專利名稱：：一種側(cè)邊蝕刻水晶芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本實用新型屬電子
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別是涉及一種側(cè)邊蝕刻水晶芯片。
背景技術(shù)：
：隨著消費性電子產(chǎn)品(如手機(jī)、數(shù)字相機(jī)等)的快速成長，汽車電子化，家電數(shù)位化,使得晶振使用數(shù)量不斷提升，因而其使用的水晶芯片需求急速增加；而數(shù)字訊號處理速度不斷提升，使用的晶振頻率不斷提高,因此高頻率穩(wěn)定性水晶芯片需求大增，在加工技術(shù)上是需要克服的一大要素,既有的制造技術(shù)已經(jīng)不能滿足要求。水晶芯片應(yīng)用到高頻率后，許多不需要的頻率振蕩模式相應(yīng)增加(如輪廓振蕩、厚度振蕩等)，使得原本需求的振蕩模式(厚度剪切振蕩)受到影響而不穩(wěn)定。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種大量化、低成本水晶芯片生產(chǎn)技術(shù)，來滿足電子產(chǎn)品市場高頻晶振的高穩(wěn)定性且低價位的芯片應(yīng)用需求。本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種側(cè)邊蝕刻水晶芯片，包括傳統(tǒng)水晶芯片，在所述的水晶芯片具有傳統(tǒng)的加工尺寸，其長邊的側(cè)邊具有寬度為40~70um蝕刻邊。所述的水晶芯片加工尺寸為長2.08.0mm，寬1.02.5mm。有益效果本實用新型水晶芯片長邊的微量酸蝕刻，使得"不需要的頻率振蕩模式"受到壓制，進(jìn)而讓芯片需求的主要振蕩模式可以穩(wěn)定振蕩。圖l開發(fā)后水晶芯片示意圖；圖2開發(fā)前水晶芯片示意圖3本實用新型加工方式示意其中1—玻璃片2—水晶芯片3—臘4一酸液槽(氟化氫氨)5—水晶芯片塊圖4a和圖4b為本實用新型改善前后波形圖。具體實施方式下面結(jié)合具體實施例，進(jìn)一步闡述本實用新型。應(yīng)理解，這些實施例僅用于說明本實用新型而不用于限制本實用新型的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本實用新型講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本實用新型作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權(quán)利要求書所限定的范圍。芯片頻率30MHz以上基本波及3倍波水晶芯片.芯片尺寸:<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>如圖3所示，將水晶芯片排列,兩端以玻璃片保護(hù),再以臘融解填滿間隙，冷卻后接合成為芯片塊,將芯片塊放入氟化氫氨的酸液中進(jìn)行腐蝕，由于酸液只能由芯片塊沒有受到玻璃保護(hù)的那一側(cè)腐蝕芯片,之后將臘去除后的芯片即可完成此側(cè)腐蝕的工藝。如圖4所示，開發(fā)出這個蝕刻技術(shù)，藉由水晶芯片長邊的微量酸蝕刻，使得"不需要的頻率振蕩模式"受到壓制，進(jìn)而讓芯片需求的主要振蕩模式可以穩(wěn)定振蕩。圖中6—改善后，不需要的振蕩模式受到壓制，波形強度降低；7—改善前，不需要的振蕩模式波形強度太強，影響芯片主頻率振蕩。權(quán)利要求1.一種側(cè)邊蝕刻水晶芯片，包括水晶芯片，其特征在于在所述的水晶芯片的長邊的側(cè)邊具有寬度為40～70um蝕刻邊。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種側(cè)邊蝕刻水晶芯片，其特征在于所述的水晶芯片加工尺寸為長2.08.0mm，寬1.02.5mm。專利摘要本實用新型涉及一種側(cè)邊蝕刻水晶芯片，包括傳統(tǒng)水晶芯片，在所述的水晶芯片具有傳統(tǒng)的加工尺寸，其長邊的側(cè)邊具有寬度為40～70um蝕刻邊。所述的水晶芯片加工尺寸為長2.0～8.0mm，寬1.0～2.5mm。本實用新型水晶芯片長邊的微量酸蝕刻，使得“不需要的頻率振蕩模式”受到壓制，進(jìn)而讓芯片需求的主要振蕩模式可以穩(wěn)定振蕩。文檔編號H03H9/02GK201435715SQ20092006738公開日2010年3月31日申請日期2009年1月23日優(yōu)先權(quán)日2009年1月23日發(fā)明者黃國瑞申請人:臺晶(寧波)電子有限公司