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      一種固體繼電器的制作方法

      文檔序號(hào):7524623閱讀:294來源:國(guó)知局
      專利名稱:一種固體繼電器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型屬于電器電子技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種固體繼電器的設(shè)計(jì)。
      背景技術(shù)
      固態(tài)繼電器(Solid State Relays,SSR)是一種無觸點(diǎn)電子開關(guān),它利用電子元件 (如開關(guān)三極管、雙向可控硅等半導(dǎo)體器件)的開關(guān)特性,可達(dá)到無觸點(diǎn)無火花地接通和斷開電路的目的,在其輸入端加上直流或脈沖信號(hào),輸出端就能從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變成導(dǎo)通狀態(tài) (無信號(hào)時(shí)呈阻斷狀態(tài)),即當(dāng)控制腳之間施加電壓時(shí),固體繼電器導(dǎo)通,而當(dāng)控制腳之間的施加電壓撤銷則固體繼電器斷開,從而控制較大負(fù)載。美國(guó)專利號(hào)4804866介紹的固體繼電器關(guān)斷控制電路有效的使場(chǎng)效應(yīng)管關(guān)斷時(shí)的柵源電容放電速度的到提升。其基本原理為“將一個(gè)控制裝置連接到光伏二極管陣列與輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管的柵極之間,從而使控制裝置在光伏輸出時(shí)處于高阻狀態(tài),在光伏輸出消失時(shí)處于低阻狀態(tài),以便光伏二極管陣列產(chǎn)生的充電電流流向輸出端金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管的柵極”。專利中提到的控制裝置就是加速泄放電路,采用了 N溝道JFET (常閉器件)、二極管及NPN三極管、二極管、電阻組合而成。美國(guó)專利號(hào)5151602,在常閉性器件組成的金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管柵極泄放電路中, 增加了阻抗原件。與專利號(hào)48404866的繼電器相比較,增加了阻抗原件可以使繼電器的輸出信號(hào)波形上升下降沿變得平緩,有效的提高了繼電器抗電器噪聲的能力,但由于沒做進(jìn)一步處理使得接通和關(guān)斷時(shí)間較長(zhǎng)。美國(guó)專利號(hào)5278422同樣是常閉型器件組成的加速泄放電路,該泄放電路也增加了阻抗原件。但由于此阻抗的位置并不在充電回路上,所以較美國(guó)專利號(hào)5151602,該泄放電路使柵充電時(shí)間不會(huì)延長(zhǎng),而同時(shí)又使得輸出信號(hào)的下降沿趨于緩和,提高了抗噪聲的能力,但總的關(guān)斷時(shí)間還是偏大。公開號(hào)CN1D8553A公開了一種固體繼電器,由常開型器件組成的加速充放電電路,該加速接通電路由電容、NPN三極管和二極管組成,其對(duì)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管柵的加速充電需要一個(gè)電容借助于輸出電源提供的能量來實(shí)現(xiàn)。該方案有效減小了接通時(shí)間,但由于電容的引入和需要借助輸出電源不可避免的增加了芯片面積和布線的難度,另外對(duì)下降沿坡度的控制也略顯不足,抗干擾能力較差。

      實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有的固體繼電器存在的上述問題,提出了一種固體繼電器。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是一種固體繼電器,包括,一個(gè)接著繼電器輸入端子之間的發(fā)光元件;一個(gè)耦合發(fā)光元件光信號(hào)時(shí),產(chǎn)生光伏輸出的光伏二極管陣列;一個(gè)或兩個(gè)接在繼電器輸出端子之間的常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管;[0012]其特征在于,還包括,一個(gè)由光電晶體管、電阻組成的充電電路,其中光電晶體管的發(fā)射極接輸出常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極,集電極接在光伏二極管陣列的第一端,所述電阻接在輸出常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和光伏二極管陣列的第二端之間;一個(gè)由PNP三極管、N溝道耗盡型金屬場(chǎng)效應(yīng)晶體管和兩個(gè)電阻組成的加速泄放電路,其中,PNP三極管經(jīng)一個(gè)電阻接常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極,集電極接在光伏二極管陣列的第二端,基極接光伏二極管陣列的第一端,N溝道耗盡型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極經(jīng)一個(gè)電阻接常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極,源極與襯底接在常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極,柵極接在光伏二極管陣列的第二端。進(jìn)一步的,所述固體繼電器還包括一光敏電阻,所述光敏電阻連接在所述充電電路的電阻和所述N溝道耗盡型金屬場(chǎng)效應(yīng)晶體管源極之間。