專(zhuān)利名稱(chēng)：在襯底上形成重量補(bǔ)償/調(diào)節(jié)層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及集成電路，具體地說(shuō)，涉及集成電路制造工藝。
背景技術(shù)：
通常，在制造集成電路中所使用的基本工藝包括材料沉積階段、圖案化階段、材料去除階段、摻雜階段和熱處理階段。所使用的具體階段取決于將要在集成電路上形成的器件的類(lèi)型。
在沉積階段，使用比如化學(xué)氣相沉積(CVD)的公知技術(shù)，在硅晶片上沉積許多薄的材料層(例如薄膜)，每一層都有特定的性質(zhì)。由于晶片處理工具和/或技術(shù)的變化，有時(shí)晶片在其表面形貌中會(huì)有變化。當(dāng)接著在晶片表面上沉積材料層時(shí)，所沉積的層可能與晶片的表面形貌相一致。結(jié)果容易出現(xiàn)材料分布不均勻。
如果所制造的部件被用作通常在比如蜂窩電話(huà)系統(tǒng)的通信系統(tǒng)中所使用的被用來(lái)在特定頻率處諧振的頻率選擇器件，那么厚度變化可能尤其麻煩。這是因?yàn)椴牧显诰系闹亓糠植紱Q定了諧振頻率。諧振頻率決定了工作信道。當(dāng)重量分布不能被控制時(shí)，諧振頻率就不能被控制，于是就不能控制工作信道。
對(duì)于厚度變化的通常的解決方案包括在制造工藝中添加化學(xué)機(jī)械平面化/拋光(CMP)階段。CMP是被用來(lái)對(duì)沉積在晶片上的一個(gè)或多個(gè)層進(jìn)行平面化(即，使其平坦)的工藝技術(shù)。在典型的CMP工藝中，晶片被旋轉(zhuǎn)，并使用化學(xué)漿料被拋光(或平面化)。這種解決方案在許多情形中都是適用的，但是具有局限性。例如，CMP不具有足夠的選擇性，在試圖使較厚的區(qū)域變薄的同時(shí)也可能使材料層中已經(jīng)較薄的區(qū)域變薄。此外，使用CMP來(lái)對(duì)材料層進(jìn)行平面化，需要在制造工藝中添加額外的階段。
另一種解決方案是測(cè)量器件的諧振頻率，然后丟棄有缺陷的部件。但是，這種后期或事后解決方案可能是相當(dāng)昂貴的。例如，這些部件必須先被制造出來(lái)，然后才能判定它們是否適于在特定應(yīng)用中使用。
其他的解決方案包括激光校正，這也是一種后期或制造后的解決方案。于是，它也可能是昂貴和費(fèi)時(shí)的。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種方法，包括在硅晶片上形成材料層，所述硅晶片具有包括至少一個(gè)厚的區(qū)域和至少一個(gè)薄的區(qū)域的表面形貌變化，所述材料層具有包括分別與所述晶片的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)厚的區(qū)域和至少一個(gè)薄的區(qū)域的表面形貌變化；以及在所述材料層中形成至少一個(gè)窄的區(qū)域和至少一個(gè)寬的區(qū)域，所述窄的區(qū)域和寬的區(qū)域分別對(duì)應(yīng)于所述晶片的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種制品，包括含有數(shù)據(jù)的機(jī)器可訪問(wèn)介質(zhì)，所述數(shù)據(jù)當(dāng)被機(jī)器訪問(wèn)時(shí)，使所述機(jī)器進(jìn)行包括如下步驟的操作在硅晶片上形成材料層，所述硅晶片具有包括至少一個(gè)厚的區(qū)域和至少一個(gè)薄的區(qū)域的表面形貌變化，所述材料層具有包括分別與所述晶片的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)厚的區(qū)域和至少一個(gè)薄的區(qū)域的表面形貌變化；以及在所述材料層中形成至少一個(gè)窄的區(qū)域和至少一個(gè)寬的區(qū)域，所述窄的區(qū)域和寬的區(qū)域分別對(duì)應(yīng)于所述晶片的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種方法，包括在硅晶片上形成第一材料層，所述硅晶片具有包括厚的區(qū)域和薄的區(qū)域的表面形貌變化，所述材料層具有包括分別與所述晶片的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域的表面形貌變化；以及在所述第一層上形成材料犧牲層，所述材料犧牲層具有包括分別與所述第一層的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域的表面形貌變化；以及使用在被沉積在所述犧牲層上的光刻膠上的近分辨率圖案直接寫(xiě)入，在所述材料犧牲層中形成窄的區(qū)域和寬的區(qū)域，所述窄的區(qū)域和寬的區(qū)域分別對(duì)應(yīng)于所述晶片的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種制品，包括含有數(shù)據(jù)的機(jī)器可訪問(wèn)介質(zhì)，所述數(shù)據(jù)當(dāng)被機(jī)器訪問(wèn)時(shí)，使所述機(jī)器進(jìn)行包括如下步驟的操作在硅晶片上形成第一材料層，所述硅