本發(fā)明涉及印刷電路板制造技術領域,特別涉及一種高精度對位的印刷電路板的鉆孔方法。
背景技術:
隨著電子信息技術的飛速發(fā)展,印刷電路板(簡稱PPN)正向著高密度、高集成化、高速率和高頻化的方向發(fā)展。在通常的鉆孔方法中,因鉆孔過程中產(chǎn)生的瞬間局部溫度過高而造成的電路板材料熱膨脹形變,對于越來越精細化的印刷電路板來說影響也越來越大,導致鉆孔參數(shù)達不到所要求的參數(shù)精度范圍,鉆孔精度低,進而降低電路板的可靠性,使電路板的品質難以保證。
實際鉆孔時,功能孔可能分為通孔和盲孔,并不是在同一個工序內鉆出的,這當中需要用靶孔定位。然而靶孔一般開在電路板外圍,然而電路板邊緣的變形對線路影響較小,所以僅靠外圍的靶孔定位不準,印刷電路后報廢率偏高。
因此,有必要提供一種新的方法來解決上述問題。
技術實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的主要目的在于提供一種高精度對位的印刷電路板的鉆孔方法。
本發(fā)明通過如下技術方案實現(xiàn)上述目的:印刷電路板的鉆孔方法,步驟包括:
①靶位設計:在電路板靠近線路的中心區(qū)域選擇一處中靶位O,在電路板的周邊選取呈直角梯形布置的第一外靶位M、第二外靶位N、第三外靶位P和第四外靶位Q,中靶位O位于MP與NQ交點上,MN和PQ平行于電路板的長邊,NP平行于電路板的寬邊;
②一次鉆孔:按照設計的靶位鉆穿四個外靶位以及功能通孔的位置;
③二次鉆孔:按照設計的靶位鉆穿中靶位以及功能盲孔的位置;
④定位印刷:以MP與NQ交點O’和中靶位中心O連線的中點作為線路曝光基準點進行電路印刷。
具體的,所述中靶位的直徑小于外靶位的直徑。
進一步的,所述中靶位的直徑為外靶位直徑的1/3-1/2。
具體的,所述四個外靶位的中心到最近邊的距離為10-20mm。
采用上述技術方案,本發(fā)明技術方案的有益效果是:
1、本發(fā)明印刷電路板的鉆孔方法在確定定位點時可以兼顧功能通孔與功能盲孔的位置,這樣就可以令線路焊盤的位置盡量覆蓋所有功能孔,提高了對位精度,降低了報廢率。
2、為了降低鉆中靶位對電路板變形的影響,中靶位直徑要適當縮小。
3、外靶位的范圍要在線路板上足夠大,然而又要防止太靠近邊緣而造成線路板邊緣碎裂的問題。
附圖說明
圖1為本發(fā)明印刷電路板的鉆孔方法的原理示意圖;
圖2為圖1中A位置的局部放大示意圖。
圖中數(shù)字表示:
11-第一外靶位,
12-第二外靶位,
13-第三外靶位,
14-第四外靶位,
21-中靶位,
31-功能通孔,
32-功能盲孔,
M-第一外靶位中心,
N-第二外靶位中心,
P-第三外靶位中心,
Q-第四外靶位中心,
O-中靶位中心,
O’-外靶位對角線交點,
O”-曝光基準點。
具體實施方式
下面結合具體實施例對本發(fā)明作進一步詳細說明。
實施例:
如圖1和圖2所示,印刷電路板的鉆孔方法,步驟包括:
①靶位設計:在電路板靠近線路的中心區(qū)域選擇一處中靶位O,在電路板的周邊選取呈直角梯形布置的第一外靶位M、第二外靶位N、第三外靶位P和第四外靶位Q,第一外靶位中心為M,第二外靶位中心為N,第三外靶位中心為P,第四外靶位中心為Q,中靶位的中心O位于MP與NQ交點上,MN和PQ平行于電路板的長邊,NP平行于電路板的寬邊。這樣兩類靶位鉆孔位置不會重疊,但都提供了一種基準,這樣好提供矯正的依據(jù)。
②一次鉆孔:按照設計的靶位鉆穿第一外靶位11、第二外靶位12、第三外靶位13、第四外靶位14以及功能通孔31的位置。外靶位與功能通孔31同時鉆出,所以外靶位能表征功能通孔31的基準位。
③二次鉆孔:按照設計的靶位鉆穿中靶位21以及功能盲孔32的位置。中靶位21與功能盲孔同時鉆出,所以中靶位21能表征功能盲孔32的基準位。
④定位印刷:以MP與NQ交點O’和中靶位21中心O連線的中點O”作為線路曝光基準點進行電路印刷。這樣的鉆孔方法在確定曝光基準點O”時可以兼顧功能通孔31與功能盲孔32的位置,這樣就可以令線路焊盤的位置盡量覆蓋所有功能孔,提高了對位精度,降低了報廢率。
如圖1所示,中靶位21的直徑為外靶位11、12、13、14直徑的1/3-1/2。因為外靶位位于線路板的外圍,所以實際誤差對線路位置影響會較小,而中靶位21位于線路板中間靠近線路將要印刷的位置,所以實際誤差對線路位置影響較大,為了使這部分精度凸顯,中靶位21適當縮小,從另一方面也是降低鉆中靶位21鉆穿時對電路板的變形產(chǎn)生很大影響。
如圖1所示,第一外靶位M、第二外靶位N、第三外靶位P距離最近的長寬邊都是H,第四外靶位Q到最近的長邊距離為H,H選在10-20mm。為了使功能通孔31的位置誤差較小,四個外靶位的范圍要在線路板上足夠大,然而若鉆孔位置太靠近邊緣,則會造成線路板邊緣碎裂,因此距離取在10-20mm比較適宜。
以上所述的僅是本發(fā)明的一些實施方式。對于本領域的普通技術人員來說,在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構思的前提下,還可以做出若干變形和改進,這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。