進(jìn)一步的,接在繼電器輸出端子之間的常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管為兩個(gè), 其中,兩個(gè)常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極相連,作為所述繼電器的第三輸出端子; 兩個(gè)漏極分別作為所述繼電器的第一、第二輸出端子。進(jìn)一步的,金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管為N溝道增強(qiáng)型。本實(shí)用新型的有益效果1、本實(shí)用新型主要是通過對(duì)輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵電容進(jìn)行充電放電來實(shí)現(xiàn),進(jìn)行柵充電時(shí),主要由PNP三極管和N溝道耗盡型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管組成的放電電路處于高阻狀態(tài)(即器件處于反偏),而當(dāng)放電電路處于低阻狀態(tài)時(shí),電荷將通過放電電路中兩條通路進(jìn)行泄放,從而達(dá)到了對(duì)繼電器的導(dǎo)通及加速關(guān)斷的目的。而對(duì)這兩種電路實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換的控制是通過所述光伏二極管陣列輸出的改變而實(shí)現(xiàn)。2、本實(shí)用新型引入了光電三極管,在對(duì)輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管柵充電時(shí),電路處于光照狀態(tài)下,光電三極管處于低阻狀態(tài),故充電電路的延遲將較小。3、本實(shí)用新型的充電電路和加速泄放電路較為簡(jiǎn)單,其中的三個(gè)電阻的功能不盡相同,分別起到了保證常閉型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管在充電時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)和使輸出信號(hào)下降沿趨于緩和的作用,下降沿的緩和使得電路抗干擾能力較強(qiáng)。并且整個(gè)電路中不存在電容,不會(huì)增加芯片的面積。

      圖1是本實(shí)用新型固體繼電器實(shí)施例一的電路原理圖。圖2是本實(shí)用新型固體繼電器實(shí)施例二的電路原理圖。圖3是本實(shí)用新型固體繼電器實(shí)施例三的電路原理圖。圖4是實(shí)施例一的輸入信號(hào)與輸出信號(hào)的時(shí)序示意圖。
      具體實(shí)施方式
      以下結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的闡述。本實(shí)用新型的固體繼電器的基本電路結(jié)構(gòu)包括一個(gè)發(fā)光元件,在接收到輸入電流時(shí)發(fā)出光信號(hào);一個(gè)光伏二極管陣列,在接收到所述發(fā)光元件發(fā)出的光信號(hào)時(shí)由于光伏效應(yīng)產(chǎn)生電流;繼電器輸出端連接的是一個(gè)常開型金屬氧化場(chǎng)效應(yīng)晶體管。另外還包括一個(gè)介于發(fā)光元件和輸出場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間的控制電路,此電路用于控制對(duì)輸出場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵的充放電。在所述發(fā)光元件接通后,光伏二極管陣列接收光照,經(jīng)光伏效應(yīng)有電流輸出,充電電路被接通,光生電流經(jīng)光電三極管和電阻對(duì)輸出場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵進(jìn)行充電;在所述發(fā)光元件關(guān)斷后,光信號(hào)被取消,光伏二極管光伏輸出被取消,此時(shí)加速泄放電路被接通,輸出場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵上的電荷通過泄放電路被泄放。這里,控制電路具體包括充電電路和加速泄放電路。實(shí)施例一按照本實(shí)用新型的固體繼電器的一種體現(xiàn)如圖1的實(shí)施例一所示。包括,一個(gè)接著繼電器輸入端子111和Illa之間的發(fā)光元件112 ;—個(gè)耦合發(fā)光元件光信號(hào)時(shí),產(chǎn)生光伏輸出的光伏二極管陣列113 ;—個(gè)接在繼電器輸出端子之間的常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管120還包括,一個(gè)由光電晶體管114、電阻119組成的充電電路,其中光電晶體管114的發(fā)射極接輸出常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管120的柵極,集電極接在光伏二極管陣列113的第一端,電阻119接在輸出常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管120的源極和光伏二極管陣列113 的第二端之間;這里,光電晶體管114的基極懸空,經(jīng)光照后在集電結(jié)產(chǎn)生電子空穴對(duì)使晶體管導(dǎo)通。 