晶片具有包括在它的表面形貌中的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域的表面形貌變化，所述第一層具有包括分別與所述晶片的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域的表面形貌變化；以及在所述第一層上形成材料犧牲層，所述材料犧牲層具有包括分別與所述第一層的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域的表面形貌變化；以及使用在被沉積在所述犧牲層上的光刻膠上的近分辨率圖案直接寫(xiě)入，在所述材料犧牲層中形成窄的區(qū)域和寬的區(qū)域，所述窄的區(qū)域和寬的區(qū)域分別對(duì)應(yīng)于所述晶片厚的區(qū)域和薄的區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種系統(tǒng)，包括傳輸無(wú)線(xiàn)信號(hào)的收發(fā)器；耦合到所述收發(fā)器以選擇所述無(wú)線(xiàn)信號(hào)頻率的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有硅晶片，所述硅晶片具有形成至少一個(gè)厚的區(qū)域和至少一個(gè)薄的區(qū)域的表面形貌變化；和形成在所述硅晶片上的材料層，所述材料層具有分別與所述晶片的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)窄的區(qū)域和至少一個(gè)寬的區(qū)域；耦合到所述收發(fā)器的存儲(chǔ)器。


在附圖中，類(lèi)似的參考標(biāo)號(hào)通常指示相同、功能類(lèi)似和/或結(jié)構(gòu)等同的元素。元件在其中第一次出現(xiàn)的附圖用參考標(biāo)號(hào)中最左邊的數(shù)字指示，其中圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例用于制造半導(dǎo)體器件的過(guò)程的流程圖；圖2A、2B、2C和2D描繪了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例制造的結(jié)構(gòu)的橫截面視圖；圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例用于制造半導(dǎo)體器件的過(guò)程的流程圖；圖4A、4B和4C描繪了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例制造的結(jié)構(gòu)的橫截面視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的蜂窩通信系統(tǒng)的高級(jí)框圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例用于制造一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)的過(guò)程100的流程圖。圖2A、2B、2C和2D描繪了使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的過(guò)程100制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200的各個(gè)階段的橫截面視圖。其上具有機(jī)器可讀指令的機(jī)器可訪問(wèn)介質(zhì)可以被用來(lái)使得機(jī)器執(zhí)行過(guò)程100。當(dāng)然，過(guò)程100僅僅是一個(gè)示例的過(guò)程，其他過(guò)程也可以被用來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施例。
過(guò)程100的操作被描述為多個(gè)分立的框，它們以對(duì)于理解本發(fā)明的實(shí)施例最有幫助的方式依次進(jìn)行。但是，對(duì)它們進(jìn)行描述的順序不應(yīng)被理解為暗示這些操作必須是依賴(lài)于順序的，或者這些操作要以所給出的方框的順序被執(zhí)行。
在框102中，在晶片或襯底204上形成材料層202。層202在其表面形貌中可能有變化，包括與由晶片204表面形貌變化所導(dǎo)致的晶片204厚的區(qū)域210和薄的區(qū)域212相對(duì)應(yīng)的厚的區(qū)域206和薄的區(qū)域208。
在一個(gè)實(shí)施例中，可以使用比如快速熱化學(xué)氣相沉積(RTCVD)或減壓化學(xué)氣相沉積(RPCVD)的公知的化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)來(lái)沉積層202?；蛘?，可以使用公知的濺射技術(shù)沉積層202。
在框104中，在層202中形成窄的區(qū)域和寬的區(qū)域，它們補(bǔ)償了晶片204表面形貌中的變化。層202中窄的區(qū)域和寬的區(qū)域分別對(duì)應(yīng)于厚的區(qū)域210和薄的區(qū)域212。層202中窄的區(qū)域和寬的區(qū)域可以補(bǔ)償由晶片204表面形貌中的變化所導(dǎo)致的非均勻的重量分布?；蛘撸M管晶片204表面形貌中有變化，所得到的層202也可以提供受控的調(diào)節(jié)(例如，頻率調(diào)節(jié)、波長(zhǎng)調(diào)節(jié)、電阻率調(diào)節(jié)等)。
