專(zhuān)利名稱(chēng)：微電子成像器的覆蓋物及微電子成像器的晶片級(jí)封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子裝置及微電子裝置封裝方法。本發(fā)明的多個(gè)方面涉及用于保護(hù)圖像傳感器的覆蓋物，以及響應(yīng)于可見(jiàn)光譜或其他光譜輻射的微電子成像單元的晶片級(jí)封裝方法。
背景技術(shù)：
微電子成像器應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、具有圖片功能的無(wú)線裝置以及許多其他用途。蜂窩電話和個(gè)人數(shù)字助理(PDA)例如結(jié)合了微電子成像器以捕捉和發(fā)送圖片。由于微電子成像器尺寸越來(lái)越小且所產(chǎn)生圖像的像素?cái)?shù)目越來(lái)越高，其增長(zhǎng)速率一直穩(wěn)定上升。
微電子成像器包含使用電荷耦合器件(CCD)系統(tǒng)、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)系統(tǒng)或其他系統(tǒng)的圖像傳感器。CCD圖像傳感器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)和其他用途。由于生產(chǎn)成本低、成品率高且尺寸小，CMOS圖像傳感器也變得越來(lái)越受歡迎。CMOS圖像傳感器具備這些優(yōu)點(diǎn)的原因?yàn)?，使用為制作半?dǎo)體裝置所發(fā)展的技術(shù)和設(shè)備制造這些CMOS圖像傳感器。CMOS圖像傳感器以及CCD圖像傳感器因此被“封裝”以保護(hù)其精細(xì)元件并提供外部電學(xué)接觸。
圖1為使用傳統(tǒng)封裝的傳統(tǒng)微電子成像器1的示意性剖面視圖。成像器1包括管芯10、附于管芯10的插入基板(interposersubstrate)20、以及附于插入基板20的外殼30。外殼30圍繞管芯10的外圍并具有開(kāi)口32。成像器1還包括位于管芯10上方的透明覆蓋物40。
管芯10包括圖像傳感器12以及電學(xué)耦合到圖像傳感器12的多個(gè)焊盤(pán)14。插入基板20典型地為一種介電固定裝置，其具有多個(gè)焊盤(pán)22、多個(gè)球形焊盤(pán)(ball pad)24、以及將球形焊盤(pán)22電學(xué)耦合到相應(yīng)球形焊盤(pán)24的跡線26。球形焊盤(pán)24布置成陣列，用于將成像器1安裝到另一個(gè)裝置的板或模塊。管芯10上的焊盤(pán)14通過(guò)引線接合(wire-bond)28電學(xué)耦合到插入基板20上的焊盤(pán)22，從而提供焊盤(pán)14和球形焊盤(pán)24之間的電學(xué)路徑。
圖1所示成像器1還具有光學(xué)單元，包含貼附到外科30的支撐50和可調(diào)整地貼附到支撐50的筒60。支撐50可包含內(nèi)部螺紋52，筒60可包含與螺紋52嚙合的外部螺紋62。該光學(xué)單元還包含由筒60承載的透鏡70。
傳統(tǒng)的封裝微電子成像器的一個(gè)問(wèn)題為，其具有相對(duì)大的占地面積(footprint)并占據(jù)大量垂直空間(即，高的輪廓)。例如，圖1中成像器1的占地面積為插入基板20的底部的表面積，其顯著大于管芯10的表面積。因此，傳統(tǒng)的封裝微電子成像器的占地面積會(huì)成為圖片蜂窩電話或PDA的設(shè)計(jì)與適銷(xiāo)性的限制因素，因?yàn)檫@些裝置不?？s小尺寸以變得更為便攜。因此，需要提供具有更小占地面積和更低垂直輪廓的微電子成像器。
圖1所示的傳統(tǒng)成像器1的又一個(gè)問(wèn)題為，濕氣與/或其他污染物會(huì)削弱成像器1的性能。例如，在外殼30和覆蓋物40置于圖像傳感器12上之前，單個(gè)化管芯10。因此，由于切割工藝期間產(chǎn)生的微小顆粒，可能損傷管芯10上的圖像傳感器12。無(wú)保護(hù)的圖像傳感器還可能在其他工藝步驟中被顆?；驖駳鈸p傷。因此，需要在組裝和封裝成像器期間保護(hù)圖像傳感器。
傳統(tǒng)微電子成像器的另一個(gè)關(guān)心問(wèn)題為，降低管芯封裝成本。圖1所示外殼30的形成和安裝相對(duì)昂貴，因?yàn)?，覆蓋物40必須恰當(dāng)?shù)貙?duì)準(zhǔn)和安裝于開(kāi)口32內(nèi)，且外殼30必須置于和安裝于插入基板20。該工藝可能存在誤差，且通常耗費(fèi)時(shí)間。因此，非常需要提高微電子成像器封裝的效率、可靠性和精準(zhǔn)度。


圖1為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)封裝的微電子成像器的示意性剖面視圖。
圖2A和2B的示意性側(cè)面剖視圖示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的晶片級(jí)封裝多個(gè)微電子成像單元中使用的覆蓋物的制造方法的后續(xù)階段。
圖3A至3C的示意性側(cè)面剖視圖示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的晶片級(jí)封裝多個(gè)微電子成像單元的方法的各個(gè)階段。
圖4A和4B的示意性側(cè)面剖視圖示出了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的晶片級(jí)封裝多個(gè)微電子成像單元的方法的各種階段。
圖5的示意性側(cè)面剖視圖示出了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的晶片級(jí)封裝多個(gè)微電子成像單元的方法的階段。
圖6為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的封裝微電子成像器的示意性側(cè)面剖視圖。
圖7為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的封裝微電子成像器的示意性側(cè)面剖視圖。
