混合液、遠紅外發(fā)射膜層及其制造方法、電加熱盤和烹飪器具的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種混合液、遠紅外發(fā)射膜層及其制造方法、電加熱盤和烹飪器具。所述混合液包括四氯化錫、四氯化鎳、氧化鐵、四氯化鈦、氯化鈉、二氧化錫、鹽酸、丙三醇和離子水。本發(fā)明提供的混合液，其在高溫450～600度絕緣基體表面制成的遠紅外發(fā)射膜層與電熱膜層配合使用可將輻射熱能轉(zhuǎn)換成遠紅外熱能輻射，實現(xiàn)溫度的迅速提高，可降低排潮損失的溫度、增強被加熱能吸收的速度、減少熱能損失，從而有效提高輻射熱傳導(dǎo)效率，達到節(jié)能的目的，并使其更好地滿足于國家對于產(chǎn)品節(jié)能的要求。
【專利說明】
混合液、遠紅外發(fā)射膜層及其制造方法、電加熱盤和烹飪器具
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及家電領(lǐng)域，更具體而言，涉及一種混合液、一種遠紅外發(fā)射膜層的制造方法、一種遠紅外發(fā)射膜層、一種電加熱盤和一種烹飪器具。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，國內(nèi)外電熱電器產(chǎn)品(如電磁爐、電飯煲等烹飪器具)基本上都是采用傳統(tǒng)的電烙絲加熱技術(shù)和電磁加熱技術(shù)，然而，該技術(shù)的電-熱轉(zhuǎn)換能效比較低，不能完全滿足國家節(jié)能環(huán)保要求，造成了大量的能源浪費。
[0003]因此，如何提高電熱電器產(chǎn)品的電-熱轉(zhuǎn)換能效比來提高能源的利用率，使其更好地滿足于國家節(jié)能環(huán)保的要求是本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)前亟需解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。
[0005]為此，本發(fā)明提供了一種混合液，采用該混合液制成的遠紅外發(fā)射膜層與電熱膜層配合使用可提高電-熱轉(zhuǎn)換能效比，實現(xiàn)了節(jié)能的目的，更好地符合國家對于產(chǎn)品節(jié)能的要求，其實用性顯著。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第一個方面的實施例提供了一種混合液，用于制備遠紅外發(fā)射膜層，包括四氯化錫、四氯化鎳、氧化鐵、四氯化鈦、氯化鈉、二氧化錫、鹽酸、丙三醇和離子水。
[0007]本發(fā)明提供的混合液，其制成的遠紅外發(fā)射膜層與電熱膜層配合使用可將輻射熱能轉(zhuǎn)換成遠紅外輻射熱能，實現(xiàn)溫度的迅速提高，可降低排潮損失的溫度、增強被加熱能吸收的速度、減少熱能損失，從而有效提高輻射熱傳導(dǎo)效率，達到節(jié)能的目的，并使其更好地滿足于國家對于產(chǎn)品節(jié)能的要求。
[0008]另外，本發(fā)明上述實施例提供的遠紅外發(fā)射膜層的制造方法還具有如下附加的技術(shù)特征:
[0009]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述四氯化錫、所述四氯化鎳、所述氧化鐵、所述四氯化鈦、所述氯化鈉、所述二氧化錫、所述鹽酸、所述丙三醇和所述離子水的質(zhì)量比為10?30:3?10:10?18:5?8:2?6:10?18:6?12:6?18:20?45，可以更好地提高制成的遠紅外發(fā)射膜層的光譜發(fā)射率和熱輻射效率，其實用性更好。
[0010]本發(fā)明第二方面的實施例提供了一種遠紅外發(fā)射膜層的制造方法，采用包含四氯化錫、四氯化鎳、氧化鐵、四氯化鈦、氯化鈉、二氧化錫、鹽酸、丙三醇和離子水的混合液噴涂、沉積或蒸鍍在絕緣基體的表面制成遠紅外發(fā)射膜層，而后使所述遠紅外發(fā)射膜層和絕緣基體再經(jīng)退火成膜工藝處理來制成所述遠紅外發(fā)射膜層。