示例的層202的窄的和寬的區(qū)域可以如下使用光刻和光敏聚合物(光刻膠)形成。例如，一層光刻膠220可以被沉積在層202上。光刻膠220可以通過(guò)掩模224被曝光于光222。掩模224可以具有已經(jīng)對(duì)其添加了近辨率(near-resolution)標(biāo)記的已有圖案。這些近分辨率標(biāo)記可以被用來(lái)定義與晶片204厚的區(qū)域210和薄的區(qū)域212相對(duì)應(yīng)的層202窄的區(qū)域和寬的區(qū)域。
用于向已有掩模圖案添加近分辨率標(biāo)記的技術(shù)是公知的，但目前不是以這種方式應(yīng)用的(即，用來(lái)定義與晶片或襯底上材料層的厚的和薄的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的窄的和寬的區(qū)域)。一般，近分辨率標(biāo)記被用來(lái)產(chǎn)生非常細(xì)小的結(jié)構(gòu)。因而，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例使用近分辨率標(biāo)記來(lái)調(diào)節(jié)這樣的大的區(qū)域是與一般常識(shí)相反的。
可以對(duì)經(jīng)曝光的光刻膠220進(jìn)行顯影以及去除，露出由近分辨率標(biāo)記以及已有掩模圖案所定義的區(qū)域的位置。層202的這些區(qū)域被去除(例如，使用公知的刻蝕技術(shù)來(lái)修整)，以留下分別與厚的區(qū)域210和薄的區(qū)域212相對(duì)應(yīng)的窄的區(qū)域228和寬的區(qū)域230。于是，晶片204表面形貌的變化確定了窄的區(qū)域228和寬的區(qū)域230的大小。剩余的光刻膠可以從層202上移除。
示例的晶片204厚的區(qū)域210和薄的區(qū)域212可以使用區(qū)域補(bǔ)償技術(shù)被表征。當(dāng)在被制造的晶片204上存在系統(tǒng)過(guò)程不一致性時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)該在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在線(xiàn)(in-line)厚度測(cè)量可以被用來(lái)將晶片204的厚的區(qū)域210表征為一個(gè)區(qū)，將薄的區(qū)域212表征為第二區(qū)。合適的在線(xiàn)厚度測(cè)量技術(shù)是公知的，在這里將不進(jìn)一步描述。
在另一個(gè)實(shí)施例中，可以使用頻率產(chǎn)生圖(frequency yield map)來(lái)將晶片204的厚的區(qū)域210表征為一個(gè)區(qū)，將薄的區(qū)域212表征為第二區(qū)。合適的頻率產(chǎn)生測(cè)繪技術(shù)是公知的，在這里將不進(jìn)一步描述。
在另一個(gè)實(shí)施例中，可以使用公知的橢圓對(duì)稱(chēng)測(cè)繪補(bǔ)償技術(shù)(ellipsometric mapped-compensation technique)來(lái)表征示例的厚的區(qū)域210和薄的區(qū)域212。合適的橢圓對(duì)稱(chēng)測(cè)繪補(bǔ)償技術(shù)是公知的，在這里將不進(jìn)一步描述。
在另一個(gè)實(shí)施例中，可以使用公知的激光測(cè)繪補(bǔ)償技術(shù)來(lái)表征示例的厚的區(qū)域210和薄的區(qū)域212。合適的激光測(cè)繪補(bǔ)償技術(shù)是公知的，在這里將不進(jìn)一步描述。
在另一個(gè)實(shí)施例中，可以使用公知的電容測(cè)繪補(bǔ)償技術(shù)來(lái)表征示例的厚的區(qū)域210和薄的區(qū)域212。合適的電容測(cè)繪補(bǔ)償技術(shù)是公知的，在這里將不進(jìn)一步描述。
橢圓對(duì)稱(chēng)測(cè)繪、電容測(cè)繪、激光測(cè)繪或其他合適的測(cè)繪技術(shù)可以使用對(duì)單個(gè)晶片204上的厚的區(qū)域210和薄的區(qū)域212的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)繪完成。或者，橢圓對(duì)稱(chēng)測(cè)繪、電容測(cè)繪、激光測(cè)繪或其他合適的測(cè)繪技術(shù)可以使用對(duì)單個(gè)晶片204上的厚的區(qū)域210和薄的區(qū)域212的非現(xiàn)場(chǎng)測(cè)繪完成。當(dāng)在晶片204上沒(méi)有系統(tǒng)過(guò)程不一致性時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)這些實(shí)施例。