具體實(shí)施方案A.綜述以下描述了下述方法的多個(gè)實(shí)施方案形成覆蓋物及將覆蓋物貼附到微電子成像單元的方法、晶片級(jí)封裝微電子成像器的方法，以及具有保護(hù)圖像傳感器的覆蓋物的微電子成像器的若干實(shí)施方案。本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方案在封裝工序的早期將覆蓋物貼附到成像單元，從而在隨后的組裝和封裝工序中保護(hù)圖像傳感器。用于微電子成像單元的覆蓋物以及將這種覆蓋物貼附到微電子成像單元的多個(gè)實(shí)施方案，與傳統(tǒng)裝置相比預(yù)期可顯著降低組裝成像單元的成本并產(chǎn)生更可靠的微電子成像器。此外，可以在晶片級(jí)形成和安裝這些覆蓋物，這預(yù)期可以顯著提高微電子成像器的制造效率，因?yàn)橥ㄟ^(guò)使用為制作半導(dǎo)體裝置所發(fā)展的高精度和高效的工藝，可以同時(shí)封裝多個(gè)成像單元。
本發(fā)明的一個(gè)方面涉及用于微電子成像單元的多個(gè)覆蓋物的晶片級(jí)加工。一個(gè)這種方法的實(shí)施方案包括提供覆蓋物工件，其具有可透射輻射的第一基板以及該第一基板上與/或內(nèi)的多個(gè)覆蓋物。該覆蓋物具有包括第一基板的區(qū)域的窗口以及從窗口突出的支座(stand-off)。該方法進(jìn)一步包括提供微電子工件，其包含具有多個(gè)微電子管芯的第二基板。這些管芯具有圖像傳感器、電學(xué)耦合到所述圖像傳感器的集成電路、以及電學(xué)耦合到相應(yīng)集成電路的多個(gè)端子(例如焊盤(pán))。該方法接著將覆蓋物與相應(yīng)管芯組裝，使得窗口與相應(yīng)的圖像傳感器對(duì)準(zhǔn)，且支座在端子內(nèi)側(cè)且圖像傳感器外側(cè)接觸相應(yīng)管芯。隨后切割第一基板以單個(gè)化各個(gè)覆蓋物。切割第一基板之后，切割第二基板以單個(gè)化各個(gè)成像單元。
本發(fā)明的另一個(gè)方面涉及微電子成像單元組件，所述組件被封裝于或以其他方式用于微電子成像單元的晶片級(jí)封裝。根據(jù)本發(fā)明的微電子成像單元組件的一個(gè)實(shí)施方案包括覆蓋物工件和微特征工件。該覆蓋物工件包含具有多個(gè)覆蓋物的可透射期望輻射的第一基板。各個(gè)覆蓋物包含窗口以及從窗口突出的支架。該微特征工件包含具有多個(gè)微電子管芯的第二基板。各個(gè)管芯包含圖像傳感器、電學(xué)耦合到該圖像傳感器的集成電路、以及電學(xué)耦合到該集成電路的多個(gè)端子(例如焊盤(pán))。第一和第二基板耦合在一起，使得(a)窗口與相應(yīng)的圖像傳感器對(duì)準(zhǔn)，以及(b)各個(gè)覆蓋物的支架介于單個(gè)圖像傳感器與對(duì)應(yīng)于該單個(gè)圖像傳感器的端子之間，從而所述支架不完全覆蓋這些端子。
以下參考CMOS成像器描述本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方案的具體細(xì)節(jié)，以提供對(duì)這些實(shí)施方案的全面理解，但是其他實(shí)施方案可以為CCD成像器或其他類(lèi)型的成像器。描述經(jīng)常與微電子裝置相關(guān)聯(lián)的公知結(jié)構(gòu)的許多細(xì)節(jié)在以下描述中省略，以避免不必要地使所揭示的實(shí)施方案的描述變得模糊。此外，盡管以下揭示列舉了本發(fā)明不同方面的多個(gè)實(shí)施方案，本發(fā)明的許多其他實(shí)施方案可具有與本部分所述不同的配置或組成。因此，應(yīng)該理解本發(fā)明可具有其他實(shí)施方案，這些實(shí)施方案可具有附加的元件，或者不具有以下參考圖2A至7所述的多個(gè)元件。
B.制造用于微電子成像器的成像單元圖2A至3C的示意性側(cè)面剖視圖示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案用于成像單元的覆蓋物的制造和安裝方法的階段。更具體而言，圖2A為覆蓋物工件200的示意性側(cè)面剖視圖，該覆蓋物工件包含基板202，其具有第一側(cè)204和與第一側(cè)204相對(duì)的第二側(cè)206。第一基板202進(jìn)一步包含多個(gè)離散的裝置位置210，各個(gè)覆蓋物在這些位置構(gòu)造于第一基板202上與/或內(nèi)。裝置位置210在基板202上布置成期望的陣列?？梢杂汕懈畹繟-A限定裝置位置210的邊界，其中可沿所述切割道切割第一基板202以將各個(gè)覆蓋物相互分離。
第一基板202可透射期望的輻射光譜。例如，當(dāng)成像管芯用于數(shù)碼相機(jī)時(shí)，第一基板202可透射可見(jiàn)光譜的光。然而，根據(jù)該成像管芯的具體應(yīng)用，第一基板202可透射紫外(UV)光、紅外輻射(IR)與/或任何其他合適的光譜。第一基板202可由玻璃、石英、塑料與/或其他合適的材料組成。在涉及對(duì)可見(jiàn)光譜的輻射進(jìn)行成像的實(shí)施方案中，第一基板202還可具有用于過(guò)濾UV、IR或其他不期望的輻射光譜的膜。第一基板202例如可由如下材料形成與/或具有如下的涂層，該材料/涂層可過(guò)濾IR或近IR光譜，且第一基板202可具有抗反射涂層。
圖2B為在第一基板202上與/或內(nèi)形成多個(gè)覆蓋物220之后，覆蓋物工件200的示意性剖視圖。第一基板202通常在每個(gè)裝置位置210具有覆蓋物220。可以使用半導(dǎo)體制造技術(shù)中所使用的高效和高精度工藝一起形成這些覆蓋物220。在一個(gè)實(shí)施方案中，通過(guò)如下步驟形成覆蓋物220圖案化第一基板202第一側(cè)204上的光致抗蝕劑層(未示出)，以及蝕刻第一基板202以形成支架222和多個(gè)窗口226，所述窗口包括介于支架222之間的第一基板202的區(qū)域。每個(gè)裝置位置210處的窗口226和支架222配置成圍住一圖像傳感器。使用各向同性蝕刻以在第一基板202上形成覆蓋物220，但是在其他實(shí)施方案中，可使用各向異性蝕刻與/或其他沉積工藝形成覆蓋物220。
圖3A的示意性側(cè)面剖視圖示出了包含微特征工件230和覆蓋物工件200的成像單元組件300的一部分，微特征工件230和覆蓋物工件200相互對(duì)準(zhǔn)以用于對(duì)微電子成像單元進(jìn)行晶片級(jí)封裝。微特征工件230包含第二基板232，其具有第一側(cè)234、與第一側(cè)234相對(duì)的第二側(cè)236、以及形成于第二基板232上與/或內(nèi)的多個(gè)微電子管芯250。管芯250在第二基板232上排列成陣列，第一基板202上的覆蓋物220排列成與管芯250的排列相對(duì)應(yīng)的陣列。各個(gè)管芯250可包含集成電路252(示意性示出)、可操作地耦合到集成電路252的圖像傳感器254、以及電學(xué)耦合到集成電路252的多個(gè)端子256(例如焊盤(pán))。圖像傳感器254可以是用于捕捉可見(jiàn)光譜內(nèi)的圖片或其他圖像的CMOS或CCD圖像傳感器。在其他實(shí)施方案中，圖像傳感器254可檢測(cè)其他光譜(例如IR或UV范圍)內(nèi)的輻射。
