本實(shí)用新型涉及一種電磁閥的驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)組件及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中電磁閥驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)過(guò)于單一，并且很多都不具有反饋功能，導(dǎo)致無(wú)法準(zhǔn)確快速地判斷驅(qū)動(dòng)電磁閥的執(zhí)行結(jié)果是否正確。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中電磁閥驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)過(guò)于單一，并且很多都不具有反饋功能，導(dǎo)致無(wú)法準(zhǔn)確快速地判斷驅(qū)動(dòng)電磁閥的執(zhí)行結(jié)果是否正確的缺陷，提供一種電磁閥的驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)組件及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

本實(shí)用新型是通過(guò)下述技術(shù)方案來(lái)解決上述技術(shù)問(wèn)題的：

本實(shí)用新型提供了一種電磁閥的驅(qū)動(dòng)電路，其特點(diǎn)在于，包括第一光耦合器、MOS管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、整流二極管以及電磁閥插座；

所述第一光耦合器的陽(yáng)極與控制信號(hào)輸入端電連接、陰極接地，所述第一光耦合器的集電極與第一電源電連接、發(fā)射極與所述MOS管的柵極電連接；所述MOS管的漏極與第二電源電連接、源極接地；

所述整流二極管的陽(yáng)極分別與所述MOS管的漏極以及所述電磁閥插座的第一引腳電連接，所述整流二極管的陰極與所述電磁閥插座的第二引腳共同接地；

所述電磁閥插座用于插接電磁閥。

較佳地，所述控制信號(hào)輸入端與第一電阻的一端電連接，所述第一電阻的另一端分別與所述第一光耦合器的陽(yáng)極以及第二電阻的一端電連接，所述第二電阻的另一端分別與所述第一光耦合器的陰極以及第三電阻的一端電連接，所述第三電阻的另一端接地。

較佳地，所述第一光耦合器的集電極與第四電阻的一端電連接，所述第四電阻的另一端與所述第一電源電連接；所述第一光耦合器的發(fā)射極還與第五電阻的一端電連接，所述第五電阻的另一端接地。

較佳地，所述MOS管的漏極與第六電阻的一端電連接，所述第六電阻的另一端與發(fā)光二極管的陰極電連接，所述發(fā)光二極管的陽(yáng)極與所述第二電源電連接。

較佳地，所述整流二極管的陰極及所述電磁閥插座的第二引腳分別與濾波電容的一端電連接，所述濾波電容的另一端接地。

較佳地，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括第二光耦合器；

所述第二光耦合器的陽(yáng)極與所述第二電源電連接、陰極分別與第七電阻的一端以及所述電磁閥插座的第一引腳電連接，所述第七電阻的另一端與所述第二電源電連接；所述第二光耦合器的集電極與第三電源電連接、發(fā)射極與控制狀態(tài)輸出端電連接。

較佳地，所述第二電源還與第八電阻的一端電連接，所述第八電阻的另一端分別與所述第七電阻的另一端以及所述第二光耦合器的陽(yáng)極電連接。

較佳地，所述第二光耦合器的集電極與第九電阻的一端電連接，所述第九電阻的另一端與所述第三電源電連接；所述第二光耦合器的發(fā)射極還與第十電阻的一端電連接，所述第十電阻的另一端接地。

本實(shí)用新型的目的在于還提供了一種電磁閥的驅(qū)動(dòng)組件，其特點(diǎn)在于，包括兩個(gè)上述的驅(qū)動(dòng)電路，兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電路中的整流二極管的陰極相互電連接。

本實(shí)用新型的目的在于還提供了一種電磁閥的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其特征在于，其包括若干個(gè)上述的驅(qū)動(dòng)組件。

