高頻模塊元器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及包括分配合成器的高頻模塊元器件。
【背景技術(shù)】
[0002]在無線通信裝置等中會使用具備分配合成器的高頻模塊元器件。作為這種高頻模塊元器件，例如有專利文獻1所記載的高頻模塊元器件。專利文獻1所記載的高頻模塊元器件包括基板、分配合成器以及屏蔽殼。分配合成器安裝在基板上。屏蔽殼配置在基板上，以將安裝在基板上的元器件覆蓋。屏蔽殼為了將來自外部的噪聲切斷、或防止從高頻模塊元器件內(nèi)輸出的噪聲泄漏到外部而設置。
現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻
[0003]專利文獻1:日本專利特開2003-249868號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0004]在將屏蔽殼和分配合成器配置在相互接近的位置的情況下，屏蔽殼與分配合成器的外部電極之間可能會產(chǎn)生寄生電容。該情況下，分配合成器的濾波特性可能會劣化。為此，在專利文獻1所記載的高頻模塊元器件中，將分配合成器配置在距離屏蔽殼規(guī)定距離的位置。
[0005]然而，該情況下，由于連接分配合成器與高頻模塊元器件的外部輸出電極的布線圖案會變長，因此布線圖案中的傳輸損耗變大。此外，由于在屏蔽殼與分配合成器之間需要空間，因此高頻模塊元器件的尺寸會變大。
[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種即使將分配合成器配置在靠近屏蔽殼的位置，分配合成器的濾波特性也不會變差的高頻模塊元器件。
解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)手段
[0007](1)本發(fā)明的高頻模塊元器件包括分配合成器以及屏蔽殼。分配合成器由多個絕緣層和電極圖案層疊而成且具備第一到第四側(cè)面的層疊體形成，在底面形成有公共輸入輸出電極、獨立輸入輸出電極以及外部接地電極。分配合成器配置在屏蔽殼的內(nèi)部。第一側(cè)面與第二側(cè)面相對。公共輸入輸出電極配置在底面上的第一側(cè)面?zhèn)鹊倪吘?。獨立輸入輸出電極配置在底面上的第二側(cè)面?zhèn)鹊倪吘?。第三?cè)面或第四側(cè)面最靠近屏蔽殼的側(cè)面并與其相對。
[0008]該結(jié)構(gòu)下，不會在屏蔽殼與公共輸入輸出電極以及獨立輸入輸出電極之間產(chǎn)生寄生電容。因此，即使將分配合成器靠近屏蔽殼，分配合成器的濾波特性也幾乎不會劣化。并且，由于能使分配合成器靠近屏蔽殼，因此分配合成器與屏蔽殼之間不需要空間。因此，能實現(xiàn)高頻模塊元器件的小型化。
[0009](2)本發(fā)明的高頻模塊元器件優(yōu)選具有以下特征。獨立輸入輸出電極具有低頻帶用輸入輸出電極以及高頻帶用輸入輸出電極。低頻帶用輸入輸出電極配置在第三側(cè)面?zhèn)取８哳l帶用輸入輸出電極配置在第四側(cè)面?zhèn)?。分配合成器具有形成在層疊體內(nèi)部的低頻帶用濾波器電路和高頻帶用濾波器電路。低頻帶用濾波器電路配置在第三側(cè)面?zhèn)?，連接在公共輸入輸出電極和低頻帶用輸入輸出電極之間。高頻帶用濾波器電路配置在第四側(cè)面?zhèn)?，連接在公共輸入輸出電極和高頻帶用輸入輸出電極之間。第三側(cè)面最靠近屏蔽殼的側(cè)面并與其相對。
[0010]該結(jié)構(gòu)下，在構(gòu)成低頻帶用濾波器電路的電極圖案與屏蔽殼之間產(chǎn)生寄生電容。另一方面，構(gòu)成低頻帶用濾波器電路的電容器和電感器的元件值比構(gòu)成高頻帶用濾波器電路的電容器和電感值的元件值大。因此，低頻帶用濾波器電路因寄生電容受到的影響比高頻帶用濾波器電路的情況要小。因此，該結(jié)構(gòu)下，與第四側(cè)面最靠近屏蔽殼的側(cè)面并與其相對的情況相比，分配合成器的濾波特性不會變差。
[0011](3)本發(fā)明的高頻模塊元器件優(yōu)選具有以下特征。高頻模塊元器件包括安裝有分配合成器的矩形平板狀的基板。屏蔽殼的側(cè)面沿著基板的邊緣配置。分配合成器配置在基板的四個角部中的任一個角部。第一側(cè)面與第二側(cè)面相比更靠近屏蔽殼的側(cè)面并與其相對。