[0011]本發(fā)明提供的遠紅外發(fā)射膜層的制造方法簡單、操作方便，制成的遠紅外發(fā)射膜層與電熱膜層配合使用可將輻射熱能轉(zhuǎn)換成遠紅外熱能，實現(xiàn)溫度的迅速提高，可降低排潮損失的溫度、增強被加熱能吸收的速度、減少熱能損失，從而有效提高輻射熱傳導(dǎo)效率，達到節(jié)能的目的，并使其更好地滿足于國家對于產(chǎn)品節(jié)能的要求。
[0012]另外，本發(fā)明上述實施例提供的遠紅外發(fā)射膜層的制造方法還具有如下附加的技術(shù)特征:
[0013]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述四氯化錫、所述四氯化鎳、所述氧化鐵、所述四氯化鈦、所述氯化鈉、所述二氧化錫、所述鹽酸、所述丙三醇和所述離子水的質(zhì)量比為10?30:3?10:10?18:5?8:2?6:10?18:6?12:6?18:20?45，可以提高遠紅外發(fā)射膜層的光譜發(fā)射率和熱輻射效率，其實用性更好。
[0014]且采用該參數(shù)制備的遠紅外發(fā)射膜層與電熱膜層配合使用，其光譜發(fā)射率和熱輻射效率好，熱利用率高，其熱利用率最高可達到96%以上
[0015]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，在制成的所述遠紅外發(fā)射膜層的兩端噴涂氧化銀的電極膜，而后使噴涂有所述電極膜的所述遠紅外發(fā)射膜層和高溫絕緣基體經(jīng)退火成膜工藝處理來使所述遠紅外發(fā)射膜層附設(shè)在所述絕緣基體上；可通過該電極膜與供電源之間進行電連接，其電性能的傳輸、轉(zhuǎn)換等則可更穩(wěn)定。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述四氯化錫、所述四氯化鎳、所述氧化鐵、所述四氯化鈦、所述氯化鈉、所述二氧化錫、所述鹽酸、所述丙三醇和所述離子水經(jīng)混合、攪拌、加熱處理制成所述混合液，使其均勻相混合，這樣可以提升制成的遠紅外發(fā)射膜層的性能。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，采用PVD技術(shù)將所述混合液沉積在絕緣基體的表面，制成的遠紅外發(fā)射膜層的沉積質(zhì)量更好，性能更穩(wěn)定。
[0018]PVD(Physical Vapor Deposit1n)指利用物理過程實現(xiàn)原子或分子由源轉(zhuǎn)移到基材表面上的過程。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述退火成膜工藝的處理溫度為450?600度，所述退火成膜工藝的處理時間為15?25min ;采用上述參數(shù)制成的遠紅外發(fā)射膜層的穩(wěn)定性和電性能好、熱利用率尚。
[0020]本發(fā)明第三方面的實施例提供了一種遠紅外發(fā)射膜層，所述遠紅外發(fā)射膜層采用上述任一實施例所述的遠紅外發(fā)射膜層的制造方法制成。
[0021]本發(fā)明提供的遠紅外發(fā)射膜層與電熱膜層配合使用，可將輻射熱能轉(zhuǎn)換成遠紅外熱能，實現(xiàn)溫度的迅速提高，并降低排潮損失的溫度、增強被加熱能吸收的速度、減少熱能損失，從而有效提高輻射熱傳導(dǎo)效率，達到節(jié)能的目的，并使其更好地滿足于國家對于產(chǎn)品節(jié)能的要求，其制成的烹飪器具實用性更顯著。
[0022]本發(fā)明第四方面的實施例提供了一種電加熱盤，包括:盤體；和熱膜層，附設(shè)在所述盤體上；其中，所述熱膜層包括電熱膜層和上述實施例所述的遠紅外發(fā)射膜層。
[0023]本發(fā)明提供的電加熱盤，熱膜層在使用過程中將輻射熱能轉(zhuǎn)換成遠紅外熱能，實現(xiàn)鍋具溫度的迅速提高，并降低排潮損失的溫度、增強被加熱能吸收的速度、減少熱能損失，從而有效提高輻射熱傳導(dǎo)效率，其熱效率可以達到96%以上，達到了節(jié)能的目的，同時滿足國家對于產(chǎn)品節(jié)能的要求，其制成的烹飪器具實用性更顯著。
[0024]另外，本發(fā)明上述實施例提供的電加熱盤還具有如下附加的技術(shù)特征:
[0025]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述盤體包括:上盤體，所述電熱膜層附設(shè)在所述上盤體的下盤面上，所述遠紅外發(fā)射膜層附設(shè)在所述電熱膜層的下膜面上；和下盤體，位于所述上盤體的下方、并與所述上盤體相組裝；以更好地利用熱能，快速加熱放置于下盤體上盤面上的鍋體。
[0026]當(dāng)然，熱膜層也可附設(shè)在上盤體的上盤面上，或者是附設(shè)在下盤體的上盤面或下盤面上等；均可實現(xiàn)本申請的目的，其宗旨未脫離本發(fā)明的設(shè)計思想，在此不再贅述，但應(yīng)屬于本申請的保護范圍內(nèi)。
[0027]遠紅外發(fā)射膜層也可附設(shè)在上盤體的下盤面上，電熱膜層附設(shè)在遠紅外發(fā)射膜層的下層面上；也可實現(xiàn)本申請的目的，其宗旨未脫離本發(fā)明的設(shè)計思想，在此不再贅述，但應(yīng)屬于本申請的保護范圍內(nèi)。
[0028]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述電加熱盤還包括:電極膜；和電極，安裝在所述下盤體的上盤面，且所述電極的上端與所述電極膜相電連接、下端穿過所述下盤體而向下伸出而與供電源相連接，通過所述供電源來向所述電熱膜層供電；也可以是通過所述供電源來向所述電熱膜層和所述遠紅外發(fā)射膜層供電。
[0029]當(dāng)然，也可將電極膜替換成電源線等導(dǎo)電體，也可實現(xiàn)本申請的目的，在此不再贅述，但應(yīng)屬于本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
[0030]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述下盤體的上盤面上具有階梯孔，所述電極的下端穿過所述階梯孔而向下伸出，所述電極的上端支撐在所述階梯孔的階梯面上；其中，所述電極的上端與所述階梯孔的階梯面之間設(shè)置有彈簧，所述彈簧支撐所述電極的上端、以使其壓緊在所述電極膜上，避免電極與電極膜之間出現(xiàn)虛接觸的問題，其實電連接性能更好。
[0031]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述熱膜層呈環(huán)形狀，所述電極膜、所述電極和所述階梯孔均包括對稱設(shè)置的兩個，且兩個所述電極膜的內(nèi)端位于所述熱膜層的內(nèi)邊處、外端位于所述熱膜層的外邊處，兩所述電極的上端面對應(yīng)壓緊在兩所述電極膜的外邊處，兩所述電極的上端面對應(yīng)壓緊在兩所述電極膜的外邊處，以利用整個電熱膜層來通電工作，實現(xiàn)其最大化利用。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述上盤體為玻璃載體，所述下盤體為陶瓷載體。
[0033]也可以是:所述下盤體為玻璃載體，所述上盤體為陶瓷載體；也可實現(xiàn)本申請的目的。
[0034]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，兩所述電極膜通過掩膜濺射工藝制成，且其厚度均為3?10 μπι ;所述熱膜層按內(nèi)邊處0.5um厚度到外邊處1.5um厚度的一次函數(shù)變化規(guī)律進行噴涂，且每平方厘米的噴涂功率為3?5瓦，以免影響加熱面溫度不均衡的問題。
[0035]且合金薄膜的電極膜與電極的上端面的連接處，總電流及所能承受的工作電流密度應(yīng)大于或等于電熱膜層總功率的3.0倍以上；階梯面以上的電極上部的厚度為1.0毫米，在通過彈簧彈力作用下，使彈簧頂起電極與電極膜的緊密接觸，實現(xiàn)電極與電極膜的接觸連接，電極的下端再與供電源緊密連接在一起，這樣就可提高(納米遠紅外)電加熱盤電源連接的安全性、穩(wěn)定性和可靠性問題。
[0036]該條件下制備的電熱膜層的電阻率達4X10 4Ω.cm，可見光透過率高于90%，功率密度平均可達32W/cm2，保證了遠紅外電熱盤功率穩(wěn)定性和可靠性。
[0037]其中，本申請的電加熱盤為納米遠紅外式的電加熱盤，S卩:電熱膜層為納米遠紅外式的電熱膜層。
[0038]本發(fā)明第五方面的實施例提供了一種烹飪器具，包括有上述任一實施例所述的電加熱盤。