圖3B示出了在將第一基板202貼附到第二基板232之后的成像單元組件300的示意性側(cè)面剖視圖。通過(guò)將各個(gè)覆蓋物220的支架222置于相應(yīng)管芯250上的端子256內(nèi)側(cè)且圖像傳感器254外側(cè)，將第一基板202與第二基板232組裝在一起。更具體而言，每個(gè)支架222可在圖像傳感器254和端子256之間的安裝區(qū)域“Z”內(nèi)接觸第二基板232，使得端子256的至少一部分被暴露，其中該特定圖像傳感器254可操作地耦合到所述端子256。各個(gè)覆蓋物220的窗口226置于相應(yīng)圖像傳感器254的上方，使得每個(gè)支架222和窗口226將一圖像傳感器254圍在凹陷224內(nèi)。窗口226與圖像傳感器254分隔間隙G以產(chǎn)生封閉單元260。單元260可以是在真空下密封的未占用空間，使得在圖像傳感器254和窗口226之間基本沒(méi)有任何物質(zhì)?；蛘呖墒褂脤?duì)特定輻射具有恰當(dāng)透射率的惰性氣體填充單元260。使用半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中已知的晶片級(jí)接合工藝，例如粘合劑(例如SU-8或苯并環(huán)丁烯)或者SiO2熔焊，可以將支架222的遠(yuǎn)端貼附于第二基板232。在其他實(shí)施方案中，可以使用不同的接合工藝。
如前所述將第一基板202貼附到第二基板232之后，沿線A-A切割第一基板202，從而單個(gè)化各個(gè)覆蓋物220并暴露每個(gè)管芯250上的端子256。使用切割刀片沿線A-A切割第一基板202，而不接觸下方的端子256或第二基板232。通常使用排列成組的刀片對(duì)270切割第一基板202，但是可以使用不同方法(例如激光)沿線A-A切割第一基板202。
接著參考圖3C，沿線B-B切割第二基板232，從而將各個(gè)微電子成像單元280彼此分離。各個(gè)微電子成像單元280隨后可經(jīng)歷另外的封裝步驟，如下參考圖6和7所描述。
結(jié)合圖2A至3C在上文中描述的用于制造微電子成像單元的多個(gè)實(shí)施方案的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)為，在進(jìn)行單個(gè)化第二基板232或者后續(xù)封裝工序之前，圖像傳感器254被保護(hù)在密封單元260內(nèi)。例如，在切割第一或第二基板202或232時(shí)，覆蓋物220防止各個(gè)管芯250上的圖像傳感器254接觸流體及顆粒。單個(gè)微小的顆粒會(huì)毀壞用于例如數(shù)碼相機(jī)和圖片蜂窩電話的高端應(yīng)用的圖像傳感器254。然而，通過(guò)在單個(gè)化各個(gè)管芯250之前在晶片階段貼附覆蓋物220，各個(gè)管芯250上的圖像傳感器254在單個(gè)化工藝期間可得到保護(hù)。此外，各個(gè)管芯250上的圖像傳感器254還可以在后續(xù)封裝和組裝工藝(例如引線接合與/或包裝)期間得到保護(hù)。
前述成像單元280制造工藝的又一個(gè)優(yōu)點(diǎn)為，無(wú)需附加的隔離物或支撐件用于支撐各個(gè)管芯250上的覆蓋物220。支架222為各個(gè)覆蓋物220的整體組成部分，并貼附到各個(gè)管芯250以將每個(gè)覆蓋物220精確地置于管芯250上的相應(yīng)圖像傳感器254上。這種制造工藝是高效的，因?yàn)闊o(wú)需附加步驟或工藝以在管芯250上構(gòu)造隔離元件、將各個(gè)覆蓋物窗口安裝到這些隔離物上、或者將單獨(dú)的外殼安裝到插入基板。此外，覆蓋物220上的支架222能夠非常精確地控制覆蓋物220相對(duì)于成像傳感器254的間隔距離。
圖4A和4B說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的微電子成像單元制造方法的不同階段。首先參考圖2A-B如上文說(shuō)明和描述對(duì)第一基板202進(jìn)行加工。圖4A為圖2B所示覆蓋物工件200與圖3A所示微特征工件230假定對(duì)準(zhǔn)的示意性側(cè)面剖視圖。然而，與圖3A至3C所述工藝不同，在將覆蓋物220貼附到微電子工件230之前，切割第一基板202以單個(gè)化各個(gè)覆蓋物220。相應(yīng)地，在將覆蓋物220與圖像傳感器254對(duì)準(zhǔn)之前，沿線C-C切割第一基板202以將各個(gè)覆蓋物220彼此分離。
接著參考圖4B，各個(gè)覆蓋物220與相應(yīng)的圖像傳感器254對(duì)準(zhǔn)，并貼附到第二基板232。將窗口226分別安裝在相對(duì)于各個(gè)管芯250上圖像傳感器之一的期望位置。在將各個(gè)覆蓋物220貼附到相應(yīng)管芯250之后，沿線D-D切割第二基板232，從而如圖3C所示構(gòu)造多個(gè)微電子成像單元。本實(shí)施方案的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)為，可以測(cè)試管芯250，從而在將覆蓋物220貼附到各個(gè)管芯250之前確定已知合格的管芯250。這樣，可以將僅將覆蓋物220貼附到已知合格的管芯250以避免浪費(fèi)合格的覆蓋物。
圖5為示出了本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的覆蓋物工件500的示意性側(cè)面剖視圖。覆蓋物工件500包含第一基板502，該基板具有第一側(cè)504以及與第一側(cè)504相對(duì)的第二側(cè)506。覆蓋物工件500進(jìn)一步包含多個(gè)離散的裝置位置510，各個(gè)覆蓋物在這些位置構(gòu)造于第一基板502上?？梢杂汕懈畹繣-E限定裝置位置510的邊界，其中可沿所述切割道切割第一基板502以將各個(gè)覆蓋物相互分離。第一基板502至少可以是大致類(lèi)似于參考圖2A所述的第一基板202。
