專利名稱：集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種數(shù)字信號處理，特別是有關(guān)于一種數(shù)字影像信號處理。
背景技術(shù)：
電子電路廣泛地使用壓控震蕩器(Voltage Control Oscillator, VCO)。大致 上，壓控震蕩器用于本地震蕩器(Local Oscillatof， LO)來產(chǎn)生用于傳送器或接 收器內(nèi)提高頻率(upconversion)或降低頻率(downconversion)的信號，或是使用 于相位鎖定回路(Phase Lock Loop, PLL)用以提供同步電路中的時脈信號。無 線裝置，例如無線通訊系統(tǒng)中的移動電話，可以使用多個壓控震蕩器來產(chǎn)生 多個用于傳送器以及接收器內(nèi)的本地震蕩信號，以及用于數(shù)字電路內(nèi)的時脈 信號。
通常，壓控震蕩器包括主動元件以及被動元件。頻率變動的問題導(dǎo)因于 被動元件，而輸出電壓擺動范圍(output swing voltage)改變問題導(dǎo)因于主動元件。
圖1顯示已知技術(shù)中的壓控震蕩器，包括電感100、補償電容(vamctor)102、 以及平行耦接的寄生電容104。電感100和補償電容102 —起產(chǎn)生具有震蕩頻 率的震蕩信號
(1)
其中f是震蕩頻率；
L是電感100的電感值；
Cv是補償電容102的電容值；
圖11顯示根據(jù)圖1實現(xiàn)的已知壓控震蕩器的電路圖。為了補償電感100
內(nèi)的功率損失，壓控震蕩器通常使用主動元件，例如圖11所示的相互耦接
(cross-coupled)的MOS晶體管對。雖然主動元件可以補償電感100的功率損失， 也同時帶來不想要的寄生電容Cp，由圖1的寄生電容104表示。這些不想要 的寄生電容值和溫度相關(guān)，通常隨著溫度一起增加。因此壓控震蕩器的震蕩 頻率在考慮寄生電容后為
其中f是震蕩頻率，L是電感100的電感值，Cv是補償電容102的電容值， 寄生電容Cp是寄生電容的電容值。
主動元件內(nèi)部的逆向偏壓(reverse bias)二極管造成輸出震蕩信號的頻率 飄移問題。逆向偏壓二極管的行為和電壓相關(guān)，并且其二極管電容值公式由 以下表示
其中VD是二極管兩端的逆向偏壓，以及甲o是二極管的內(nèi)部電壓。Vd以 -2mV/°C的斜率改變，所以二極管電容值會隨著溫度上升。
寄生電容Cp是漏極到基極電容Cdb、柵極到源極電容Cgs、和柵極到漏極 電容Cgd的結(jié)合，可以以下列公式表示
Cp=Cdb+Cgs+Cgd(l+A) (4)
其中A是gmR提供的電壓增益，gm是每個MOS晶體管的互導(dǎo)值 (transconductance)， R是電感電容式(LC tank)電路的組抗(Impedance)。漏極到 基極電容Cdb和補償電容Cv依照公式(3)，因此會隨著溫度上升。同時，當(dāng)溫
度上升時晶體管的gm會下降。通常，漏極到基極電容Cdb以及補償電容Cv和 gm相比對壓控震蕩器的總共電容值(Cv+Cp)有較強烈的影響，因此壓控震蕩器
表現(xiàn)出正溫度系數(shù)的行為，并且隨著溫度上升。
因此，需要一種壓控震蕩器，可以補償震蕩信號的頻率飄移以及輸出電 壓擺動范圍變動。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種集成電路，包括一壓控震蕩器以及一第一補 償電容。該壓控震蕩器產(chǎn)生一震蕩信號。該第一補償電容和上述壓控震蕩器
并聯(lián)，接收一控制電壓用以產(chǎn)生一負溫度系數(shù)(negative temperature coefficient) 電容值，用以對上述震蕩信號的頻率偏移進行補償。上述控制電壓和溫度相關(guān)。
