專利名稱：電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適合于具備放大器用半導體元件和濾波器等高頻電路的無線通信裝置的小型的電子部件。
背景技術(shù)：
圖13表示無線LAN (Local Area Network)用的無線通信裝置的高頻電路。該高頻電路具有:與天線ANT連接，對發(fā)送電路TX和接收電路RX的連接進行切換的高頻開關(guān)Sff ;在頻率f I的發(fā)送信號所通過的路徑上從天線ANT開始順次設(shè)置的濾波器FIL2、放大器PA、濾波器FILl及平衡-不平衡變壓器BALl ;在頻率f2的接收信號所通過的路徑上從天線ANT開始順次設(shè)置的濾波器FIL4、低噪聲放大器LNA、濾波器FIL3及平衡-不平衡變壓器 BAL2。便攜式電話等無線通信裝置的小型化顯著，與此相伴，高頻電路及高頻電路中使用的電子部件也快速小型化。作為電子部件的小型化的一例，日本特開平09-116091號中公開一種混合集成電路裝置1000，如圖14所示，該混合集成電路裝置1000在多層基板1120上搭載有放大器用半導體元件1550等部件。放大器用半導體元件1550釬焊于多層基板1120的腔室部的安裝電極1050，通過接合線1600與多層基板1120的上表面的端子電極1300連接，并由樹脂1540密封。電抗元件、電阻等安裝部件1500、1510搭載在多層基板1120的上表面，并由金屬蓋2000覆蓋。在多層基板1120的絕緣體層上形成有導體線路1200等，并經(jīng)由通孔1310及連接線路與安裝部件1500、1510連接。在放大器用半導體元件1550的下方大致整體設(shè)有多個散熱孔1010。散熱孔1010與安裝電極1050、及設(shè)置在多層基板1120的下表面上的接地電極1100連接。如圖14所示，放大器用半導體元件1550的發(fā)熱對策所需要的散熱孔1010占有放大器用半導體元件1550的下方的大部分，因此無法在該區(qū)域設(shè)置其他的電路。因而，會妨礙電子部件的小型化。與此相對，在日本特開2009-182903號所公開的高頻模塊(電子部件)2000中，如圖15所示，在多層基板2120的上表面安裝有功率放大器IC (放大器用半導體元件)2550，且在多層基板2120的絕緣體層上形成的濾波器2180配置在功率放大器IC2550的大致正下方。功率放大器用散熱孔2030由多個接地通孔構(gòu)成。通過該結(jié)構(gòu)，不需要如日本特開平09-116091號的散熱孔1010那樣將上表面的安裝電極1050和下表面的接地電極1100連接，能夠減少通孔的個數(shù)，因此能夠使高頻模塊小型化。若如日本特開2009-182903號那樣在放大器用半導體元件的下方的區(qū)域配置濾波器，則能夠使高頻模塊小型化。但是，由于通常濾波器的輸入口和輸出口位于分離的位置，因此與放大器用半導體元件的輸入口連接所需要的配線圖案比較長。配線圖案越長，其自身或與其他導體圖案的干涉引起的寄生電抗變得越大。在日本特開2009-182903號中，上述配線圖案在與放大器用半導體元件的下方的區(qū)域中構(gòu)成交叉指型λ/4共振器的導體圖案相同的層上，以繞過所述導體圖案的方式形成。另外，由配線圖案專用的接地圖案構(gòu)成的三板帶狀線路經(jīng)由通孔而與安裝在多層基板上的貼片電容器連接。通過這樣的結(jié)構(gòu)來防止損失，但由于以繞過導體圖案的方式形成配線圖案專用的接地圖案，因此存在形成構(gòu)成共振器的導體圖案的面積變得過于小這樣的問題。并且，配線圖案必然變長，從而損失變大。