第一基板502還含包含位于第一基板502一側(cè)(例如第一側(cè)504)上的多個(gè)支架522。支架522可由與第一基板502相同的材料組成，但是支架522通常由不同材料組成。例如，第一基板502可以是石英，支架522可以為環(huán)氧樹(shù)脂或其他聚合物。支架522以與微特征工件230(圖3A)上的圖像傳感器254和端子256的圖案相對(duì)應(yīng)的圖案，在各個(gè)裝置位置510從第一基板502突出。支架522在每個(gè)裝置位置510產(chǎn)生凹陷524，支架522之間的第一基板502的區(qū)域?yàn)榇翱?26。
可以使用絲網(wǎng)印刷工藝、三維立體光刻(stereolithography)技術(shù)或其他處理工藝，在第一基板502上形成支架522。在另外其他實(shí)施方案中，通過(guò)將材料模制在基板上或者將預(yù)制的支架貼附到基板上，在第一基板502上形成支架522。在第一基板502上形成多個(gè)支架522之后，可以在如圖3B或圖4B所示，在將支架522貼附到第二基板232之前或之后，沿線E-E切割覆蓋物工件500。
圖2A至5以及相關(guān)上文描述了制造用于微電子成像器的覆蓋物和成像單元的多個(gè)實(shí)施方案。然而，覆蓋物與/或成像單元可以使用其他方法形成，并可具有其他結(jié)構(gòu)。因此，本發(fā)明不限于上述具體方法與/或結(jié)構(gòu)，而是還包含覆蓋物和成像單元的備選制造方法。
C.封裝微電子成像器圖6和7說(shuō)明了使用具有前述覆蓋物的成像單元封裝微電子成像器的方法的不同實(shí)施方案。盡管以下實(shí)施方案闡述了僅封裝單個(gè)微電子成像器，但是應(yīng)該理解可以晶片級(jí)地同時(shí)封裝多個(gè)成像器。
圖6為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的封裝的微電子成像器600的示意性側(cè)面剖視圖。所示實(shí)施方案中成像器600包含成像單元680，該成像單元680包含上面結(jié)合圖3C所述的覆蓋物220以及微電子管芯650。圖3C和6中相同的參考數(shù)字表示相同的元件。管芯650具有前側(cè)610和背側(cè)611。管芯650進(jìn)一步包含集成電路652(示意性示出)、可操作地耦合到集成電路652的圖像傳感器654、以及電學(xué)耦合到集成電路652的端子656(例如焊盤(pán))的陣列。
管芯650與圖3C所示管芯250不同之處為，管芯650具有多個(gè)導(dǎo)電互連657，所述互連657具有電學(xué)耦合到相應(yīng)端子656的第一部分以及電學(xué)耦合到管芯650第二側(cè)611上相應(yīng)球形焊盤(pán)658的第二部分。在圖6所示實(shí)施方案中，互連657由此為貫穿晶片的互連，其從第一側(cè)610完全貫穿管芯650延伸到第二側(cè)611?；蛘?，其他管芯可不包含貫穿晶片型互連657?？梢园凑找韵聦?zhuān)利所揭示的工藝形成互連657，即，于2003年11月13日提交的題為″Microelectronic Devices，Methods for Forming Vias in Microelectronic Devices，andMethods for Packaging Microelectronic Devices″美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)US 10/713,878(Perkins Coie Docket No.108298742US)，其內(nèi)容于此全部引入作為參考。可以在單個(gè)化管芯650之前或之后(圖3C)在管芯650內(nèi)形成互連657。球形焊盤(pán)658形成于管芯650的第二側(cè)611上與/或內(nèi)，并配置成接收焊球(未示出)或其他導(dǎo)電元件。在其他實(shí)施方案中，成像器600可不包含球形焊盤(pán)658與/或焊球。
在圖6所示實(shí)施方案的另一個(gè)方面中，成像器600可進(jìn)一步包含貼附到覆蓋物220并與圖像傳感器654對(duì)準(zhǔn)的光學(xué)單元690。光學(xué)單元690可包含板692和位于板692上的光學(xué)元件694，從而至少將期望的輻射光譜透射到圖像傳感器654。光學(xué)元件694可以是用于聚光的透鏡、用于降低高階折射的針孔與/或用于執(zhí)行其他功能的其他光學(xué)結(jié)構(gòu)。
由支撐件696支持板692和光學(xué)元件694，該支持件696精確地將光學(xué)元件694置于相對(duì)于圖像傳感器654的期望位置。在于2003年11月26提交的題為″Packaged Microelectronic Imagers andMethods of Packaging Microelectronic Imagers″美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.10/723,363(Perkins Coie Docket No.108298746US)中揭示了具有相應(yīng)界面特征的合適的支持件696，該專(zhuān)利申請(qǐng)于此全部引入作為參考。在圖6所示實(shí)施方案中板692貼附到支持件696，但是光學(xué)單元690的其他實(shí)施方案可不包含板，使得光學(xué)元件694直接貼附到支持件696。
圖6所示成像器600的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)為，成像器600可遠(yuǎn)小于圖1所示的傳統(tǒng)成像器。成像器600的占地面積可以與管芯650尺寸一樣小，因?yàn)楣苄疚窗惭b到單獨(dú)的插入基板上。這是可能的，因?yàn)榛ミB657提供了與管芯650的第二側(cè)611上球形焊盤(pán)658陣列的電學(xué)連接，而不是使用管芯650第一側(cè)610上的引線接合。成像器600的高度也小于傳統(tǒng)成像器，因?yàn)槌上衿?00可以在不使用插入基板的情況下直接安裝到模塊或板上。因此，預(yù)期成像器600具有比傳統(tǒng)微電子成像器小的占地面積和低的輪廓，這對(duì)于圖片蜂窩電話、PDA或空間有限的其他用途是尤其有利的。
圖6所示成像器600的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)為，可以從管芯650的背側(cè)611測(cè)試成像器600。測(cè)試探針可接觸管芯650的背側(cè)611以測(cè)試成像器600，因?yàn)樨灤┚幕ミB657提供了背側(cè)電學(xué)接觸(例如球形焊盤(pán)658)。因此，由于測(cè)試探針嚙合管芯650背側(cè)611上的接觸，所以其將不會(huì)損傷圖像傳感器654、光學(xué)單元690、或者管芯650正面上的相關(guān)電路。此外，測(cè)試探針在背側(cè)測(cè)試時(shí)不阻礙圖像傳感器654，這使得與從前側(cè)測(cè)試成像管芯的工藝相比，測(cè)試探頭可以更容易地測(cè)試成像器。此外，在圖像傳感器654與/或光學(xué)單元690在測(cè)試時(shí)不受損傷的環(huán)境下測(cè)試微電子成像器600是有利的。