在本發(fā)明的另一實施例中， 一種集成電路，包括一壓控震蕩器以及一第 一補償電容。該壓控震蕩器，包括一電感、 一補償電容、 一相互耦接的N型 晶體管對、以及一相互耦接的P型晶體管對，皆以并聯(lián)連接，以及上述集成 電路更包括兩個接成二極管形式的晶體管，以并聯(lián)連接，耦接到上述相互耦 接的N型及P型晶體管對，產(chǎn)生一震蕩信號。該第一補償電容，和上述電感、 上述補償電容、以及上述相互耦接的N型及P型晶體管對以并聯(lián)連接，接收 一控制電壓用以產(chǎn)生一負溫度系數(shù)電容值，用以對上述震蕩信號的頻率偏移 進行補償。上述控制電壓和溫度相關(guān)。
本發(fā)明所揭露的溫度補償?shù)膲嚎卣鹗幤饔靡匝a償增加的補償電容以及寄 生電容，以及降低震蕩信號的頻率飄移。


圖1顯示已知技術(shù)中的壓控震蕩器。 圖2顯示本發(fā)明實施例的一壓控震蕩器的方塊圖。 圖3顯示本發(fā)明實施例的一壓控震蕩器的示意圖。 圖4顯示本發(fā)明實施例的一壓控震蕩器的示意圖。 圖5顯示本發(fā)明實施例的另一壓控震蕩器的示意圖。 圖6a顯示電壓(VB-Vc)和圖5中補償電容C520和C522的電容值變化的 關(guān)系。
圖6b顯示電壓(VB-Vc)和圖5中補償電容C524和C526的電容值變化的 關(guān)系。
圖7顯示本發(fā)明實施例的另一壓控震蕩器的示意圖。 圖8a顯示圖5和圖7中的補償電容的示意圖。 圖8b顯示圖8a中補償電容的等效電路圖。 圖8c顯示PTAT電壓VPTAT和電容Cgd以及Cgs之間的關(guān)系。 圖9顯示本發(fā)明實施例的另一壓控震蕩器的示意圖。 圖IO顯示本發(fā)明實施例的另一壓控震蕩器的示意圖。 圖11顯示根據(jù)圖1實現(xiàn)的已知壓控震蕩器的電路圖。 附圖標號 20~震蕩電路； 22 補償電容； 30 震蕩電路； C320、 C322 補償電容； 34 操作放大器。
具體實施例方式
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉 出較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下
震蕩頻率f的溫度系數(shù)可以經(jīng)由微分公式(2)而獲得
_1/
(5)
對于溫度系數(shù)O來說，》|也為0，所以
<formula>formula see original document page 8</formula>其中-j^^是負溫度系數(shù)(negative temperature coefficient)電容值，艮卩，
化
電容值隨著溫度的增加而減低。公式(6)顯示如果將具有負溫度系數(shù)的電容 運用于習(xí)知的壓控震蕩器電路，則總共的電容值變動會降低。
圖2顯示本發(fā)明實施例的一壓控震蕩器的方塊圖，包括震蕩電路20和補 償電容22，兩者相互并聯(lián)。震蕩電路20包括電感200、補償電容202、和寄 生電容204。
震蕩電路20是電感電容式(LCtank)電路，在震蕩頻率時產(chǎn)生共振。補償 電容202和寄生電容204具有與絕對溫度成比例(Proportional To Absolute Temperature,以下稱為PTAT)的電容值，補償電容22具有與絕對溫度成反比 例(complementary to absolute temperature,以下稱為CTAT)的電容值。當(dāng)溫度增 加，補償電容202以及寄生電容204的PTAT電容值由補償電容22的CTAT 電容值補償，形成一大致固定的電容值。因為多出的負溫度系數(shù)電容值會將 這個效應(yīng)納入設(shè)計考量。在實作上，和電壓相關(guān)(voltage dependent)的電容可 以用于產(chǎn)生負溫度系數(shù)的電容值。
