68C20B的第3引腳相接，所述芯片CAF32C1268C20B的第I引腳分別與所述芯片ESD05V23T-2L的第I引腳、所述芯片ESD05V23T-2L的第2引腳和所述衛(wèi)星接收天線9的射頻信號(hào)輸出端相接。
[0031]實(shí)際使用時(shí)，所述芯片CAF32C1268C20B的第2引腳接地。
[0032]如圖2所示，本實(shí)施例中，所述第一衰減器3包括電阻Rl、電阻R2和電阻R3，所述芯片Ul的第I引腳通過電容C2分別與電阻Rl的一端和電阻R2的一端相接，電阻Rl的另一端與電阻R3的一端相接，電阻R2的另一端和電阻R3的另一端均接地。
[0033]需要說明的是，電阻Rl的一端與電阻R2的一端相接作為所述第一衰減器3的輸入端。
[0034]如圖2所示，本實(shí)施例中，所述第二級(jí)低噪聲放大器4包括型號(hào)為SPF_5043Z的芯片U2、電容C6、電容C7、電容C8、電容C9、電容C10、電感L3和電感L4，所述芯片U2的第3引腳通過電容C6與電阻Rl的另一端相接，所述芯片U2的第I引腳通過電容C7與所述聲表面濾波器5的輸入端相接，所述芯片U2的第I引腳還與電感L3的一端相接，電感L3的另一端分兩路，一路經(jīng)電感L4接3V直流電源，另一路經(jīng)相并聯(lián)的電容C8、電容C9和電容ClO接地，所述芯片U2的第2引腳和第4引腳均接地。
[0035]如圖2所示，本實(shí)施例中，所述聲表面濾波器5的型號(hào)包括芯片TA0862A，所述芯片TA0862A的所述芯片U2的第I引腳通過電容C7與所述芯片TA0862A的第2引腳相接，所述芯片TA0862A的第I引腳、第3引腳、第4引腳和第6引腳均接地。
[0036]如圖2所示，本實(shí)施例中，所述第三級(jí)低噪聲放大器6包括型號(hào)為SPF_5043Z的芯片U3、電容C11、電容C12、電容C13、電容C14、電容C15、電感L5和電感L6，所述芯片U3的第3引腳通過電容Cll與所述芯片TA0862A的第5引腳相接，所述芯片U3的第I引腳通過電容C12與所述第二衰減器7的輸入端相接，所述芯片U3的第I引腳還與電感L5的一端相接，電感L5的另一端分兩路，一路經(jīng)電感L6接3V直流電源，另一路經(jīng)相并聯(lián)的電容C13、電容C14和電容C15接地，所述芯片U3的第2引腳和第4引腳均接地。
[0037]如圖2所示，本實(shí)施例中，所述第二衰減器7包括電阻R4、電阻R5和電阻R6，所述芯片U3的第I引腳通過電容C12分別與電阻R4的一端和電阻R5的一端相接，電阻R4的另一端與電阻R6的一端相接，電阻R5的另一端和電阻R6的另一端均接地。
[0038]需要說明的是，電阻R4的一端與電阻R5的一端相接作為所述第二衰減器7的輸入端。
[0039]本實(shí)用新型的工作過程是:衛(wèi)星接收天線9將接收到的射頻信號(hào)發(fā)送至介質(zhì)濾波器1，經(jīng)介質(zhì)濾波器I對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行頻帶選擇后發(fā)送至第一級(jí)低噪聲放大器2，由第一級(jí)低噪聲放大器2進(jìn)行第一級(jí)放大處理后通過第一衰減器3發(fā)送至第二級(jí)低噪聲放大器4，由第二級(jí)低噪聲放大器4進(jìn)行第二級(jí)放大處理，并經(jīng)聲表面濾波器5再次進(jìn)行頻帶選擇和鏡像抑制后發(fā)送至第三級(jí)低噪聲放大器6，由第三級(jí)低噪聲放大器6進(jìn)行第三級(jí)放大處理并經(jīng)第二衰減器7后輸出所需增益和噪聲系數(shù)的射頻信號(hào)。
[0040]本實(shí)用新型提供的北斗B3頻段低噪聲放大器電路的增益為40.40dB，噪聲系數(shù)為1.45。
[0041]需要說明的是，所述衛(wèi)星接收天線9輸出的射頻信號(hào)作為所述介質(zhì)濾波器I的輸入信號(hào)，圖2中的RF_in為所述介質(zhì)濾波器I的信號(hào)輸入端，圖2中的RF_out為本實(shí)用新型的信號(hào)輸出端。
[0042]以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何限制，凡是根據(jù)本實(shí)用新型技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、變更以及等效結(jié)構(gòu)變化，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種北斗B3頻段低噪聲放大器電路，其特征在于:包括依次相接的介質(zhì)濾波器(I)、第一級(jí)低噪聲放大器(2)、第一衰減器(3)、第二級(jí)低噪聲放大器(4)、聲表面濾波器(5)、第三級(jí)低噪聲放大器(6)和第二衰減器(7)，所述介質(zhì)濾波器(I)的輸入端接有防靜電電路(8)和衛(wèi)星接收天線(9)，所述第一級(jí)低噪聲放大器(2)包括型號(hào)為SPF_5043Z的芯片U1、電容Cl、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5、電感LI和電感L2，所述芯片Ul的第3引腳通過電容Cl與所述介質(zhì)濾波器(I)的輸出端相接，所述芯片Ul的第I引腳通過電容C2與所述第一衰減器⑶的輸入端相接，所述芯片Ul的第I引腳還與電感LI的一端相接，電感LI的另一端分兩路，一路經(jīng)電感L2接3V直流電源，另一路經(jīng)相并聯(lián)的電容C3、電容C4和電容C5接地，所述芯片Ul的第2引腳和第4引腳均接地。
