專利名稱：一種生產(chǎn)柱式三泛音晶體諧振器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種生產(chǎn)三泛音晶體諧振器的方法，尤其是一種生產(chǎn)柱式三泛音晶體諧振器的方法。
背景技術(shù)：
晶體電子元器件是電子學(xué)、通信工程、計算機、航空航天及消費類電子產(chǎn)品中必不可少的器件，被譽為電子整機的“心臟”。石英諧振器簡稱為石英晶振，石英晶體諧振器是由滿足一定頻率標(biāo)準(zhǔn)、具有一定形狀、尺寸和切型的石英晶片與電極、封裝外殼組成。具體型號可分為:49U、49US、49S/SMD、UM-1、UM-5、SMD等。石英晶振的制作過程大體如下:在石英晶片的兩個對應(yīng)面上涂敷銀層作為電極，在每個電極上各焊一根引線接到管腳上，再加上封裝外殼就構(gòu)成了石英晶振。石英晶片受到外加交變電場的作用時會產(chǎn)生機械振動，當(dāng)交變電場的頻率與石英晶片的固有頻率相同時，振動便變得很強烈。石英晶振具有體積小、重量輕、可靠性高、頻率穩(wěn)定度高等優(yōu)點，因此石英晶振被應(yīng)用于家用電器和通信設(shè)備中，石英晶片越厚，石英晶振頻率越低，石英晶片越薄，石英晶振頻率越高。近年來，隨著科技的發(fā)展，隨著終端電子產(chǎn)品的小型化、薄型化的要求，電路集成化和微型化是發(fā)展的趨勢，因此對于電路中的個電子元器件的尺寸有著較高的要求，但三泛三泛音晶體諧振器受制于石英晶片的加工設(shè)計，小型化后晶體諧振阻抗較高，不能滿足線路起振要求，目前三泛音晶體諧振器的最小尺寸型號為HC-49US。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種生產(chǎn)柱式三泛音晶體諧振器的方法，解決現(xiàn)有小型化后晶體諧振阻抗較高、不能滿足線路起振的要求問題。本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種生產(chǎn)柱式三泛音晶體諧振器的方法，包括以下步驟:
(1)對石英晶片進(jìn)行切割，使得石英晶片呈長方形，尺寸為5.0mm*l.5mm ；
(2)將lOOOpcs石英晶片放入器皿中，使用另一個同一大小的器皿按體積比1:1配置磨
料；
(3)將磨料與晶片倒入內(nèi)壁為波浪形的滾筒中將筒蓋蓋緊，并將滾筒放入倒邊機進(jìn)行倒邊；
(4)每隔24小時按相同比例更換磨料，并記錄晶片長寬尺寸與晶片平臺尺寸，待晶片倒邊后外形呈雙凸形后進(jìn)入下道工序；
(5)將倒邊后晶片進(jìn)行腐蝕工序，清洗掉晶片表面殘留磨料，腐蝕時使用飽和的氟化氫銨溶液；
(6)將腐蝕后在晶片表面鍍上銀層，再將晶片直立放于JU3*8支架上并在晶片的一側(cè)點膠，將2個引腳通過膠點與晶片固連。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述步驟(3)中滾筒的轉(zhuǎn)速為140— 150r/min，滾筒直徑為90mm。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述步驟(3)、(4)中的磨料為WA1500#白剛玉，所述步驟(5)中的腐蝕溫度為65— 70°C，所述步驟(6)中在晶片表面鍍上銀層時，鍍銀電流為70—80A。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述步驟(6)中在點膠時使用3303E導(dǎo)電膠。本發(fā)明采用的有益效果是:采用了這種方法后，本發(fā)明能夠生產(chǎn)出柱式三泛音晶體諧振器并且使晶片邊緣效應(yīng)對諧振電阻的影響降到最低，從而滿足了客戶和市場的需求，方便在小型化電路中使用，符合三泛音晶體諧振器小型化的趨勢。
具體實施例方式下面對本發(fā)明做進(jìn)一步的說明。本發(fā)明涉及一種生產(chǎn)柱式三泛音晶體諧振器的方法，包括以下步驟:
(1)對石英晶片進(jìn)行切割，使得石英晶片呈長方形，尺寸為5.0mm*l.5mm ；
(2)將lOOOpcs石英晶片放入器皿中，使用另一個同一大小的器皿按體積比1:1配置磨
料；
(3)將磨料與晶片倒入內(nèi)壁為波浪形的滾筒中將筒蓋蓋緊，并將滾筒放入倒邊機進(jìn)行倒邊；
(4)每隔24小時按相同比例更換磨料，并記錄晶片長寬尺寸與晶片平臺尺寸，待晶片倒邊后外形呈雙凸形后進(jìn)入下道工序；