圖3顯示本發(fā)明實施例的一壓控震蕩器的示意圖，包括震蕩電路30、補 償電容C320和C322、以及操作放大器(operational amplifier)34。震蕩電路30 耦接操作放大器34、以及補償電容C320和C322。
震蕩電路30包括晶體管M300、相互耦接的MOS晶體管對M302和M304、 電感L300、電容C300和C302、相互耦接的MOS晶體管對M306和M308、 以及電阻R300。
電感L300、電容C300和C302形成一共振電路，提供一震蕩信號，其具 有由公式(2)所決定的頻率。電感L300可以做成單芯片(one-chip)形式，或 由外部電路元件所實現(xiàn)。電容C300和C302可以由信號Vtune調(diào)整而獲得震 蕩電路30所想要的的震蕩頻率。電容C300和C302可以包括多個補償電容， 串連或并聯(lián)形式，用以得到所想要的調(diào)整范圍。震蕩信號是橫跨上述共振電 路兩端的差動信號對(differential signal pair)。相互耦接的MOS晶體管對M302 和M304,以及相互耦接的MOS晶體管對M306和M308提供驅(qū)動共振電路 的負gm元件。
補償電容C320和C322是電壓相關(guān)的電容，由控制電壓Vc控制。控制電
壓Vc可以與絕對溫度成比例，或與絕對溫度成反比例。2的電容值隨著控制 電壓Vc的增加而減少，以及隨著控制電壓Vc的減少而增加。因此，當(dāng)控制 電壓Vc與絕對溫度成比例時，補償電容C320和C322提供具有負溫度系數(shù)的 電容值，當(dāng)控制電壓Vc與絕對溫度成反比例時，補償電容C320和C322提供 具有正溫度系數(shù)的電容值。電容C300和C302的補償電容電容值以及容值隨 著溫度的增加而增加。利用對補償電容C320和C322的兩端施加PTAT控制 電壓V。補償電容以及寄生電容的正溫度系數(shù)電容值會由補償電容的負溫度 系數(shù)電容值所補償，產(chǎn)生大致固定的電容值，以及穩(wěn)定的震蕩頻率。在一些 其他的實施例中，當(dāng)電壓施加于補償電容C320和C322的兩端時，其電容值 也隨之增加，所以控制電壓Vc用于提供所需支付溫度系數(shù)電容值。在另一些 其他的實施例中，根據(jù)公式6，可以將控制電壓Vc的坡度增加用以增加補償 電容C320和C322的溫度系數(shù)。注意因為增加的控制電壓Vc的斜度會影響壓 控震蕩器的DC操作狀況，造成當(dāng)溫度變化時，所輸出的震蕩信號會不穩(wěn)定。
利用將溫度相關(guān)的電壓導(dǎo)引到電感L300的中央點，電感L300的兩端會 產(chǎn)生控制電壓VC。例如，提供PTAT電壓到操作放大器34的反向輸入端， 使得電感L300的中央點的電壓準位會跟隨PTAT電壓而改變，電感L300的 中央點的電壓準位由誤差放大器(晶體管M302 M308)所感應(yīng)，經(jīng)由負回饋產(chǎn) 生大致和輸入的PTAT電壓相同的控制電壓VC。
圖4顯示本發(fā)明實施例的一壓控震蕩器的示意圖，包括震蕩電路30、補 償電容C320和C322、操作放大器34、以及晶體管M40和M42。震蕩電路 30、補償電容C320和C322、以及操作放大器34已經(jīng)在圖3中解釋，因此這 里對省略對它們的說明。圖4顯示另一種提供控制電壓Vc的方法。
圖4的壓控震蕩器使用M40和M42來產(chǎn)生控制電壓Vc用以提供補償電 容C320和C322的負溫度系數(shù)電容值。晶體管M40和M42是接成二極管形 式的晶體管(diode-connected transistor),并且面對面相連接。M40的源極端連 接到相互耦接的MOS晶體管對M302和M304的源極端，以及M42的源極端