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題因此，本發(fā)明的目的在于提供一種電子部件，其防止電路塊與放大器用半導體元件的連接引起的電特性的劣化，并且該電子部件小型且電特性優(yōu)良。用于解決課題的手段本發(fā)明的電子部件具備:層疊體，其具備形成有導體圖案的多個絕緣體層；放大器用半導體元件，其搭載在所述層疊體的上表面的安裝電極上，所述電子部件的特征在于，在所述層疊體的接近上表面的絕緣體層上形成有第一接地電極，在所述層疊體的接近下表面的絕緣體層上形成有第二接地電極，所述第一接地電極通過多個通孔與所述安裝電極連接，在所述第一接地電極與所述第二接地電極之間且在所述放大器用半導體元件的下方的區(qū)域，配置有構(gòu)成第一電路塊的導體圖案，所述第一電路塊與所述放大器用半導體元件的連接線路用的導體圖案的至少一部分配置在由所述安裝電極和所述第一接地電極夾持的絕緣體層上。這樣，由于第 一電路塊與放大器用半導體元件的連接線路用的導體圖案由上下的安裝電極和第一接地電極夾持，因此被電磁性屏蔽，且被保護以免干涉。優(yōu)選所述連接線路用的導體圖案為帶狀線，該帶狀線與和所述第一電路塊的輸出端連接的通孔及和所述端子電極連接的通孔連接，所述端子電極與所述放大器用半導體元件連接。優(yōu)選所述通孔形成在所述連接線路用的導體圖案的周圍。通過該結(jié)構(gòu)，能夠進一步降低電磁的干涉。優(yōu)選與所述放大器用半導體元件連接的電源線路用的導體圖案設(shè)置在比所述第一接地電極靠上側(cè)的絕緣體層以及比所述第二接地電極靠下側(cè)的絕緣體層的至少一方上。通過該結(jié)構(gòu)，可減少放大器用半導體元件的電源線路用導體圖案與第一電路塊的導體圖案的干涉。在放大器用半導體元件的電源線路用導體圖案配置在第一接地電極的上側(cè)的情況下，優(yōu)選所述電源線路用導體圖案與第一電路塊和放大器用半導體元件的連接線路用的導體圖案在層疊方向上不重疊。另外，在電源線路用導體圖案及連接線路用導體圖案在相同的絕緣體層上向同方向延伸的情況下，或者在不同的絕緣體層上接近的情況下，優(yōu)選在兩者之間形成有將所述第一接地電極和所述安裝電極連接的通孔。優(yōu)選所述層疊體在下表面具有第三接地電極，且所述第三接地電極經(jīng)由多個通孔與所述第二接地電極連接。通過該結(jié)構(gòu)，能夠使所述第二接地電極的電位(接地電位)穩(wěn)定化。由于第二接地電極與第一接地電極及安裝電極都經(jīng)由多個通孔連接，因此第一接地電極及安裝電極的接地電位也穩(wěn)定化。
優(yōu)選在所述層疊體的所述安裝電極與所述第三接地電極之間的絕緣體層上以在層疊方向上連接且在面內(nèi)方向上縱列配置的方式形成有多個通孔，且通過由縱列配置的所述通孔構(gòu)成的屏蔽件，將所述第一接地電極與所述第二接地電極之間的所述層疊體的內(nèi)部至少劃分為兩個區(qū)域。由于在區(qū)域間存在屏蔽件，因此可減少電磁的干涉。所述屏蔽件成為使放大器用半導體元件產(chǎn)生的熱向第三接地電極逃散的路徑(第一散熱路徑)。優(yōu)選所述屏蔽件設(shè)置在放大器用半導體元件的信號輸出側(cè)。為了提高散熱性，既可以通過多列的通孔構(gòu)成屏蔽件，并且也可以使屏蔽件用通孔的內(nèi)徑比使高頻信號通過的通孔的內(nèi)徑大?？梢詫⑸鲜銎帘渭鳛榈谝黄帘渭?，且通過將第一接地電極和第二接地電極沿層疊方向連接的縱列配置的通孔來構(gòu)成第二屏蔽件。第二屏蔽件作為進一步提高散熱性的第二散熱路徑而發(fā)揮功能。第二散熱路徑由將安裝電極和第一接地電極連接的多個通孔、將第二接地電極和第三接地電極連接的多個通孔、第二屏蔽件構(gòu)成。