[0039]其中，所述烹飪器具包括電磁爐、電飯煲和電壓力鍋等，且所述烹飪器具具備上述任一實施例的全部優(yōu)點，在此不再贅述。
[0040]本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述部分中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。
【附圖說明】
[0041]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從結(jié)合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0042]圖1是本發(fā)明一個實施例所述的電加熱盤的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖2是圖1所示的電加熱盤的部分分解結(jié)構(gòu)示意圖，其中，電熱膜層附設(shè)在上盤體的下盤面上。
[0044]其中，圖1和圖2中附圖標(biāo)記與部件名稱之間的對應(yīng)關(guān)系為:
[0045]I遠紅外發(fā)射膜層，2上盤體，3下盤體，4電極膜，5電極，6階梯孔，7彈簧。
【具體實施方式】
[0046]為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明進行進一步的詳細描述。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0047]在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的方式來實施，因此，本發(fā)明的保護范圍并不受下面公開的具體實施例的限制。
[0048]本發(fā)明第一個方面的實施例提供了一種混合液，用于制備遠紅外發(fā)射膜層，包括四氯化錫、四氯化鎳、氧化鐵、四氯化鈦、氯化鈉、二氧化錫、鹽酸、丙三醇和離子水。
[0049]本發(fā)明提供的混合液，其制成的遠紅外發(fā)射膜層與電熱膜層配合使用可將輻射熱能轉(zhuǎn)換成遠紅外熱能，實現(xiàn)溫度的迅速提高，可降低排潮損失的溫度、增強被加熱能吸收的速度、減少熱能損失，從而有效提高輻射熱傳導(dǎo)效率，達到節(jié)能的目的，并使其更好地滿足于國家對于產(chǎn)品節(jié)能的要求。
[0050]另外，本發(fā)明上述實施例提供的遠紅外發(fā)射膜層的制造方法還具有如下附加的技術(shù)特征:
[0051]本發(fā)明的一個實施例中，所述四氯化錫、所述四氯化鎳、所述氧化鐵、所述四氯化鈦、所述氯化鈉、所述二氧化錫、所述鹽酸、所述丙三醇和所述離子水的質(zhì)量比為10?30:3?10:10?18:5?8:2?6:10?18:6?12:6?18:20?45，可以更好地提高制成的遠紅外發(fā)射膜層的光譜發(fā)射率和熱輻射效率，其實用性更好。
[0052]本發(fā)明的第一個具體實施例中，所述四氯化錫、所述四氯化鎳、所述氧化鐵、所述四氯化鈦、所述氯化鈉、所述二氧化錫、所述鹽酸、所述丙三醇和所述離子水的質(zhì)量比為10:3:10:5:2:10:6:6:20。
[0053]本發(fā)明的第二個具體實施例中，所述四氯化錫、所述四氯化鎳、所述氧化鐵、所述四氯化鈦、所述氯化鈉、所述二氧化錫、所述鹽酸、所述丙三醇和所述離子水的質(zhì)量比為30:10:18:8:6:18:12:18:45ο
[0054]本發(fā)明的第三個具體實施例中，所述四氯化錫、所述四氯化鎳、所述氧化鐵、所述四氯化鈦、所述氯化鈉、所述二氧化錫、所述鹽酸、所述丙三醇和所述離子水的質(zhì)量比為20:7:14:6:4:14:9:12:32ο
[0055]上述三個實施例制備成的遠紅外發(fā)射膜層與電熱膜層配合使用，均可將輻射熱能轉(zhuǎn)換成遠紅外熱能，實現(xiàn)溫度的迅速提高，可降低排潮損失的溫度、增強被加熱能吸收的速度、減少熱能損失，從而有效提高輻射熱傳導(dǎo)效率，達到節(jié)能的目的，其能效利用率高達90%以上，甚至高達96%以上。