圖7為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的封裝的微電子成像器700的側(cè)面剖視圖。所示實(shí)施方案中的成像器700可包含結(jié)合圖3C在上面所述的成像單元280、上述的圖6中的光學(xué)單元690、以及插入基板702；因此與圖3C、6和7中相同的參考數(shù)字表示相同的元件。插入基板702包含具有多個(gè)接觸766的第一側(cè)704和具有多個(gè)焊盤(pán)768的第二側(cè)706。插入基板702進(jìn)一步包含將各個(gè)接觸766電學(xué)耦合到相應(yīng)焊盤(pán)768的多條跡線767。接觸766可布置成陣列以貼附到管芯250上的相應(yīng)端子256，焊盤(pán)768可布置成陣列以貼附到多個(gè)電學(xué)耦合器(例如焊球)。
可以使用粘合膜、環(huán)氧樹(shù)脂或其他合適的材料將成像單元280貼附到插入基板702。在將成像單元280貼附到插入基板702之后，形成多個(gè)引線接合722從而將管芯250電學(xué)耦合到插入基板702。成像器700可進(jìn)一步包含貼附到覆蓋物220并與圖像傳感器254對(duì)準(zhǔn)的光學(xué)單元690。
從上述描述將會(huì)理解，出于說(shuō)明的目的已經(jīng)在此描述了本發(fā)明的具體實(shí)施方案，但是在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可進(jìn)行各種調(diào)整。例如，微電子成像單元和微電子成像器可具有參考圖2A至7所述的特征的任意組合。因此本發(fā)明不限于此而由所附權(quán)利要求界定。
權(quán)利要求
1.一種微電子成像單元的制造方法，包括提供覆蓋物工件，其包含可透射輻射的第一基板并具有多個(gè)覆蓋物，所述覆蓋物具有包括所述第一基板的區(qū)域的窗口以及從所述窗口突出的支架；提供微特征工件，其包含具有多個(gè)微電子管芯的第二基板，所述管芯具有圖像傳感器、電學(xué)耦合到相應(yīng)圖像傳感器的集成電路、以及電學(xué)耦合到相應(yīng)集成電路的端子；以及將所述覆蓋物與相應(yīng)管芯組裝，使得所述窗口與相應(yīng)的圖像傳感器對(duì)準(zhǔn)，且所述支架在所述端子內(nèi)側(cè)且在所述圖像傳感器外側(cè)接觸相應(yīng)管芯。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括，在將所述覆蓋物與相應(yīng)管芯組裝之后以及切割所述第二基板以單個(gè)化各個(gè)管芯之前，切割所述第一基板以單個(gè)化各個(gè)覆蓋物。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在將所述覆蓋物與相應(yīng)管芯組裝之前，切割所述第一基板以單個(gè)化各個(gè)覆蓋物；將分離的覆蓋物貼附到相應(yīng)管芯；以及切割所述第二基板，從而單個(gè)化具有貼附的覆蓋物的各個(gè)管芯。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中提供所述多個(gè)覆蓋物包括蝕刻所述第一基板以形成所述支架。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中提供所述多個(gè)覆蓋物包括通過(guò)在所述第一基板上沉積材料而形成所述支架。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中提供所述多個(gè)覆蓋物包括使用與所述第一基板相同的材料形成所述支架。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中提供所述多個(gè)覆蓋物包括使用與所述第一基板不同的材料形成所述支架。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中提供所述多個(gè)覆蓋物包括通過(guò)將材料絲網(wǎng)印刷在所述第一基板上而形成所述支架。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中提供所述多個(gè)覆蓋物包括通過(guò)將材料模制在所述第一基板上而形成所述支架。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中提供所述多個(gè)覆蓋物包括使用三維立體光刻在所述第一基板上沉積材料而形成所述支架。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中提供所述多個(gè)覆蓋物包括在所述第一基板上形成所述窗口和支架，使得所述窗口和支架布置成裝置圖案；以及在所述第二基板上與/或內(nèi)提供所述多個(gè)微電子管芯包括將所述圖像傳感器在所述第二基板上布置成管芯圖案，所述裝置圖案通常對(duì)應(yīng)于所述管芯圖案。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中提供所述多個(gè)覆蓋物包括在所述第一基板內(nèi)蝕刻形成多個(gè)凹陷以形成布置成裝置圖案的支架；以及在所述第二基板上與/或內(nèi)提供所述多個(gè)微電子管芯包括將所述圖像傳感器在所述第二基板上布置成管芯圖案，所述裝置圖案通常對(duì)應(yīng)于所述管芯圖案。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中提供所述第一基板包括提供可透射可見(jiàn)光譜內(nèi)的光的晶片。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中提供所述第一基板包括提供石英晶片。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括提供具有光學(xué)元件的多個(gè)光學(xué)單元；以及在單個(gè)化具有貼附的覆蓋物的所述管芯之前或之后，將所述光學(xué)單元與相應(yīng)管芯組裝，一個(gè)光學(xué)單元的光學(xué)元件置于相對(duì)于相應(yīng)管芯的圖像傳感器的期望位置。
