借助于mosfet執(zhí)行信號驅(qū)動(dòng)的裝置和集成電路的制作方法
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路(Integrated Circuits，IC)的性能控制，例如，半導(dǎo)體芯片的多個(gè)輸入/輸出(I/O)端的I/O信號控制以及這些I/O端和一些其內(nèi)部端的諧振控制，更特別地，涉及借助于MOSFET執(zhí)行信號驅(qū)動(dòng)的裝置和集成電路。
【【背景技術(shù)】】
[0002]根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，現(xiàn)有的用于控制存儲器的存儲器控制電路可包括一組端子，例如，一些存儲器輸入/輸出(I/o)端，其中存儲器I/O端可用于在現(xiàn)有的存儲器控制電路和以上提及的存儲器之間發(fā)送或接收存儲器I/o信號。更具體地，現(xiàn)有的存儲器控制電路可包括驅(qū)動(dòng)單元，用于通過一個(gè)存儲器I/o端輸出輸出信號。然而，由于驅(qū)動(dòng)單元的現(xiàn)有設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的問題可在一些情況中出現(xiàn)。例如，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)實(shí)施的驅(qū)動(dòng)單元的操作可以受到驅(qū)動(dòng)單元中的某些部件的特性所牽制。因此，要求一種全新的架構(gòu)用于改進(jìn)IC的性能。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0003]有鑒于此，本發(fā)明特提供以下技術(shù)方案:
[0004]本發(fā)明提供一種借助于MOSFET執(zhí)行信號驅(qū)動(dòng)的裝置。裝置包含PM0SFET，耦合于預(yù)定電壓電平和一端子之間，用于選擇性地驅(qū)動(dòng)信號，其中信號通過端子；NM0SFET，耦合于預(yù)定電壓電平和端子之間，用于選擇性地驅(qū)動(dòng)信號；以及另一 NM0SFET，耦合于另一預(yù)定電壓電平和端子之間，用于選擇性地驅(qū)動(dòng)信號；其中PM0SFET、NM0SFET以及另一 NM0SFET不同時(shí)驅(qū)動(dòng)信號。
[0005]本發(fā)明還提供一種集成電路，包含兩個(gè)導(dǎo)線，用于分別導(dǎo)通預(yù)定電壓電平和另一預(yù)定電壓電平；功能模塊，耦合于兩個(gè)導(dǎo)線，用于執(zhí)行集成電路的多個(gè)功能，其中兩個(gè)導(dǎo)線中的至少一個(gè)導(dǎo)線為功能模塊提供電力；以及至少一個(gè)阻抗部件，耦合于兩個(gè)導(dǎo)線之間，其中至少一個(gè)阻抗的至少一個(gè)部分用于為集成電路執(zhí)行諧振抑制。
[0006]本發(fā)明通過以上方案，可以有效地進(jìn)行諧振抑制。
【【附圖說明】】
[0007]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的借助于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)執(zhí)行信號驅(qū)動(dòng)的裝置的示意圖。
[0008]圖2是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅(qū)動(dòng)的裝置的示意圖。
[0009]圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅(qū)動(dòng)的裝置的示意圖。
[0010]圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅(qū)動(dòng)的裝置的示意圖。
[0011]圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅(qū)動(dòng)的裝置的示意圖。
[0012]圖6是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅(qū)動(dòng)的裝置的示意圖。
[0013]圖7是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅(qū)動(dòng)的裝置的示意圖。
[0014]圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅(qū)動(dòng)的裝置的示意圖。
[0015]圖9是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅(qū)動(dòng)的裝置的示意圖。
[0016]圖10是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅(qū)動(dòng)的裝置的示意圖。
[0017]圖11是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅(qū)動(dòng)的裝置的示意圖。