晶片204可以是硅(Si)晶片?；蛘?，晶片204可以是鍺(Ge)晶片或砷化鎵(GaAs)晶片。在晶片204可以是硅(Si)晶片、鍺(Ge)晶片或砷化鎵(GaAs)晶片的實(shí)施例中，層202可以分別是硅(Si)、鍺(Ge)或砷化鎵(GaAs)。當(dāng)然，也可以使用其他材料，在閱讀了本說(shuō)明書(shū)之后，相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將很容易意識(shí)到如何使用各種其他的材料(例如，金屬或金屬合金、陶瓷、有機(jī)化合物或其他適合的材料)來(lái)實(shí)現(xiàn)層202。
結(jié)構(gòu)200可以是微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)，比如在電子設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、通信設(shè)備、汽車(chē)、軍事防衛(wèi)系統(tǒng)等中使用的那些。例如，結(jié)構(gòu)200可以被用于壓力傳感器(例如，血壓、燃料、空氣等)、射頻(RF)部件(例如，濾波器、諧振器、開(kāi)關(guān)等)、氣囊傳感器、地震傳感器、飛行器控制等。
圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例用于制造一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)的過(guò)程300的流程圖。圖4A、4B和4C描繪了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的使用過(guò)程300制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)400的各個(gè)階段的橫截面視圖。其上具有機(jī)器可讀指令的機(jī)器可訪問(wèn)介質(zhì)可以被用來(lái)使得機(jī)器執(zhí)行過(guò)程300。當(dāng)然，過(guò)程300僅僅是一個(gè)示例的過(guò)程，其他的過(guò)程也可以被用來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施例。
過(guò)程300的操作被描述為多個(gè)分立的框，它們以對(duì)于理解本發(fā)明的實(shí)施例最有幫助的方式依次進(jìn)行。但是，對(duì)它們進(jìn)行描述的順序不應(yīng)被理解為暗示這些操作必須是依賴(lài)于順序的，或者這些操作要以所給出的方框的順序被執(zhí)行。
在框302中，在晶片404上形成材料層402。層402在其表面形貌中可能有變化，包括與由晶片404表面形貌變化所導(dǎo)致的晶片404厚的區(qū)域410和薄的區(qū)域412相對(duì)應(yīng)的厚的區(qū)域411和薄的區(qū)域408。
在框304中，在層402上形成材料的犧牲層406。犧牲層406可以具有與晶片404的厚的區(qū)域410和薄的區(qū)域412和/或?qū)?02的厚的區(qū)域411和薄的區(qū)域408相對(duì)應(yīng)的厚的區(qū)域414和薄的區(qū)域416。
在框306中，在犧牲層406中形成窄的區(qū)域和寬的區(qū)域。層406中的窄的區(qū)域和寬的區(qū)域分別對(duì)應(yīng)于厚的區(qū)域410和薄的區(qū)域412。層406中窄的區(qū)域和寬的區(qū)域可以補(bǔ)償由晶片404表面形貌中的變化所導(dǎo)致的非均勻的重量分布?；蛘?，盡管晶片404表面形貌中有變化，所得到的層406也可以提供受控的調(diào)節(jié)(例如，頻率調(diào)節(jié)、波長(zhǎng)調(diào)節(jié)、電阻率調(diào)節(jié)等)。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，犧牲層406的窄的和寬的區(qū)域可以如下在光刻膠上使用近分辨率圖案的電子束、紫外(UV)光、光束或X射線(xiàn)直接寫(xiě)入來(lái)形成。例如，光刻膠層420可以被沉積在犧牲層406上。可以將電子束、紫外光、光束或X射線(xiàn)引導(dǎo)至光刻膠420(例如，掃描)，以在光刻膠420中畫(huà)出近分辨率圖案。近分辨率圖案可以定義與晶片404的厚的區(qū)域410和薄的區(qū)域412相對(duì)應(yīng)的犧牲層406窄的區(qū)域和寬的區(qū)域。
對(duì)經(jīng)曝光的光刻膠420進(jìn)行顯影以及去除，露出由近分辨率圖案所定義區(qū)域的位置區(qū)域。犧牲層406的經(jīng)曝光的區(qū)域被去除(例如，使用公知的刻蝕技術(shù)來(lái)修整)，以留下分別與厚的區(qū)域410和薄的區(qū)域412相對(duì)應(yīng)的窄的區(qū)域428和寬的區(qū)域430。在另一個(gè)實(shí)施例中，可以使用平面化來(lái)去除犧牲層406的經(jīng)曝光的區(qū)域。例如，可以使用CMP技術(shù)去除犧牲層406的經(jīng)曝光的區(qū)域。