發(fā)明效果本發(fā)明的電子部件具備:層疊體，其具備形成有導體圖案的多個絕緣體層；放大器用半導體元件，其搭載在所述層疊體的上表面的安裝電極上，本發(fā)明的電子部件中，在所述層疊體的接近上表面的絕緣體層上形成的第一接地電極與在所述層疊體的接近下表面的絕緣體層上形成的第二接地電極之間，且在所述放大器用半導體元件的下方的區(qū)域配置有構(gòu)成第一電路塊的導體圖案，且所述第一電路塊與所述放大器用半導體元件的連接線路用的導體圖案的至少一部分配置在由所述安裝電極和所述第一接地電極夾持的絕緣體層上，因此第一電路塊與放大器用半導體元件的連接線路被電磁性屏蔽，且被保護以免干涉。因此，本發(fā)明的電子部件雖然為小型，但具有優(yōu)良的性能。



圖1是表示本發(fā)明的一實施方式的電子部件的俯視圖。圖2是圖1的X-X’剖視圖。圖3是表示在構(gòu)成本發(fā)明的一實施方式的電子部件的層疊體內(nèi)形成在上表面與第一接地電極之間的絕緣體層上的導體圖案及通孔的局部俯視圖。圖4是表示在構(gòu)成本發(fā)明的一實施方式的電子部件的層疊體內(nèi)形成有第一接地電極的絕緣體層的局部俯視圖。圖5是表不在構(gòu)成本發(fā)明的一實施方式的電子部件的層疊體內(nèi)形成在位于第一接地電極與第二接地電極之間的絕緣體層上的導體圖案及通孔的局部俯視圖。圖6是表示構(gòu)成本發(fā)明的一實施方式的電子部件的電路的框圖。圖7是表示圖6的電路的等效電路的圖。圖8是表示本發(fā)明的另一實施方式的電子部件的外觀的立體圖。圖9是表示本發(fā)明的另一實施方式的電子部件的等效電路的圖。圖10是表不本發(fā)明的另一實施方式的電子部件的下表面的俯視圖。圖11是表示構(gòu)成本發(fā)明的另一實施方式的電子部件的層疊體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的分解立體圖。圖12是表不本發(fā)明的另一實施方式的電子部件的上表面的俯視圖。
圖13是表示無線通信裝置用的現(xiàn)有的高頻電路的框圖。圖14是表示日本特開平09-116091號所公開的混合集成電路裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的首1J視圖。圖15是表示日本特開2009-182903號所公開的高頻模塊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖視圖。
具體實施例方式參照附圖，對本發(fā)明的實施方式進行詳細地說明，若沒有特別告知，則一個實施方式涉及的說明也能夠適用于其他實施方式。另外，下述說明不是限定性說明，在本發(fā)明的技術(shù)的思想的范圍內(nèi)可以進行各種變更。[I]第一實施方式圖1 圖7表示本發(fā)明的第一實施方式的電子部件I。圖1及圖3 5所示的絕緣體層LI L4為必須的層，但本發(fā)明的電子部件I還具有它們以外的絕緣體層。因此，具有連讀的參照符號的絕緣體層彼此未必相鄰，例如，在圖4所示的絕緣體層L3與圖5所示的絕緣體層L4之間還可以夾設(shè)其他的絕緣體層。該電子部件I具備:層疊體100，其具備形成有導體圖案的多個絕緣體層；放大器用半導體元件60，其搭載于層疊體100的上表面的安裝電極11，在層疊體100的接近上表面的絕緣體層上形成有第一接地電極10a，在層疊體100的接近下表面的絕緣體層上形成有第二接地電極10b，第一接地電極IOa通過多個通孔20與安裝電極11連接，在第一接地電極IOa與第二接地電極IOb之間且在放大器用半導體元件60的下方的區(qū)域配置有構(gòu)成第一電路塊70的導體圖案，第一電路塊70與放大器用半導體元件60的連接線路用的導體圖案的至少一部分配置于由安裝電極11與第一接地電極IOa夾持的絕緣體層L2上。