專利名稱：低阻抗的49/s低頻石英晶體諧振器的晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是一種低阻抗的49/S低頻石英晶體諧振器的晶片，屬于石英晶體諧振器技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
應(yīng)節(jié)能減耗的需要，要求電子元器件有更低的阻抗，對于石英晶體諧振器來說，頻率越低，阻抗就越高，現(xiàn)有的晶片加工技術(shù)已不能將阻抗作到更低?，F(xiàn)有49/S低頻石英晶片加工方法，采用與Y軸平衡的側(cè)面線切割方法加工外形尺寸，所生產(chǎn)的石英晶片制造的低頻晶體諧振器，阻抗偏高，如3.5MHz僅能滿足150ohms規(guī)格，4.0MHz僅能滿足IOOohms規(guī)格，6.0 8.0MHz也僅能滿足70ohms規(guī)格。這些已無法滿足市場所要求的低阻抗規(guī)格。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型提出的是一種低阻抗的49/S低頻石英晶體諧振器的晶片，其目的旨在進(jìn)一步降低49/S低頻石英晶體諧振器的阻抗。本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案:其結(jié)構(gòu)是晶片側(cè)面(Y面)與晶片的正面(Z面)成85°夾角。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn):用49/S低頻石英晶片，所制造出來的產(chǎn)品可降低阻抗約40%以上，可以有效地將現(xiàn)有49/S 3.5MHz石英晶體諧振器的阻抗從滿足150ohms規(guī)格提升到滿足90ohms規(guī)格。4.0MHz石英晶體諧振器的阻抗從滿足IOOohms規(guī)格提升到滿足60ohms規(guī)格。6.0 8.0MHz石英晶體諧振器的阻抗從滿足70ohms規(guī)格提升到滿足50ohms規(guī)格。

圖1是原始線切割方法示意圖。圖2是原始切割出來的晶片示意圖。圖3是采用菱形85°粘坨的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明的切割方法示意圖。圖5是本發(fā)明切割出來的石英晶片示意圖。圖中的I是線切割、2是未切割晶塊、3是原加工晶片、4是菱形85°粘坨的長方片、5是梯形鐵塊、6是85°粘坨好的長方片待切割、7是新型加工出來的晶片。
具體實(shí)施方式
對照附圖，其結(jié)構(gòu)是晶片側(cè)面(Y面)與晶片的正面(Z面)成85°夾角。
實(shí)施例晶片加工方法，包括如下工藝步驟:I)取待切割的長方晶片粘坨，將該長方晶片粘坨的倒角頂面(+X面)朝上，采用梯形鐵塊將長方晶片粘坨定形成長方晶片粘坨的正面(Z面)與側(cè)面(Y面)成85 °的菱形(如圖3)；2)將菱形85°粘坨的晶塊裝在切割板上，該晶塊倒角頂面(+X面)朝上，晶塊的正面(Z面)與切割線平行，即晶塊的Z軸與切割線夾角成85 °，沿晶塊X軸垂直向下進(jìn)行切割(如圖4)；3)切割后的晶片，對兩相對切割面進(jìn)行平行磨坨至所需尺寸，化坨后可以看到，經(jīng)過以上加工的晶片側(cè)面(Y面)與晶片的正面(Z面)成85°夾角(如圖5)。加工成的晶片成菱形，正面(即Z面)與側(cè)面(Y面)夾角為85°，從而使晶片側(cè)面(Y面)與正面(Z面)及其相對面有一個(gè)小于90 °的夾角，對于相同頻率，邊緣因這個(gè)夾角而變薄，達(dá)到消除邊緣效應(yīng)，減少晶片振動(dòng)的能量消耗，從而降低石英晶體諧振器的阻抗。
權(quán)利要求1.低阻抗的49/s低頻石英晶體諧振器的晶片，其特征是晶片側(cè)面Y面與晶片的正面Z面成85°夾角。
專利摘要本實(shí)用新型是低阻抗的49/S低頻石英晶體諧振器的晶片，其特征是晶片側(cè)面Y面與晶片的正面Z面成85o夾角。優(yōu)點(diǎn)加工成的晶片成菱形，正面與側(cè)面夾角為85o，使晶片側(cè)面與正面其相對面有一個(gè)<90o的夾角，對于相同頻率，邊緣因這個(gè)夾角而變薄，達(dá)到消除邊緣效應(yīng)，減少晶片振動(dòng)能量消耗，降低石英晶體諧振器的阻抗。
文檔編號(hào)H03H9/19GK202998018SQ20122068347
公開日2013年6月12日 申請日期2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月12日
發(fā)明者杜知清 申請人:深圳中電熊貓晶體科技有限公司