[0012]該結(jié)構(gòu)下，由于公共輸入輸出電極與形成于基板邊緣的外部輸出電極之間的布線圖案變短，因此能減少該布線圖案中的傳輸損耗。此外，能利用在公共輸入輸出電極與屏蔽殼之間產(chǎn)生的寄生電容來設計匹配電路。
[0013](4)優(yōu)選公共輸入輸出電極從所述底面延伸到第一側(cè)面，外部接地電極從所述底面延伸到第一至第四側(cè)面中的任一個。
[0014]該結(jié)構(gòu)下，在將分配合成器靠近屏蔽殼時，分配合成器的濾波特性也幾乎不會劣化。
[0015](5)優(yōu)選第一側(cè)面與屏蔽殼的側(cè)面隔開200 μπι以上而相對。
[0016]該結(jié)構(gòu)下，能進一步抑制使分配合成器靠近屏蔽殼時分配合成器的濾波特性的劣化。
[0017](6)優(yōu)選包括填充在分配合成器與屏蔽殼之間的樹脂，屏蔽殼由金屬構(gòu)成。
[0018]在相對電極之間充滿樹脂的情況下，與在相對電極之間充滿空氣的情況相比，在相對電極之間產(chǎn)生的靜電電容變大。因此，該結(jié)構(gòu)下，本發(fā)明的效果較為顯著。
發(fā)明效果
[0019]根據(jù)本發(fā)明，即使將分配合成器配置在靠近屏蔽殼的位置，分配合成器的濾波特性也不會變差。
【附圖說明】
[0020]圖1是表示高頻模塊元器件10的主要部分的側(cè)面剖視圖。
圖2是分配合成器20的等效電路圖。
圖3(A)是分配合成器20的外觀立體圖。圖3(B)是分配合成器20的仰視圖。
圖4是分配合成器20的分解立體圖。
圖5(A)是表示高頻模塊元器件10的主要部分的平面剖視圖。圖5(B)是表示高頻模塊元器件40的主要部分的平面剖視圖。 圖6(A)是表示高頻模塊元器件50的主要部分的平面剖視圖。圖6(B)是表示高頻模塊元器件51的主要部分的平面剖視圖。
圖7是表示高頻模塊元器件50的分配合成器20的反射特性的圖。
圖8是表示高頻模塊元器件51的分配合成器20的反射特性的圖。
圖9是表示高頻模塊元器件10的分配合成器20的反射特性的圖。
圖10是表示高頻模塊元器件40的分配合成器20的反射特性的圖。
圖11是表示高頻帶用輸入輸出端子P3的反射特性的絕對值的圖。
圖12(A)是用于對分配合成器20與屏蔽殼12之間產(chǎn)生的寄生電容進行說明的示意圖。圖12(B)是用于對分配合成器20與屏蔽殼12之間產(chǎn)生的寄生電容進行說明的等效電路圖。
圖13是用于對分配合成器20與屏蔽殼12之間產(chǎn)生的寄生電容進行說明的示意圖。
圖14是表示通過低通濾波器LPF1得到的二次諧波的衰減量的絕對值的圖。
圖15是表示高頻帶用輸入輸出端子P3的反射特性的絕對值的圖。
圖16(A)是表示高頻模塊元器件60的主要部分的平面剖視圖。圖16(B)是表示高頻模塊元器件70的主要部分的平面剖視圖。
圖17是表示高頻模塊元器件80的主要部分的側(cè)面剖視圖。
【具體實施方式】
[0021]《實施方式1》
對本發(fā)明的實施方式1所涉及的高頻模塊元器件10進行說明。高頻模塊元器件10例如用在無線通信裝置等中。圖1是表示高頻模塊元器件10的主要部分的側(cè)面剖視圖。高頻模塊元器件 10包括基板 11、屏蔽殼 12、RFIC(Rad1 Frequency Integrated Circuit:射頻集成電路)13、高頻元器件14、外部輸出電極15a、15b、以及分配合成器20。高頻元器件14例如是開關(guān)1C、功率放大器、低噪聲放大器、濾波器等。
[0022]在大致矩形平板的基板11的第一主面安裝有RFIC13、高頻元器件14、以及分配合成器20。分配合成器20配置在基板11的邊緣。屏蔽殼12是蓋狀的金屬，由框狀的側(cè)面部121以及大致矩形平板狀的底面部122構(gòu)成。屏蔽殼12將來自外部的噪聲切斷，并抑制從安裝在基板11上的元器件輸出的噪聲泄漏到外部。通過將屏蔽殼12的側(cè)面部121沿著基板11的邊緣配置，使得基板11以及屏蔽殼12構(gòu)成殼體。RFIC13、高頻元器件14、分配合成器20配置在該殼體的內(nèi)部。分配合成器20與屏蔽殼