如圖1所示，在構(gòu)成本發(fā)明的電子部件I的層疊體100的上表面(最上層的絕緣體層LI的表面)形成有用于搭載放大器用半導體元件60的安裝電極11及用于搭載芯片部件90的端子電極13。在層疊體100的上表面上，與放大器用半導體元件60連接的端子電極Btl與安裝電極11相鄰而形成。在安裝電極11的大致整面設(shè)有多個通孔20 (由黑圓及包含X的圓表示)。在釬焊于安裝電極11上的放大器用半導體元件60的上表面上，且在與端子電極Btl接近的位置設(shè)有輸入端子Pla，輸入端子Pla通過接合線BW與端子電極Btl連接。在層疊體100的接近上表面的絕緣體層上形成有第一接地電極10a，在接近下表面的絕緣體層上形成有第二接地電極10b。如圖4所示，第一及第二接地電極10a、10b分別以覆蓋絕緣體層的大致整面的導體圖案形成，但為了防止寄生電容，將通孔21及導體圖案的周圍的部分除去。在層疊體100內(nèi)的第一及第二接地電極10a、10b之間的區(qū)域形成有第一電路塊70的導體圖案。如圖2及圖3所示，在層疊體100的上表面(最上方的絕緣體層LI)與第一接地電極IOa之間的絕緣體層L2上，與通孔22a和通孔22b連接的由帶狀線構(gòu)成的導體圖案LL大致呈直線狀延伸，其中，該通孔22a與第一電路塊70 (濾波器)的輸出端連接，該通孔22b與端子電極Btl (與放大器用半導體元件60連接)連接。由于在安裝電極11與第一接地電極IOa之間配置的導體圖案LL經(jīng)由通孔22a、22b而在層疊方向上與第一電路塊70和端子電極Btl連接，因此能夠使端子電極Btl與第一電路塊70之間的連接縮短。這樣，由于導體圖案LL由具有接地電位的安裝電極11及第一接地電極IOa夾持，因此其特性阻抗比正規(guī)化阻抗低，但通過包含導體圖案LL而設(shè)計第一電路塊70，能夠使導體圖案LL的輸出側(cè)的阻抗最佳化，從而能夠防止高頻特性的劣化。如圖3所示，可以在與導體圖案LL接近的位置設(shè)置控制信號用的導電圖案Vb。為了避免干涉，優(yōu)選導電圖案Vb與端子電極Btl在層疊方向上不重疊。如圖1及圖3所示，當在導體圖案LL的周圍配置將安裝電極11和第一接地電極IOa連接的通孔20(圖中，用圓中帶X來表示)時，能夠進一步排除噪聲的影響。經(jīng)由導體圖案LL與第一電路塊70連接的端子電極Btl經(jīng)由多個接合線BW與放大器用半導體元件60的輸入端子Pla連接。放大器用半導體元件60的輸出端子Plb經(jīng)由多個接合線BW與上表面的端子電極Ml連接，端子電極Ml經(jīng)由第二電路塊50與右下方的端子電極95連接。在層疊體100的下表面形成有用于向電路基板安裝的端子電極95以及經(jīng)由多個通孔20與第二接地電極IOb連接的第三接地電極12。第三接地電極12由對層疊體100的下表面的包括中央部在內(nèi)的寬的區(qū)域進行覆蓋的導體圖案形成。在第三接地電極12的周圍形成有用于向電路基板安裝的端子電極95。端子電極95作為輸入輸出口 P1、P2+、P2-、接地口、電源口 Vccl、Vcc2、Vatt, Vb、VVd等發(fā)揮功能。輸入輸出端子Pl為不平衡端子，輸入輸出端子P2+、P2-為平衡端子。層疊體100的下表面的端子電極為LGA(Land GridArray),但也可以為BGA(Ball Grid Array)。另外,還可以將端子電極設(shè)置在層疊體100的側(cè)面。填充有金屬導體的通孔20的一部分經(jīng)由第一及第二接地電極10a、10b而從安裝電極11到第三接地電極12沿層疊方向相連，來構(gòu)成第一屏蔽件30。在圖1所示的例子中，第一屏蔽件30由呈3列縱列配置的多個通孔20 (由黑圓表示)構(gòu)成。