的通過特性。如圖18中所例示，在所述接收濾波器的通頻帶90中，第三實施方式的損耗小于第一比較例的損耗。這是因為盡管在第一比較例中，所述頻帶4的接收信號的一部分被泄漏到濾波器24，但是在第三實施方式中，諧振器30能夠抑制所述頻帶4的接收信號到所述濾波器24的泄漏。
[0073]圖19例示了所述頻帶2的發(fā)送濾波器和接收濾波器的通過特性。如圖19中所例示，在接收頻帶的高頻側(cè)的2100MHz周圍的附近92中，第三實施方式的發(fā)送濾波器的衰減特性被提高比第一比較例的發(fā)送濾波器的衰減特性多。這是因為諧振器30抑制了所述頻帶2的接收頻帶周圍的信號到濾波器24(B4Tx)的泄漏。
[0074]圖20例示了所述頻帶2的發(fā)送濾波器和接收濾波器的通頻帶周圍的通過特性。如圖20中所例示，第三實施方式的通過特性與第一比較例的通過特性大致相同。
[0075]以這種方式，當(dāng)設(shè)置諧振器30時，能夠提高濾波器22的通過特性并且能夠提高濾波器24的衰減特性。
[0076]圖21A和圖21B分別例示了指示從第一比較例和第三實施方式的公共端子TO觀看的所述諧振器30的反射特性Sll的史密斯圖。使用標(biāo)記(make1ml例示了所述頻帶4的接收頻帶的2.1lOGHz的低頻端。使用標(biāo)記m2例示了所述頻帶4的接收頻帶的2.155GHz的高頻端。如圖21A中所例示，第一比較例的反射特性Sll的在2.1lOGHz和2.155GHz處的幅值分別為0.691和0.812。相角(phase angle)分別為一 48度和一 39度。如圖21B中所例示，第三實施方式的反射特性Sll的在2.1 1GHz和2.155GHz處的幅值分別為0.858和0.894。相角分別為18度和5度。
[0077]以這種方式，在第三實施方式中，能夠使所述諧振器30的在所述頻帶4的接收頻帶中的反射系數(shù)增大比第一比較例多。這是因為第三實施方式的諧振器30的諧振頻率fr比頻帶4的接收頻帶(即，濾波器22的通頻帶)低。假定所述諧振頻率fr位于頻帶4的接收頻帶中，則諧振器30的在頻帶4的接收頻帶中的反射系數(shù)減小。在第三實施方式中，當(dāng)插設(shè)(insert)諧振器30時，能夠抑制頻帶4的接收信號到濾波器24的泄漏。此外，為了抑制信號泄漏，使用了諧振器30的反射特性。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)其中不使用連接諧振器30和地的路徑的結(jié)構(gòu)。
[0078]在第三實施方式中，如圖12和圖15中所例示，芯片12 (第一芯片)和芯片16 (第三芯片)安裝在基板41 (第一基板)上。芯片14 (第二芯片)和芯片18 (第四芯片)安裝在基板42 (第二基板)上?；?1和基板42安裝在基板44 (第三基板)上。如圖15中所例示，基板44具有連接諧振器30與濾波器24的互連線L2 (第一互連線)。以這種方式，當(dāng)互連線L2設(shè)置在基板44中時，芯片12和芯片14可以安裝在彼此不同的基板41和42上。
[0079]如圖15中所例示，基板41具有連接濾波器26的在公共端子側(cè)的節(jié)點N31和共用的諧振器30的節(jié)點N12的互連線LI (第二互連線)?；?4具有所述互連線LI和將濾波器28的節(jié)點連接到公共端子的互連線(L3至L5)。因此，濾波器24經(jīng)由芯片12和芯片16連接到公共端子T0。此外，濾波器22經(jīng)由芯片16連接到公共端子TO。另一方面，濾波器26和28不經(jīng)由另一芯片連接到公共端子T0。
[0080]在第三實施方式中，接收濾波器22和26安裝在基板41上，并且發(fā)送濾波器24和28安裝在基板42上。接收濾波器22和發(fā)送濾波器28可以安裝在基板41上。接收濾波器26和發(fā)送濾波器24可以安裝在基板42上。以這種方式，可以任意組合在基板上安裝的濾波器，以便實現(xiàn)期望的特性。另外，所述濾波器的數(shù)目可以是5個或更多個。
[0081]本發(fā)明不限于具體描述的實施方式，而是可以在不脫離要求保護的本發(fā)明的范圍的情況下進行其它實施和變型。
【主權(quán)項】
