本技術(shù)涉及一種tft模組，更確切地說(shuō)，是一種用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、傳統(tǒng)的tft模組的銀漿pad設(shè)計(jì)一般都是tft大片玻璃上面直接用金屬走線與地線相連，銀漿直接點(diǎn)在上片玻璃與下片玻璃交界的地方，大部分的銀漿會(huì)與下片玻璃的銀漿pad位金屬相連。在這種設(shè)計(jì)中國(guó)，銀漿中的銀離子直接與pad位的金屬連接，兩種不同金屬的接觸由于會(huì)有離子遷移難易差別，會(huì)形成離子化，銀離子的遷移容易對(duì)電路金屬走線或者與銀漿接觸的偏光片，造成腐蝕和失效。

2、中國(guó)發(fā)明專利文獻(xiàn)cn108877540a公開(kāi)了一種透明led玻璃顯示屏，主要包括透明導(dǎo)電玻璃、銀漿電路、led、接線端子、引出線、pvb膠片、鋼化玻璃，透明導(dǎo)電玻璃表面燒結(jié)有銀漿電路，銀漿電路上焊接led，銀漿電路在透明導(dǎo)電玻璃邊緣引出接線端子和引出線與外部的控制器和電源連接，鋼化玻璃覆蓋在透明導(dǎo)電玻璃上方。透明導(dǎo)電玻璃和鋼化玻璃之間通過(guò)夾膠工藝填充pvb膠片形成透明的膠合層封裝led并且粘接透明導(dǎo)電玻璃和鋼化玻璃為一體。所述透明導(dǎo)電玻璃通過(guò)絲印工藝和打印工藝將銀漿電路按設(shè)計(jì)電路圖印刷在其表面，并在透明導(dǎo)電玻璃物理鋼化處理的同時(shí)將銀漿電路燒結(jié)在透明導(dǎo)電玻璃上。所述pvb膠片的膠合層也可用濕法灌膠工藝形成。所述膠片的膠合層也可選用中空工藝，透明導(dǎo)電玻璃和鋼化玻璃使用高強(qiáng)度高氣密性復(fù)合粘結(jié)劑結(jié)在內(nèi)含干燥劑的鋁合金框架兩面，中間形成的密封空間內(nèi)封裝led并且通過(guò)吸氣孔抽成真空或加入充入氣體。所述鋼化玻璃為鍍有特定性能膜層的鋼化玻璃。所述充入氣體為干燥氣體、惰性氣體及彩色顏色氣體。所述led單元為單色或rgb多色貼片led。

3、顯然，該專利涉及常規(guī)的led顯示屏的缺陷，比如ito膜的電路的可靠性等。這些結(jié)構(gòu)無(wú)法解決現(xiàn)有的tft模組的銀漿腐蝕問(wèn)題。

4、中國(guó)實(shí)用新型專利文獻(xiàn)cn215376288u公開(kāi)了一種新型印刷互電容觸控線路，包括pet膜，所述pet膜上印刷有若干0.12mm寬度的x軸方向銀漿電路，所述x軸方向銀漿電路上印刷有絕緣油墨層，所述絕緣油墨層上印刷有若干0.12mm寬度的y軸向銀漿電路，若干所述x軸方向銀漿電路、y軸向銀漿電路等距設(shè)置。所述x軸方向銀漿電路、y軸向銀漿電路互相垂直設(shè)置。x軸線路和y軸線路交叉的每一個(gè)節(jié)點(diǎn)的間距更穩(wěn)定，x軸線路和y軸線路交叉的每一個(gè)節(jié)點(diǎn)與pet基材構(gòu)成了兩個(gè)導(dǎo)體與中間介質(zhì)的結(jié)構(gòu)，即形成了一個(gè)微小的電容，電容值不易發(fā)生變化，相比金屬網(wǎng)格電容膜，提升了穩(wěn)定性。相鄰的兩個(gè)所述x軸方向銀漿電路之間的距離與相鄰的兩個(gè)所述y軸向銀漿電路之間的距離相等。相鄰的兩個(gè)所述x軸方向銀漿電路之間的距離、相鄰的兩個(gè)所述y軸向銀漿電路之間的距離公差小于±0.1mm。上述的有益效果在于，有利于更好地保證每個(gè)x軸方向銀漿電路和y軸方向銀漿電路交叉形成的微小的電容的電容值相等。所述x軸方向銀漿電路的尾部形成有x軸匯聚甩尾。上述的有益效果在于，x軸匯聚甩尾用于連接電容主控板，用于偵測(cè)觸摸區(qū)域內(nèi)任意位置的電容變化，從而實(shí)現(xiàn)觸控功能。所述x軸匯聚甩尾由左側(cè)甩出后垂直匯聚到y(tǒng)軸方向。上述的有益效果在于，方便更好地進(jìn)行加工，匯聚于一個(gè)方向，且與y軸匯聚甩尾匯聚方向相同，方便更好地連接電容主控板。所述y軸向銀漿電路的尾部形成有y軸匯聚甩尾。上述的有益效果在于，y軸匯聚甩尾用于連接電容主控板，用于偵測(cè)觸摸區(qū)域內(nèi)任意位置的電容變化，從而實(shí)現(xiàn)觸控功能。所述y軸匯聚甩尾向內(nèi)垂直折彎匯聚到y(tǒng)軸方向。上述的有益效果在于，方便更好地進(jìn)行加工，匯聚于一個(gè)方向，且與x軸匯聚甩尾匯聚方向相同，方便更好地連接電容主控板。

