薄型化的電感元件埋入結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]—種元件連接結(jié)構(gòu)，尤其是一種在基座內(nèi)建置以至少兩元件構(gòu)成基本電路的結(jié)構(gòu)的薄型化的電感元件埋入結(jié)構(gòu)，有助于電子裝置內(nèi)的電子電路的規(guī)劃，及提高電子元件于電子電路上的配置密度。
【背景技術(shù)】
[0002]為了因應(yīng)IC制程技術(shù)微小化以及電子資訊產(chǎn)品輕薄短小的趨勢(shì)，安裝于印刷電路板上的電子元件逐漸由插件式元件演進(jìn)成表面粘著式元件(Surface Mount Device ；SMD) ο
[0003]請(qǐng)參閱圖1，為現(xiàn)有SMD電感元件的結(jié)構(gòu)圖。磁芯I具有上端部11、中段部14和下端部12而為I字型，上端部11和下端部12的兩側(cè)邊具有凹槽111和111’、121和121’，且上端部11的表面鄰近凹槽111和111’處形成有凹陷部13。此外，上端部11及凹陷部13的表面涂布有銀(未圖式)而成為鍍銀面。首先，將線圈2繞設(shè)于磁芯I的中段部14，再將線圈2的接線部21、22于凹槽111、111’彎折并容置于凹陷部13，接著再利用焊錫16將接線部21、22固定于前述上段部11的鍍銀面。
[0004]然而上述SMD電感元件的高度雖然比插件式元件低，但手持式電子裝置的厚度越來(lái)越薄，上述SMD電感元件已無(wú)法適用于現(xiàn)有薄型化的手持式電子裝置中；具體而言，圖1的SMD電感元件的高度是以上端部、中段部及下端部的總和，因此SMD電感元件的高度無(wú)法限制于2mm以下。
[0005]此外，圖1的電感元件必須先在于上端部11及凹陷部13上涂布銀，然后利用焊錫16將接線部21、22固定于前述上段部11的鍍銀面，且還必須利用人工方式彎折線圈2的接線部21、22，因此必須透過(guò)人工方式，并經(jīng)由多道工序才能使圖1的電感元件成為能電氣連接于電路板上的狀態(tài)。
[0006]再者，現(xiàn)有繞線式電感元件由于都是把線圈纏繞于磁芯上，因此繞線式電感元件并不具有供真空吸附或夾取的平面結(jié)構(gòu)，因此現(xiàn)有的繞線式電感只能憑借人工焊接方式，把電感元件焊接于電路板上，而無(wú)法藉自動(dòng)化機(jī)械設(shè)備使繞線式電感直接與電路板構(gòu)成電氣連接，因此無(wú)法大量生產(chǎn)，且以人工焊接方式焊接，還有對(duì)位精度易偏差的問(wèn)題。
[0007]尤其線圈2只有磁芯I的中段部14供導(dǎo)線纏繞，而無(wú)法纏繞磁芯I的所有部份，因此線圈2的繞線匝數(shù)會(huì)受限，再者導(dǎo)線開放式的設(shè)置于磁芯上，也造成導(dǎo)致電感量無(wú)法提升，尤其現(xiàn)有的SMD電感元件結(jié)構(gòu)復(fù)雜，不利于量產(chǎn)及降低生產(chǎn)成本。
[0008]請(qǐng)參考中國(guó)臺(tái)灣新型專利公告號(hào)M490096的申請(qǐng)案的極薄型電感結(jié)構(gòu)，此案亦為本申請(qǐng)發(fā)明人先前為降低電感結(jié)構(gòu)厚度所提出的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，雖然線圈能藉由設(shè)置于基座的腔室內(nèi)的技術(shù)手段，而確實(shí)達(dá)成有效降低電感結(jié)構(gòu)厚度及提高電感量的目的，只是電感在電子電路中必須還是藉由與其他電子元件配合，才能發(fā)揮濾波、振蕩、相移或諧振等多種電路作用。
[0009]因此只在基座內(nèi)配置如電感的單一元件，但電感以外的其他元件還是會(huì)占用電路板上配線空間，因此必須進(jìn)一步提供一種能在基座內(nèi)建置以至少兩元件構(gòu)成基本電路的結(jié)構(gòu)，而非只有單一主動(dòng)元件或單一被動(dòng)元件，如此才更有助于電子裝置內(nèi)中電子電路的規(guī)劃，及提高電子元件于電子電路上的配置密度，藉以達(dá)成減少元件結(jié)構(gòu)于電子裝置內(nèi)的占用空間的目的，以適用于越來(lái)越輕薄化但功能越來(lái)越強(qiáng)大的電子裝置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的主要目的在于提供一種結(jié)構(gòu)精簡(jiǎn)且容易制作的元件連接結(jié)構(gòu)，因此大量生產(chǎn)時(shí)，可降低生產(chǎn)成本、提升生產(chǎn)良率與生產(chǎn)效率。
[0011]本發(fā)明的另一目的的在于提供一種薄型化的電感元件埋入結(jié)構(gòu)，以適用于現(xiàn)有薄型化的手持式電子裝置中，減少元件于電子裝置內(nèi)的占用空間，有助于電子裝置內(nèi)中電子電路的規(guī)劃。