2.按照權(quán)利要求1所述的北斗B3頻段低噪聲放大器電路，其特征在于:所述防靜電電路(8)包括防靜電二極管，所述防靜電二極管包括芯片ESD05V23T-2L。
3.按照權(quán)利要求2所述的北斗B3頻段低噪聲放大器電路，其特征在于:所述介質(zhì)濾波器(I)包括芯片CAF32C1268C20B，所述芯片Ul的第3引腳通過所述電容Cl與所述芯片CAF32C1268C20B的第3引腳相接，所述芯片CAF32C1268C20B的第I引腳分別與所述芯片ESD05V23T-2L的第I引腳、所述芯片ESD05V23T-2L的第2引腳和所述衛(wèi)星接收天線(9)的射頻信號(hào)輸出端相接。
4.按照權(quán)利要求3所述的北斗B3頻段低噪聲放大器電路，其特征在于:所述第一衰減器⑶包括電阻Rl、電阻R2和電阻R3，所述芯片Ul的第I引腳通過電容C2分別與電阻Rl的一端和電阻R2的一端相接，電阻Rl的另一端與電阻R3的一端相接，電阻R2的另一端和電阻R3的另一端均接地。
5.按照權(quán)利要求4所述的北斗B3頻段低噪聲放大器電路，其特征在于:所述第二級(jí)低噪聲放大器⑷包括型號(hào)為SPF_5043Z的芯片U2、電容C6、電容C7、電容C8、電容C9、電容C10、電感L3和電感L4，所述芯片U2的第3引腳通過電容C6與電阻Rl的另一端相接，所述芯片U2的第I引腳通過電容C7與所述聲表面濾波器(5)的輸入端相接，所述芯片U2的第I引腳還與電感L3的一端相接，電感L3的另一端分兩路，一路經(jīng)電感L4接3V直流電源，另一路經(jīng)相并聯(lián)的電容C8、電容C9和電容ClO接地，所述芯片U2的第2引腳和第4引腳均接地。
6.按照權(quán)利要求5所述的北斗B3頻段低噪聲放大器電路，其特征在于:所述聲表面濾波器(5)的型號(hào)包括芯片TA0862A，所述芯片TA0862A的所述芯片U2的第I引腳通過電容C7與所述芯片TA0862A的第2引腳相接，所述芯片TA0862A的第I引腳、第3引腳、第4引腳和第6引腳均接地。
7.按照權(quán)利要求6所述的北斗B3頻段低噪聲放大器電路，其特征在于:所述第三級(jí)低噪聲放大器(6)包括型號(hào)為SPF_5043Z的芯片U3、電容Cl 1、電容C12、電容C13、電容C14、電容C15、電感L5和電感L6，所述芯片U3的第3引腳通過電容Cll與所述芯片TA0862A的第5引腳相接，所述芯片U3的第I引腳通過電容C12與所述第二衰減器(7)的輸入端相接，所述芯片U3的第I引腳還與電感L5的一端相接，電感L5的另一端分兩路，一路經(jīng)電感L6接3V直流電源，另一路經(jīng)相并聯(lián)的電容C13、電容C14和電容C15接地，所述芯片U3的第2引腳和第4引腳均接地。
8.按照權(quán)利要求7所述的北斗B3頻段低噪聲放大器電路，其特征在于:所述第二衰減器(7)包括電阻R4、電阻R5和電阻R6，所述芯片U3的第I引腳通過電容C12分別與電阻R4的一端和電阻R5的一端相接，電阻R4的另一端與電阻R6的一端相接，電阻R5的另一端和電阻R6的另一端均接地。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種北斗B3頻段低噪聲放大器電路，包括依次相接的介質(zhì)濾波器、第一級(jí)低噪聲放大器、第一衰減器、第二級(jí)低噪聲放大器、聲表面濾波器、第三級(jí)低噪聲放大器和第二衰減器，介質(zhì)濾波器的輸入端接有防靜電電路和衛(wèi)星接收天線，第一級(jí)低噪聲放大器包括型號(hào)為SPF_5043Z的芯片U1、電容C1、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5、電感L1和電感L2。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)新穎合理，實(shí)現(xiàn)方便且成本低，穩(wěn)定性好，能夠防止級(jí)聯(lián)之間產(chǎn)生自激，實(shí)用性強(qiáng)，使用效果好，便于推廣使用。
【IPC分類】H03F1-26
【公開號(hào)】CN204517760
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520333360
【發(fā)明人】張亞婷, 楊懌菲, 樊宏
【申請(qǐng)人】西安郵電大學(xué)
【公開日】2015年7月29日
【申請(qǐng)日】2015年5月21日