[0018]圖12是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅(qū)動(dòng)的裝置的示意圖。
[0019]圖13是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅(qū)動(dòng)的裝置的示意圖。
[0020]圖14是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅(qū)動(dòng)的裝置的示意圖。
[0021]圖15是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例借助于MOSFET執(zhí)行信號驅(qū)動(dòng)的裝置的示意圖，其中此裝置包含集成電路(1C)。
[0022]圖16是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的能夠執(zhí)行諧振抑制的裝置的示意圖，其中此裝置包含1C。
[0023]圖17圖示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的系統(tǒng)的頻域阻抗的曲線。
【【具體實(shí)施方式】】
[0024]遍及整篇描述和下文的權(quán)利要求的某些術(shù)語用于指代特定部件。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員意識到的，制造商可用不同的名稱指代部件。此文檔不打算區(qū)別名稱相同但功能不同的部件。在下文的描述和權(quán)利要求中，術(shù)語“包括”和“包含”用于開放樣式，且因此應(yīng)該解釋為意思是“包含，但不限于”。而且，術(shù)語“耦合”意于表示間接或直接電連接。因此，如果一個(gè)裝置耦合到另一裝置，那個(gè)連接可以通過直接電連接，或通過經(jīng)由其它裝置和連接的間接電連接。
[0025]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的借助于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)執(zhí)行信號驅(qū)動(dòng)的裝置100的示意圖。例如，端子!?可以是一組存儲器輸入/輸出(I/O)端中的一個(gè)，其中裝置100可以位于具有此組存儲器I/O端的存儲器控制電路中。此僅僅是用于說明性的目的，且并非作為本發(fā)明的限制。在一些示例中，端子Tra可以是一個(gè)另一類型I/o端，其中裝置100可位于一個(gè)另一類型的電路中。
[0026]如圖1 所示，裝置 100 包含 P 型 MOSFET (PMOSFET) PPU (PMOS pull up)，耦合于預(yù)定電壓電平A和端子(例如，端子Tiq)之間，以及還包括N型MOSFET(NMOSFET)NPU(NM0S pullup)，耦合于預(yù)定電壓電平A和端子(例如，端子Tiq)之間。PMOSFET PTO用于選擇性地驅(qū)動(dòng)信號，其中前述信號通過端子(例如，端子Tm)。此外，NMOSFET NPU用于選擇性地驅(qū)動(dòng)前述信號。此外，裝置100還包括另一 NMOSFET NPD(NMOS pull down)，耦合于另一預(yù)定電壓電平B和端子(例如，端子Tiq)之間，其中另一 NMOSFET NB)用于選擇性地驅(qū)動(dòng)以上提及的信號。請注意，PMOSFET PPU,NMOSFET NPU以及另一 NMOSFET NPD不同時(shí)驅(qū)動(dòng)信號。例如，在端子(例如，端子Tm)是以上提及的此組存儲器1/0端中的一個(gè)的情況中，通過端子(例如，端子1?)的信號可以是一組存儲器1/0信號中的一個(gè)。此僅僅是用于說明性的目的，且并非作為本發(fā)明的限制。
[0027]根據(jù)本實(shí)施例，PMOSFET PPU、NMOSFET NPU以及另一 NMOSFET NPD中的任何M0SFET，例如，每個(gè)PMOSFET PPU、NMOSFET NPU以及另一 NMOSFET NPD可選擇性地驅(qū)動(dòng)信號，以具有多個(gè)邏輯狀態(tài)中的一個(gè)。例如，PMOSFET PPU和NMOSFET NPU用于選擇性地驅(qū)動(dòng)信號，以對應(yīng)于多個(gè)邏輯狀態(tài)的至少一個(gè)邏輯狀態(tài)(例如，一個(gè)或多個(gè)邏輯狀態(tài))，以及另一NMOSFET M3D用于選擇性地驅(qū)動(dòng)信號，以對應(yīng)于多個(gè)邏輯狀態(tài)的另一邏輯狀態(tài)，其中多個(gè)邏輯狀態(tài)中的任何兩個(gè)邏輯狀態(tài)不同時(shí)存在。