從犧牲層406移除剩余的光刻膠420。在一個(gè)實(shí)施例中，光刻膠420可以是被濺射沉積到犧牲層406上的非適形(non-conforming)光刻膠(即，非聚合物或干光刻膠)。光刻膠420被熱曝光，在犧牲層406上留下近分辨率無(wú)機(jī)圖案。在這個(gè)實(shí)施例中，可以使用公知的技術(shù)(例如，等離子清洗、離子銑削等)移除光刻膠420。
在一個(gè)實(shí)施例中，可以確定示例的晶片404厚的區(qū)域410和薄的區(qū)域412，并隨后使用與上面就圖1以及圖4A到圖4C所描述的類(lèi)似的區(qū)域補(bǔ)償技術(shù)來(lái)形成層406的窄的區(qū)域428和寬的區(qū)域430。
在具有厚的區(qū)域410的區(qū)中，光源的聚焦深度以及由此獲得的光的空間范圍可能不同于薄的區(qū)域412(例如，在近分辨率圖案的形狀中)所在區(qū)的聚焦深度和空間范圍。于是，當(dāng)層404上的光刻膠被曝光和顯影時(shí)，能夠移除層404的這些部分，在第一區(qū)中留下窄的區(qū)域428，在第二區(qū)中留下寬的區(qū)域430。
或者，具有厚的區(qū)域410的區(qū)可以接受與具有較薄區(qū)域412的區(qū)不同的成像補(bǔ)償(例如，劑量、聚焦深度等)。
使用與上面就圖1以及圖4A到圖4C所描述的相似的區(qū)域補(bǔ)償技術(shù)(例如，在線(xiàn)厚度測(cè)量、頻率產(chǎn)生圖、橢圓對(duì)稱(chēng)測(cè)繪、激光測(cè)繪、電容測(cè)繪等)，可以表征示例的層402或晶片404的厚的區(qū)域410和薄的區(qū)域412。在閱讀了本說(shuō)明書(shū)之后，普通技術(shù)人員將很容易意識(shí)到如何實(shí)現(xiàn)測(cè)繪補(bǔ)償技術(shù)以形成窄的區(qū)域428和寬的區(qū)域430。
犧牲層406可以是硅(Si)、鍺(Ge)或砷化鎵(GaAs)或其他適合的材料。在閱讀了本說(shuō)明書(shū)之后，相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將很容易意識(shí)到如何使用各種其他的材料(例如，金屬或金屬合金、陶瓷、有機(jī)化合物或其他適合的材料)來(lái)實(shí)現(xiàn)犧牲層406。
圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的蜂窩通信系統(tǒng)500的高級(jí)框圖。系統(tǒng)500可以發(fā)射無(wú)線(xiàn)信號(hào)(例如，射頻(RF)信號(hào))，以由另外的蜂窩通信系統(tǒng)(未示出)接收。
示例的系統(tǒng)500包括耦合到存儲(chǔ)器504上的收發(fā)器502、天線(xiàn)506和根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例制造的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)508。
在一個(gè)實(shí)施例中，收發(fā)器502可以是全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(GSM)收發(fā)器。用于實(shí)現(xiàn)GSM收發(fā)器的電路是公知的。在另一個(gè)實(shí)施例中，收發(fā)器502可以是個(gè)人通信業(yè)務(wù)(PCS)收發(fā)器。用于實(shí)現(xiàn)PCS收發(fā)器的電路是公知的。
存儲(chǔ)器504可以是閃存。閃存是公知的?；蛘撸鎯?chǔ)器可以是隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(RAM)。合適的RAM是公知的。
天線(xiàn)506可以是偶極天線(xiàn)。偶極天線(xiàn)是公知的。
在一個(gè)實(shí)施例中，示例結(jié)構(gòu)508選擇無(wú)線(xiàn)信號(hào)的發(fā)射頻率。
雖然已經(jīng)就在晶片表面上沉積材料層說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例，但是實(shí)施例并不如此被限制。例如，這里所述的材料層或這里所述的材料犧牲層可以被沉積在被設(shè)置在晶片上的薄膜的多層(即，兩層或更多層)堆疊上。在典型的多層堆疊中，各層可以包括氮化硅(SiN)、鋁(Al)、硅酸鹽(SiO2)等。
可以使用硬件、軟件或它們的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施例。在使用軟件的實(shí)施方式中，軟件可以被存儲(chǔ)在機(jī)器可訪問(wèn)介質(zhì)上。
機(jī)器可訪問(wèn)介質(zhì)包括任何以機(jī)器(例如，計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、個(gè)人數(shù)字助理、制造工具、具有一套一個(gè)或多個(gè)處理器的任何設(shè)備等)可訪問(wèn)形式提供(即，存儲(chǔ)和/或發(fā)送)信息的機(jī)制。例如，機(jī)器可訪問(wèn)介質(zhì)包括可記錄和非可記錄介質(zhì)(例如，只讀存儲(chǔ)器(ROM)、隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(RAM)、磁盤(pán)存儲(chǔ)介質(zhì)、光存儲(chǔ)介質(zhì)、閃存設(shè)備等)，以及電、光、聲或其他形式的傳播信號(hào)(例如，載波、紅外信號(hào)、數(shù)字信號(hào)等)。