連接到相互耦接的MOS晶體管對M306和M308的源極端，使得晶體管M40 和M42成為晶體管M302和M306(或晶體管M304和M308)的復(fù)制晶體管， 獲得和在操作放大器34的正向端相同的電壓，或稱為溫度相關(guān)的輸入電壓 VTEMP。
利用改變補償電容C320和C322兩端的電壓可以改變其溫度系數(shù)來補償 溫度變化所產(chǎn)生的頻率飄移。雖然圖3和圖4只使用PTAT控制電壓Vc來改 變補償電容兩端的電壓，這里也可以另外將CTAT電壓VCTAT和補償電容 耦接，使PTAT控制電壓Vc和CTAT電壓VcrAT在產(chǎn)生增加補償電容兩端的 壓差(Vc-VcTAT)，當(dāng)溫度改變時產(chǎn)生增加的電壓斜度，藉此允許較大范圍的溫 度改變。
當(dāng)溫度提高時，控制電壓Vc隨著PTAT輸入電壓VTEMP—起增加，從 晶體管M308產(chǎn)生的晶體管M302的偏壓狀態(tài)也會隨之改變。從晶體管M308 產(chǎn)生的晶體管M302的GM隨著控制電壓Vc增加，導(dǎo)致電流、Miller電容值 (Cgd(l+A》、以及晶體管的基極電容值(bulk capacitance)的兩端的逆向偏壓 (reverse bias voltage)增加。因此需要添加的負溫度系數(shù)電容值來解決圖3和圖 4中增加的壓控震蕩器的寄生電容CP。
圖5顯示本發(fā)明實施例的另一壓控震蕩器的示意圖，包括震蕩電路30、 操作放大器34、以及電容C520到C526。震蕩電路30耦接操作放大器34、 然后耦接到電容C520到C526。電容C520和C524以串聯(lián)耦接，并且電容C522 和C526也以串聯(lián)耦接。
補償電容C520和C522和圖4的補償電容C320和C322功能相同，當(dāng)其 兩端的電壓增加時提供降低的電容值。相反地，當(dāng)補償電容C524和C526兩 端的電壓降低時補償電容C524和C526提供降低的電容值，S卩，正溫度系數(shù) 電容值。補償電容C524和C526從元件兩端接收控制電壓Vc和偏壓電壓VB。 因為不管溫度改電為何偏壓Vb是固定的，假設(shè)控制電壓Vc具有PTAT輸入 電壓VTEMP，補償電容C524和C526會感受到CTAT電壓(VB-Vc)并且產(chǎn)生正
溫度系數(shù)電容值。所以當(dāng)溫度增加時，C520和C524，以及C522和C526的 結(jié)合會隨之降低。
圖6a顯示電壓Vc和圖5中補償電容C520和C522的電容值變化的關(guān)系。 當(dāng)PTAT電壓Vc增加時補償電容C520和C522顯示降低的電容值變化，產(chǎn)生 電壓控制的負系數(shù)電容值。
圖6b顯示電壓(VB-Vc)和圖5中補償電容C524和C526的電容值變化的 關(guān)系。當(dāng)CTAT電壓(VB-Vc)減低時補償電容C524和C526顯示降低的電容值 變化，產(chǎn)生電壓控制的正系數(shù)電容值。當(dāng)溫度提高時，PTAT控制電壓VC增 加并且CTAT電壓(VB-Vc)降低，電容C520和C524，以及電容C522和C526 結(jié)合的電容值會隨之降低，產(chǎn)生負溫度系數(shù)電容值，用以補償增加的補償電 容以及寄生電容的電容值，使得因為溫度變化產(chǎn)生的震蕩信號的頻率偏移減 低。
圖7顯示本發(fā)明實施例的另一壓控震蕩器的示意圖。圖7的壓控震蕩器 和圖5的壓控震蕩器具有相同的電路連接，除了補償電容C520和C522的接 地連接到CTAT電壓VCTAT用來增加其兩端的壓差(Vc-VcTAT)。增加的兩端 壓差(Vc.VcTAT)，提高補償電容兩端的PTAT電壓的斜率，產(chǎn)生增加的負溫度 系數(shù)電容值，以及提供足夠的電容值變化范圍，用以補償圖7中震蕩器信號 的頻率飄移。