1.一種復(fù)用器，所述復(fù)用器包括: 第一芯片，所述第一芯片具有第一濾波器和諧振器，所述第一濾波器連接在公共端子與第一端子之間，所述諧振器的第一端不經(jīng)由所述第一濾波器連接到所述公共端子；以及 第二芯片，所述第二芯片具有第二濾波器，所述第二濾波器連接在所述諧振器的第二端與第二端子之間并且具有比所述第一濾波器的通頻帶低的通頻帶， 所述諧振器的諧振頻率比所述第二濾波器的所述通頻帶高。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)用器，其中，所述諧振器的所述諧振頻率比所述第一濾波器的所述通頻帶低。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)用器，其中，所述諧振器的所述諧振頻率在所述第一濾波器的所述通頻帶內(nèi)或者低于所述第一濾波器的所述通頻帶。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)用器，其中，所述第一濾波器具有表面聲波諧振器、界面聲波諧振器或洛夫波諧振器，所述表面聲波諧振器、界面聲波諧振器或洛夫波諧振器在不粘附到支承基板的壓電基板上形成。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的復(fù)用器，其中，所述第二濾波器具有壓電薄膜諧振器、表面聲波諧振器、界面聲波諧振器或洛夫波諧振器， 所述表面聲波諧振器、所述界面聲波諧振器和所述洛夫波諧振器在粘附到支承基板的壓電基板上形成。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)用器，其中: 所述第一濾波器是梯形濾波器；并且 所述諧振器比形成所述第一濾波器的諧振器的平均大小大。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)用器，所述復(fù)用器還包括第三芯片，所述第三芯片具有第三濾波器，所述第三濾波器連接在所述公共端子與第三端子之間并且具有與所述第一濾波器和所述第二濾波器的所述通頻帶不同的通頻帶。8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)用器，所述復(fù)用器還包括基板，所述基板具有連接所述諧振器的所述第二端與所述第二濾波器的互連線，所述第一芯片和所述第二芯片安裝在所述基板上。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的復(fù)用器，所述復(fù)用器還包括: 第一基板，所述第一芯片和所述第三芯片安裝在所述第一基板上； 第二基板，所述第二芯片安裝在所述第二基板上；以及 第三基板，所述第一基板和所述第二基板安裝在所述第三基板上， 所述第三基板具有第一互連線，所述第一互連線連接所述諧振器的所述第二端和所述第二濾波器。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的復(fù)用器，其中，所述第一基板具有第二互連線，所述第二互連線將所述第三濾波器的在所述公共端子側(cè)的節(jié)點連接到所述諧振器的在共用的所述諧振器的所述第一端上的節(jié)點。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的復(fù)用器，所述復(fù)用器還包括第四芯片，所述第四芯片具有第四濾波器，所述第四濾波器連接在所述公共端子與第四端子之間并且具有與所述第一濾波器、所述第二濾波器和所述第三濾波器的所述通頻帶不同的通頻帶， 其中: 所述第四芯片安裝在所述第二基板上；并且 所述第三基板具有第三互連線，所述第三互連線將所述第二互連線和所述第四濾波器的在所述公共端子側(cè)的節(jié)點連接到共用的所述公共端子。
【專利摘要】一種復(fù)用器包括：第一芯片，所述第一芯片具有第一濾波器和諧振器，所述第一濾波器連接在公共端子與第一端子之間，所述諧振器的第一端不經(jīng)由所述第一濾波器連接到所述公共端子；以及第二芯片，所述第二芯片具有第二濾波器，所述第二濾波器連接在所述諧振器的第二端與第二端子之間并且具有比所述第一濾波器的通頻帶低的通頻帶，所述諧振器的諧振頻率比所述第二濾波器的所述通頻帶高。
【IPC分類】H03H9/25, H03H9/17
【公開號】CN104980122
【申請?zhí)枴緾N201510165868
【發(fā)明人】川內(nèi)治, 高橋直樹
【申請人】太陽誘電株式會社
【公開日】2015年10月14日
【申請日】2015年4月9日
【公告號】US20150295697