上面對(duì)所示出的本發(fā)明實(shí)施例的描述并非意圖是窮盡性的或意圖將本發(fā)明的實(shí)施例限制于所公開(kāi)的精確形式。盡管為了圖示的目的在這里對(duì)本發(fā)明具體的實(shí)施例和示例進(jìn)行了說(shuō)明，但是如相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將意識(shí)到的那樣，在本發(fā)明實(shí)施例的范圍中可以有各種等同的修改。在上述詳細(xì)說(shuō)明的啟發(fā)下，能夠?qū)Ρ景l(fā)明的實(shí)施例作出這些修改。
在上面的說(shuō)明中，給出了許多具體的細(xì)節(jié)，比如特定的工藝、材料、器件等，以提供對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的全面理解。但是，相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將意識(shí)到，不用這些具體細(xì)節(jié)中一個(gè)或多個(gè)，或者使用其他的方法、部件等，也能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的實(shí)施例。在其他情況中，沒(méi)有詳細(xì)地示出或說(shuō)明公知的結(jié)構(gòu)或操作，以避免對(duì)本說(shuō)明書(shū)的理解變得不清楚。
已經(jīng)使用比如硅、鍺、沉積、襯底等術(shù)語(yǔ)對(duì)本發(fā)明的一些部分進(jìn)行了表達(dá)。本領(lǐng)域技術(shù)人員通常使用這些術(shù)語(yǔ)來(lái)將他們工作的基本內(nèi)容傳達(dá)給本領(lǐng)域其他技術(shù)人員。
貫穿本說(shuō)明書(shū)提到的“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施例”指的是結(jié)合實(shí)施例所描述的特定特征、結(jié)構(gòu)、工藝、框或特性被包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。于是，貫穿本說(shuō)明書(shū)在各處出現(xiàn)的短語(yǔ)“在一個(gè)實(shí)施例中”或“在實(shí)施例中”未必意味著這些短語(yǔ)都是指同一實(shí)施例。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以任何適當(dāng)?shù)姆绞浇M合特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性。
在所附的權(quán)利要求書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)不應(yīng)當(dāng)被解釋為將本發(fā)明的實(shí)施例限制于在說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)公開(kāi)的特定實(shí)施例。而且，本發(fā)明實(shí)施例的范圍完全由所附權(quán)利要求書(shū)所確定，這些權(quán)利要求應(yīng)該根據(jù)慣常的權(quán)利要求解釋原則予以解釋。
權(quán)利要求
1.一種方法，包括在硅晶片上形成材料層，所述硅晶片具有包括至少一個(gè)厚的區(qū)域和至少一個(gè)薄的區(qū)域的表面形貌變化，所述材料層具有包括分別與所述晶片的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)厚的區(qū)域和至少一個(gè)薄的區(qū)域的表面形貌變化；以及在所述材料層中形成至少一個(gè)窄的區(qū)域和至少一個(gè)寬的區(qū)域，所述窄的區(qū)域和寬的區(qū)域分別對(duì)應(yīng)于所述晶片的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括通過(guò)具有已經(jīng)添加了近分辨率標(biāo)記的圖案的掩模，將沉積在所述材料層上的光刻膠曝光；以及去除所述材料層的部分以留下所述窄的區(qū)域和寬的區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括將所述晶片的厚的區(qū)域表征為第一區(qū)；將所述晶片的薄的區(qū)域表征為第二區(qū)；以及在所述第一區(qū)中形成所述窄的區(qū)域和在所述第二區(qū)中形成所述寬的區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括設(shè)置對(duì)所述第一區(qū)的第一成像補(bǔ)償和對(duì)所述第二區(qū)的第二成像補(bǔ)償；以及去除所述材料層的部分以留下所述第一區(qū)中的所述窄的區(qū)域和所述第二區(qū)中的所述寬的區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括測(cè)繪所述晶片的表面形貌，以確定所述晶片的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括橢圓對(duì)稱(chēng)測(cè)繪、激光測(cè)繪或電容測(cè)繪所述晶片的表面形貌，以確定所述晶片的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域。