圖8a顯示圖5和圖7中的補償電容的示意圖，包括PTAT電壓源VPTAT、 晶體管82、以及二極管84。晶體管82耦接PTAT電壓源VPTAT以及二極管 84。圖8a提供一種補償電容的電路實現(xiàn)的方法，具有PTAT和CTAT電壓來
控制電容值。
電壓相關(guān)的電容可以由PN接面(PN-junction)補償電容或是MOS補償電 容來實現(xiàn)。在三極區(qū)(triode region)的MOS補償電容可以用來實現(xiàn)電壓相關(guān)的 電容。二極管84有兩個功用，將晶體管82的源極和漏極的電壓保持一樣， 以及當(dāng)溫度上升時產(chǎn)生降低的電容值。
圖8b顯示圖8a中補償電容的等效電路圖，包括柵極到源極電容Cgs、源 極到基極電容Csb、柵極到漏極電容Cgd、漏極到基極電容Cdb、開啟電阻RON、 以及二極管84。
因為開啟電阻RON可以被忽略，補償電容C可以由(Cgd+Cgs+Cdb+C^)表
示。源極到基極電容Csb、漏極到基極電容Cdb、以及二極管電容C84構(gòu)成補償
電容C520和C522，如圖5和圖7所示，當(dāng)PTAT電壓VPTAT增加時源極到
基極電容Csb、漏極到基極電容Cdb、以及二極管電容C84降低。柵極到漏極電
容Cgd以及柵極到源極電容Cgs隨著PTAT電壓VPTAT改變，如圖8c所示。 圖8c顯示當(dāng)PTAT電壓VPTAT增加時，橫跨柵極到源極以及柵極到漏極兩 端的電壓(VbiM-VpTAT)會隨之降低，柵極到漏極電容Cgd以及柵極到源極電容 Cgs從^WLC。x + WC。V降低到WC。V，其中W和L是晶體管82的通道寬度和 長度，以及C。x和C。v是晶體管82每個單元的氧化物電容值以及覆蓋電容值 (overlap capacitance)。柵極到漏極電容Cgd以及柵極到源極電容Cgs隨著PTAT 電壓VpTAT減低，電容值(Cgd+Cgs)表示圖5和圖7的補償電容C524和C526。
雖然圖8a到圖8c的實施例以NMOS晶體管表示，在其他的實施例中也 可以使用PMOS晶體管實現(xiàn)。
圖9顯示本發(fā)明實施例的另一壓控震蕩器的示意圖，包括震蕩電路30、 操作放大器34、晶體管M90到M96、以及二極管D1和D2。震蕩電路30耦 接操作放大器34、晶體管M90到M96、然后耦接二極管Dl和D2。圖9顯 示壓控震蕩器使用和圖5中相同的電路原理。
根據(jù)圖8a到圖8c,晶體管M90和M92和二極管Dl —起實現(xiàn)C520和 C524的電路，如圖5所示，晶體管M94和M96和二極管D2實現(xiàn)C522和 C526的電路。當(dāng)溫度增加，PTAT輸入電壓VTEMP和PTAT控制電壓Vc也會 增加，控制晶體管M90到M96以及二極管Dl和D2來提供降低的電容值， 用以補償增加的補償電容以及寄生電容，以及降低震蕩信號的頻率飄移。
雖然實施例同時使用PMOS以及NMOS晶體管來實現(xiàn)補償電容，也可以
只使用PMOS或NMOS晶體管其中一種來實現(xiàn)本發(fā)明的補償電容。本領(lǐng)域技 術(shù)人員可以對壓控震蕩器進行合適的電路修改而不超出本發(fā)明的范圍。
圖IO顯示本發(fā)明實施例的另一壓控震蕩器的示意圖，包括震蕩電路30、 操作放大器34、晶體管M100到M106、以及二極管D1和D2。震蕩電路30 耦接操作放大器34、然后耦接晶體管M100到M106。晶體管M104和M106 分別耦接二極管Dl和D2。圖9顯示壓控震蕩器使用和圖4和圖5中相同的 電路原理。
