訊號(hào)與一第二時(shí)脈訊號(hào)進(jìn)行比較，并產(chǎn)生一比較結(jié)果；一電荷泵電路，是接收該比較結(jié)果；一回路濾波器，耦接該電荷泵電路的輸出，其中該電荷泵電路是依據(jù)該比較結(jié)果來控制該回路濾波器進(jìn)行充電和放電二者其中之一，而該回路濾波器包括一第一電阻一第一電容；以及一放大器，具有一增益值，并具有一放大器輸入端和一放大器輸出端，其中該放大器輸入端是通過該第一電阻耦接至該回路濾波器的輸入端和輸出端，而該放大器輸出端則通過該第一電容耦接至該放大器輸入端；一壓控振蕩器，用以依據(jù)該回路濾波器的輸出而產(chǎn)生一第三時(shí)脈訊號(hào)；以及一第二除頻器，用以將該第三時(shí)脈訊號(hào)進(jìn)行除頻，并產(chǎn)生該第二時(shí)脈訊號(hào)至該相位檢測(cè)電路。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的鎖相回路，其特征在于其中所述的回路濾波器更包括一第二電容，其中一端耦接該輸入端，并通過該第一電阻耦接至該放大器輸入端，而該第二電容的另一端則接地。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的鎖相回路，其特征在于其中所述的回路濾波器更包括一第二電阻，其中一端耦接該輸入端，并通過該第一電阻耦接至該放大器輸入端，而該第二電阻的另一端則耦接該輸出端；以及一第三電容，其中一端耦接該輸出端，另一端則接地。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種鎖相回路和其應(yīng)用的回路濾波器，該回路濾波器包括了一第一電阻、一第一電容和具有特定增益值的放大器。其中，放大器還具有一放大器輸入端，是通過第一電阻耦接至回路濾波器的輸入端和輸出端。此外，放大器也具有一放大器輸出端，其通過第一電容耦接至放大器輸入端。
文檔編號(hào)H03L7/08GK1633028SQ20051000285
公開日2005年6月29日 申請(qǐng)日期2005年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月25日
發(fā)明者劉智民 申請(qǐng)人:威盛電子股份有限公司