第一屏蔽件30在放大器用半導體元件60的信號輸出側(cè)的下方形成在不超過安裝電極11的面積的1/2的區(qū)域上。由于放大器用半導體元件60的信號輸出側(cè)比其他部位高溫，因此放大器用半導體元件60的熱通過在其下方的區(qū)域設(shè)置的第一屏蔽件30向電路基板放散(熱傳導)。電子部件I還具備將第一接地電極IOa和第二接地電極IOb連接的第二屏蔽件35。第二屏蔽件35與第一屏蔽件30同樣，通過沿層疊方向相連的縱列的通孔20構(gòu)成。第二屏蔽件35以與放大器用半導體元件60在層疊方向上不重疊的方式設(shè)置在從第一屏蔽件30分離的位置上。在圖示的例子中，兩者大致平行，但沒有限定于此。另外，第一及第二屏蔽件30、35也可以不為直線狀。在圖4及圖5中，用黑圓表示構(gòu)成第一屏蔽件30的通孔20，用格子圖案的圓表示構(gòu)成第二屏蔽件35的通孔20，用白圓表示成為高頻信號及半導體的控制信號的傳送路徑等的其他的通孔21。通過第一及第二屏蔽件30、35以及第一及第二接地電極10a、10b，層疊體100至少被劃分為三個區(qū)域(第一 第三區(qū)域71、51、81)。各區(qū)域51、71、81通過第一及第二屏蔽件30、35以及第一及第二接地電極10a、10b被電磁性劃分。在第一及第二接地電極10a、10b之間由第一屏蔽件30和第二屏蔽件35夾持的第一區(qū)域71位于安裝電極11的下方的區(qū)域，在該第一區(qū)域71上配置有構(gòu)成第一電路塊70的導體圖案。在由第一屏蔽件30和第一及第二接地電極10a、IOb劃分出的第二區(qū)域51上配置有構(gòu)成第二電路塊50的導體圖案。另夕卜，在由第二屏蔽件35和第一及第二接地電極10a、IOb劃分出的第三區(qū)域81上配置有構(gòu)成第三電路塊80的導體圖案。在本實施方式中，如圖5 圖7所示，在第一區(qū)域71配置的第一電路塊70為帶通濾波器，在第二區(qū)域51配置的第二電路塊50為低通濾波器，在第三區(qū)域81配置的第三電路塊80為平衡-不平衡變壓器。雖然沒有限定，但優(yōu)選在放大器用半導體元件60的輸出段側(cè)配置濾波器及匹配電路，在輸入段側(cè)配置濾波器、平衡-不平衡變壓器或濾波器平衡-不平衡變壓器。在圖2中，將電路塊50、70、80之間的連接以及它們與層疊體100的上下表面的端子電極的連接用箭頭簡要地表示。它們的連接經(jīng)由通孔及導體圖案(未圖示)等來進行。具體而言，圖2中左下方的端子電極95a與第三電路塊80連接，第三電路塊80與第一電路塊70連接。第一及第三電路塊70、80之間的連接既可以經(jīng)由層疊體100內(nèi)的連接機構(gòu)來進行連接，也可以經(jīng)由在層疊體100外的電路基板上設(shè)置的濾波器等其他的電路塊來進行連接。在將與各電源端子VCCl、VCC2、Vatt、Vb、Vd連接的電源線路以及與放大器用半導體元件60及平衡-不平衡變壓器80連接的電源線路形成在第一接地電極IOa與層疊體100的上表面之間或第二接地電極IOb與層疊體100的下表面之間的絕緣體層上時，能夠抑制電路塊50、70、80之間的干涉以及它們與電路基板、搭載部件、電源線路之間的干涉。放大器用半導體元件60所產(chǎn)生的熱主要經(jīng)由第一屏蔽件30向電路基板散熱，但一部分也經(jīng)由第二屏蔽件35向電路基板散熱。因此，將第一屏蔽件30稱為放大器用半導體元件60的主散熱路徑，將第二屏蔽件35稱為放大器用半導體元件60的副散熱路徑。由于第一及第二屏蔽件30、35都由密集地縱列配置的通孔構(gòu)成，因此能夠有效地進行從端子電極11經(jīng)由第一 第三接地電極10a、10b、12而向電路基板的熱傳導。