本發(fā)明涉及布線結(jié)構(gòu)、印刷基板、半導(dǎo)體裝置以及布線結(jié)構(gòu)的制造方法。

背景技術(shù)：

形成于半導(dǎo)體裝置、印刷基板等的布線圖案，為防止在通電時布線過度發(fā)熱，需要與流過的電流量相應(yīng)的截面積。

在包含功率器件和/或控制器件的情況下等，電流量大的電源系統(tǒng)的布線圖案需要大的截面積，但是增大布線寬度也是有限度的。

作為不增大布線寬度而進一步提高容許電流的方法，有增大布線厚度的方法以及并排使用多層基板的多個導(dǎo)電層而形成圖案的方法。

但是，增大布線厚度的方法，存在布線的鍍敷耗費時間這一問題，另外，還存在無法減小流過的電流可以小的信號線的布線間隔而實現(xiàn)微細(xì)化這一問題。

另外，在并排使用多層基板的多個導(dǎo)電層的方法中，過度增加導(dǎo)電層的層數(shù)也是有限度的。

在專利文獻1所記載的發(fā)明中，作為用于形成布線圖案的光刻蝕用掩膜，使用所有布線圖案被描繪成掩膜圖案的掩膜和僅大電流用布線圖案被描繪成掩膜圖案的掩膜，由此較厚地形成電流量大的布線圖案，較薄地形成電流量小的布線圖案而實現(xiàn)微細(xì)化。

在專利文獻2所記載的發(fā)明中，在布線層上的絕緣樹脂形成槽，用導(dǎo)電性糊填埋該槽，在該導(dǎo)電性糊的不與槽接觸的表面實施鍍銅，由此增大1層圖案的每單位寬度的容許電流。

【現(xiàn)有技術(shù)文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】日本特開平10-32201號公報

【專利文獻2】日本特開2007-165642號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

本發(fā)明的目的在于提供以不妨礙信號線等的微細(xì)化、也不使膜厚增大的方式使電流量大的布線圖案的容許電流增大的布線結(jié)構(gòu)。

用于解決課題的技術(shù)方案

用于解決上述課題的本發(fā)明是如下記載的這樣的發(fā)明。

(1)一種布線結(jié)構(gòu)，具備：

樹脂層；和

形成于所述樹脂層的布線，

所述樹脂層在形成布線的區(qū)域內(nèi)具有多條平行的槽，

所述布線由在所述形成布線的區(qū)域內(nèi)的樹脂層表面和所述多條槽的內(nèi)壁面形成的鍍膜構(gòu)成。

(2)一種印刷基板，其特征在于，包含上述(1)所記載的布線結(jié)構(gòu)。

(3)一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包含上述(1)所記載的布線結(jié)構(gòu)。

(4)根據(jù)上述(3)所記載的半導(dǎo)體裝置，構(gòu)成所述布線結(jié)構(gòu)的布線與半導(dǎo)體芯片的表面直接接觸。

(5)一種布線結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

在形成布線的區(qū)域內(nèi)的樹脂層的表面形成相互平行的多條槽的工序；和

在所述形成布線的區(qū)域內(nèi)的樹脂層表面和所述多條槽的內(nèi)壁面形成鍍膜的工序。

發(fā)明的效果

通過具備本發(fā)明的布線結(jié)構(gòu)，能夠以不增大布線的鍍敷厚度的方式使布線的容許電流局部增大。其結(jié)果，能夠減少為了得到目標(biāo)容許電流所耗費的鍍敷時間，生產(chǎn)率提高。

另外，與增大鍍敷厚度的情況相比較，鍍敷厚度薄，所以不會成為信號線等的微細(xì)化的障礙。

附圖說明

圖1是示出本發(fā)明的實施方式1的布線結(jié)構(gòu)的圖，圖1a是布線結(jié)構(gòu)的剖視立體圖，圖1b是實施鍍敷前的布線結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖2是將本發(fā)明的實施方式1的布線結(jié)構(gòu)與以往的布線結(jié)構(gòu)進行對比的圖，圖2a是示出實施方式1的布線結(jié)構(gòu)的圖，圖2b是示出以往的布線結(jié)構(gòu)的圖。

