專利名稱：一種一體化的專用駐極體傳聲器放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶體管駐極體放大器，特別是一種一體化的專用駐極體傳 聲器放大器。
背景技術(shù)：
駐極體傳聲器是將聲音轉(zhuǎn)化成電信號的器件，在現(xiàn)在的電子產(chǎn)品中具有重 要的作用，它的外形尺寸較小， 一般外殼僅幾毫米的直徑，高也僅幾毫米，其 放大器置于外殼之內(nèi)由腔體、專用結(jié)型場效應(yīng)晶體管與線路板構(gòu)成，而在放大 器加工生產(chǎn)過程中，要將專用結(jié)型場效應(yīng)晶體管的管腳用手工進行整形，隨后 裝入腔體中，管腳漏極(D)與源極(S)還要穿接在專用的線路板上進行手工 焊接，手工裝配過程耗工較多，且加工的質(zhì)量因人而異難以控制，以前也有人 想用自動機械來完成裝配工作，但是因該放大器尺寸細小精密，至今尚無法實 現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)中駐極體傳聲器放大器結(jié)構(gòu)所形成的上述問題， 提供一種全新一體化的專用駐極體傳聲器放大器。本發(fā)明設(shè)計一種一體化的專
用駐極體傳聲器放大器，包括塑封管腔，其特征在于塑封管腔為圓柱筒體， 在塑封管腔內(nèi)封有專用結(jié)型場效應(yīng)晶體管芯片，在塑封管腔外底部有兩個焊接
引出點，分別與塑封管腔內(nèi)的專用結(jié)型場效應(yīng)晶體管芯片的漏極(D)與源極(S)
相連，在塑封管腔的上頂面有內(nèi)凹圈，在內(nèi)凹圈內(nèi)可嵌裝傳聲器極板，傳聲器
極板與塑封管腔內(nèi)的專用結(jié)型場效應(yīng)晶體管芯片的柵極(G)引出腳相接觸。兩 個焊接引出點中的一點連接塑封管腔內(nèi)部專用結(jié)型場效應(yīng)晶體管芯片的漏極
(D)，該焊接引出點位于塑封管腔外底部圓心點，另一焊接引出點連接塑封管 腔內(nèi)部專用結(jié)型場效應(yīng)晶體管芯片的源極(S)，該焊接引出點位于塑封管腔外 底部的邊沿。位于塑封管腔外底部邊沿的源極(S)焊接引出點面上有焊錫阻擋 凹痕。在塑封管腔內(nèi)底部上有兩個金屬焊接凹坑，兩個金屬焊接凹坑分別與塑 封管腔內(nèi)的專用結(jié)型場效應(yīng)晶體管芯片的漏極(D)與源極(S)相連，兩個金
屬焊接凹坑接有輸出電容。本發(fā)明以一個單件組件替代原技術(shù)構(gòu)成放大器不可 缺少的結(jié)型場效應(yīng)晶體管、腔體、線路板這三個零件，自然省卻了以前裝配放 大器的全部手工操作，可以大大降低生產(chǎn)環(huán)節(jié)的勞務(wù)工時的消耗，必要時有利 于傳聲器的自動化連續(xù)裝配和自動化連續(xù)測試。


附圖1為本發(fā)明的塑封管腔結(jié)構(gòu)頂面示意圖， 附圖2為本發(fā)明的塑封管腔結(jié)構(gòu)側(cè)面示意圖， 附圖3為本發(fā)明的塑封管腔結(jié)構(gòu)底面示意圖， 附圖4為本發(fā)明的塑封管腔的封裝專用框架示意圖， 下面結(jié)合附圖和實例對本發(fā)明作詳細說明。
具體實施例方式
圖中包括塑封管腔l、專用結(jié)型場效應(yīng)晶體管芯片2，其特征在于塑封管腔l為 圓柱筒體，在塑封管腔1內(nèi)封有專用結(jié)型場效應(yīng)晶體管芯片2，在塑封管腔l外底