[2]第二實施方式圖8 圖12表示本發(fā)明的第二實施方式的電子部件I。該電子部件I在無線LAN用的無線通信裝置的高頻發(fā)送接收電路部中使用，具備多個濾波器和平衡-不平衡變壓器，且在層疊體上安裝高頻放大器、低噪聲放大器、高頻開關(guān)。圖9表示電子部件I的等效電路。STOT (單刀雙擲型)的高頻開關(guān)40經(jīng)由匹配電路45與天線口 ANT連接，在與高頻開關(guān)40連接的發(fā)送信號的路徑上設(shè)有平衡-不平衡變壓器80、濾波器70、高頻放大器60、匹配電路50及濾波器54，在接收信號的路徑上設(shè)有平衡-不平衡變壓器82、濾波器72、低噪聲放大器61及濾波器52。分別構(gòu)成高頻開關(guān)40、高頻放大器60及低噪聲放大器61的半導體元件安裝在層疊體100上，其他的電路由層疊體100內(nèi)的導體圖案形成。DC截止電容器、高頻放大器60、低噪聲放大器61等安裝在層疊體100上。高頻放大器60、低噪聲放大器61、高頻開關(guān)40等中使用的半導體元件或無法內(nèi)置于層疊體100中的電容等芯片部件安裝在層疊體100的上表面，并如圖8所示那樣由樹脂120密封。圖10表示電子部件I的下表面。在下表面?zhèn)刃纬捎卸鄠€端子電極，賦予給各端子電極的符號與圖9所示的電子部件的等效電路的口對應(yīng)。在下表面中央的區(qū)域設(shè)有經(jīng)由通孔而與第二接地電極IOb連接的第三接地電極12。通過第三接地電極12，能夠得到穩(wěn)定的接地電位，并且與電路基板的連接強度得以提高。各端子電極沿著第三接地電極12的各邊形成。沿著第三接地電極12的第一邊(圖10中右側(cè))形成有接地口 GND、天線口 ANT及非連接口 Ne。沿著與第一邊相鄰的第二邊(圖10中下側(cè))形成有電壓口 Vccl、Vatt、Vb、Vcc2、濾波器70的輸入口 Pa以及平衡-不平衡變壓器80的輸出口 Pb。沿著與第二邊對置的第三邊(圖10中上側(cè))形成有電壓供給端子VcL、VbL、Vr、Vt、濾波器72的輸出口 Pc以及平衡-不平衡變壓器82的輸入口 PVd。沿著與第一邊對置的第四邊(圖10中左側(cè))形成有電壓供給端子Vd、接地口 GND、平衡-不平衡變壓器80的輸入(平衡)口 P2+、P2-以及平衡-不平衡變壓器82的輸出(平衡)口P4+、P4-。圖11簡要地示出在構(gòu)成層疊體100的絕緣體層上形成的濾波器、平衡-不平衡變壓器等的配置。層疊體100由18層構(gòu)成，但絕緣體層L4與絕緣體層L5之間以及絕緣體層L5與絕緣體層L6之間的層未圖示。電子部件I在不同的絕緣體層L3、L7、L9、Lll上具有接地電極。在第一接地電極IOa(GNDl)與第二接地電極IOb (GND4)之間具備第四接地電極IOc (GND2.GND3)。接地電極GNDl GND4通過由縱列配置的多個通孔構(gòu)成的多個屏蔽件連接，將層疊體100的內(nèi)部劃分為A G(在絕緣體層L4上記載)這7個區(qū)域。圖中，與接地電極GNDl GND4連接的通孔用黑圓表示，其他的通孔用白圓表示。在層疊體100的上表面且在位于區(qū)域B的上側(cè)的部分形成的安裝電極11上安裝有放大器用半導體元件60。在區(qū)域B與區(qū)域C之間從層疊體100的上表面到下表面的第三接地電極12形成有第一屏蔽件30，在區(qū)域A與區(qū)域B之間形成有第二屏蔽件35。在其他的區(qū)域之間也與第二屏蔽件35同樣，通過將第一接地電極IOa和第二接地電極IOb連接的通孔20而形成有屏蔽件，該屏蔽件作為電磁的劃分和副散熱路徑而發(fā)揮功能。