一個(gè)由PNP三極管116、N溝道耗盡型金屬場(chǎng)效應(yīng)晶體管118和兩個(gè)電阻115、117 組成的加速泄放電路,其中,PNP三極管116經(jīng)一個(gè)電阻115接常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管120的柵極,集電極接在光伏二極管陣列113的第二端,基極接光伏二極管陣列113的第一端,N溝道耗盡型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管118的漏極經(jīng)一個(gè)電阻117接常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管120的柵極,源極與襯底接在常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管120的源極,柵極接在光伏二極管陣列113的第二端。光電晶體管114接于光伏二極管陣列113的第一端和常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管120的柵極之間,其導(dǎo)通狀態(tài)下的低阻抗保證了繼電器開啟時(shí)間不致過大。PNP三極管116與N溝道耗盡型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管118共同組成了泄放電路的兩條泄放通道,這兩條通道在泄放電荷的過程中作用時(shí)間不同,功能也不盡相同,這兩個(gè)通道的共同作用使得在常開型金屬場(chǎng)效應(yīng)晶體管120的輸出信號(hào)下降沿趨緩的同時(shí)其柵電容電荷的泄放時(shí)間有所減少。具體工作過程如下在輸入端111和Illa加一個(gè)正向壓降,發(fā)光二極管112處于工作狀態(tài),光伏二極管陣列113接收光照后處于光伏輸出狀態(tài),光電三極管114經(jīng)光照后處于導(dǎo)通狀態(tài),此時(shí)PNP三極管116發(fā)射結(jié)處于短路狀態(tài),PNP三極管116截止。光伏二極管陣列113產(chǎn)生的光生電流從光伏二極管陣列陽(yáng)極流出,經(jīng)光電三極管114向輸出場(chǎng)效應(yīng)晶體管120柵上充電,并經(jīng)電阻119流回光伏二極管陣列113陰極。由于金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管118為N溝道耗盡型,此時(shí)電流流經(jīng)電阻119時(shí)產(chǎn)生的壓降將使耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管處于截止?fàn)顟B(tài)。因此PNP三極管116和N溝道耗盡型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管118都處于非導(dǎo)通狀態(tài),光生電流將直接對(duì)輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵電容進(jìn)行充電。當(dāng)輸入端電壓被取消,發(fā)光二極管112不再處于工作狀態(tài),光伏二極管陣列113光伏輸出被取消,作用相當(dāng)于普通二極管的串聯(lián)形式。兩個(gè)光電三極管114和118截止,處于高阻狀態(tài)。此時(shí)電路的功能主要是對(duì)輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管120的柵極電荷進(jìn)行泄放。在泄放的初始階段由輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管120柵極、電阻115、PNP三極管116 發(fā)射結(jié)、光伏二極管陣列113、電阻119到輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管源極121a的回路將被導(dǎo)通,發(fā)射結(jié)的導(dǎo)通使得PNP三極管116導(dǎo)通;另外N溝道耗盡型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管118由于柵源電壓不再反向偏置,故也處于導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)共有PNP三極管116和N溝道耗盡型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管118兩條通道對(duì)輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管120的柵電容電荷進(jìn)行泄放。隨著金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管120的柵電容電荷的泄放,其柵源電壓也將逐漸減小,到了某一時(shí)刻,由于柵源電壓不再能負(fù)擔(dān)流經(jīng)電阻115、PNP三極管116的發(fā)射結(jié)、光伏二極管陣列到電阻119回路的電流,此回路被斷開,PNP三極管116的基極電流被取消,PNP三極管處于截止?fàn)顟B(tài),故此時(shí)泄放電路只剩N溝道耗盡型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管118—條泄放通道對(duì)輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管120柵電荷進(jìn)行泄放,并直到輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管120柵電荷被泄放完畢,此時(shí)柵源電壓小于輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管120的閾值電壓。參考圖4示出了繼電器輸入電流與輸出電流的時(shí)序圖。繼電器的輸入端為一矩形波輸入。