[0012]為達(dá)上述目的，本發(fā)明的具體技術(shù)手段包含一基座，該基座的一面上形成有一腔室，該腔室具有一容置空間，且該基座并預(yù)置兩端子，其中該兩端子的頂端各形成一彎折部，該彎折部外露于該基座之外，而該兩端子的底端則各形成一勾部，其中該勾部的一部分位于該基座之內(nèi)，該勾部的另一部分外露于該基座之外，該勾部的外露于該基座之外的另一部分定義為一連接部；一線圈，固定于該腔室中，該線圈的兩端電氣連接于該兩端子的頂端或該彎折部；一電子元件，設(shè)置于該腔室的中，并設(shè)于該線圈的其中一側(cè)上，其中該電子元件與該連接部構(gòu)成電氣連接，其中基座至少具有兩立部，該兩立部各配置有一端子，該兩立部形成于該基座的對(duì)應(yīng)于該線圈的一面上，該基座對(duì)應(yīng)該線圈的另一面為一平面結(jié)構(gòu)。
[0013]本發(fā)明的主要特點(diǎn)在于，透過(guò)該基座所提供的該腔室，因此該基座中得以設(shè)置互為垂直(上下層疊)或平行堆疊(左右并排)的線圈及電子元件，且線圈及電子元件透過(guò)所述端子能夠彼此串聯(lián)或并聯(lián)，因而提供數(shù)種基本電路，比如當(dāng)電子元件為電阻時(shí)，本發(fā)明的薄型化的電感元件埋入結(jié)構(gòu)即變?yōu)殡娮?電感電路；又當(dāng)電子元件為電容時(shí)，本發(fā)明的薄型化的電感元件埋入結(jié)構(gòu)即變?yōu)殡娙?電感電路(Capacitor-1nductor circuit)，因此能供串聯(lián)或并聯(lián)諧振電路使用，也能供濾波電路、相移電路或其他電路使用，因而有利于電子電路的應(yīng)用。
[0014]本發(fā)明的另一特點(diǎn)在于，由于該基座設(shè)置可容置一個(gè)或數(shù)個(gè)元件的該腔室，且在該基座的適當(dāng)處預(yù)設(shè)兩端子，使得本發(fā)明提供的薄型化的電感元件埋入結(jié)構(gòu)得以降低至2mm左右，使元件連接的結(jié)構(gòu)厚度得以變得很小，此外若本發(fā)明使用繞線式線圈，電感量更可輕易超過(guò)100 μΗ以上，因此非常適用于越來(lái)越輕薄化的電子裝置，減少元件于電子裝置內(nèi)的占用空間，有助于電子裝置內(nèi)中電子電路的規(guī)劃。
[0015]本發(fā)明的另一主要特點(diǎn)在于，本發(fā)明提供的薄型化的電感元件埋入結(jié)構(gòu)100結(jié)構(gòu)精簡(jiǎn)，因此易于加工制造，尤其該基座可事先預(yù)置端子33，因此實(shí)際組裝時(shí)，只要將該基座、該線圈與電子元件組立即可，有助于大量生產(chǎn)，同時(shí)降低生產(chǎn)成本并提升生產(chǎn)良率與生產(chǎn)效率。
[0016]尤其，本發(fā)明在基座對(duì)應(yīng)線圈的另一面為平面結(jié)構(gòu)，因此能以真空吸附或夾取被治具或自動(dòng)化機(jī)械設(shè)備移動(dòng)，而能精準(zhǔn)且快速的焊接于電路板上，有助于大量生產(chǎn)及提高對(duì)位精度。
[0017]因此，本發(fā)明的元件連接結(jié)構(gòu)非常適合用在現(xiàn)有薄型化的手持式電子裝置中，減少元件于電路板上的占用面積，以供更多元件布設(shè)于電路板上，提高電子元件于電子電路上的配置密度，使電子裝置內(nèi)中電子電路的規(guī)劃得以更加靈活彈性。
【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1為現(xiàn)有SMD電感元件的結(jié)構(gòu)圖。
[0019]圖2為本發(fā)明薄型化的電感元件埋入結(jié)構(gòu)的第一較佳實(shí)施例的立體分解圖。
[0020]圖3為本發(fā)明薄型化的電感元件埋入結(jié)構(gòu)的端子示意圖。
[0021]圖4為本發(fā)明薄型化的電感元件埋入結(jié)構(gòu)使用工字型線圈的示意圖。
[0022]圖5為本發(fā)明薄型化的電感元件埋入結(jié)構(gòu)的第一較佳實(shí)施例的側(cè)面剖視圖。
[0023]圖6A為本發(fā)明薄型化的電感元件埋入結(jié)構(gòu)的第二較佳實(shí)施例的立體分解圖。
[0024]圖6B為本發(fā)明薄型化的電感元件埋入結(jié)構(gòu)的第三較佳實(shí)施例的立體分解圖。
[0025]圖6C為本發(fā)明薄型化的電感元件埋入結(jié)構(gòu)的第四較佳實(shí)施例的立體分解圖。
[0026]圖7A為本發(fā)明薄型化的電感元件埋入結(jié)構(gòu)的第五較佳實(shí)施例的立體分解圖。
[0027]圖7B為本發(fā)明薄型化的電感元件埋入結(jié)構(gòu)的第六較佳實(shí)施例的立體分解圖。
[0028]圖8為本發(fā)明薄型化的電感元件埋入結(jié)構(gòu)的第七較