專利名稱：一種mos管驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
—種MOS管驅(qū)動(dòng)電路本發(fā)明涉及LED電源開(kāi)關(guān)電路領(lǐng)域，特別涉及一種MOS管驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)：
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor, MOSFET),簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管、MOS管，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管依照其“溝道”極性的不同，可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常被稱為N型金氧半場(chǎng)效晶體管(NM0SFET)與P型金氧半場(chǎng)效晶體管(PM0SFET)。在現(xiàn)有的MOS管制造工藝上，MOS管柵極的引線的電流容量具有一定的限度，在灌流電路飽和導(dǎo)通時(shí)，內(nèi)部VCC電源對(duì)MOS管柵極的瞬時(shí)充電會(huì)產(chǎn)生較大的電流，極易損壞MOS管的輸入端。由于上述問(wèn)題的存在，本領(lǐng)域人員為了避免MOS管的損壞，在具體的電路中通常在柵極充電的電路中串連適當(dāng)?shù)某潆娤蘖麟娮?，以達(dá)到限制瞬時(shí)充電的電流值的目的。本發(fā)明人在經(jīng)過(guò)仔細(xì)研究和驗(yàn)證下，發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有的電路保護(hù)措施具有以下缺陷: 現(xiàn)有的MOS管制造工藝上采用的充電限流電阻電阻值較大時(shí)，MOS管的柵-源極電壓
上升速率較慢，副邊二極管的關(guān)斷振鈴幅度明顯降低，同時(shí)輻射EMI亦會(huì)減少。但是由于電路中增加了充電限流電阻，當(dāng)灌流電路截止時(shí)，MOS管的放電速率受到明顯的限制；
在灌流電路充電時(shí)，其內(nèi)部VCC電源產(chǎn)生電流，柵-源極所充的電壓產(chǎn)生電流放電，但是由于柵-源極電壓遠(yuǎn)小于灌流電路內(nèi)部VCC電壓，充電限流電阻的存在在明顯降低了 MOS管的放電速率的同時(shí)，還會(huì)令MOS管的開(kāi)關(guān)動(dòng)作減慢，影響了電路的效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)明目的在于提供一種MOS管驅(qū)動(dòng)電路，應(yīng)用該技術(shù)方案可以防止了充電限流電阻影響MOS管的放電速率，保證了 MOS管開(kāi)關(guān)速率，提高了 MOS管工作的穩(wěn)定性。為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明的完整技術(shù)方案是:
一種MOS管驅(qū)動(dòng)電路，包括灌流電路；還包括二極管、充電限流電阻、第一電阻、MOS管；所述灌流電路的輸出端同時(shí)連接所述二極管和所述充電限流電阻的一端；所述二極管的另一端連接所述第一電阻的一端；所述MOS管的柵極同時(shí)連接所述充電限流電阻和所述第一電阻的另一端。可選的，還包括第二電阻；所述第二電阻的一端連接所述MOS管的柵極，另一端連接所述MOS管的源極?？蛇x的，所述充電限流電阻的電阻值為22 ^lOO歐姆。可選的，所述第一電阻記為R2，其電阻值為:Λ2 = OjxiEl, Rl為所述充電限流電阻的電阻值。

可選的，所述第二電阻記為R3，其電阻值為:Λ3 = 500χΛ1 , Rl為所述充電限流電阻的電阻值。由上可見(jiàn)，應(yīng)用本實(shí)施例技術(shù)方案，在充電限流電阻上并聯(lián)一個(gè)放電通路。該放電通路在MOS管放電時(shí)導(dǎo)通，在MOS管充電時(shí)反偏截止，防止了充電限流電阻影響MOS管的放電速率，保證了 MOS管開(kāi)關(guān)速率，提高了 MOS管工作的穩(wěn)定性。本發(fā)明還可以在MOS管的柵-源極之間并聯(lián)一個(gè)第二電阻，為MOS管提供多一條的放電通路，保證了 MOS管的放電速率的同時(shí)，使得MOS管工作更穩(wěn)定。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例1提供的電路 圖2為本發(fā)明實(shí)施例2提供的電路圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例1:
如圖1所示，本實(shí)施例提供了一種MOS管驅(qū)動(dòng)電路，它包括灌流電路(M0S管Ql與MOS管Q2構(gòu)成)；還包括二極管D1、充電限流電阻R1、第一電阻R2、MOS管Q3;灌流電路的輸出端同時(shí)連接二極管Dl和充電限流電阻Rl的一端；二極管Dl的另一端連接第一電阻R2的一端；M0S管Q3的柵極G同時(shí)連接所述充電限流電阻Rl和第一電阻R2的另一端。實(shí)施例2:
如圖2所示，本實(shí)施例提供了一種放電速率更好的MOS管驅(qū)動(dòng)電路，它包括灌流電路(M0S管Ql與MOS管Q2構(gòu)成);還包括二極管D1、充電限流電阻R1、第一電阻R2、M0S管Q3;灌流電路的輸出端同時(shí)連接二極管Dl和充電限流電阻Rl的一端；二極管Dl的另一端連接第一電阻R2的一端；M0S管Q3的柵極G同時(shí)連接所述充電限流電阻Rl和第一電阻R2的另一端。還包括第二電阻R3 ;第二電阻R3的一端連接MOS管Q3的柵極G，另一端連接所述MOS管的源極S。二極管Dl和第一電阻R2、第二電阻R3主要是為MOS管Q3關(guān)斷提高放電回路，由于開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)頻率較高，所以Dl應(yīng)選擇快速開(kāi)關(guān)二極管。充電限流電阻Rl阻值的選取，要根據(jù)MOS管的輸入電容的大小、激勵(lì)脈沖的頻率及灌流電路的電源VCC (VCC 一般為12V)的電壓大小決定，充電限流電阻Rl的電阻值為22 100歐姆。作為優(yōu)選的技術(shù)方案，第一電阻R2的電阻值為:Λ2 = 0.1χΛ1 ,Rl為所述充電限流電阻的電阻值。
作為優(yōu)選的技術(shù)方案，第二電阻R3的電阻值為:Λ3 = 500χΛ1, Rl為所述充電限流電阻的電阻值。以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，其中所述作為分離部件說(shuō)明的單元可以是或者也可以不是物理上分開(kāi)的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不付出創(chuàng)造性的勞動(dòng)的情況下，即可以理解并實(shí)施。通過(guò)以上的實(shí)施方式的描述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到各實(shí)施方式可借助軟件加必需的通用硬件平臺(tái)的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，當(dāng)然也可以通過(guò)硬件?；谶@樣的理解，上述技術(shù)方案本質(zhì)上或者說(shuō)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái)，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品可以存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，如R0M/RAM、磁碟、光盤等，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行各個(gè)實(shí)施例或者實(shí)施例的某些部分所述的方法。以上所述的實(shí)施方式，并不構(gòu)成對(duì)該技術(shù)方案保護(hù)范圍的限定。任何在上述實(shí)施方式的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在該技術(shù)方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種MOS管驅(qū)動(dòng)電路，包括灌流電路，其特征在于:還包括二極管、充電限流電阻、第一電阻、MOS管；所述灌流電路的輸出端同時(shí)連接所述二極管和所述充電限流電阻的一端；所述二極管的另一端連接所述第一電阻的一端；所述MOS管的柵極同時(shí)連接所述充電限流電阻和所述第一電阻的另一端。
2.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種MOS管驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:還包括第二電阻；所述第二電阻的一端連接所述MOS管的柵極，另一端連接所述MOS管的源極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1、2所述的一種MOS管驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述充電限流電阻的電阻值為22 100歐姆。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種MOS管驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述第一電阻記為R2，其電阻值為:Λ2-0 ΙχΛ1 , Rl為所述充電限流電阻的電阻值。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種MOS管驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述第二電阻記為R3，其電阻值為:Λ3 = 500χΛ1，Rl為所述充電限流電阻的電阻值。
全文摘要
本發(fā)明涉及LED電源開(kāi)關(guān)電路領(lǐng)域，特別涉及一種MOS管驅(qū)動(dòng)電路，包括灌流電路；還包括二極管、充電限流電阻、第一電阻、MOS管；所述灌流電路的輸出端同時(shí)連接所述二極管和所述充電限流電阻的一端；所述二極管的另一端連接所述第一電阻的一端；所述MOS管的柵極同時(shí)連接所述充電限流電阻和所述第一電阻的另一端。應(yīng)用本實(shí)施例技術(shù)方案，在充電限流電阻上并聯(lián)一個(gè)放電通路。該放電通路在MOS管放電時(shí)導(dǎo)通，在MOS管充電時(shí)反偏截止，防止了充電限流電阻影響MOS管的放電速率，保證了MOS管開(kāi)關(guān)速率，提高了MOS管工作的穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)H03K17/04GK103078613SQ20121058400
公開(kāi)日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月28日
發(fā)明者羅中良, 王戎偉 申請(qǐng)人:惠州市經(jīng)典照明電器有限公司