16.一種微電子成像單元的制造方法，包括提供覆蓋物工件，其包含可透射輻射的第一基板并具有多個(gè)覆蓋物，所述覆蓋物具有包括所述第一基板的區(qū)域的窗口以及從所述窗口突出的支架；提供微特征工件，其包含具有多個(gè)微電子管芯的第二基板，所述管芯具有圖像傳感器、電學(xué)耦合到相應(yīng)圖像傳感器的集成電路、以及電學(xué)耦合到相應(yīng)集成電路的端子；通過(guò)使所述窗口與相應(yīng)的圖像傳感器對(duì)準(zhǔn)，以及將所述支架在相應(yīng)端子內(nèi)側(cè)且在相應(yīng)圖像傳感器外側(cè)的位置貼附到所述管芯，將所述覆蓋物工件貼附到所述微特征工件；切割所述第一基板以單個(gè)化所述各個(gè)覆蓋物并暴露所述管芯上的端子的至少一部分；以及切割所述第二基板以單個(gè)化所述各個(gè)管芯。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中提供所述多個(gè)覆蓋物包括蝕刻所述第一基板以形成所述支架。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中提供所述多個(gè)覆蓋物包括通過(guò)在所述第一基板上沉積材料而形成所述支架。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中提供所述多個(gè)覆蓋物包括使用與所述第一基板相同的材料形成所述支架。
20.如權(quán)利要求16所述的方法，其中提供所述多個(gè)覆蓋物包括使用與所述第一基板不同的材料形成所述支架。
21.如權(quán)利要求16所述的方法，其中提供所述多個(gè)覆蓋物包括通過(guò)將材料絲網(wǎng)印刷在所述第一基板上而形成所述支架。
22.如權(quán)利要求16所述的方法，其中提供所述多個(gè)覆蓋物包括通過(guò)將材料模制在所述第一基板上而形成所述支架。
23.如權(quán)利要求16所述的方法，其中提供所述多個(gè)覆蓋物包括使用三維立體光刻在所述第一基板上沉積材料而形成所述支架。
24.如權(quán)利要求16所述的方法，其中提供所述多個(gè)覆蓋物包括在所述第一基板上形成所述窗口和支架，使得所述窗口和支架布置成裝置圖案；以及在所述第二基板上與/或內(nèi)提供所述多個(gè)微電子管芯包括將所述圖像傳感器在所述第二基板上布置成管芯圖案，所述裝置圖案通常對(duì)應(yīng)于所述管芯圖案。
25.如權(quán)利要求16所述的方法，其中提供所述多個(gè)覆蓋物包括在所述第一基板內(nèi)蝕刻形成多個(gè)凹陷以形成布置成裝置圖案的支架；以及在所述第二基板上與/或內(nèi)提供所述多個(gè)微電子管芯包括將所述圖像傳感器在所述第二基板上布置成管芯圖案，所述裝置圖案通常對(duì)應(yīng)于所述管芯圖案。
26.如權(quán)利要求16所述的方法，其中提供所述第一基板包括提供透射可見(jiàn)光譜內(nèi)的光的晶片。
27.如權(quán)利要求16所述的方法，其中提供所述第一基板包括提供石英晶片。
28.一種微電子成像單元的制造方法，包括使用第一基板形成多個(gè)覆蓋物，其中各個(gè)覆蓋物具有窗口、從所述窗口突出的支架、以及所述支架內(nèi)的凹陷；提供微特征工件，其包含具有多個(gè)微電子管芯的第二基板，所述各個(gè)管芯具有圖像傳感器、電學(xué)耦合到所述圖像傳感器的集成電路、以及電學(xué)耦合到所述集成電路的端子；切割所述第一基板以相互分離所述各個(gè)覆蓋物；通過(guò)使所述窗口與相應(yīng)的圖像傳感器對(duì)準(zhǔn)，以及將所述支架在所述端子和所述圖像傳感器之間的位置貼附到所述管芯使得所述支架不覆蓋所述端子的至少一部分，來(lái)將分離的覆蓋物貼附到相應(yīng)管芯；以及切割所述第二基板以相互分離所述各個(gè)管芯。
29.如權(quán)利要求28所述的方法，其中形成所述多個(gè)覆蓋物包括蝕刻所述第一基板以形成所述支架。
30.如權(quán)利要求28所述的方法，其中形成所述多個(gè)覆蓋物包括通過(guò)在所述第一基板上沉積材料而形成所述支架。
31.如權(quán)利要求28所述的方法，其中形成所述多個(gè)覆蓋物包括使用與所述第一基板相同的材料形成所述支架。
32.如權(quán)利要求28所述的方法，其中形成所述多個(gè)覆蓋物包括使用與所述第一基板不同的材料形成所述支架。
33.如權(quán)利要求28所述的方法，其中形成所述多個(gè)覆蓋物包括在所述第一基板內(nèi)蝕刻形成多個(gè)凹陷以形成布置成裝置圖案的支架；以及在所述第二基板上與/或內(nèi)提供所述多個(gè)微電子管芯包括將所述圖像傳感器在所述第二基板上布置成管芯圖案，所述裝置圖案通常對(duì)應(yīng)于所述管芯圖案。
34.一種微電子成像單元的制造方法，包括使用透射輻射的第一基板形成多個(gè)覆蓋物，所述覆蓋物具有窗口和從所述窗口突出的支架；使用第二基板形成多個(gè)微電子管芯，所述各個(gè)管芯具有圖像傳感器、電學(xué)耦合到所述圖像傳感器的集成電路、以及電學(xué)耦合到所述集成電路的端子；以及將所述第一基板與所述第二基板組裝，使得所述窗口與第二基板上的相應(yīng)圖像傳感器以空間分隔開(kāi)的關(guān)系對(duì)準(zhǔn)，且所述支架在所述圖像傳感器和相應(yīng)端子之間接觸相應(yīng)管芯。
35.如權(quán)利要求34所述的方法，進(jìn)一步包括切割所述第一基板以單個(gè)化所述各個(gè)覆蓋物并暴露相應(yīng)端子的至少一部分；以及切割所述第二基板以單個(gè)化具有貼附的覆蓋物的所述各個(gè)管芯。
36.如權(quán)利要求34所述的方法，其中形成所述多個(gè)覆蓋物包括蝕刻所述第一基板以形成所述支架。
37.如權(quán)利要求34所述的方法，其中形成所述多個(gè)覆蓋物包括通過(guò)在所述第一基板上沉積材料而形成所述支架。
38.如權(quán)利要求34所述的方法，其中形成所述多個(gè)覆蓋物包括使用與所述第一基板相同的材料形成所述支架。
39.如權(quán)利要求34所述的方法，其中形成所述多個(gè)覆蓋物包括使用與所述第一基板不同的材料形成所述支架。
40.如權(quán)利要求34所述的方法，其中形成所述多個(gè)覆蓋物包括在所述第一基板內(nèi)蝕刻形成多個(gè)凹陷，從而形成通常布置為裝置圖案的支架；以及在所述第二基板上與/或內(nèi)形成所述多個(gè)微電子管芯包括形成具有在所述第二基板上布置成管芯圖案的圖像傳感器的所述多個(gè)管芯，所述裝置圖案通常對(duì)應(yīng)于所述管芯圖案。
