高頻模塊的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及具有多個(gè)濾波元件的高頻模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]在具備無線通信功能的移動(dòng)設(shè)備等中，為了僅使希望的頻率的高頻信號(hào)通過，并使該希望的頻率以外的高頻信號(hào)衰減，而設(shè)置有濾波電路。
[0003 ]例如，專利文獻(xiàn)1中記載有具有多個(gè)SAW濾波器(表面聲波)的濾波電路。具體而言，專利文獻(xiàn)1的濾波電路中，在輸入端子與輸出端子之間串聯(lián)連接有多個(gè)SAW濾波器。在對(duì)串聯(lián)連接的各SAW濾波器進(jìn)行連接的連接線與接地之間也分別連接有SAW濾波器。
[0004]專利文獻(xiàn)1所記載的濾波電路中，為了改善通頻帶以外的衰減特性，將電感器或電感器與電容器的串聯(lián)電路(稱為校正電路)與SAW濾波器的串聯(lián)電路并聯(lián)連接。此時(shí)，對(duì)校正電路進(jìn)行調(diào)整，以使得在由SAW濾波器組構(gòu)成的電路部傳輸?shù)耐l帶以外的高頻信號(hào)(抑制目標(biāo)信號(hào))與在校正電路中傳輸?shù)囊种颇繕?biāo)信號(hào)的振幅一致，而相位相反。由此，抑制對(duì)象信號(hào)在由SAW濾波器組構(gòu)成的電路部與校正電路的連接點(diǎn)處相抵消，從而不會(huì)從輸出端子輸出。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本專利特開2012-109818號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0006]然而，在上述結(jié)構(gòu)中，除了由主要具有濾波功能的SAW濾波器組構(gòu)成的電路部之夕卜，僅僅為了改善衰減特性，還必須要設(shè)置由電感器或電感器和電容器的串聯(lián)電路構(gòu)成的校正電路。
[0007]因此，濾波電路的結(jié)構(gòu)要素變多，濾波電路變得大型化，從而不適于要求小型化的當(dāng)前的移動(dòng)終端等。
[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種具備通頻帶以外的衰減特性優(yōu)異的小型濾波電路的高頻模塊。
解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)手段
[0009]本發(fā)明涉及一種高頻模塊，具有以下特征，包括:第1外部連接端子;第2外部連接端子;濾波部，該濾波部連接在第1外部連接端子與第2外部連接端子之間；匹配電路，該匹配電路連接在第1外部連接端子和第2外部連接端子的至少其中之一、與濾波部之間；以及電感器，該電感器連接在接地與濾波部之間。
[0010]濾波部具有連接至第1外部連接端子的第1串聯(lián)連接端子、連接至第2外連接端子的第2串聯(lián)連接端子、以及經(jīng)由電感器來接地的并聯(lián)連接端子。濾波部具有多個(gè)串聯(lián)連接型的濾波元器件，該多個(gè)串聯(lián)連接型的濾波元器件利用多個(gè)連接線而串聯(lián)連接至第1串聯(lián)連接端子和第2串聯(lián)連接端子之間。濾波部包括一端與構(gòu)成所述連接線的第1連接線相連、且另一端與并聯(lián)連接端子相連的第1并聯(lián)連接型濾波元件。濾波部包括一端與構(gòu)成所述連接線的第2連接線相連，另一端與連接有第1并聯(lián)連接型濾波元件的并聯(lián)連接端子相連的第2并聯(lián)連接型濾波元件。電感器與匹配電路電感耦合或電容耦合。
[0011]在該結(jié)構(gòu)中，在由多個(gè)濾波元件傳輸高頻信號(hào)的主傳輸路徑以外，還形成有副傳輸路徑，該副傳輸路徑經(jīng)由由連接在接地和濾波部之間的電感器和匹配電路所產(chǎn)生的電感耦合或電容耦合的路徑。因電感耦合或電容耦合的耦合度的不同，副傳輸路徑具有與主傳輸路徑不同的振幅特性和相位特性，通過調(diào)整副傳輸路徑的振幅特性和相位特性，能夠調(diào)整作為高頻模塊的傳輸特性。由此，即使不另外設(shè)置電感器、電容器，也能夠調(diào)整高頻模塊的傳輸特性，例如能夠改善衰減特性。
[0012]此外，本發(fā)明的高頻模塊優(yōu)選具有下述結(jié)構(gòu)?；ハ嘀g進(jìn)行電感耦合或電容耦合的電感器和匹配電路進(jìn)行電感耦合或者電容耦合，以使得濾波部的通頻帶以外的阻抗發(fā)生變化。