(5)將倒邊后晶片進(jìn)行腐蝕工序，清洗掉晶片表面殘留磨料，腐蝕時使用飽和的氟化氫銨溶液；
(6)將腐蝕后在晶片表面鍍上銀層，再將晶片直立放于JU3*8支架上并在晶片的一側(cè)點膠，將2個引腳通過膠點與晶片固連。步驟(3)中滾筒的轉(zhuǎn)速為140— 150r/min，滾筒直徑為90mm，步驟(3)、(4)中的磨料為WA1500#白剛玉，步驟(5)中的腐蝕溫度為65— 70°C，步驟(6)中在晶片表面鍍上銀層時，鍍銀電流為70— 80A，步驟(6)中在點膠時使用3303E導(dǎo)電膠?，F(xiàn)有技術(shù)中，倒邊機倒邊時，由于采用倒邊機的滾筒為直筒滾筒，倒出的晶片外形邊緣為三角錐形狀，不能解決晶片的邊緣效應(yīng)。三泛音晶體諧振器的頻率與晶片厚度關(guān)系:f= 1670 X 3/T,為了使三泛音晶體諧振器低頻率點降低邊緣效應(yīng)對其諧振電阻的影響，本發(fā)明中，將磨料與晶片倒入內(nèi)壁為波浪形的滾筒中并將筒蓋蓋緊，放入倒邊機中進(jìn)行倒邊，解決了晶片的邊緣效應(yīng)；傳統(tǒng)的點膠方法是在晶片的兩側(cè)進(jìn)行點膠后將引腳通過膠點與晶片固連的，采用了本發(fā)明后將晶片直立放于JU3*8支架上并在晶片的一側(cè)點膠，將2個引腳通過膠點與晶片固連，降低了晶片的邊緣效應(yīng)。綜上所述，采用了這種方法后，本發(fā)明能夠生產(chǎn)出柱式三泛音晶體諧振器并且使晶片邊緣效應(yīng)對諧振電阻的影響降到最低，從而滿足了客戶和市場的需求，方便在小型化電路中使用，符合三泛音晶體諧振器小型化的趨勢。
權(quán)利要求
1.一種生產(chǎn)柱式三泛音晶體諧振器的方法，其特征在于包括以下步驟: (1)對石英晶片進(jìn)行切割，使得石英晶片呈長方形，尺寸為5.0mm*l.5mm ； (2)將lOOOpcs石英晶片放入器皿中，使用另一個同一大小的器皿按體積比1:1配置磨料； (3)將磨料與晶片倒入內(nèi)壁為波浪形的滾筒中將筒蓋蓋緊，并將滾筒放入倒邊機進(jìn)行倒邊； (4)每隔24小時按相同比例更換磨料，并記錄晶片長寬尺寸與晶片平臺尺寸，待晶片倒邊后外形呈雙凸形后進(jìn)入下道工序； (5)將倒邊后晶片進(jìn)行腐蝕工序，清洗掉晶片表面殘留磨料，腐蝕時使用飽和的氟化氫銨溶液； (6)將腐蝕后在晶片表面鍍上銀層，再將晶片直立放于JU3*8支架上并在晶片的一側(cè)點膠，將2個引腳通過膠點與晶片固連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種生產(chǎn)柱式三泛音晶體諧振器的方法，其特征在于所述步驟(3)中滾筒的轉(zhuǎn)速為140— 150r/min，滾筒直徑為90mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種生產(chǎn)柱式三泛音晶體諧振器的方法，其特征在于所述步驟(3)、(4)中的磨料為WA1500#白剛玉。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種生產(chǎn)柱式三泛音晶體諧振器的方法，其特征在于所述步驟(5)中的腐蝕溫度為65— 70°C，所述步驟(6)中在晶片表面鍍上銀層時，鍍銀電流為70—80A，所述步驟(6)中在點膠時使用3303E導(dǎo)電膠。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種生產(chǎn)柱式三泛音晶體諧振器的方法，包括以下步驟(1)對石英晶片進(jìn)行切割，使得石英晶片呈長方形；(2)將1000pcs石英晶片放入器皿中，使用另一個同一大小的器皿配置磨料；(3)將磨料與晶片倒入內(nèi)壁為波浪形的滾筒中并將筒蓋蓋緊，并將滾筒放入倒邊機進(jìn)行倒邊；(4)每隔24小時按相同比例更換磨料，待晶片倒邊后外形呈雙凸形后進(jìn)入下道工序；(5)將倒邊后晶片進(jìn)行腐蝕工序，清洗掉晶片表面殘留磨料；(6)將腐蝕后在晶片表面鍍上銀層，再將晶片直立放于JU3*8支架上點膠。本發(fā)明能夠生產(chǎn)出柱式三泛音晶體諧振器并且使晶片邊緣效應(yīng)對諧振電阻的影響降到最低，從而滿足了客戶和市場的需求。
文檔編號H03H3/02GK103208973SQ20131014115
公開日2013年7月17日 申請日期2013年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月23日
發(fā)明者張前生 申請人:銅陵市海德電子有限公司