[0056]本發(fā)明第二方面的實施例提供了一種遠紅外發(fā)射膜層的制造方法，采用包含四氯化錫、四氯化鎳、氧化鐵、四氯化鈦、氯化鈉、二氧化錫、鹽酸、丙三醇和離子水的混合液噴涂、沉積或蒸鍍在絕緣基體的表面制成遠紅外發(fā)射膜層，而后使所述遠紅外發(fā)射膜層和所述絕緣基體再經(jīng)退火成膜工藝處理來使所述遠紅外發(fā)射膜層附設(shè)在所述絕緣基體上。
[0057]本發(fā)明提供的遠紅外發(fā)射膜層的制造方法簡單、操作方便，制成的遠紅外發(fā)射膜層與電熱膜層配合使用可將輻射熱能轉(zhuǎn)換成遠紅外熱能，實現(xiàn)溫度的迅速提高，可降低排潮損失的溫度、增強被加熱能吸收的速度、減少熱能損失，從而有效提高輻射熱傳導(dǎo)效率，達到節(jié)能的目的，并使其更好地滿足于國家對于產(chǎn)品節(jié)能的要求。
[0058]采用此方法制成的遠紅外發(fā)射膜層，在與電熱膜層配合使用時，其整體阻抗隨溫度的升高而膜阻降低，能夠有效提高遠紅外發(fā)射膜層和電熱膜層膜阻的穩(wěn)定性，從而解決該遠紅外電熱膜層和電熱膜層功率穩(wěn)定性問題。
[0059]另外，本發(fā)明上述實施例提供的遠紅外發(fā)射膜層的制造方法還具有如下附加的技術(shù)特征:
[0060]本發(fā)明的一個實施例中，所述四氯化錫、所述四氯化鎳、所述氧化鐵、所述四氯化鈦、所述氯化鈉、所述二氧化錫、所述鹽酸、所述丙三醇和所述離子水的質(zhì)量比為10?30:3?10:10?18:5?8:2?6:10?18:6?12:6?18:20?45，可以提高遠紅外發(fā)射膜層的光譜發(fā)射率和熱輻射效率，其實用性更好。
[0061]且采用該參數(shù)制備的遠紅外發(fā)射膜層與電熱膜層配合使用，其光譜發(fā)射率和熱輻射效率好，熱利用率高，其熱利用率最高可達到96%以上
[0062]進一步地，在制成的所述遠紅外發(fā)射膜層的兩端噴涂氧化銀的電極膜，而后使噴涂有所述電極膜的所述遠紅外發(fā)射膜層和絕緣基體經(jīng)退火成膜工藝處理來使所述遠紅外發(fā)射膜層附設(shè)在所述絕緣基體上；可通過該電極膜與供電源之間進行電連接，其電性能的傳輸、轉(zhuǎn)換等則可更穩(wěn)定。
[0063]再進一步地，所述四氯化錫、所述四氯化鎳、所述氧化鐵、所述四氯化鈦、所述氯化鈉、所述二氧化錫、所述鹽酸、所述丙三醇和所述離子水經(jīng)混合、攪拌、加熱處理制成所述混合液，使其均勻相混合，這樣可以提升制成的遠紅外發(fā)射膜層的性能。
[0064]本發(fā)明的一個實施例中，采用PVD技術(shù)將所述混合液沉積在絕緣基體的表面，制成的遠紅外發(fā)射膜層的沉積質(zhì)量更好，性能更穩(wěn)定。
[0065]PVD (Physical Vapor Deposit1n)指利用物理過程實現(xiàn)原子或分子由源轉(zhuǎn)移到基材表面上的過程。
[0066]且較好地，所述退火成膜工藝的處理溫度為450?600度，所述退火成膜工藝的處理時間為15?25min ;采用上述參數(shù)制成的遠紅外發(fā)射膜層的穩(wěn)定性和電性能好、熱利用率高。
[0067]本發(fā)明的第一個具體實施例中，所述四氯化錫、所述四氯化鎳、所述氧化鐵、所述四氯化鈦、所述氯化鈉、所述二氧化錫、所述鹽酸、所述丙三醇和所述離子水的質(zhì)量比為10:3:10:5:2:10:6:6:20，所述退火成膜工藝的處理溫度為450度、處理時間為15min，分別采用噴涂法、沉積法和蒸鍍法制備電熱膜層。
[0068]本發(fā)明的第二個具體實施例中，所述四氯化錫、所述四氯化鎳、所述氧化鐵、所述四氯化鈦、所述氯化鈉、所述二氧化錫、所述鹽酸、所述丙三醇和所述離子水的質(zhì)量比為30:10:18:8:6:18:12:18:45,所述退火成膜工藝的處理溫度為600度、處理時間為25min，分別采用噴涂法、沉積法和蒸鍍法制備電熱膜層。
[0069]本發(fā)明的第三個具體實施例中，所述四氯化錫、所述四氯化鎳、所述氧化鐵、所述四氯化鈦、所述氯化鈉、所述二氧化錫、所述鹽酸、所述丙三醇和所述離子水的質(zhì)量比為20:7:14:6:4:14:9:12:32,所述退火成膜工藝的處理溫度為500度、處理時間為20min，分別采用噴涂法、沉積法和蒸鍍法制備電熱膜層。