A圖為圖1中的電路斷開PNP三極管116、電阻115,并且短路光電三極管114、和電阻117后的輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流波形;B圖為圖1中的電路斷開PNP三極管116、電阻115,并且短路光電三極管114后的輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流波形;;C圖為圖1中的電路斷開電阻115后的輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流波形;D圖為圖1中的電路的輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流波形。從圖4中可以看出,電路的開啟和關(guān)斷從輸入信號(hào)到輸出信號(hào)都會(huì)產(chǎn)生一定的延遲,其中開啟的延遲即柵充電時(shí)間主要是由于電阻119引起的(充電電路中光電三極管處于低阻狀態(tài)可忽略),而關(guān)斷的延遲即柵電荷的泄放時(shí)間可分為兩部分1、輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓從工作電壓降低到開啟電壓Vgs(。n)所用時(shí)間td ;2、輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵源電壓從開啟電壓Vgs(。n)降低到閾值電壓Vth所用時(shí)間tf。首先出于對(duì)電路開關(guān)速度的考慮,總的關(guān)斷時(shí)間td+tf應(yīng)盡可能小,另外為了有效的提高繼電器抗電器噪聲的能力,應(yīng)使繼電器的輸出信號(hào)波形下降沿變得平緩,也就是希望tf應(yīng)較大。圖4中A圖的電路決定了其總關(guān)斷時(shí)間較長(zhǎng)且下降沿較陡;B圖的電路是在 A圖的電路基礎(chǔ)上添加了電阻117,由于此電阻的作用,泄放回路的電阻明顯增大,故輸出信號(hào)的延遲變大,波形下降沿明顯變緩。而C圖的電路,正如前所述,在關(guān)斷的初始階段包含了 PNP管和N溝道耗盡型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管兩條泄放的通道,泄放速度快,而后某一時(shí)刻PNP管被截止,電路僅通過N溝道耗盡型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管一條泄放的通道泄放電荷, 泄放速度變慢,但此時(shí)從兩條通道到一條通道的時(shí)間點(diǎn)不可控,所以導(dǎo)致tf階段仍是兩條通道泄放,下降沿較陡峭。D圖的電路正是本實(shí)用新型提出的電路,即圖1所示的電路,在C 圖電路基礎(chǔ)上引入電阻115,適當(dāng)調(diào)節(jié)此電阻阻值使得PNP管被截止的時(shí)刻恰好是輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管120的柵源電壓下降到開啟電壓Vgs(。n)的時(shí)刻,這樣的處理可以使得td盡可能的小而、可以相應(yīng)較大,正如圖4中D圖的波形所示。實(shí)施例二 [0044]參考圖2示出了另一種電路結(jié)構(gòu),此電路是在圖1所示的電路基礎(chǔ)上在電阻219 所在的支路上補(bǔ)充一個(gè)光敏電阻222。依據(jù)前面的分析,圖1所示電路中電阻119的作用是在對(duì)輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管120柵進(jìn)行充電時(shí)保證N溝道耗盡型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管118處于截止?fàn)顟B(tài)(這決定了電阻119的最小值),而在對(duì)輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管120 柵電荷進(jìn)行泄放的初始階段(即td階段)時(shí)電阻119的存在提高了 N溝道耗盡型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管118的柵源偏置,從而提高了漏源電流。圖2中電路添加的光敏電阻222在接受光照時(shí)處于低阻狀態(tài),無光照時(shí)處于高阻狀態(tài),使得在對(duì)輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管 220柵充電時(shí),充電電路電阻不會(huì)過大,而在對(duì)輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管220柵電荷進(jìn)行泄放的初始階段時(shí)N溝道耗盡型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管218的柵源偏置會(huì)變得更大, 從而進(jìn)一步提高了初始階段的泄放電流,減小了時(shí)間td。實(shí)施例三圖3為輸出金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管為兩個(gè)時(shí)的電路應(yīng)用方案。兩個(gè)常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管320、320a的源極相連,作繼電器的第三輸出端子;兩個(gè)漏極分別作為繼電器的第一、第二輸出端子。這種電路結(jié)構(gòu)可以用在交流環(huán)境中,每半個(gè)電流周期只有其中一個(gè)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作,充電電路和加速泄放電路的工作原理與上述實(shí)施例一相同,不再進(jìn)行說明。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將會(huì)意識(shí)到,這里所述的實(shí)施例是為了幫助讀者理解本實(shí)用新型的原理,應(yīng)被理解為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于這樣的特別陳述和實(shí)施例。 本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)本實(shí)用新型公開的這些技術(shù)啟示做出各種不脫離本實(shí)用新型實(shí)質(zhì)的其它各種具體變形和組合,這些變形和組合仍然在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