第一屏蔽件30由從層疊體I的上表面到下表面呈直線狀地排列的通孔構(gòu)成。構(gòu)成第二屏蔽件35的通孔以在絕緣體層L7上形成的第四接地電極IOc (GND2)為界線而在上層側(cè)和下層側(cè)不同，上層側(cè)的通孔和下層側(cè)的通孔以高低差相連。在區(qū)域A形成有平衡-不平衡變壓器80的導體圖案，在區(qū)域B形成有濾波器70的導體圖案，在區(qū)域C形成有濾波器54和匹配電路50的導體圖案，在區(qū)域D形成有平衡-不平衡變壓器82的導體圖案，在區(qū)域E形成有濾波器72的導體圖案，在區(qū)域F形成有濾波器52的導體圖案，在區(qū)域G形成有匹配電路45的導體圖案。在區(qū)域B設(shè)有濾波器70 (第一電路塊)的導體圖案，在圖11中，在絕緣體層L5上形成有構(gòu)成共振器的導體圖案，在絕緣體層L8、L10上形成有構(gòu)成電容的導體圖案。絕緣體層L8上的電容用導體圖案之一經(jīng)由在絕緣體層L2 L7上設(shè)置的通孔而與形成在絕緣體層L2上的導體圖案LL連接。導體圖案LL由絕緣體層LI上的安裝電極11和在絕緣體層L3上形成的第一接地電極IOa夾持，并且，在導體圖案LL的周圍設(shè)有將絕緣體層LI和第一接地電極IOa連接的通孔。在絕緣體層L2上形成的導體圖案LL如單點劃線所示那樣，經(jīng)由通孔與形成在絕緣體層LI上的端子電極Btl連接。第一電路塊70與端子電極Btl的距離比在放大器用半導體元件的下方配置電路塊的現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)短，因此可減少干涉。向放大器等的電源線路(標注與圖9的口相同的符號)形成在比第一及第二接地電極10a、10b靠外側(cè)的絕緣體層L2、L12上。這樣，使多個電源線路和構(gòu)成電路塊的導體圖案在層疊方向上分離，由此使它們各自難以受到噪聲。為了減少干涉，在電源線路間設(shè)置與接地電極連接的通孔。圖12表示在層疊體的上表面形成的端子電極和安裝部件的配置狀態(tài)。圖12所示的主要的元件的符號與圖9所示的等效電路的口上標注的符號對應(yīng)。通過層疊體內(nèi)的導體圖案形成的濾波器70的口 Bt1、匹配電路50的口 Ml、M2、濾波器54的口 Ltl、Lt2、匹配電路45的口 Al、濾波器72的口 Br3以及濾波器52的口 Brl、Br2與在層疊體100的上表面上形成的端子電極連接。因此，電路間的連接通過與安裝的芯片部件、放大器或開關(guān)等半導體元件的連接中使用的接合線BW來進行。如上所述，通過將位于不同的層疊位置的多個接地電極和接地電極電連接的屏蔽件，將層疊體的內(nèi)部劃分為電磁性屏蔽的多個區(qū)域，并將構(gòu)成各電路塊的導體圖案配置在不同的區(qū)域，由此使各區(qū)域成為屏蔽的狀態(tài)，來防止電路塊間的干涉。通過這樣的結(jié)構(gòu)，即使為包含多個電路塊的層疊體100也能夠小型化，能夠防止電路塊間的干涉并同時使半導體的熱高效地向電路基板散熱。[3]層疊體構(gòu)成層疊體100的各絕緣體層能夠通過陶瓷電介質(zhì)、樹脂或樹脂和陶瓷的復合材料形成。形成有導體圖案的絕緣體層的層疊可以通過公知的方法進行。例如，在絕緣體層使用陶瓷電介質(zhì)的情況下，可以通過LTCC(低溫同時燒成陶瓷)技術(shù)或HTCC(高溫同時燒成陶瓷)技術(shù)進行層疊。另外，在絕緣體層使用樹脂的情況下，可以通過積層技術(shù)進行層疊。在LTCC技術(shù)的情況下，將多個陶瓷生片層疊，并通過一體地燒結(jié)來形成層疊體100，其中，該陶瓷生片通過在厚度為10 200 μ m的絕緣體層上印刷Ag、Cu等導電糊劑來形成規(guī)定的導體圖案而成，該絕緣體層由在1000°C以下的低溫下能夠燒結(jié)的陶瓷電介質(zhì)構(gòu)成。作為在低溫下能夠燒結(jié)的陶瓷電介質(zhì)，例如，列舉有(a)以Al、Si及Sr為主成分，以T1、B1、Cu、Mn、Na、K等為副成分的陶瓷，(b)包含Al、Mg、Si及Gd的陶瓷，以及(c)包含Al、S1、Zr及Mg的陶瓷。