本實(shí)用新型的積極進(jìn)步效果在于：本實(shí)用新型提供了一種全新的電磁閥的驅(qū)動(dòng)電路，并且在驅(qū)動(dòng)過(guò)程中可生成反饋信號(hào)至發(fā)出控制信號(hào)的CPU(中央處理器)，從而保證CPU不受前端電磁閥動(dòng)作影響，同時(shí)本實(shí)用新型的驅(qū)動(dòng)電路可組合在一起進(jìn)行使用，實(shí)現(xiàn)對(duì)電磁閥的進(jìn)一步控制和驅(qū)動(dòng)。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例的電磁閥的驅(qū)動(dòng)電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖給出本實(shí)用新型較佳實(shí)施例，以詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案。

如圖1所示，本實(shí)用新型的電磁閥的驅(qū)動(dòng)電路包括第一光耦合器1、MOS管2、整流二極管3以及電磁閥插座4；所述第一光耦合器1的陽(yáng)極與控制信號(hào)輸入端電連接、陰極接地，所述第一光耦合器1的集電極與第一電源5電連接、發(fā)射極與所述MOS管2的柵極電連接；所述MOS管2的漏極與第二電源6電連接、源極接地；

具體地，所述控制信號(hào)輸入端與第一電阻R1的一端電連接，所述第一電阻R1的另一端分別與所述第一光耦合器1的陽(yáng)極以及第二電阻R2的一端電連接，所述第二電阻R2的另一端分別與所述第一光耦合器1的陰極以及第三電阻R3的一端電連接，所述第三電阻R3的另一端接地。

所述第一光耦合器1的集電極與第四電阻R4的一端電連接，所述第四電阻R4的另一端與所述第一電源5電連接；所述第一光耦合器1的發(fā)射極還與第五電阻R5的一端電連接，所述第五電阻R5的另一端接地，即通過(guò)所述第五電阻R5下拉到地。

所述MOS管2的漏極與第六電阻R6的一端電連接，所述第六電阻R6的另一端與發(fā)光二極管D1的陰極電連接，所述發(fā)光二極管D1的陽(yáng)極與所述第二電源6電連接。

所述整流二極管3的陽(yáng)極分別與所述MOS管2的漏極以及所述電磁閥插座4的第一引腳41電連接，所述整流二極管3的陰極與所述電磁閥插座4的第二引腳42共同接地；

具體地，所述整流二極管3的陰極及所述電磁閥插座4的第二引腳42分別與濾波電容C1的一端電連接，所述濾波電容C1的另一端接地。

所述電磁閥插座4用于插接電磁閥。

在本實(shí)施例中，所述控制信號(hào)輸入端可以輸入高電平信號(hào)或低電平信號(hào)，具體可通過(guò)CPU向所述控制信號(hào)輸入端發(fā)出控制信號(hào)(高電平信號(hào)或低電平信號(hào))。

本實(shí)施例的電磁閥的驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電磁閥的具體原理如下：

控制信號(hào)輸入端輸入的控制信號(hào)經(jīng)過(guò)所述第一光耦合器1控制所述MOS管2的開關(guān)，使插接于所述電磁閥插座4中的電磁閥的電源回路接通或者斷開，從而驅(qū)動(dòng)電磁閥動(dòng)作。

具體地，若控制信號(hào)為低電平信號(hào)，則所述第一光耦合器1的陽(yáng)極為低，所述第一光耦合器1的發(fā)射極與集電極不導(dǎo)通，從而所述MOS管2的柵極被所述第五電阻拉至低電平，即所述MOS管2不導(dǎo)通，從而所述電磁閥插座4的第一引腳不與地導(dǎo)通，電磁閥的電源不導(dǎo)通；

若控制信號(hào)為高電平信號(hào)，則所述第一光耦合器1的陽(yáng)極為高，所述第一光耦合器1的發(fā)射極與集電極導(dǎo)通，從而所述MOS管2的柵極為高電平，即所述MOS管2導(dǎo)通，從而所述電磁閥插座4的第一引腳接地，電磁閥的電源可以形成回路，電磁閥通電動(dòng)作。

在本實(shí)施例中，優(yōu)選地，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括第二光耦合器7，所述第二光耦合器7的陽(yáng)極與所述第二電源6電連接、陰極分別與第七電阻R7的一端以及所述電磁閥插座4的第一引腳41電連接，所述第七電阻R7的另一端與所述第二電源6電連接；所述第二光耦合器7的集電極與第三電源8電連接、發(fā)射極與控制狀態(tài)輸出端電連接。