[0013]如上述結(jié)構(gòu)所示，通過適當(dāng)調(diào)整親合方式、親合度，從而能在不改變通頻帶的特性的情況下改變通頻帶以外的特性即衰減特性。
[0014]此外，本發(fā)明的高頻模塊優(yōu)選具有下述結(jié)構(gòu)?；ハ嘀g進(jìn)行電感耦合或電容耦合的電感器和匹配電路進(jìn)行電感耦合或者電容耦合，以使得濾波部的通頻帶以外的衰減極頻率發(fā)生變化。
[0015]在該結(jié)構(gòu)中，調(diào)整衰減極頻率，以作為衰減特性的調(diào)整方式。
[0016]此外，本發(fā)明的高頻模塊中，匹配電路可以是串聯(lián)連接在第1外部連接端子與第1串聯(lián)連接端子之間、或者串聯(lián)連接在第2外部連接端子與第2串聯(lián)連接端子之間的、串聯(lián)連接型匹配電路。
[0017]此外，本發(fā)明的高頻模塊中，匹配電路也可以是連接在將第1外部連接端子與第1串聯(lián)連接端子連接的連接線與接地之間、或者連接在將第2外部連接端子與第2串聯(lián)連接端子連接的連接線與接地之間的、并聯(lián)連接型匹配電路。
[0018]這些結(jié)構(gòu)中，示出了匹配電路的具體連接方式。通過適當(dāng)?shù)貨Q定上述連接方式，能夠恰當(dāng)?shù)剡M(jìn)行濾波部與外部之間的阻抗匹配，并且也能夠恰當(dāng)?shù)剡M(jìn)行上述衰減特性的調(diào)整。
[0019]此外，本發(fā)明的高頻模塊還可以具有下述結(jié)構(gòu)。濾波部包括第3端子和第2濾波部。第2濾波部連接在對(duì)第1串聯(lián)連接端子及連接至該第1串聯(lián)連接端子的濾波元件進(jìn)行連接的連接線、與第3端子之間。
[0020]在該結(jié)構(gòu)中，能夠?qū)崿F(xiàn)將第1串聯(lián)連接端子作為公共端子、將第2串聯(lián)連接端子及第3端子作為獨(dú)立端子的合成分波器(雙工器等)。
[0021]此外，本發(fā)明的高頻模塊還可以具有下述結(jié)構(gòu)。高頻模塊包括:在第1主面形成有構(gòu)成濾波部的IDT電極的平板狀的濾波器基板、隔開間隔與濾波器基板的第1主面相對(duì)的平板狀的保護(hù)層、從第1主面突出且具有貫穿保護(hù)層的形狀的連接電極、以及安裝或形成有匹配電路的層疊基板。濾波器基板配置為第1主面?zhèn)瘸驅(qū)盈B基板的安裝面。濾波器基板經(jīng)由連接電極與層疊基板相連接。
[0022]在該結(jié)構(gòu)中，能通過由WLP(Wafer Level Package:晶圓級(jí)封裝)構(gòu)成的濾波部和層疊基板來實(shí)現(xiàn)高頻模塊。由此，能夠使高頻模塊小型化。
[0023]此外，本發(fā)明的高頻模塊還可以具有下述結(jié)構(gòu)。匹配電路包含安裝在層疊基板的安裝面上的安裝型電路元件。電感器安裝或形成在層疊基板的安裝面或內(nèi)部。安裝型電路元件與電感器靠近配置。
[0024]此外，本發(fā)明的高頻模塊還可以具有下述結(jié)構(gòu)。匹配電路包含安裝在層疊基板的安裝面的安裝型電路元件。電感器形成在保護(hù)層的內(nèi)部。安裝型電路元件與電感器靠近配置。
[0025]上述結(jié)構(gòu)中，示出了匹配電路為安裝型電路元件時(shí)使用WLP的高頻模塊的具體結(jié)構(gòu)例。此外，還示出了電感器的具體結(jié)構(gòu)例。通過該結(jié)構(gòu)，能可靠地實(shí)現(xiàn)匹配電路與電感器的耦合。
[0026]此外，本發(fā)明的高頻模塊還優(yōu)選具有下述結(jié)構(gòu)。匹配電路包括長(zhǎng)方體形狀的框體、以及形成在該框體內(nèi)且俯視時(shí)外周形狀大致呈長(zhǎng)方形的螺旋導(dǎo)體。匹配電路配置成框體的長(zhǎng)邊靠近電感器。
[0027]在該結(jié)構(gòu)中，能夠容易地進(jìn)行匹配電路與電感器的耦合，向所希望的耦合量的調(diào)整也變得容易。
[0028]此外，本發(fā)明的高頻模塊還可以具有下述結(jié)構(gòu)。高頻模塊包括在第1主面形成有構(gòu)成濾波部的IDT電極的平板狀的濾波器基板、以及配置在濾波器基板的第1主面?zhèn)惹页势桨鍫畹臑V波器安裝用基板，其中，該濾波器基板的第1主面?zhèn)劝惭b于該濾波器安裝用基板。匹配電路安裝或形成于濾波器安裝用基板的安裝面。
[0029]在該結(jié)構(gòu)中，示出利用CSP(ChipSize Package:芯片尺寸封裝)來實(shí)現(xiàn)高頻模塊的情況。
[0030]此外，所述匹配電路可以是與天線并聯(lián)連接的匹配用電感器，所述匹配用電感器以及所述電感器可以形成在所述層疊基板的內(nèi)部，且相互靠近。