      權(quán)利要求1.一種固體繼電器,包括,一個(gè)接著繼電器輸入端子之間的發(fā)光元件;一個(gè)耦合發(fā)光元件光信號(hào)時(shí),產(chǎn)生光伏輸出的光伏二極管陣列;一個(gè)或兩個(gè)接在繼電器輸出端子之間的常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管;其特征在于,還包括,一個(gè)由光電晶體管、電阻組成的充電電路,其中,光電晶體管的發(fā)射極接輸出常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極,集電極接在光伏二極管陣列的第一端,所述電阻接在輸出常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和光伏二極管陣列的第二端之間;一個(gè)由PNP三極管、N溝道耗盡型金屬場(chǎng)效應(yīng)晶體管和兩個(gè)電阻組成的加速泄放電路, 其中,PNP三極管經(jīng)一個(gè)電阻接常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極,集電極接在光伏二極管陣列的第二端,基極接光伏二極管陣列的第一端,N溝道耗盡型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極經(jīng)一個(gè)電阻接常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極,源極與襯底接在常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極,柵極接在光伏二極管陣列的第二端。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體繼電器,其特征在于,還包括一光敏電阻,所述光敏電阻連接在所述充電電路的電阻和所述N溝道耗盡型金屬場(chǎng)效應(yīng)晶體管源極之間。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的固體繼電器,其特征在于,接在繼電器輸出端子之間的常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管為兩個(gè),其中,兩個(gè)常開型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極相連,作為所述繼電器的第三輸出端子;兩個(gè)漏極分別作為所述繼電器的第一、第二輸出端子。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的固體繼電器,其特征在于,金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管為N 溝道增強(qiáng)型。
      專利摘要本實(shí)用新型公開了一種固體繼電器,包括一個(gè)光伏二極管陣列和一個(gè)或兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管;還包括一個(gè)由光電晶體管、電阻組成的充電電路,光電晶體管的發(fā)射極接效應(yīng)晶體管的柵極,集電極接在光伏二極管陣列的第一端,電阻接在場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和光伏二極管陣列的第二端之間;一個(gè)由三極管、N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管和兩個(gè)電阻組成的加速泄放電路,三極管經(jīng)一個(gè)電阻接場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極,集電極接在光伏二極管陣列的第二端,基極接光伏二極管陣列的第一端,N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極經(jīng)一個(gè)電阻接場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極,源極與襯底接在場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極,柵極接在光伏二極管陣列的第二端。本實(shí)用新型的繼電器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,在不增加接通時(shí)間的同時(shí),提高了抗干擾能力。
      文檔編號(hào)H03K17/60GK202334476SQ20112041906
      公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月28日
      發(fā)明者吳浩然, 張有潤(rùn), 張波 申請(qǐng)人:電子科技大學(xué)
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