權(quán)利要求
1.一種電子部件，其具備:層疊體，其具備形成有導體圖案的多個絕緣體層；放大器用半導體元件，其搭載在所述層疊體的上表面的安裝電極上，所述電子部件的特征在于， 在所述層疊體的接近上表面的絕緣體層上形成有第一接地電極， 在所述層疊體的接近下表面的絕緣體層上形成有第二接地電極， 所述第一接地電極通過多個通孔與所述安裝電極連接， 在所述第一接地電極與所述第二接地電極之間且在所述放大器用半導體元件的下方的區(qū)域，配置有構(gòu)成第一電路塊的導體圖案， 所述第一電路塊與所述放大器用半導體元件的連接線路用的導體圖案的至少一部分配置在由所述安裝電極和所述第一接地電極夾持的絕緣體層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于， 所述連接線路用的導體圖案為帶狀線，該帶狀線與和所述第一電路塊的輸出端連接的通孔及和所述端子電極連接的通孔連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子部件，其特征在于， 所述通孔形成在所述連接線路用的導體圖案的周圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項所述的電子部件，其特征在于， 與所述放大器用半導體元件連接的電源線路用的導體圖案設(shè)置在比所述第一接地電極靠上側(cè)的絕緣體層及比所述第二接地電極靠下側(cè)的絕緣體層中的至少一方上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項所述的電子部件，其特征在于， 所述層疊體在下表面具有第三接地電極， 所述第三接地電極經(jīng)由多個通孔與所述第二接地電極連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項所述的電子部件，其特征在于， 在所述層疊體的所述安裝電極與所述第三接地電極之間的絕緣體層上以在層疊方向上連接且在面內(nèi)方向上縱列配置的方式形成有多個通孔， 通過由縱列配置的所述通孔構(gòu)成的屏蔽件，將所述第一接地電極與所述第二接地電極之間的所述層疊體的內(nèi)部至少劃分為兩個區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子部件，其具備層疊體，其具備形成有導體圖案的多個絕緣體層；放大器用半導體元件，其搭載在所述層疊體的上表面的安裝電極上，其中，在所述層疊體的接近上表面的絕緣體層上形成有第一接地電極，在所述層疊體的接近下表面的絕緣體層上形成有第二接地電極，所述第一接地電極通過多個通孔與所述安裝電極連接，在所述第一接地電極與所述第二接地電極之間，且在所述放大器用半導體元件的下方的區(qū)域配置有構(gòu)成第一電路塊的導體圖案，所述第一電路塊與所述放大器用半導體元件的連接線路用的導體圖案的至少一部分配置在由所述安裝電極和所述第一接地電極夾持的絕緣體層上。
文檔編號H03F3/60GK103190082SQ20118005356
公開日2013年7月3日 申請日期2011年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月24日
發(fā)明者佐竹裕崇 申請人:日立金屬株式會社