7.一種制品，包括含有數(shù)據(jù)的機(jī)器可訪問(wèn)介質(zhì)，所述數(shù)據(jù)當(dāng)被機(jī)器訪問(wèn)時(shí)，使所述機(jī)器進(jìn)行包括如下步驟的操作在硅晶片上形成材料層，所述硅晶片具有包括至少一個(gè)厚的區(qū)域和至少一個(gè)薄的區(qū)域的表面形貌變化，所述材料層具有包括分別與所述晶片的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)厚的區(qū)域和至少一個(gè)薄的區(qū)域的表面形貌變化；以及在所述材料層中形成至少一個(gè)窄的區(qū)域和至少一個(gè)寬的區(qū)域，所述窄的區(qū)域和寬的區(qū)域分別對(duì)應(yīng)于所述晶片的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制品，其中所述機(jī)器可訪問(wèn)介質(zhì)還含有使所述機(jī)器進(jìn)行包括如下步驟的操作的數(shù)據(jù)通過(guò)具有已經(jīng)添加了近分辨率標(biāo)記的圖案的掩模，將沉積在所述材料層上的光刻膠曝光；以及去除所述材料層的部分以留下所述窄的區(qū)域和寬的區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制品，其中所述機(jī)器可訪問(wèn)介質(zhì)還含有使所述機(jī)器進(jìn)行包括如下步驟的操作的數(shù)據(jù)將所述晶片的厚的區(qū)域表征為第一區(qū)；將所述晶片的薄的區(qū)域表征為第二區(qū)；以及在所述第一區(qū)中形成所述窄的區(qū)域和在所述第二區(qū)中形成所述寬的區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制品，其中所述機(jī)器可訪問(wèn)介質(zhì)還含有使所述機(jī)器進(jìn)行包括如下步驟的操作的數(shù)據(jù)設(shè)置對(duì)所述第一區(qū)的第一成像補(bǔ)償和對(duì)所述第二區(qū)的第二成像補(bǔ)償；以及去除所述材料層的部分以留下所述第一區(qū)中的所述窄的區(qū)域和所述第二區(qū)中的所述寬的區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制品，其中所述機(jī)器可訪問(wèn)介質(zhì)還含有使所述機(jī)器進(jìn)行包括如下步驟的操作的數(shù)據(jù)測(cè)繪所述晶片的表面形貌，以確定所述晶片的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域。
12.一種方法，包括在硅晶片上形成第一材料層，所述硅晶片具有包括厚的區(qū)域和薄的區(qū)域的表面形貌變化，所述材料層具有包括分別與所述晶片的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域的表面形貌變化；以及在所述第一層上形成材料犧牲層，所述材料犧牲層具有包括分別與所述第一層的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域的表面形貌變化；以及使用在被沉積在所述犧牲層上的光刻膠上的近分辨率圖案直接寫(xiě)入，在所述材料犧牲層中形成窄的區(qū)域和寬的區(qū)域，所述窄的區(qū)域和寬的區(qū)域分別對(duì)應(yīng)于所述晶片的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括使用電子束、紫外光、X射線(xiàn)或光束中的至少一種來(lái)直接寫(xiě)入所述近分辨率圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括使用在被沉積在所述犧牲層上的光敏聚合物上的近分辨率圖案直接寫(xiě)入，在所述材料犧牲層中形成所述窄的區(qū)域和寬的區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括使用在被沉積在所述犧牲層上的非聚合物光刻膠上的近分辨率圖案直接寫(xiě)入，在所述材料犧牲層中形成所述窄的區(qū)域和寬的區(qū)域。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括將所述晶片的厚的區(qū)域表征為第一區(qū)；將所述晶片的薄的區(qū)域表征為第二區(qū)；以及在所述第一區(qū)中形成所述窄的區(qū)域和在所述第二區(qū)中形成所述寬的區(qū)域。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括設(shè)置對(duì)所述第一區(qū)的第一圖像補(bǔ)償和對(duì)所述第二區(qū)的第二圖像補(bǔ)償；以及去除所述材料層的部分以留下所述第一區(qū)中的所述窄的區(qū)域和所述第二區(qū)中的所述寬的區(qū)域。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括測(cè)繪所述晶片的表面形貌，以確定所述晶片的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域。