具體地，所述第二電源6還與第八電阻R8的一端電連接，所述第八電阻R8的另一端分別與所述第七電阻R7的另一端以及所述第二光耦合器7的陽(yáng)極電連接；

所述第二光耦合器7的集電極與第九電阻R9的一端電連接，所述第九電阻R9的另一端與所述第三電源8電連接；所述第二光耦合器的發(fā)射極還與第十電阻R10的一端電連接，所述第十電阻R10的另一端接地。

本實(shí)用新型中可以利用所述第二光耦合器7將驅(qū)動(dòng)電磁閥的執(zhí)行結(jié)果反饋至CPU，具體地，當(dāng)所述MOS管2導(dǎo)通時(shí)，所述電磁閥插座4的第一引腳接地，從而使得反饋回路中的所述第二光耦合器7導(dǎo)通，反饋回路中的光耦輸出變?yōu)楦唠娖?即控制狀態(tài)輸出端輸出高電平)；當(dāng)所述MOS管2關(guān)斷時(shí)，所述電磁閥插座4的第一引腳回路切斷，電磁閥電源回路關(guān)斷，從而使得所述第二光耦合器7不導(dǎo)通，反饋回路中的光耦輸出變?yōu)榈碗娖?即控制狀態(tài)輸出端輸出低電平)，進(jìn)而利用單片機(jī)檢測(cè)所述控制狀態(tài)輸出端的輸出電平的高低就可以知道電磁閥驅(qū)動(dòng)的執(zhí)行結(jié)果是否正確；另外，由于控制信號(hào)輸入端輸入的控制信號(hào)是隔離的，因此反饋信號(hào)通過(guò)所述第二光耦合器7也是隔離的，從而保證CPU不受前端電磁閥動(dòng)作影響。

在本實(shí)用新型中，優(yōu)選地，所述第一電源的電壓值為5V左右，所述第二電源的電壓值為24V左右，所述第三電源的電壓值為3.3V左右；所述第一電阻R1的取值為75KΩ左右，所述第二電阻R2的取值為430KΩ左右，所述第三電阻R3的取值為300KΩ左右，所述第四電阻R4的取值為75KΩ左右，所述第五電阻R5的取值為430KΩ左右，所述第六電阻R6的取值為10KΩ左右，所述第七電阻R7的取值為430KΩ左右，所述第八電阻R8的取值為10KΩ左右，所述第九電阻R9的取值為62KΩ左右，所述第十電阻R10的取值為430KΩ左右；其中，所述第二光耦合器7可通過(guò)第十一電阻R11與所述電磁閥插座4的第一引腳電連接，所述第十一電阻R11的取值為62KΩ左右；所述濾波電容C1的電容值為10μf左右。

在本實(shí)施例中，所述第一光耦合器1和所述第二光耦合器7的型號(hào)具體為TLP281-4，所述MOS管2的型號(hào)具體為NDS355AN，所述整流二極管3的型號(hào)具體為1N4007。

本實(shí)用新型還提供了一種電磁閥的驅(qū)動(dòng)組件，包括兩個(gè)上述的驅(qū)動(dòng)電路，兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電路中的整流二極管的陰極相互電連接，兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電路中的第二光耦合器的集電極與同一個(gè)第三電源電連接，利用本實(shí)施例的電磁閥的驅(qū)動(dòng)組件可以實(shí)現(xiàn)正反向的控制。

本實(shí)用新型還提供了一種電磁閥的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其包括若干個(gè)上述的驅(qū)動(dòng)組件，優(yōu)選地，可包括8組上述的驅(qū)動(dòng)組件。

雖然以上描述了本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，這些僅是舉例說(shuō)明，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍是由所附權(quán)利要求書限定的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不背離本實(shí)用新型的原理和實(shí)質(zhì)的前提下，可以對(duì)這些實(shí)施方式做出多種變更或修改，但這些變更和修改均落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。