41.一種微電子成像單元的制造方法，包括在第一基板上提供多個(gè)預(yù)制覆蓋物，所述覆蓋物具有窗口、從所述窗口突出的支架、以及由所述窗口和支架限定的腔；提供由第二基板支撐的多個(gè)微電子管芯，所述第二基板具有前側(cè)和背側(cè)，所述各個(gè)管芯包含位于所述前側(cè)的圖像傳感器、電學(xué)耦合到所述圖像傳感器的集成電路、位于所述前側(cè)并可操作地耦合到所述圖像傳感器的多個(gè)端子、以及所述圖像傳感器和所述端子之間的安裝區(qū)域；以及將所述多個(gè)覆蓋物與相應(yīng)的多個(gè)成像管芯組裝，使得所述支架位于相應(yīng)成像管芯的安裝區(qū)域內(nèi)，且所述端子的至少一部分暴露。
42.如權(quán)利要求41所述的方法，進(jìn)一步包括在將所述覆蓋物與相應(yīng)管芯組裝之后，切割所述第一基板以單個(gè)化所述各個(gè)覆蓋物；以及在切割所述第一基板之后，切割所述第二基板以單個(gè)化所述各個(gè)管芯。
43.如權(quán)利要求41所述的方法，進(jìn)一步包括在將所述覆蓋物與相應(yīng)管芯組裝之前，切割所述第一基板以單個(gè)化所述各個(gè)覆蓋物；以及在將單個(gè)化的覆蓋物與對(duì)應(yīng)管芯組裝之后，切割所述第二基板以單個(gè)化所述各個(gè)管芯。
44.如權(quán)利要求41所述的方法，其中提供所述多個(gè)預(yù)制覆蓋物包括在所述第一基板內(nèi)蝕刻形成所述支架。
45.如權(quán)利要求41所述的方法，其中提供所述多個(gè)預(yù)制覆蓋物包括通過(guò)在所述第一基板上沉積材料而形成所述支架。
46.如權(quán)利要求41所述的方法，其中提供所述多個(gè)預(yù)制覆蓋物包括使用與所述第一基板相同的材料形成所述支架。
47.如權(quán)利要求41所述的方法，其中提供所述多個(gè)預(yù)制覆蓋物包括使用與所述第一基板不同的材料形成所述支架。
48.如權(quán)利要求41所述的方法，其中提供所述多個(gè)預(yù)制覆蓋物包括在所述第一基板內(nèi)蝕刻形成所述腔，從而形成布置為裝置圖案的支架；以及在所述第二基板上與/或內(nèi)提供所述多個(gè)微電子成像管芯包括將所述圖像傳感器在所述第二基板前側(cè)上布置成管芯圖案，所述裝置圖案通常對(duì)應(yīng)于所述管芯圖案。
49.一種微電子成像單元的制造方法，包括在第一基板上提供多個(gè)預(yù)制覆蓋物，所述覆蓋物具有窗口、從所述窗口突出的支架、以及由所述窗口和支架限定的腔；提供由第二基板支撐的多個(gè)微電子成像管芯，所述第二基板具有前側(cè)和背側(cè)，所述各個(gè)管芯包含位于所述前側(cè)的圖像傳感器、電學(xué)耦合到所述圖像傳感器的集成電路、位于所述前側(cè)并可操作地耦合到所述圖像傳感器的多個(gè)端子、以及所述圖像傳感器和所述端子之間的安裝區(qū)域；以及至少基本上同時(shí)地將多個(gè)覆蓋物與相應(yīng)的多個(gè)成像管芯組裝，使得所述支架位于相應(yīng)成像管芯的安裝區(qū)域內(nèi)。
50.如權(quán)利要求49所述的方法，其中提供所述多個(gè)預(yù)制覆蓋物包括蝕刻所述第一基板以形成所述支架。
51.如權(quán)利要求49所述的方法，其中提供所述多個(gè)預(yù)制覆蓋物包括通過(guò)在所述第一基板上沉積材料而形成所述支架。
52.如權(quán)利要求49所述的方法，其中提供所述多個(gè)預(yù)制覆蓋物包括使用與所述第一基板相同的材料形成所述支架。
53.如權(quán)利要求49所述的方法，其中提供所述多個(gè)預(yù)制覆蓋物包括使用與所述第一基板不同的材料形成所述支架。
54.如權(quán)利要求49所述的方法，其中提供所述多個(gè)預(yù)制覆蓋物包括在所述第一基板內(nèi)蝕刻形成所述腔，從而形成布置為裝置圖案的支架；以及提供所述多個(gè)微電子成像管芯包括將所述圖像傳感器在所述第二基板前側(cè)上布置成管芯圖案，所述裝置圖案通常對(duì)應(yīng)于所述管芯圖案。
55.如權(quán)利要求49所述的方法，其中將所述多個(gè)覆蓋物組裝到相應(yīng)的多個(gè)成像管芯包括按照晶片對(duì)晶片的關(guān)系將所述第一基板組裝到所述第二基板。
56.一種微電子成像單元組件，包括覆蓋物工件，其包含具有多個(gè)覆蓋物的第一基板，所述第一基板可透射輻射，且其中各個(gè)覆蓋物包含窗口和從所述窗口突出的支架；以及微特征工件，其包含具有多個(gè)微電子管芯的第二基板，其中各個(gè)管芯包含圖像傳感器、電學(xué)耦合到所述圖像傳感器的集成電路、以及電學(xué)耦合到所述集成電路的多個(gè)端子，所述第一和第二基板耦合在一起使得所述窗口與相應(yīng)圖像傳感器對(duì)準(zhǔn)且所述支架在相應(yīng)圖像傳感器外側(cè)且相應(yīng)端子內(nèi)側(cè)接觸所述管芯，使得所述支架不完全覆蓋所述端子。
57.如權(quán)利要求56所述的組件，其中所述窗口以空間分隔開(kāi)的關(guān)系位于相應(yīng)圖像傳感器上方，所述窗口和相應(yīng)圖像傳感器之間的空間限定封閉的未用單元。
58.如權(quán)利要求56所述的組件，其中所述窗口以空間分隔開(kāi)的關(guān)系位于相應(yīng)圖像傳感器上方，所述窗口和相應(yīng)圖像傳感器之間的空間限定封閉的未用單元，所述未用單元被抽真空以使所述窗口和所述圖像傳感器之間基本上沒(méi)有任何物質(zhì)。
59.如權(quán)利要求56所述的組件，其中所述窗口以空間分隔開(kāi)的關(guān)系位于相應(yīng)圖像傳感器上方，所述窗口和相應(yīng)圖像傳感器之間的空間限定封閉的未用單元，所述未用單元被具有期望透射率的惰性氣體填充。
60.如權(quán)利要求56所述的組件，其中所述第一基板包含成裝置圖案的多個(gè)離散裝置位置，在每個(gè)裝置位置形成覆蓋物；以及所述管芯在所述第二基板上布置成管芯圖案，所述裝置圖案通常對(duì)應(yīng)于所述管芯圖案。
61.如權(quán)利要求56所述的組件，其中所述覆蓋物為離散元件，每一個(gè)均具有在所述第一基板內(nèi)蝕刻形成的凹陷以形成所述支架。
62.如權(quán)利要求56所述的組件，其中所述覆蓋物為離散元件，每一個(gè)均具有通過(guò)在所述第一基板上沉積材料而形成的所述支架。