[0028]在實(shí)踐中，PMOSFET PI3U用于選擇性地驅(qū)動(dòng)信號，以具有與預(yù)定電壓電平A關(guān)聯(lián)的電壓電平，例如，略低于預(yù)定電壓電平A的電壓電平，且NMOSFET NPU用于選擇性地驅(qū)動(dòng)前述信號，以具有與預(yù)定電壓電平A關(guān)聯(lián)的另一電壓電平，例如，略低于預(yù)定電壓電平A的另一電壓電平，其中另一NMOSFET NB)用于選擇性地驅(qū)動(dòng)前述信號，以具有與另一預(yù)定電壓電平B關(guān)聯(lián)的電壓電平，例如，略高于另一預(yù)定電壓電平B的電壓電平。更具體地，與預(yù)定電壓電平A關(guān)聯(lián)的電壓電平中的任何兩個(gè)電壓電平、與預(yù)定電壓電平A關(guān)聯(lián)的其它的電壓電平以及與另一預(yù)定電壓電平B關(guān)聯(lián)的電壓電平不同于彼此。此僅僅是用于說明性的目的，且并非作為本發(fā)明的限制。
[0029]為了更好地理解，接地電壓電平GND可以作為另一預(yù)定電壓電平B的示例，且高于接地電壓電平GND的預(yù)定電壓電平VDD作為預(yù)定電壓電平A的示例?；陲@示于圖1中的架構(gòu)，PMOSFET PI3U的柵極控制信號IN_PPU可選擇性地導(dǎo)通PMOSFET PPU，NMOSFET NPU的柵極控制信號IN_NPU可選擇性地導(dǎo)通NMOSFET NPU,以及另一 NMOSFET NPD的柵極控制信號IN_NPD可選擇性地導(dǎo)通另一 NMOSFET NPD，其中這些柵極控制信號IN_PPU、IN_NPU以及 IN_NPD 不同時(shí)導(dǎo)通 PMOSFET PPU、NMOSFET NPU 以及另一 NMOSFET NPD。例如，PMOSFETPPU的柵極控制信號IN_PPU可選擇性地導(dǎo)通PMOSFET PPU,以驅(qū)動(dòng)信號具有與預(yù)定電壓電平A關(guān)聯(lián)的電壓電平，例如，略低于預(yù)定電壓電平A的電壓電平(例如，略低于預(yù)定電壓電平VDD的電壓電平)，且更具體地將信號拉高到與預(yù)定電壓電平A關(guān)聯(lián)的電壓電平。在另一示例中，NMOSFET NPU的柵極控制信號IN_NPU可選擇性地導(dǎo)通NMOSFET NPU,以驅(qū)動(dòng)信號具有與預(yù)定電壓電平A關(guān)聯(lián)的其它的電壓電平，例如，略低于預(yù)定電壓電平A的其它的電壓電平(例如，略低于預(yù)定電壓電平VDD的電壓電平)，且更具體地將信號拉高到與預(yù)定電壓電平A關(guān)聯(lián)的其它的電壓電平。在另一示例中，另一 NMOSFET NPD的柵極控制信號IN_NPD可選擇性地導(dǎo)通另一 NMOSFET NPD,以驅(qū)動(dòng)信號具有與另一預(yù)定電壓電平B關(guān)聯(lián)的電壓電平，例如，略高于另一預(yù)定電壓電平B的電壓電平(例如，略高于接地電壓電平GND的電壓電平)，且更具體地將信號拉低到與另一預(yù)定電壓電平B關(guān)聯(lián)的電壓電平。
[0030]由于顯示于圖1中的架構(gòu)可應(yīng)用于各種類型的應(yīng)用，PMOSFET PPU和NMOSFET NPU可選擇性地驅(qū)動(dòng)信號以對應(yīng)于前述多個(gè)邏輯狀態(tài)的至少一個(gè)邏輯狀態(tài)(例如，一個(gè)或多個(gè)邏輯狀態(tài))，其中與預(yù)定電壓電平A關(guān)聯(lián)的電壓電平和與預(yù)定電壓電平A關(guān)聯(lián)的其它的電壓電平一般不同于彼此。例如，在與預(yù)定電壓電平A關(guān)聯(lián)的電壓電平和與預(yù)定電壓電平A關(guān)聯(lián)的其它的電壓電平表示多個(gè)邏輯狀態(tài)中相同的邏輯狀態(tài)的情況中，PMOSFET PPU和NMOSFETNPU可用于選擇性地驅(qū)動(dòng)信號以對應(yīng)于多個(gè)邏輯狀態(tài)中的單個(gè)邏輯狀態(tài)，例如，前述相同的邏輯狀態(tài)。此僅僅是用于說明性的目的，且并非作為本發(fā)明的限制。在一些示例中，在與預(yù)定電壓電平A關(guān)聯(lián)的電壓電平和與預(yù)定電壓電平A關(guān)聯(lián)的其它的電壓電平分別表示多個(gè)邏輯狀態(tài)中的不同邏輯狀態(tài)的情況中，PMOSFET PPU和NMOSFET NPU可用于選擇性地驅(qū)動(dòng)信號，以對應(yīng)于多個(gè)邏輯狀態(tài)中的兩個(gè)邏輯狀態(tài)。S卩，PMOSFET PTO可選擇性地驅(qū)動(dòng)信號，以對應(yīng)于以上提及的兩個(gè)邏輯狀態(tài)中的一個(gè)邏輯狀態(tài)，且NMOSFET NPU可選擇性地驅(qū)動(dòng)信號以對應(yīng)于以上提及的兩個(gè)邏輯狀態(tài)中的另一邏輯狀態(tài)。
[0031]根據(jù)一些本發(fā)明的實(shí)施例，裝置100還可包含至少一個(gè)切換單元(例如，一個(gè)或多個(gè)切換單元，例如一個(gè)或多個(gè)M0SFET)，耦合于預(yù)定電壓電平A和端子(例如，端子Tm)之間，其中前述至少一個(gè)切換單元可用于選擇性地使能驅(qū)動(dòng)路徑，驅(qū)動(dòng)路徑通過PMOSFET PPU和NMOSFET NPU中的M0SFET。例如，這些實(shí)施例的一個(gè)的裝置100可包括切換單元(未示出于圖1)，耦合