圖3-1是示出本發(fā)明的實施方式1的布線結(jié)構(gòu)的制造工序的一部分的圖，圖3a～圖3g示出在樹脂層形成槽為止的工序。

圖3-2是示出本發(fā)明的實施方式1的布線結(jié)構(gòu)的制造工序的一部分的圖，圖3h～圖3j示出在形成于樹脂層的開口以及槽實施鍍敷而形成鍍膜的工序。

圖3-3是示出本發(fā)明的實施方式1的布線結(jié)構(gòu)的制造工序的一部分的圖，圖3k～圖3n示出在布線上的樹脂層形成了過孔以及布線之后到形成焊料保護膜為止的工序。

圖4是示出本發(fā)明的實施方式2的布線結(jié)構(gòu)的圖，圖4a是布線結(jié)構(gòu)的剖視圖，圖4b是示出實施鍍敷前的狀態(tài)的圖。

圖5是示出本發(fā)明的實施方式3的布線結(jié)構(gòu)的圖，圖5a是布線結(jié)構(gòu)的剖視圖，圖5b是示出實施鍍敷前的狀態(tài)的圖。

【標(biāo)號說明】

1樹脂層

1a樹脂層表面

1b槽的內(nèi)壁面

2槽

3鍍膜、布線

4a、4b、4c導(dǎo)電圖案

5過孔用開口

6、6a、6b、6c、6d布線

7過孔

8過孔用開口

9布線

10芯部件

10a芯板

10b、10c導(dǎo)電膜

11過孔

20樹脂層

30焊料保護膜

41a、41b、41c樹脂層

42布線

43a、43b半導(dǎo)體芯片

44過孔

45布線

47槽形布線

48布線

50焊料保護膜

s形成布線的區(qū)域

具體實施方式

以下，對用于實施本發(fā)明的方式進行說明。此外，在以下的記載中基于附圖對實施方式進行說明，但是這些附圖僅供說明之用，本發(fā)明并不限定于這些附圖。

圖1a示出本發(fā)明的布線結(jié)構(gòu)的基本例。

布線結(jié)構(gòu)具有樹脂層1和形成于該樹脂層1的作為布線的鍍膜3。樹脂層1形成在芯部件10上，該芯部件10是在芯板10a的兩面層疊導(dǎo)電膜10b、10c而成的。

圖1b是示出形成鍍膜3前的樹脂層1的截面的圖。樹脂層1在形成鍍膜3的區(qū)域內(nèi)具有多條平行的槽2。

在該槽2的內(nèi)壁面1b以及形成布線的區(qū)域內(nèi)的樹脂層表面1a形成鍍膜(布線)3。

如圖1b所示，這樣的布線結(jié)構(gòu)是通過在芯部件10上的樹脂層1的形成布線的區(qū)域s內(nèi)的樹脂層表面1a形成多條平行的槽2并在該槽2的內(nèi)壁面1b以及樹脂層表面1b形成鍍膜3而得到的。

此外，在圖1b所示的布線結(jié)構(gòu)中，槽的內(nèi)壁面是指槽的側(cè)面以及底面(導(dǎo)電膜10b)。

下面，有時將圖1a所示那樣的由鍍膜3構(gòu)成的布線稱為槽形布線。

圖2是將本發(fā)明的實施方式涉及的布線結(jié)構(gòu)(參照圖2a)與不是本發(fā)明的實施方式的布線結(jié)構(gòu)(參照圖2b)進行對比的圖。

在圖2a所示的布線結(jié)構(gòu)中在槽2的側(cè)壁也形成有鍍膜3。

另一方面，在圖2b所示的以往的布線結(jié)構(gòu)中，未在樹脂層1設(shè)置槽2，僅在樹脂層1的樹脂層表面1a形成有鍍膜3。

附帶說明，布線電阻用下面的式(1)表示。

(數(shù)學(xué)式1)

(r：電阻、ρ:銅的電阻率、l：布線長度、a：布線截面積)

將圖2a所示的布線結(jié)構(gòu)與圖2b所示的布線結(jié)構(gòu)進行對比，圖2a所示的布線結(jié)構(gòu)與圖2b所示的布線結(jié)構(gòu)相比，由形成于槽的側(cè)面的鍍膜構(gòu)成的導(dǎo)體部分增加了。因此，圖2a所示的布線結(jié)構(gòu)中，上述式(1)中的布線截面積a增大，布線電阻r變小。