19.一種制品，包括含有數(shù)據(jù)的機(jī)器可訪問(wèn)介質(zhì)，所述數(shù)據(jù)當(dāng)被機(jī)器訪問(wèn)時(shí)，使所述機(jī)器進(jìn)行包括如下步驟的操作在硅晶片上形成第一材料層，所述硅晶片具有包括在它的表面形貌中的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域的表面形貌變化，所述第一層具有包括分別與所述晶片的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域的表面形貌變化；以及在所述第一層上形成材料犧牲層，所述材料犧牲層具有包括分別與所述第一層的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域的表面形貌變化；以及使用在被沉積在所述犧牲層上的光刻膠上的近分辨率圖案直接寫(xiě)入，在所述材料犧牲層中形成窄的區(qū)域和寬的區(qū)域，所述窄的區(qū)域和寬的區(qū)域分別對(duì)應(yīng)于所述晶片厚的區(qū)域和薄的區(qū)域。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制品，其中所述機(jī)器可訪問(wèn)介質(zhì)還含有使所述機(jī)器進(jìn)行包括如下步驟的操作的數(shù)據(jù)使用電子束、紫外光、X射線(xiàn)或光束中的至少一種來(lái)直接寫(xiě)入所述近分辨率圖案。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制品，其中所述機(jī)器可訪問(wèn)介質(zhì)還含有使所述機(jī)器進(jìn)行包括如下步驟的操作的數(shù)據(jù)使用在被沉積在所述犧牲層上的光敏聚合物上的近分辨率圖案直接寫(xiě)入，在所述材料犧牲層中形成所述窄的區(qū)域和寬的區(qū)域。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制品，其中所述機(jī)器可訪問(wèn)介質(zhì)還含有使所述機(jī)器進(jìn)行包括如下步驟的操作的數(shù)據(jù)使用在被沉積在所述犧牲層上的非聚合物光刻膠上的近分辨率圖案直接寫(xiě)入，在所述材料犧牲層中形成所述窄的區(qū)域和寬的區(qū)域。
23.一種系統(tǒng)，包括傳輸無(wú)線(xiàn)信號(hào)的收發(fā)器；耦合到所述收發(fā)器以選擇所述無(wú)線(xiàn)信號(hào)頻率的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有硅晶片，所述硅晶片具有形成至少一個(gè)厚的區(qū)域和至少一個(gè)薄的區(qū)域的表面形貌變化；和形成在所述硅晶片上的材料層，所述材料層具有分別與所述晶片的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)窄的區(qū)域和至少一個(gè)寬的區(qū)域；耦合到所述收發(fā)器的存儲(chǔ)器。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述收發(fā)器是全球移動(dòng)通信系統(tǒng)收發(fā)器。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述收發(fā)器是個(gè)人通信業(yè)務(wù)收發(fā)器。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種在襯底上形成重量補(bǔ)償/調(diào)節(jié)層的方法。本發(fā)明的實(shí)施例在表面形貌具有變化的結(jié)構(gòu)(例如，具有一個(gè)或多個(gè)材料層(例如，薄膜)的硅晶片)上形成重量補(bǔ)償/調(diào)節(jié)層。表面形貌變化表現(xiàn)為材料的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域。重量補(bǔ)償/調(diào)節(jié)層包括分別與厚的區(qū)域和薄的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的窄的區(qū)域和寬的區(qū)域。
文檔編號(hào)H04Q7/22GK1607648SQ20041007782
公開(kāi)日2005年4月20日 申請(qǐng)日期2004年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月29日
發(fā)明者西奧多·多羅什, 克里什納·塞莎恩 申請(qǐng)人:英特爾公司