本公開涉及集成電路領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、隨著集成電路器件的特征尺寸不斷縮小，對(duì)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamicrandom?access?memory，dram)制程工藝的要求也越來越高，其中陣列區(qū)(array)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔(nc接觸孔)的設(shè)計(jì)也顯得十分重要。目前在nc接觸孔中形成的導(dǎo)電層存在氣隙，該氣隙會(huì)影響到半導(dǎo)體器件的性能。

2、因此，如何去除導(dǎo)電層中的氣隙，成為目前研究的重點(diǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開實(shí)施例所要解決的技術(shù)問題是，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，其能夠形成不具有氣隙的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。

2、為了解決上述問題，本公開實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，該制備方法包括：提供襯底，在所述襯底上設(shè)置有位線結(jié)構(gòu)及第一隔離結(jié)構(gòu)，所述第一隔離結(jié)構(gòu)與所述位線結(jié)構(gòu)交叉設(shè)置且所述第一隔離結(jié)構(gòu)的頂面高于所述位線結(jié)構(gòu)的頂面，兩個(gè)相鄰的所述位線結(jié)構(gòu)與兩個(gè)相鄰的所述第一隔離結(jié)構(gòu)圍成第一接觸孔；在所述第一接觸孔內(nèi)形成初始導(dǎo)電層，以及在所述初始導(dǎo)電層上形成掩膜圖形，所述初始導(dǎo)電層的頂面低于所述第一隔離結(jié)構(gòu)的頂面，所述掩膜圖形位于所述第一隔離結(jié)構(gòu)側(cè)壁，相鄰所述第一隔離結(jié)構(gòu)相對(duì)側(cè)壁的所述掩膜圖形之間具有第一溝槽；沿所述第一溝槽去除部分所述初始導(dǎo)電層，以形成第一隔離槽；在所述第一隔離槽內(nèi)填充隔離材料，以形成第二隔離結(jié)構(gòu)。

3、本公開實(shí)施例還提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括：襯底；位線結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述襯底上；第一隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述襯底上，所述第一隔離結(jié)構(gòu)與所述位線結(jié)構(gòu)交叉設(shè)置，兩個(gè)相鄰的所述位線結(jié)構(gòu)與兩個(gè)相鄰的所述第一隔離結(jié)構(gòu)圍成第一接觸孔；第二隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第一接觸孔內(nèi)且將所述第一接觸孔分隔為目標(biāo)接觸孔；導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述目標(biāo)接觸孔內(nèi)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的頂面低于所述第一隔離結(jié)構(gòu)、第二隔離結(jié)構(gòu)和所述位線結(jié)構(gòu)的頂面。

4、本公開實(shí)施例提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法先在相鄰的兩個(gè)所述第一隔離結(jié)構(gòu)限定的第一接觸孔中填充初始導(dǎo)電層，再在所述初始導(dǎo)電層中形成第二隔離結(jié)構(gòu)，所述第二隔離結(jié)構(gòu)能夠貫穿所述初始導(dǎo)電層，從而可去除所述初始導(dǎo)電層中的氣隙，所述第一隔離結(jié)構(gòu)\所述第二隔離結(jié)構(gòu)及所述位線結(jié)構(gòu)限定出目標(biāo)接觸孔，所述目標(biāo)接觸孔內(nèi)的初始導(dǎo)電層作為最終的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，則所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中無氣隙，大大提高了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，形成第二隔離結(jié)構(gòu)之后，所述方法還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述掩膜圖形包括設(shè)置在相鄰兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)相對(duì)側(cè)壁上的第一掩膜圖形和第二掩膜圖形；在所述第一接觸孔內(nèi)形成初始導(dǎo)電層，以及在所述初始導(dǎo)電層上形成掩膜圖形，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在所述第一接觸孔內(nèi)形成初始導(dǎo)電材料層，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述掩膜圖形包括設(shè)置在相鄰兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)相對(duì)側(cè)壁上的第一掩膜圖形和第二掩膜圖形；在所述第一接觸孔內(nèi)形成初始導(dǎo)電層，以及在所述初始導(dǎo)電層上形成掩膜圖形，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，沿所述第一溝槽去除至少部分所述初始導(dǎo)電層，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在所述第一接觸孔內(nèi)形成初始導(dǎo)電材料層，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求2～7任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，多個(gè)所述位線結(jié)構(gòu)沿第一方向間隔排布且每一所述位線結(jié)構(gòu)沿第二方向延伸，多個(gè)所述第一隔離結(jié)構(gòu)沿所述第二方向間隔排布且每一所述第一隔離結(jié)構(gòu)沿所述第一方向延伸，所述第一方向及所述第二方向?yàn)槠叫兴鲆r底所在平面的方向，且所述第一方向與所述第二方向垂直；