63.如權(quán)利要求56所述的組件，其中所述第一基板包含可透射可見(jiàn)光譜內(nèi)的光的晶片；以及所述覆蓋物為離散元件，每一個(gè)均具有通過(guò)在所述晶片上沉積材料而形成的所述支架，所述支架由與所述晶片相同的材料形成。
64.如權(quán)利要求56所述的組件，其中所述第一基板包含可透射可見(jiàn)光譜內(nèi)的光的晶片；以及所述覆蓋物為離散元件，每一個(gè)均具有通過(guò)在所述晶片上沉積材料而形成的所述支架，所述支架由與所述第一基板不同的材料形成。
65.如權(quán)利要求56所述的組件，其中所述第一基板包括石英晶片；且所述覆蓋物為離散元件，每一個(gè)均具有通過(guò)在所述晶片上沉積材料而形成的所述支架，所述支架由與所述晶片相同的材料形成。
66.如權(quán)利要求56所述的組件，其中所述第一基板包括石英晶片；且所述覆蓋物為離散元件，每一個(gè)均具有通過(guò)在所述晶片上沉積材料而形成的所述支架，所述支架由與所述第一基板不同的材料形成。
67.如權(quán)利要求56所述的組件，進(jìn)一步包括光學(xué)單元組件，其具有包含光學(xué)元件的多個(gè)光學(xué)單元，各個(gè)光學(xué)單元貼附到相應(yīng)覆蓋物，使得各個(gè)光學(xué)元件位于相對(duì)于相應(yīng)圖像傳感器的期望位置。
68.一種微電子成像單元組件，包括第一基板，可透射輻射并具有布置成裝置圖案的多個(gè)離散裝置位置，所述第一基板在每個(gè)裝置位置都具有覆蓋物，各個(gè)覆蓋物具有窗口和從所述窗口突出的支架；以及第二基板，具有布置成管芯圖案的多個(gè)微電子管芯，所述管芯圖案通常對(duì)應(yīng)于所述裝置圖案，各個(gè)管芯具有圖像傳感器、電學(xué)耦合到所述圖像傳感器的集成電路、以及電學(xué)耦合到所述集成電路的多個(gè)焊盤(pán)，將所述第一基板與所述第二基板組裝，使得所述窗口以空間分隔開(kāi)的關(guān)系位于相應(yīng)圖像傳感器上方且所述支架在相應(yīng)圖像傳感器外側(cè)且相應(yīng)焊盤(pán)內(nèi)側(cè)接觸所述管芯，使得所述支架不完全覆蓋所述焊盤(pán)。
69.如權(quán)利要求68所述的組件，其中所述窗口和相應(yīng)圖像傳感器之間的空間限定封閉的未用單元。
70.如權(quán)利要求68所述的組件，其中所述覆蓋物為離散元件，每一個(gè)均具有在所述第一基板內(nèi)蝕刻形成的凹陷以形成所述支架。
71.如權(quán)利要求68所述的組件，其中所述覆蓋物為離散元件，每一個(gè)均具有通過(guò)在所述第一基板上沉積材料而形成的所述支架。
72.如權(quán)利要求68所述的組件，其中所述第一基板包含可透射可見(jiàn)光譜內(nèi)的光的晶片；并且所述覆蓋物為離散元件，每一個(gè)均具有通過(guò)在所述晶片上沉積材料而形成的所述支架，所述支架由與所述晶片相同的材料形成。
73.如權(quán)利要求68所述的組件，其中所述第一基板包含可透射可見(jiàn)光譜內(nèi)的光的晶片；并且所述覆蓋物為離散元件，每一個(gè)均具有通過(guò)在所述晶片上沉積材料而形成的所述支架，所述支架由與所述第一基板不同的材料形成。
74.如權(quán)利要求68所述的組件，其中所述第一基板包括石英晶片；并且所述覆蓋物為離散元件，每一個(gè)均具有通過(guò)在所述晶片上沉積材料而形成的所述支架，所述支架由與所述晶片相同的材料形成。
75.如權(quán)利要求68所述的組件，其中所述第一基板包括石英晶片；并且所述覆蓋物為離散元件，每一個(gè)均具有通過(guò)在所述晶片上沉積材料而形成的所述支架，所述支架由與所述第一基板不同的材料形成。
76.一種微電子成像單元組件，包括覆蓋物工件，其包含具有多個(gè)覆蓋物的第一基板，所述第一基板可透射輻射，且其中各個(gè)覆蓋物包含窗口和從所述窗口突出的支架；微特征工件，其包含具有多個(gè)微電子管芯的第二基板，各個(gè)管芯包含圖像傳感器、電學(xué)耦合到所述圖像傳感器的集成電路、可操作地耦合到所述圖像傳感器的多個(gè)端子、以及所述圖像傳感器和所述端子之間的安裝區(qū)域，所述第一和第二基板耦合在一起使得所述窗口與相應(yīng)圖像傳感器對(duì)準(zhǔn)且所述支架在相應(yīng)安裝區(qū)域內(nèi)接觸所述管芯。
77.如權(quán)利要求76所述的組件，其中所述覆蓋物為離散元件，每一個(gè)均具有在所述第一基板內(nèi)蝕刻形成的凹陷以形成所述支架。
78.如權(quán)利要求76所述的組件，其中所述覆蓋物為離散元件，每一個(gè)均具有通過(guò)在所述第一基板上沉積材料而形成的所述支架。
79.如權(quán)利要求76所述的組件，其中所述第一基板包含可透射可見(jiàn)光譜內(nèi)的光的晶片；并且所述覆蓋物為離散元件，每一個(gè)均具有通過(guò)在所述晶片上沉積材料而形成的所述支架，所述支架由與所述晶片相同的材料形成。
80.如權(quán)利要求76所述的組件，其中所述第一基板包含可透射可見(jiàn)光譜內(nèi)的光的晶片；并且所述覆蓋物為離散元件，每一個(gè)均具有通過(guò)在所述晶片上沉積材料而形成的所述支架，所述支架由與所述第一基板不同的材料形成。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了形成覆蓋物和將覆蓋物貼附到微電子成像單元的方法、晶片級(jí)封裝微電子成像器的方法、以及具有保護(hù)圖像傳感器的覆蓋物的微電子成像器。在一個(gè)實(shí)施方案中，一種方法，包括提供具有多個(gè)覆蓋物的第一基板，該覆蓋物具有包括第一基板的區(qū)域的窗口以及從窗口突出的支架。該方法接著提供具有多個(gè)微電子管芯的第二基板，該管芯具有圖像傳感器、電學(xué)耦合到圖像傳感器的集成電路、以及電學(xué)耦合到集成電路的端子。該方法包括將覆蓋物與相應(yīng)管芯組裝，使得窗口與相應(yīng)的圖像傳感器對(duì)準(zhǔn)，且支架在端子內(nèi)側(cè)且圖像傳感器外側(cè)接觸相應(yīng)管芯。隨后切割第一基板以單個(gè)化各個(gè)覆蓋物，之后切割第二基板以單個(gè)化各個(gè)成像單元。
文檔編號(hào)H04N5/335GK1985379SQ200580023850
公開(kāi)日2007年6月20日 申請(qǐng)日期2005年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月13日
發(fā)明者姜彤弻, J·M·布魯克斯 申請(qǐng)人:微米技術(shù)有限公司