5、顯然，該專利在絕緣油墨層上印刷y軸向銀漿電路，能很好地保證y軸向銀漿電路與x軸方向銀漿電路之間的絕緣性，避免相互影響，y軸向銀漿電路與x軸方向銀漿電路再通過(guò)x軸匯聚甩尾、y軸匯聚甩尾與電容主控板連接，每個(gè)x軸方向銀漿電路和y軸方向銀漿電路交叉形成的微小的電容，可以更準(zhǔn)確地用于偵測(cè)觸摸區(qū)域內(nèi)任意位置的電容變化，從而更好地實(shí)現(xiàn)觸控功能。這種結(jié)構(gòu)僅僅能解決電容屏的多點(diǎn)觸摸問(wèn)題，無(wú)法解決現(xiàn)有的tft模組的銀漿腐蝕問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題，提供一種用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)，所述的用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)包含彩膜基板和陣列基板，所述的彩膜基板的表面設(shè)有防靜電膜，所述的陣列基板的邊緣設(shè)有銀漿pad和金屬地走線，所述的銀漿pad的右側(cè)邊緣與所述的金屬地走線的左側(cè)邊緣相接觸，且所述的銀漿pad與所述的金屬地走線形成電連接，所述的銀漿pad上設(shè)有定位標(biāo)記，所述的銀漿pad上設(shè)有銀漿，所述的銀漿覆蓋所述的防靜電膜的下側(cè)邊緣。在銀漿進(jìn)行點(diǎn)膠時(shí)，將銀漿滴頭對(duì)準(zhǔn)十字形的定位標(biāo)記，銀漿在重力的作用下在銀漿pad區(qū)中蔓延，由于銀漿pad區(qū)的限制，利用銀漿的右側(cè)邊緣與金屬地走線之間的隔離距離d，銀漿不會(huì)蔓延到金屬地走線上，徹底防止銀漿腐蝕鄰近的金屬地走線，防止金屬地走線失效。同時(shí)，由于銀漿pad為ito圖案層，其阻抗要比金屬地走線的阻抗值高出兩個(gè)量級(jí)，避免銀漿離子化而產(chǎn)生的腐蝕問(wèn)題。

2、為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用了如下所述的技術(shù)方案：

3、一種用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)包含彩膜基板和陣列基板，所述的彩膜基板的表面設(shè)有防靜電膜，所述的陣列基板的邊緣設(shè)有銀漿pad和金屬地走線，所述的銀漿pad的右側(cè)邊緣與所述的金屬地走線的左側(cè)邊緣相接觸，且所述的銀漿pad與所述的金屬地走線形成電連接，所述的銀漿pad上設(shè)有定位標(biāo)記，所述的銀漿pad上設(shè)有銀漿，所述的銀漿覆蓋所述的防靜電膜的下側(cè)邊緣。

4、作為本實(shí)用新型提供的所述的用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述的銀漿pad的上側(cè)邊緣與所述的彩膜基板的下側(cè)邊緣相接觸。

5、作為本實(shí)用新型提供的所述的用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述的銀漿的右側(cè)邊緣與所述的金屬地走線相距預(yù)設(shè)的隔離距離。

6、作為本實(shí)用新型提供的所述的用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述的銀漿通過(guò)點(diǎn)膠工藝得到。

7、作為本實(shí)用新型提供的所述的用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述的定位標(biāo)記的延展方向與所述的陣列基板的延展方向一致。

8、作為本實(shí)用新型提供的所述的用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述的銀漿pad為ito圖案層。

9、作為本實(shí)用新型提供的所述的用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述的定位標(biāo)記與所述的銀漿pad通過(guò)ito同步沉積并蝕刻而成。

10、作為本實(shí)用新型提供的所述的用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述的定位標(biāo)記呈十字形。

11、作為本實(shí)用新型提供的所述的用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述的定位標(biāo)記呈米字形。

12、作為本實(shí)用新型提供的所述的用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述的定位標(biāo)記的深度大于所述的銀漿pad的厚度的二分之一。

13、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型有以下有益效果：

14、本實(shí)用新型提供一種用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)，在銀漿進(jìn)行點(diǎn)膠時(shí)，將銀漿滴頭對(duì)準(zhǔn)十字形的定位標(biāo)記，銀漿在重力的作用下在銀漿pad區(qū)中蔓延，由于銀漿pad區(qū)的限制，利用銀漿的右側(cè)邊緣與金屬地走線之間的隔離距離d，銀漿不會(huì)蔓延到金屬地走線上，徹底防止銀漿腐蝕鄰近的金屬地走線，防止金屬地走線失效。同時(shí)，由于銀漿pad為ito圖案層，其阻抗要比金屬地走線的阻抗值高出兩個(gè)量級(jí)，避免銀漿離子化而產(chǎn)生的腐蝕問(wèn)題。

15、另外，可以使得該定位標(biāo)記呈米字形。利用米字形的定位標(biāo)記，可以進(jìn)一步方便銀漿滴頭進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，進(jìn)一步提高銀漿滴漿的精度。

16、另外，可以使得該定位標(biāo)記的深度大于該銀漿pad的厚度的二分之一。

17、由于定位標(biāo)記的深度大于銀漿pad的厚度的二分之一，可以有效提高銀漿與銀漿pad的連接強(qiáng)度，進(jìn)一步提高tft模組的可靠性。