1.一種射頻(RF)電路，其特征在于，包括：
第一介電材料，所述第一介電材料具有第一表面和第二表面以及第一介電常數(shù)；
在所述第一介電材料的所述第一表面上的第一導電層，其中所述第一導電層包括多個導電特征，所述多個導電特征包括信號線路和偏置線路，其中所述信號線路具有第一端和第二端，并且所述偏置線路具有第一區(qū)段，所述第一區(qū)段具有第一端和第二端；
在所述第一介電材料的所述第二表面上的第二導電層，其中所述第二導電層包括接地平面，所述信號線路直接形成在所述接地平面上，并且其中在所述第二導電層中存在導電材料空隙，所述第一偏置線路的所述第一區(qū)段與所述導電材料空隙對齊；
在所述第二導電層上的第二介電材料，其中所述第二介電材料具有不同于所述第一介電常數(shù)的第二介電常數(shù)；以及
用于RF裝置的安裝區(qū)域，其中所述信號線路的所述第一端和所述偏置線路的所述第一區(qū)段的第一端位于接近于所述安裝區(qū)域處，以使得所述信號線路和所述偏置線路能夠與所述RF裝置的一個或多個導線電耦合。
2.根據(jù)權利要求1所述的RF電路，其特征在于，所述第二介電常數(shù)比所述第一介電常數(shù)小至少50％。
3.根據(jù)權利要求1所述的RF電路，其特征在于：
所述第一介電常數(shù)在4.0到12.0的范圍內；以及
所述第二介電常數(shù)在1.0到4.0的范圍內。
4.根據(jù)權利要求1所述的RF電路，其特征在于：
所述偏置線路的所述第一區(qū)段是四分之一波傳輸線路。
5.根據(jù)權利要求4所述的RF電路，其特征在于，所述偏置線路另外包括：
諧振電路，所述諧振電路耦合到所述偏置線路的所述第一區(qū)段的所述第二端。
6.根據(jù)權利要求5所述的RF電路，其特征在于，所述諧振電路包括由所述第一導電層的一部分形成的徑向短柱。
7.根據(jù)權利要求5所述的RF電路，其特征在于，所述諧振電路包括離散電容器，所述離散電容器包括電耦合到所述偏置線路的所述第一區(qū)段的第二端的端子。
8.根據(jù)權利要求1所述的RF電路，其特征在于，所述偏置線路的所述第一區(qū)段的所述第一端耦合到所述信號線路的所述第一端，并且所述信號線路的所述第一端被配置成耦合到所述RF裝置的導線。
9.根據(jù)權利要求8所述的RF電路，其特征在于，另外包括：
所述RF裝置，所述RF裝置耦合到所述安裝區(qū)域，其中所述RF裝置包括具有所述導線的封裝功率RF晶體管。
10.根據(jù)權利要求1所述的RF電路，其特征在于：
所述偏置線路的所述第一區(qū)段的所述第一端被配置成用于待耦合到所述第一端的所述RF裝置的第一導線；并且
所述信號線路的所述第一端被配置成用于待耦合到所述第一端的所述RF裝置的第二導線。
11.根據(jù)權利要求10所述的RF電路，其特征在于，另外包括：
所述RF裝置，所述RF裝置耦合到所述安裝區(qū)域，其中所述RF裝置包括具有所述第一導線和所述第二導線的封裝功率RF晶體管。
12.根據(jù)權利要求1所述的RF電路，其特征在于，所述偏置線路的所述第一區(qū)段具有第一寬度，并且其中所述導電材料空隙具有至少與所述第一寬度一樣寬的第二寬度。
13.根據(jù)權利要求12所述的RF電路，其特征在于，所述第二寬度比所述第一寬度寬至少20％。
14.根據(jù)權利要求1所述的RF電路，其特征在于，另外包括：
導電結構，所述導電結構在所述第二介電材料的第一表面和第二表面之間延伸，其中所述導電結構的第一端電耦合到所述接地平面；以及
第三導電層，所述第三導電層耦合到所述第二介電材料的所述第二表面并且電耦合到所述導電結構的第二端。
15.根據(jù)權利要求14所述的RF電路，其特征在于，所述導電結構包括導電通孔。
16.根據(jù)權利要求1所述的RF電路，其特征在于，在800兆赫到6.0千兆赫范圍內的頻率下所述偏置線路的特性阻抗在75歐姆到300歐姆的范圍內。
17.根據(jù)權利要求1所述的RF電路，其特征在于：
所述第一介電材料選自：陶瓷填充聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)、具有玻璃織物的陶瓷填充PTFE、陶瓷填充烴類、具有玻璃織物的陶瓷填充烴類、隨機玻璃填充的PTFE、具有玻璃織物的PTFE、具有超細玻璃纖維的PTFE、e纖維玻璃、高性能FR4；并且
所述第二介電材料選自：PTFE、陶瓷填充PTFE、具有玻璃織物的陶瓷填充PTFE、陶瓷填充烴類、具有玻璃織物的陶瓷填充烴類、隨機玻璃填充的PTFE、具有玻璃織物的PTFE、具有超細玻璃纖維的PTFE、高性能FR4，以及空氣。
18.一種用于形成射頻(RF)電路的方法，其特征在于，所述方法包括：
將包括第一介電材料、第一導電層和第二介電材料的基板層合在一起，其中
所述第一介電材料具有第一表面和第二表面以及第一介電常數(shù)，
所述第二介電材料具有第一表面和第二表面以及不同于所述第一介電常數(shù)的第二介電常數(shù)，并且
所述第一導電層在所述第一介電材料和所述第二介電材料的所述第一表面之間，并且所述第一導電層包括接地平面和導電材料空隙；以及
在所述第一介電材料的所述第二表面上形成第二導電層，其中所述第二導電層包括多個導電特征，所述多個導電特征包括信號線路和偏置線路，其中所述信號線路具有第一端和第二端，所述信號線路直接形成在所述接地平面上，所述偏置線路具有帶第一端和第二端的第一區(qū)段，并且所述偏置線路的所述第一區(qū)段與所述導電材料空隙對齊，并且
其中所述基板包括用于RF裝置的安裝區(qū)域，其中所述信號線路的所述第一端和所述偏置線路的所述第一端位于接近于所述安裝區(qū)域處，以使得所述信號線路和所述偏置線路能夠與所述RF裝置的一個或多個導線電耦合。
19.根據(jù)權利要求18所述的方法，其特征在于，另外包括：
將諧振電路耦合到所述偏置線路的所述第一區(qū)段的第二端，其中所述諧振電路包括選自離散電容器和由所述第二導電層的一部分形成的徑向短柱的組件。
20.根據(jù)權利要求18所述的方法，其特征在于，所述RF裝置包括封裝功率RF晶體管，并且所述方法另外包括：
將所述封裝功率RF晶體管耦合到所述安裝區(qū)域，其中所述一個或多個導線電耦合到所述信號線路的所述第一端并且電耦合到所述偏置線路的所述第一端。