[0070]采用上述三種方法制備的電熱膜層，均可將輻射熱能轉(zhuǎn)換成遠紅外熱能，實現(xiàn)溫度的迅速提高，并降低排潮損失的溫度、增強被加熱能吸收的速度、減少熱能損失，其能效利用率均高達90%以上，最高甚至高達96%以上。
[0071]本發(fā)明第三方面的實施例提供了一種遠紅外發(fā)射膜層，所述遠紅外發(fā)射膜層采用上述任一實施例所述的遠紅外發(fā)射膜層的制造方法制成。
[0072]本發(fā)明提供的遠紅外發(fā)射膜層與電熱膜層配合使用，可將輻射熱能轉(zhuǎn)換成遠紅外熱能，實現(xiàn)溫度的迅速提高，并降低排潮損失的溫度、增強被加熱能吸收的速度、減少熱能損失，從而有效提高輻射熱傳導(dǎo)效率，達到節(jié)能的目的，并使其更好地滿足于國家對于產(chǎn)品節(jié)能的要求，其制成的烹飪器具實用性更顯著。
[0073]本發(fā)明第四方面的實施例提供了一種電加熱盤，包括:盤體；和熱膜層，附設(shè)在所述盤體上；其中，所述熱膜層包括電熱膜層和上述實施例所述的遠紅外發(fā)射膜層I。
[0074]本發(fā)明提供的電加熱盤，熱膜層在使用過程中將輻射熱能轉(zhuǎn)換成遠紅外熱能，實現(xiàn)鍋具溫度的迅速提高，并降低排潮損失的溫度、增強被加熱能吸收的速度、減少熱能損失，從而有效提高輻射熱傳導(dǎo)效率，其熱效率可以達到96%以上，達到了節(jié)能的目的，同時滿足國家對于產(chǎn)品節(jié)能的要求，其制成的烹飪器具實用性更顯著。
[0075]采用此方法制成的電加熱盤，其熱膜層阻抗隨溫度的升高而膜阻降低，能夠有效提高熱膜層膜阻的穩(wěn)定性，從而解決該熱膜層功率穩(wěn)定性問題。
[0076]另外，本發(fā)明上述實施例提供的電加熱盤還具有如下附加的技術(shù)特征:
[0077]本發(fā)明的一個實施例中，所述盤體包括:上盤體2，所述電熱膜層附設(shè)在所述上盤體2的下盤面上，所述遠紅外發(fā)射膜層I附設(shè)在所述電熱膜層的下膜面上；和下盤體3，位于所述上盤體2的下方、并與所述上盤體2相組裝；以更好地利用熱能，快速加熱放置于下盤體3上盤面上的鍋體。
[0078]當(dāng)然，熱膜層也可附設(shè)在上盤體2的上盤面上，或者是附設(shè)在下盤體3的上盤面或下盤面上等；均可實現(xiàn)本申請的目的，其宗旨未脫離本發(fā)明的設(shè)計思想，在此不再贅述，但應(yīng)屬于本申請的保護范圍內(nèi)。
[0079]遠紅外發(fā)射膜層I也可附設(shè)在上盤體2的下盤面上，電熱膜層附設(shè)在遠紅外發(fā)射膜層I的下層面上；也可實現(xiàn)本申請的目的，其宗旨未脫離本發(fā)明的設(shè)計思想，在此不再贅述，但應(yīng)屬于本申請的保護范圍內(nèi)。
[0080]優(yōu)選地，所述電加熱盤還包括:電極膜4 ;和電極5，安裝在所述下盤體3的上盤面，且所述電極5的上端與所述電極膜4相電連接、下端穿過所述下盤體3而向下伸出而與供電源相連接，通過所述供電源來向所述電熱膜層供電；也可以是通過所述供電源來向所述電熱膜層和所述遠紅外發(fā)射膜層I供電。
[0081]當(dāng)然，也可將電極膜4替換成電源線等導(dǎo)電體，也可實現(xiàn)本申請的目的，在此不再贅述，但應(yīng)屬于本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
[0082]進一步地，所述下盤體3的上盤面上具有階梯孔6，所述電極5的下端穿過所述階梯孔6而向下伸出，所述電極5的上端支撐在所述階梯孔6的階梯面上；其中，所述電極5的上端與所述階梯孔6的階梯面之間設(shè)置有彈簧7，所述彈簧7支撐所述電極5的上端、以使其壓緊在所述電極膜4上，避免電極5與電極膜4之間出現(xiàn)虛接觸的問題，其實電連接性能更好。
[0083]其中，所述熱膜層呈環(huán)形狀，所述電極膜4、所述電極5和所述階梯孔6均包括對稱設(shè)置的兩個，且兩個所述電極膜4的內(nèi)端位于所述熱膜層的內(nèi)邊處、外端位于所述熱膜層的外邊處，兩所述電極5的上端面對應(yīng)壓緊在兩所述電極膜4的外邊處，兩所述電極5的上端面對應(yīng)壓緊在兩所述電極膜4的外邊處，以利用整個電熱膜層來通電工作，實現(xiàn)其最大化利用。