9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的頂部具有設(shè)置在所述第二隔離結(jié)構(gòu)與所述第一隔離結(jié)構(gòu)之間的凸部，所述凸部的頂面低于所述第一隔離結(jié)構(gòu)、第二隔離結(jié)構(gòu)和所述位線結(jié)構(gòu)的頂面；所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸部位于所述第一隔離結(jié)構(gòu)和所述第二隔離結(jié)構(gòu)之間的中軸位置，所述導(dǎo)電接觸材料還位于所述凸部和所述第一隔離結(jié)構(gòu)之間以及所述凸部與所述第二隔離結(jié)構(gòu)之間。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)所述凸部，且兩個(gè)所述凸部分別位于所述第一個(gè)隔離結(jié)構(gòu)和所述第二隔離結(jié)構(gòu)相對(duì)的側(cè)壁，兩個(gè)所述凸部之間還形成有接觸凹槽，所述導(dǎo)電接觸材料還位于所述接觸凹槽內(nèi)。

13.根據(jù)權(quán)利要求9-12任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，多個(gè)所述位線結(jié)構(gòu)沿第一方向間隔排布且每一所述位線結(jié)構(gòu)沿第二方向延伸，多個(gè)所述第一隔離結(jié)構(gòu)沿所述第二方向間隔排布且每一所述第一隔離結(jié)構(gòu)沿所述第一方向延伸，所述第一方向及所述第二方向?yàn)槠叫兴鲆r底所在平面的方向，且所述第一方向與所述第二方向垂直。

14.根據(jù)權(quán)利要求9～12任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底中包括交替排布的第一字線和第二字線；所述第一隔離結(jié)構(gòu)在所述襯底上的投影與所述第一字線在所述襯底上的投影至少部分重合，所述第二隔離結(jié)構(gòu)在所述襯底上的投影與所述第二字線在所述襯底上的投影至少部分重合。

15.根據(jù)權(quán)利要求9～12任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一隔離結(jié)構(gòu)的尺寸小于所述第二隔離結(jié)構(gòu)的尺寸。

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法包括：提供襯底，在襯底上設(shè)置有位線結(jié)構(gòu)及第一隔離結(jié)構(gòu)，第一隔離結(jié)構(gòu)與位線結(jié)構(gòu)交叉設(shè)置且第一隔離結(jié)構(gòu)的頂面高于位線結(jié)構(gòu)的頂面，兩個(gè)相鄰的位線結(jié)構(gòu)與兩個(gè)相鄰的第一隔離結(jié)構(gòu)圍成第一接觸孔；在第一接觸孔內(nèi)形成初始導(dǎo)電層，以及在初始導(dǎo)電層上形成掩膜圖形，初始導(dǎo)電層的頂面低于第一隔離結(jié)構(gòu)的頂面，掩膜圖形位于第一隔離結(jié)構(gòu)側(cè)壁，相鄰第一隔離結(jié)構(gòu)相對(duì)側(cè)壁的掩膜圖形之間具有第一溝槽；沿第一溝槽去除部分初始導(dǎo)電層，以形成第一隔離槽；在第一隔離槽內(nèi)填充隔離材料，以形成第二隔離結(jié)構(gòu)。該制備方法能夠在第一接觸孔中形成不具有氣隙的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，大大提高了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：葉斌,馬經(jīng)綸
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19