晶體管M100禾n M102是接成二極管形式的晶體管(diode-connected transistor),并且作為晶體管M302和M306(晶體管M304和M308)的復(fù)制晶體 管，使得在操作放大器34的反向輸入端的電壓可以復(fù)制為控制電壓VC。當(dāng) 溫度提高時，控制電壓Vc增加，晶體管M104和二極管D1提供的電容值下 降，因此補償?shù)粽鹗庪娐?0中增加的補償電容電容值以及寄生電容電容值， 減低輸出震蕩信號的頻率飄移。
本發(fā)明所揭露的溫度補償?shù)膲嚎卣鹗幤骺梢杂糜赗FICs、模擬IC、 DSPs、 ASICs、控制器、以及處理器。雖然說明書揭露使用MOSFET晶體管技術(shù)來 實現(xiàn)電路，本發(fā)明所揭露的溫度補償?shù)膲嚎卣鹗幤饕部梢允褂肂JT晶體管技 術(shù)來實現(xiàn)，以及其他類似的技術(shù)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也知道互補的晶體管種類 也可以用于本發(fā)明而不超出本發(fā)明的范圍，例如，將P型晶體管替代N型晶 體管，或者將N型晶體管替代P型晶體管。
本發(fā)明雖以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任 何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許的更動與 潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)以的權(quán)利要求所界定的為準。
權(quán)利要求
1.一種集成電路，其特征在于，所述集成電路包括一壓控震蕩器，產(chǎn)生一震蕩信號；以及一第一補償電容，和所述壓控震蕩器并聯(lián)，接收一控制電壓用以產(chǎn)生一負溫度系數(shù)電容值，用以對所述震蕩信號的頻率偏移進行補償；其中所述控制電壓和溫度相關(guān)。
2. 如權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述控制電壓與絕對溫度 成比例或與絕對溫度成反比例。
3. 如權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述壓控震蕩器包括一電 感以及一補償電容，所述電感和所述補償電容相互并聯(lián)，以及所述電感從其 中央接收一和溫度相關(guān)的電壓用以在其兩端建立所述控制電壓。
4. 如權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述壓控震蕩器包括一電 感、 一補償電容、 一相互耦接的N型晶體管對、以及一相互耦接的P型晶體 管對，皆以并聯(lián)連接，以及所述集成電路更包括兩個接成二極管形式的晶體 管，以并聯(lián)連接，耦接到所述相互耦接的N型及P型晶體管對，接收一和溫 度相關(guān)的電壓用以在所述電感和所述補償電容的兩端建立所述控制電壓。
5. 如權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第一補償電容在第一 端接收所述控制電壓Vc，以及在另一端更接收一第二溫度相關(guān)的電壓V2，用 以在所述第一補償電容的兩端建立一電壓差值(Vc-V2)，用以產(chǎn)生所述與絕 對溫度成反比例的電感，以及所述第二溫度相關(guān)的電壓V2是與絕對溫度成反 比例的電壓。
6. 如權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述集成電路更包括一第 二補償電容，耦接所述第一補償電容以及所述壓控震蕩器，接收所述控制電 壓和一偏壓用以在所述第二補償電容兩端建立另一個和溫度相關(guān)的電壓，以 及產(chǎn)生一第二負溫度系數(shù)。