[0084]另外，所述上盤體2為玻璃載體，所述下盤體3為陶瓷載體。
[0085]也可以是:所述下盤體3為玻璃載體，所述上盤體2為陶瓷載體；也可實現(xiàn)本申請的目的。
[0086]具體地，兩所述電極5的上端的橫截面均呈8.0mm*10.0mm的橢圓形狀；兩所述電極膜4通過掩膜濺射工藝制成，且其厚度均為6.0 μ m、寬度為10.0mm、長度為46.0?56.0mm ;所述熱膜層按內(nèi)邊處0.5um厚度到外邊處1.5um厚度的一次函數(shù)變化規(guī)律進行噴涂，且每平方厘米的噴涂功率為3?5瓦，以免影響加熱面溫度不均衡的問題。
[0087]且合金薄膜的電極膜4與電極5的上端面的連接處，總電流及所能承受的工作電流密度應(yīng)大于或等于電熱膜層總功率的3.0倍以上；階梯面以上的電極5上部的厚度為
1.0毫米，在通過彈簧7彈力作用下，使彈簧7頂起電極5與電極膜4的緊密接觸，實現(xiàn)電極5與電極膜4的接觸連接，電極5的下端再與供電源緊密連接在一起，這樣就可提高(納米遠紅外)電加熱盤電源連接的安全性、穩(wěn)定性和可靠性問題。
[0088]該條件下制備的電熱膜層的電阻率達4X10 4Ω.cm，可見光透過率高于90%，功率密度平均可達32W/cm2，保證了遠紅外電熱盤功率穩(wěn)定性和可靠性。
[0089]其中，本申請的電加熱盤為納米遠紅外式的電加熱盤，S卩:電熱膜層為納米遠紅外式的電熱膜層。
[0090]本發(fā)明第五方面的實施例提供了一種烹飪器具，包括有上述任一實施例所述的電加熱盤。
[0091]其中，所述烹飪器具包括電磁爐、電飯煲和電壓力鍋等，且所述烹飪器具具備上述任一實施例的全部優(yōu)點，在此不再贅述。
[0092]本發(fā)明提供的混合液，其制成的遠紅外發(fā)射膜層與電熱膜層配合使用可將輻射熱能轉(zhuǎn)換成遠紅外熱能，實現(xiàn)溫度的迅速提高，可降低排潮損失的溫度、增強被加熱能吸收的速度、減少熱能損失，從而有效提高輻射熱傳導(dǎo)效率，達到節(jié)能的目的，并使其更好地滿足于國家對于產(chǎn)品節(jié)能的要求。
[0093]在本發(fā)明的描述中，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等均應(yīng)做廣義理解，例如，“連接”可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。
[0094]在本說明書的描述中，術(shù)語“一個實施例”、“一些實施例”、“具體實施例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或?qū)嵗?。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0095]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種混合液，用于制備遠紅外發(fā)射膜層，其特征在于，包括四氯化錫、四氯化鎳、氧化鐵、四氯化鈦、氯化鈉、二氧化錫、鹽酸、丙三醇和離子水。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合液，其特征在于， 所述四氯化錫、所述四氯化鎳、所述氧化鐵、所述四氯化鈦、所述氯化鈉、所述二氧化錫、所述鹽酸、所述丙三醇和所述離子水的質(zhì)量比為10?30:3?10:10?18:5?8:2?6:10 ?18:6 ?12:6 ?18:20 ?45。3.—種遠紅外發(fā)射膜層的制造方法，其特征在于，采用包含四氯化錫、四氯化鎳、氧化鐵、四氯化鈦、氯化鈉、二氧化錫、鹽酸、丙三醇和離子水的混合液噴涂、沉積或蒸鍍在絕緣基體的表面制成遠紅外發(fā)射膜層，而后使所述遠紅外發(fā)射膜層和絕緣基體再經(jīng)退火成膜工藝處理。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的遠紅外發(fā)射膜層的制造方法，其特征在于， 所述四氯化錫、所述四氯化鎳、所述氧化鐵、所述四氯化鈦、所述氯化鈉、所述二氧化錫、所述鹽酸、所述丙三醇和所述離子水的質(zhì)量比為10?30:3?10:10?18:5?8:2?6:10 ?18:6 ?12:6 ?18:20 ?45。