一種提高可控硅承受陽(yáng)極電壓上升率的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種提高可控硅承受陽(yáng)極電壓上升率du/dt能力的方法，屬于電力電子與高壓變頻技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和高壓變頻技術(shù)研宄的深入，高壓變頻裝置的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，并且高壓變頻裝置的容量越來(lái)越大，對(duì)應(yīng)用系統(tǒng)的穩(wěn)定性影響越來(lái)越高。
[0003]高壓變頻器中可控硅承受陽(yáng)極電壓上升率du/dt很高，往往容易誤導(dǎo)通，以致出現(xiàn)變頻器故障危及系統(tǒng)運(yùn)行安全。如果能夠提高可控硅承受陽(yáng)極電壓上升率du/dt的能力，使得可控硅不易誤導(dǎo)通，那么對(duì)于系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行是有幫助的。
[0004]可控硅阻斷時(shí)，其陰極和陽(yáng)極之間相當(dāng)于一個(gè)結(jié)電容，當(dāng)突加陽(yáng)極電壓時(shí)會(huì)產(chǎn)生充電電容電流，此電流可能導(dǎo)致可控硅的誤導(dǎo)通。因此對(duì)可控硅承受陽(yáng)極電壓上升率du/dt必須加以限制，一般采用阻容吸收元件并聯(lián)在晶閘管兩端的辦法加以限制，但效果非常有限。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是提供一種能夠有效提高可控硅承受的陽(yáng)極電壓上升率du/dt的能力的方法。
[0006]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是提供了一種提高可控硅承受陽(yáng)極電壓上升率的方法，由主回路電源為可控硅提供陽(yáng)極正向電壓，可控硅的門極與陰極間串接串聯(lián)的觸發(fā)控制電源及開關(guān)一，其特征在于:電源的負(fù)極串接開關(guān)二后與可控硅的門極相連，電源的正極與可控硅的陰極相連，當(dāng)開關(guān)一斷開且開關(guān)二閉合后，由電源給可控硅的門極與陰極之間提供反向電壓偏置，從而即使主回路電源的電壓上升率du/dt過(guò)高，也不會(huì)產(chǎn)生充電電流，使可控娃誤導(dǎo)通。
[0007]本發(fā)明保證了可控硅的門極與陰極之間為負(fù)偏，從而即使主回路電源的電壓上升率du/dt過(guò)高，不會(huì)產(chǎn)生充電電流，使可控硅誤導(dǎo)通，這樣就提高了可控硅承受的陽(yáng)極電壓上升率du/dt的能力。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為本發(fā)明的電原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]為使本發(fā)明更明顯易懂，茲以優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。
[0010]結(jié)合圖1，本發(fā)明提供了一種提高可控硅承受陽(yáng)極電壓上升率的方法，主回路電源的正極接可控硅的陽(yáng)極A，負(fù)極接可控硅的陰極K，給可控硅提供陽(yáng)極正向電壓。需要觸發(fā)可控硅時(shí)，將觸發(fā)控制電源的正極接可控硅的門極G，負(fù)極接I的可控硅的陰極K，經(jīng)開關(guān)一I給可控硅的門極G與陰極K之間提供驅(qū)動(dòng)電流，使可控硅導(dǎo)通。電源經(jīng)開關(guān)二 2給可控硅的門極G與陰極K之間提供反向電壓偏置，其正端接可控硅的陰極K，負(fù)端接可控硅的門極G0
[0011]當(dāng)沒(méi)有電源、開關(guān)二 2時(shí)，通過(guò)觸發(fā)控制電源能夠控制可控硅的導(dǎo)通。但是，即使沒(méi)有觸發(fā)控制電源，當(dāng)主回路電源的電壓上升率du/dt過(guò)高時(shí)，由于結(jié)電容的存在，在可控硅的門極G產(chǎn)生充電電流，使可控硅誤導(dǎo)通。
[0012]當(dāng)加入電源、開關(guān)二 2時(shí)，在沒(méi)有觸發(fā)控制電源時(shí)，斷開開關(guān)一 1，合上開關(guān)二 2，由電源保證可控硅的門極G與陰極K之間為負(fù)偏，從而即使主回路電源的電壓上升率du/dt過(guò)高，也不會(huì)產(chǎn)生充電電流，使可控硅誤導(dǎo)通。這樣就提高了可控硅承受的陽(yáng)極電壓上升率du/dt的能力。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種提高可控硅承受陽(yáng)極電壓上升率的方法，由主回路電源為可控硅提供陽(yáng)極正向電壓，可控硅的門極(G)與陰極⑷間串接串聯(lián)的觸發(fā)控制電源及開關(guān)一(I)，其特征在于:電源的負(fù)極串接開關(guān)二(2)后與可控硅的門極(G)相連，電源的正極與可控硅的陰極(K)相連，當(dāng)開關(guān)一⑴斷開且開關(guān)二⑵閉合后，由電源給可控硅的門極(G)與陰極⑷之間提供反向電壓偏置，從而即使主回路電源的電壓上升率du/dt過(guò)高，也不會(huì)產(chǎn)生充電電流，使可控硅誤導(dǎo)通。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種提高可控硅承受陽(yáng)極電壓上升率的方法，由主回路電源為可控硅提供陽(yáng)極正向電壓，可控硅的門極與陰極間串接串聯(lián)的觸發(fā)控制電源及開關(guān)一，其特征在于：電源的負(fù)極串接開關(guān)二后與可控硅的門極相連，電源的正極與可控硅的陰極相連，當(dāng)開關(guān)一斷開且開關(guān)二閉合后，由電源給可控硅的門極與陰極之間提供反向電壓偏置，從而即使主回路電源的電壓上升率du/dt過(guò)高，也不會(huì)產(chǎn)生充電電流，使可控硅誤導(dǎo)通。本發(fā)明保證了可控硅的門極與陰極之間為負(fù)偏，從而即使主回路電源的電壓上升率du/dt過(guò)高，不會(huì)產(chǎn)生充電電流，使可控硅誤導(dǎo)通，這樣就提高了可控硅承受的陽(yáng)極電壓上升率du/dt的能力。
【IPC分類】H03K17-08, H03K17-567
【公開號(hào)】CN104821810
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510096248
【發(fā)明人】逯乾鵬, 趙莉, 唐小亮, 梁安江
【申請(qǐng)人】上海發(fā)電設(shè)備成套設(shè)計(jì)研究院, 上?？七_(dá)機(jī)電控制有限公司
【公開日】2015年8月5日
【申請(qǐng)日】2015年3月4日