專利名稱：一種超低噪聲前置放大器的制作方法
技術(shù)領域：
本實用新型涉及一種超低噪聲前置放大器。 背景纟支術(shù)目前在微弱信號檢測中，低噪聲前置放大器是不可或缺的部件。盡管現(xiàn)有 許多種低噪聲集成運算放大器可供選擇，但通常低噪聲的特性明顯差于釆用分 立元件構(gòu)成的前置放大器，不適用于諸如鎖相放大器等對噪聲特性要求很高的微弱信號測試儀器中；此外，通常電路中的待測信號源內(nèi)阻較低，故應通過選 用分立元件設計制作成一款超低噪聲的前置放大器。實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種超低噪聲前置放大器，以克服現(xiàn)有放大器的 低噪聲特性較差、不適用于信號源內(nèi)阻較低場合的不足。本實用新型的目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)一種超低噪聲前置放大器，其電路中包括PNP型雙極型晶體管Tl、 T2、 T3,所述的三個雙極型晶體管Tl、 T2、 T3組成直接耦合的電壓串聯(lián)負反饋放 大器電路，晶體管Tl的發(fā)射極分別連接1K的電阻Rel與9K的電阻Re3，使 得電路的電壓放大倍數(shù)為10倍；晶體管Tl的集電極分別與100K的電阻Rel 及晶體管T2的基極相連接，晶體管T2的集電極連接晶體管T3的基極，阻值 為10K的電阻Re2的一端分別并聯(lián)連接T3的集電極、電容C4、電容C5的正 極及電阻R5。 Rcl為IOOKD，同時T2的發(fā)射極下串聯(lián)了 Re2， C2下端接到 Tl的發(fā)射極，Rbl產(chǎn)生的噪聲電壓被短接到該點，Rbl，的噪聲電壓接到Tl的 基極；Rcl采用金屬膜電阻，Cl、 C2采用漏電阻很大的鉭電容。本實用新型所述的超低噪聲前置放大器的有益效果為其等效輸入噪聲電 壓為0.12"K/V^，具有良好的超低噪聲特性，可廣泛應用于諸如鎖相放大器等對噪聲特性要求很高的微弱信號測試儀器中；采用PNP型雙極型晶體管設計， 解決了待測信號源內(nèi)阻較低的問題。


下面根據(jù)附圖對本實用新型作進一步詳細說明。 圖1是本實用新型實施例所述的超低噪聲前置放大器的電路元件圖； 圖2是本實用新型實施例所述的超低噪聲前置放大器的線性檢波電路圖。
具體實施方式

如圖1所示，本實用新型實施例所述的超低噪聲前置放大器，其電路中包 括PNP型雙極型晶體管Tl、 T2、 T3，所述的三個雙極型晶體管Tl、 T2、 T3 組成直接耦合的電壓串聯(lián)負反饋放大器電路，其電壓放大倍數(shù)Ku為 ^^/^/^+l,晶體管Tl的發(fā)射極分別連接lK的電阻Rel與9K的電阻Re3, 使得電路的電壓放大倍數(shù)為IO倍；晶體管Tl的集電極分別與100K的電阻Rel 及晶體管T2的基極相連接，晶體管T2的集電極連接晶體管T3的基極，阻值 為10K的電阻Re2的一端分別并聯(lián)連接T3的集電極、電容C4、電容C5的正 極及電阻R5;電路在無反饋條件下，Tl、 T2均起到放大作用，可視為兩級級 聯(lián)放大器，由于PNP型晶體管基區(qū)載流子遷移率高，/fl 100/^， " ,"r， Tl工作在微功耗狀態(tài)；而PNP管為超p低噪聲晶體管，Ibl較小，有效地降低 了 PN結(jié)的散彈噪聲及1/f噪聲，Rcl取100KQ,有效的增加了 Kl;同時T2 的發(fā)射極下串聯(lián)了 Re2,增加了 T2的輸入阻抗，從而減小T2輸入阻抗對Kl 的下降作用。C2下端接到Tl的發(fā)射極，Rbl產(chǎn)生的噪聲電壓被短接到該點， 僅Rbl，的噪聲電壓接到Tl的基極；減小Rel與Re3的等效并聯(lián)電阻，可減 小電路中加上反饋后所增加的噪聲。采用低噪聲電阻、電容元件，Rcl等電阻 采用金屬膜電阻，Cl、 C2采用漏電阻很大的鉭電容，既有利于降低噪聲，又有 利于工作點的穩(wěn)定。
如圖2所示，本實用新型實施例所述的超低噪聲前置放大器，為了避免引入220V/50Hz交流電源對測試儀器的噪聲干擾，故測試儀表及工作電源均選用 化學直流電源，各個低噪聲前置放大器單元電路的外部均設置電磁屏蔽外殼。 在線性檢波電路中連接晶體管Tl與T2，晶體管Tl的發(fā)射極連接電容C3的正 極，C3的負極端并聯(lián)接入二極管Dl的正極端與二極管D2的負極端。
權(quán)利要求1、一種超低噪聲前置放大器，其特征在于包括PNP型雙極型晶體管T1、T2、T3，所述的三個雙極型晶體管T1、T2、T3組成直接耦合的電壓串聯(lián)負反饋放大器電路，晶體管T1的發(fā)射極分別連接1K的電阻Re1與9K的電阻Re3；晶體管T1的集電極分別與100K的電阻Re1及晶體管T2的基極相連接，晶體管T2的集電極連接晶體管T3的基極，阻值為10K的電阻Re2的一端分別并聯(lián)連接T3的集電極、電容C4、電容C5的正極及電阻R5，C2下端接T1的發(fā)射極。
專利摘要本實用新型涉及一種超低噪聲前置放大器，其特征在于包括PNP型雙極型晶體管T1、T2、T3，所述的三個雙極型晶體管T1、T2、T3組成直接耦合的電壓串聯(lián)負反饋放大器電路，晶體管T1的發(fā)射極分別連接1K的電阻Re1與9K的電阻Re3；晶體管T1的集電極分別與100K的電阻Re1及晶體管T2的基極相連接，晶體管T2的集電極連接晶體管T3的基極，阻值為10K的電阻Re2的一端分別并聯(lián)接T3的集電極、電容C4、電容C5的正極及電阻R5；T2的發(fā)射極下串聯(lián)Re2，C2下端接到T1的發(fā)射極，C1、C2采用漏電阻很大的鉭電容。本實用新型有益效果為具有良好的超低噪聲特性，可廣泛應用于微弱信號測試儀器。
文檔編號H03F1/26GK201167298SQ20082000545
公開日2008年12月17日 申請日期2008年2月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月29日
發(fā)明者梁慶九, 魯永康 申請人:梁慶九