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的遠紅外發(fā)射膜層的制造方法，其特征在于， 在制成的所述遠紅外發(fā)射膜層的兩端噴涂氧化銀的電極膜，而后使噴涂有所述電極膜的所述遠紅外發(fā)射膜層和絕緣基體經(jīng)退火成膜工藝處理。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的遠紅外發(fā)射膜層的制造方法，其特征在于， 所述四氯化錫、所述四氯化鎳、所述氧化鐵、所述四氯化鈦、所述氯化鈉、所述二氧化錫、所述鹽酸、所述丙三醇和所述離子水經(jīng)混合、攪拌、加熱處理制成所述混合液。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的遠紅外發(fā)射膜層的制造方法，其特征在于， 采用PVD技術(shù)將所述混合液沉積在絕緣基體的表面。8.根據(jù)權(quán)利要求3至7中任一項所述的遠紅外發(fā)射膜層的制造方法，其特征在于， 所述退火成膜工藝的處理溫度為450?600度，所述退火成膜工藝的處理時間為15?25min09.一種遠紅外發(fā)射膜層，其特征在于，所述遠紅外發(fā)射膜層采用如權(quán)利要求3至8中任一項所述的遠紅外發(fā)射膜層的制造方法制成。10.一種電加熱盤，其特征在于，包括: 盤體；和 熱膜層，附設(shè)在所述盤體上； 其中，所述熱膜層包括電熱膜層和如權(quán)利要求9所述的遠紅外發(fā)射膜層。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電加熱盤，其特征在于，所述盤體包括: 上盤體，所述電熱膜層附設(shè)在所述上盤體的下盤面上，所述遠紅外發(fā)射膜層附設(shè)在所述電熱膜層的下膜面上；和 下盤體，位于所述上盤體的下方、并與所述上盤體相組裝。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電加熱盤，其特征在于，還包括: 電極膜；和 電極，安裝在所述下盤體的上盤面，且所述電極的上端與所述電極膜相電連接、下端穿過所述下盤體而向下伸出。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電加熱盤，其特征在于， 所述下盤體的上盤面上具有階梯孔，所述電極的下端穿過所述階梯孔而向下伸出，所述電極的上端支撐在所述階梯孔的階梯面上； 其中，所述電極的上端與所述階梯孔的階梯面之間設(shè)置有彈簧，所述彈簧支撐所述電極的上端、以使其壓緊在所述電極膜上。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電加熱盤，其特征在于， 所述熱膜層呈環(huán)形狀，所述電極膜、所述電極和所述階梯孔均包括對稱設(shè)置的兩個，且兩個所述電極膜的內(nèi)端位于所述熱膜層的內(nèi)邊處、外端位于所述熱膜層的外邊處，兩所述電極的上端面對應(yīng)壓緊在兩所述電極膜的外邊處。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電加熱盤，其特征在于， 所述上盤體為玻璃載體，所述下盤體為陶瓷載體。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電加熱盤，其特征在于， 兩所述電極的上端的橫截面均呈8.0mm*10.0mm的橢圓形狀； 兩所述電極膜通過掩膜濺射工藝制成，且其厚度均為3?10 μπι; 所述熱膜層按內(nèi)邊處0.5um厚度到外邊處1.5um厚度的一次函數(shù)變化規(guī)律進行噴涂，且每平方厘米的噴涂功率為3?5瓦。17.一種烹飪器具，其特征在于，包括有如權(quán)利要求10至16中任一項所述的電加熱盤。
【文檔編號】C23C26/00GK105992403SQ201510072549
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年2月11日
【發(fā)明人】尹善章, 房振, 王新元, 張建亮, 張貴林
【申請人】佛山市順德區(qū)美的電熱電器制造有限公司, 美的集團股份有限公司