能夠在布線中流動的電流被限制在不會引起布線發(fā)生過度的溫度上升的程度，但是在圖2b所示的本發(fā)明的實施方式的布線結(jié)構(gòu)中，因為布線電阻r減小，所以通電時來自布線的發(fā)熱減少，能夠流動更大的電流。

接下來，對本發(fā)明的布線結(jié)構(gòu)的實施方式進行說明。

(實施方式1)

本實施方式是關(guān)于具有本發(fā)明涉及的布線結(jié)構(gòu)的印刷基板的方式。

以下基于圖3-1～圖3-3描述用于制造具有圖1所示的布線結(jié)構(gòu)的印刷基板的工序。

(工序1)參照圖3a

準(zhǔn)備在芯部件10a的兩面層疊有導(dǎo)電膜10b、10c的芯部件10。

(工序2)參照圖3b、圖3c

用藥品將芯部件10的一側(cè)的導(dǎo)電膜10b中的不需要的部分溶解并去除，形成作為布線所需的導(dǎo)電圖案4a、4b、4c。

此外，圖3c是圖3b所示的芯部件10的俯視圖。

(工序3)參照圖3d

在形成有導(dǎo)電圖案4a、4b、4c的芯部件10上堆積樹脂而形成樹脂層1。

(工序4)參照圖3e～圖3g

在樹脂層1進行形成大電流布線用的多條槽2的槽形成加工以及形成信號布線用的過孔用開口5的開孔加工。此外，在本實施方式中槽2的數(shù)量為4條。

開孔加工可以用co2激光和/或thg激光進行。另外，在槽形成加工時，優(yōu)選使用準(zhǔn)分子激光消融(excimerlaserablation)加工。

在通過激光加工來形成槽2以及過孔用開口5的情況下，導(dǎo)電圖案4a、4b、4c是為了控制該槽2以及過孔用開口5的深度而設(shè)置的。即，在激光的能量為預(yù)定值以下的情況下，形成有導(dǎo)電圖案4a、4b、4c的導(dǎo)電膜成為屏障(barrier)，槽2以及過孔用開口5形成至該導(dǎo)電圖案4a、4b、4c跟前(圖中的上側(cè))。

此外，圖3f是圖3e所示的由芯部件10和樹脂層1構(gòu)成的層疊體的俯視圖。另外，圖3g是圖3f中所示的層疊體的a-a，剖視立體圖。

在圖3g中，示出形成于樹脂層1的槽2的底面的導(dǎo)電圖案4c露出的狀態(tài)。

(工序5)參照圖3h～圖3j

在圖3e所示的層疊體的槽2的內(nèi)壁面和槽2的周邊部以及過孔用開口5及其周邊部進行引晶(seeding)。接下來，在通過無電解鍍形成導(dǎo)電膜后，通過電鍍形成過孔7以及布線6(6a、6b、6c、6d)。

布線6a、6b、6c用作信號線等小電流通電用布線。

布線6d是槽形布線，用作大電流通電用布線。

圖3i是圖3h所示的層疊體的俯視圖。

圖3j是圖3i所示的層疊體的a-a，剖視立體圖。

(工序6)參照圖3k

在圖3h所示的層疊體的上表面形成樹脂層20。

(工序7)參照圖3l

通過激光加工在圖3k所示的層疊體的樹脂層20形成過孔用開口8。

(工序8)參照圖3m

在圖3k所示的層疊體的過孔用開口8以及過孔用開口8的周邊部實施鍍敷而形成過孔11并且形成布線9。

(工序9)參照圖3n

形成使成為外部連接用焊盤(pad)的部分(布線9)露出的焊料保護膜30而得到印刷基板。

本實施方式的印刷基板，因為具備本發(fā)明的布線結(jié)構(gòu)，所以能夠以不增大鍍敷厚度的方式使布線的容許電流局部增大。因此，能夠減少為了得到目標(biāo)容許電流所耗費的鍍敷時間，生產(chǎn)率提高。另外，與增大鍍敷厚度的情況相比較，鍍敷厚度薄，所以不會成為信號線等的微細(xì)化的障礙。