7. 如權(quán)利要求6所述的集成電路，其特征在于，所述第一及第二補償電容 包括一第一MOS晶體管，具有一第一柵極、 一第一漏極、以及一第一源極， 其中所述第一柵極接收一固定偏壓，以及所述第一源極接收所述控制電壓； 以及一二極管，耦接到所述第一漏極。
8. —種集成電路，其特征在于，所述集成電路包括一壓控震蕩器，包括一電感、 一補償電容、 一相互耦接的N型晶體管對、 以及一相互耦接的P型晶體管對，皆以并聯(lián)連接，以及所述集成電路更包括 兩個接成二極管形式的晶體管，以并聯(lián)連接，耦接到所述相互耦接的N型及 P型晶體管對，產(chǎn)生一震蕩信號；以及一第一補償電容，和所述電感、所述補償電容、以及所述相互耦接的N 型及P型晶體管對以并聯(lián)連接，接收一控制電壓用以產(chǎn)生一負溫度系數(shù)電容 值，用以對所述震蕩信號的頻率偏移進行補償；其中所述控制電壓和溫度相關(guān)。
9. 如權(quán)利要求8所述的集成電路，其特征在于，所述控制電壓與絕對溫度 成比例或與絕對溫度成反比例。
10. 如權(quán)利要求8所述的集成電路，更包括一操作放大器，耦接所述壓控 震蕩器，從一反向輸入端接收一輸入電壓，將一正向輸入端耦接到所述電感 的中央，以及輸出到所述壓控震蕩器，其中所述電感接收所述輸入電壓，用 以在所述電感的兩端建立所述控制電壓，以及所述輸入電壓和溫度相關(guān)。
11. 如權(quán)利要求8所述的集成電路，其特征在于，所述集成電路更包括 一操作放大器，耦接所述壓控震蕩器，具有一反向輸入端、 一正向輸入端、以及一輸出端，從所述反向輸入端輸出一輸入電壓到所述壓控震蕩器； 以及兩個接成二極管形式的晶體管，以并聯(lián)連接，耦接到所述相互耦接的N 型及P型晶體管對，從所述正向輸入端接收所述輸入電壓用以建立在所述電 感以及所述可便電感兩端的所述控制電壓； 其中所述控制電壓和溫度相關(guān)。
12. 如權(quán)利要求8所述的集成電路，其特征在于，所述第一補償電容在第 一端接收所述控制電壓Vc，以及在另一端更接收一第二溫度相關(guān)的電壓V2， 用以在所述第一補償電容的兩端建立一電壓差值(Vc-V2)，用以產(chǎn)生所述與 絕對溫度成反比例的電感，以及所述第二溫度相關(guān)的電壓V2是與絕對溫度成 反比例的電壓。
13. 如權(quán)利要求8所述的集成電路，其特征在于，所述集成電路更包括一 第二補償電容，耦接所述第一補償電容以及所述壓控震蕩器，接收所述控制 電壓和一偏壓用以在所述第二補償電容兩端建立另一個和溫度相關(guān)的電壓， 以及產(chǎn)生一第二負溫度系數(shù)。
14. 如權(quán)利要求13所述的集成電路，其特征在于，所述第一及第二補償電 容包括-一第一MOS晶體管，具有一第一柵極、 一第一漏極、以及一第一源極， 其中所述第一柵極接收一固定偏壓，以及所述第一源極接收所述控制電壓； 以及一二極管，耦接到所述第一漏極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種集成電路，包括一壓控震蕩器以及一第一補償電容。該壓控震蕩器產(chǎn)生一震蕩信號。該第一補償電容和上述壓控震蕩器并聯(lián)，接收一控制電壓用以產(chǎn)生一負溫度系數(shù)電容值，用以對上述震蕩信號的頻率偏移進行補償。上述控制電壓和溫度相關(guān)。本發(fā)明所揭露的溫度補償?shù)膲嚎卣鹗幤饔靡匝a償增加的補償電容以及寄生電容，以及降低震蕩信號的頻率飄移。
文檔編號H03B5/08GK101359897SQ20081014521
公開日2009年2月4日 申請日期2008年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月30日
發(fā)明者塞特亞那拉亞那·雷迪·卡瑞 申請人:聯(lián)發(fā)科技(新加坡)私人有限公司