[0031]若采用該結(jié)構(gòu)，則由于與天線并聯(lián)連接的匹配用電感器與電感器靠近，因此能產(chǎn)生更高的電感耦合。
[0032]此外，所述匹配用電感器和所述電感器可以是分別形成在所述層疊基板的彼此不同的層上的線狀電極，構(gòu)成所述匹配用電感器的線狀電極具有從所述層疊基板的層疊方向觀察時(shí)與構(gòu)成所述電感器的線狀電極重疊的部分，構(gòu)成所述匹配用電感器的線狀電極與構(gòu)成所述電感器的線狀電極在所述重疊的部分上高頻信號(hào)的傳輸方向相反。
[0033]若利用這種結(jié)構(gòu)來使匹配用電感器與電感器電感耦合，則電感器的有效電感值變高。由此，能縮短電感器的線狀電極的長(zhǎng)度，能實(shí)現(xiàn)高頻模塊的小型化。
發(fā)明效果
[0034]根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)具備具有優(yōu)異的通頻帶以外的衰減特性的小型濾波電路的高頻模塊。
【附圖說明】
[0035]圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的高頻模塊的第1電路例的電路框圖。
圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的高頻模塊的第2電路例的電路框圖。
圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的高頻模塊的第3電路例的電路框圖。 圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的高頻模塊的第4電路例的電路框圖。
圖5是表示圖1至圖4所示的高頻模塊的匹配電路的具體例的電路圖。
圖6是表示使匹配電路與電感器的電感耦合的耦合度變化時(shí)的高頻模塊的通過特性的變化的曲線圖。
圖7是由雙工器結(jié)構(gòu)構(gòu)成的高頻模塊的等效電路圖。
圖8是表示使匹配電路與電感器的電感耦合的耦合度變化時(shí)的高頻模塊的第2外部連接端子與第3外部連接端子之間的隔離度的變化的曲線圖。
圖9是表示高頻模塊的第1結(jié)構(gòu)的主要結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖。
圖10是表示高頻模塊的第1結(jié)構(gòu)的變形例的主要結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖。
圖11是表示高頻模塊的第2結(jié)構(gòu)的主要結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
圖12是表示高頻模塊的第3結(jié)構(gòu)的主要結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖。
圖13是表示高頻模塊的第4結(jié)構(gòu)的主要結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖。
圖14是表示高頻模塊的第4結(jié)構(gòu)的主要結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的高頻模塊進(jìn)行說明。圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的高頻模塊的第1電路例的電路框圖。圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的高頻模塊的第2電路例的電路框圖。圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的高頻模塊的第3電路例的電路框圖。圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的高頻模塊的第4電路例的電路框圖。另外，圖1?圖4中，為便于觀察附圖，示出了電感耦合或電容耦合的代表例。圖5(A)、圖5(B)、圖5(C)、圖5(D)是表示第1外部連接端子側(cè)的匹配電路的具體例的電路圖。圖5(E)、圖5(F)、圖5(G)、圖5(H)是表示第2外部連接端子側(cè)的匹配電路的具體例的電路圖。
[0037]首先，對(duì)圖1至圖4所分別示出的高頻模塊11、12、13、14中共通的電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0038]高頻模塊11、12、13、14具有第1外部連接端子P1、第2外部連接端子P2、以及濾波部20。濾波部20連接在第1外部連接端子P1與第2外部連接端子P2之間。
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