(實施方式2)

本實施方式涉及半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包含埋設(shè)有功率器件、控制器件等的通過鍍敷形成的布線，鍍敷布線具備本發(fā)明涉及的連接結(jié)構(gòu)。

基于圖4a對本實施方式進行說明。

在樹脂層41a上形成有布線42。

在布線42上隔著絕緣材料固定附著有半導(dǎo)體芯片43a、43b，這些半導(dǎo)體芯片由樹脂層41b密封。

在樹脂層41b的表面通過鍍敷形成有布線45。

另外，在樹脂層41b的表面形成有用于將半導(dǎo)體芯片43a、43b的電極焊盤連接到布線45的過孔44。

另外，在樹脂層41b中形成有用于將布線42與布線45電連接的過孔44。

布線45埋入樹脂層41c中，在該樹脂層41c中形成有過孔44以及槽形布線47。

在樹脂層41c的表面通過鍍敷形成有布線48。另外，在樹脂層41c的表面設(shè)置有焊料保護膜50，該焊料保護膜50具有使布線48的一部分露出的開口部。

所述槽形布線可以通過對樹脂層41c實施圖3d～圖3j所示的一連串的工序來形成。

若描述形成槽形布線的工序，則如下所述。

·在密封了半導(dǎo)體芯片43a以及43b的樹脂層41b的表面形成布線45。

·在所述布線45之上堆積樹脂層41c。

·如圖4b所示，在樹脂層41c進行形成信號布線用的過孔用開口5的開孔加工以及形成大電流布線用的多條槽2的槽形成加工。

·在過孔用開口5及其周邊部還有槽2的內(nèi)壁面以及槽2的周邊部實施鍍敷而形成過孔44、布線48以及槽形布線47。

上述那樣制作成的布線48用作信號線等小電流通電用布線，槽形布線47用作大電流通電用布線。

根據(jù)本實施方式，在包含通過鍍敷形成的布線的半導(dǎo)體裝置中也能夠得到與實施方式1相同的效果。

(實施方式3)

本實施方式涉及半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包含埋設(shè)有功率器件、控制器件等的通過鍍敷形成的布線，鍍敷布線具備本發(fā)明涉及的連接結(jié)構(gòu)。

如圖5a所示，本實施方式的半導(dǎo)體裝置形成為使槽形布線47與半導(dǎo)體芯片43a直接接觸的結(jié)構(gòu)。

在形成這樣的布線結(jié)構(gòu)時，首先，如圖5b所示，形成從密封了半導(dǎo)體芯片43a、43b的樹脂層41b的表面到達半導(dǎo)體芯片43a的表面的槽2以及到達布線42的表面的開口5。

半導(dǎo)體芯片43a的表面通常露出有al焊盤和/或sin等。在為了形成槽2而使用了co2激光的情況下，若半導(dǎo)體芯片被co2激光直接照射則難以防止半導(dǎo)體芯片43a的損傷。

但是，若在用于形成過孔用開口的開孔加工和槽形成加工中使用準(zhǔn)分子激光，則因為al焊盤和/或sin的蝕刻速度比樹脂的蝕刻速度慢、有選擇性，所以能夠在al焊盤和/或sin的表面停止加工。另外，因為是消融加工，所以對半導(dǎo)體芯片的熱影響也小。因此，作為激光優(yōu)選使用準(zhǔn)分子激光。

在形成了圖5b所示的槽2以及過孔用開口5之后，在過孔用開口5及其周邊部還有槽2的內(nèi)壁面以及槽2的周邊部實施鍍敷而形成過孔44、布線45以及槽形布線47。

接下來，在所述過孔44以及槽形布線47之上堆積樹脂層41c，在該樹脂層41c內(nèi)形成過孔44，在樹脂層41c的表面形成布線48。

接下來，在樹脂層41c的表面形成焊料保護膜50，該焊料保護膜50具有使布線層的一部分露出的開口部。本實施方式3與實施方式2相比，無需為了制作槽形布線而進一步增加布線，能夠?qū)崿F(xiàn)層數(shù)少的半導(dǎo)體裝置。