1.一種用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)包含彩膜基板（1）和陣列基板（2），所述的彩膜基板（1）的表面設(shè)有防靜電膜（11），所述的陣列基板（2）的邊緣設(shè)有銀漿pad（3）和金屬地走線（5），所述的銀漿pad（3）的右側(cè)邊緣與所述的金屬地走線（5）的左側(cè)邊緣相接觸，且所述的銀漿pad（3）與所述的金屬地走線（5）形成電連接，所述的銀漿pad（3）上設(shè)有定位標(biāo)記（31），所述的銀漿pad（3）上設(shè)有銀漿（4），所述的銀漿（4）覆蓋所述的防靜電膜（11）的下側(cè)邊緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的銀漿pad（3）的上側(cè)邊緣與所述的彩膜基板（1）的下側(cè)邊緣相接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的銀漿（4）的右側(cè)邊緣與所述的金屬地走線（5）相距預(yù)設(shè)的隔離距離（d）。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的銀漿（4）通過點(diǎn)膠工藝得到。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的定位標(biāo)記（31）的延展方向與所述的陣列基板（2）的延展方向一致。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的銀漿pad（3）為ito圖案層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的定位標(biāo)記（31）與所述的銀漿pad（3）通過ito同步沉積并蝕刻而成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的定位標(biāo)記（31）呈十字形。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的定位標(biāo)記（31）呈米字形。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于tft模組的抗腐蝕的銀漿電路pad結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的定位標(biāo)記（31）的深度大于所述的銀漿pad（3）的厚度的二分之一。