部有兩個焊接引出點3、 4，分別與塑封管腔1內(nèi)的專用結(jié)型場效應(yīng)晶體管芯片2 的漏極(D) 12與源極(S) 13相連，在塑封管腔1的上頂面有內(nèi)凹圈5，在內(nèi)凹 圈5內(nèi)可嵌裝傳聲器極板11，傳聲器極板與塑封管腔l內(nèi)的專用結(jié)型場效應(yīng)晶體 管芯片2的柵極(G) 8引出腳線相接觸。兩個焊接引出點3、 4中的一點為專用結(jié) 型場效應(yīng)晶體管芯片2的漏極(D) 12位于塑封管腔1底部圓心點4，另一焊接引 出點3為源極(S) 13位于塑封管腔1底部的邊沿，位于塑封管腔l底部邊沿的源 極(S) 13焊接引出點3面上有焊錫阻擋凹痕9。在塑封管腔l內(nèi)底部上有兩個金 屬焊接凹坑6、 7，分別與塑封管腔1內(nèi)的專用結(jié)型場效應(yīng)晶體管芯片2的漏極(D) 12與源極(S) 13相連，兩個金屬焊接凹坑6、 7必要時可焊接輸出電容(圖中未 畫)，可以過濾高頻線路噪聲。
塑封管腔1采用的引線框架有3個引線長腳，其中內(nèi)部與專用結(jié)型場效應(yīng)晶 體管芯片2的漏極(D) 12、源極(S) 13連接的兩個長腳引出處根部留有切斷沖 痕10，而內(nèi)部連接?xùn)艠O(G) 8的中間引線長腳雖同方向引出，但是此處無沖痕， 從而當(dāng)塑封管腔封裝成條狀后，在對3個引出腳作90度彎折時，兩個長腳斷開， 僅中間引線長腳8保留不斷。
整個一體化的專用駐極體傳聲器放大器的封裝工藝大致有3個步驟
(1)先將專用結(jié)型場效應(yīng)晶體管芯片2粘接在引線框架上，再將半導(dǎo)體塑 封材料經(jīng)封裝壓機與封裝模具加工，灌注至引線框架周圍，形成連排呈條狀的 管腔。(2)對連排呈條狀的管腔切筋， 一側(cè)使管腔3個引線長腳除根部仍然連 接外，其它連線均切斷，另一側(cè)使管腔引線況架在圓柱筒體以外的多余部分被 去除，隨后對3個引線長腳作90度彎折，兩邊有切斷沖痕的引線長腳被折斷，中 間的引線長腳仍然連接在管腔上，此時管腔逐個散開。(3)使用檢測設(shè)備逐個 對塑封管腔進行電性能測試，合格品即可用于駐極體傳聲器的裝配。
權(quán)利要求
1、一種一體化的專用駐極體傳聲器放大器，包括塑封管腔，其特征在于塑封管腔為圓柱筒體，在塑封管腔內(nèi)封有專用結(jié)型場效應(yīng)晶體管芯片，在塑封管腔外底部有兩個焊接引出點，分別與塑封管腔內(nèi)的專用結(jié)型場效應(yīng)晶體管芯片的漏極(D)與源極(S)相連，在塑封管腔的上頂面有內(nèi)凹圈，在內(nèi)凹圈內(nèi)可嵌裝傳聲器極板，傳聲器極板與塑封管腔內(nèi)的專用結(jié)型場效應(yīng)晶體管芯片的柵極(G)引出腳相接觸。
2、 按權(quán)利要求l所述的一種一體化的專用駐極體傳聲器放大器，其特征在于兩個焊接引出點中的一點連接塑封管腔內(nèi)部專用結(jié)型場i應(yīng)晶體管芯片的 漏極(D)，該焊接引出點位于塑封管腔外底部圓心點，另一焊接引出點連接塑封管腔內(nèi)部專用結(jié)型場效應(yīng)晶體管芯片的源極(s)，該焊接引出點位于塑封管腔外底部的邊沿。
3、 按權(quán)利要求2所述的一種一體化的專用駐極體傳聲器放大器，其特征在于位于塑封管腔外底部邊沿的源極(S)焊接引出點面上有焊錫阻擋凹痕。
4、 按權(quán)利要求l所述的一種一體化的專用駐極體傳聲器放大器，其特征在于在塑封管腔內(nèi)底部上有兩個金屬焊接凹坑，兩個金屬焊接凹坑分別與塑封管腔內(nèi)的專用結(jié)型場效應(yīng)晶體管芯片的漏極(D)與源極(S)相連，兩個金屬焊接凹坑接有輸出電容。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種一體化的專用駐極體傳聲器放大器。包括塑封管腔，其特征在于塑封管腔為圓柱筒體，在塑封管腔內(nèi)封有專用結(jié)型場效應(yīng)晶體管芯片，在塑封管腔外底部有兩個焊接引出點，分別與塑封管腔內(nèi)的專用結(jié)型場效應(yīng)晶體管芯片的漏極(D)與源極(S)相連，在塑封管腔的上頂面有內(nèi)凹圈，在內(nèi)凹圈內(nèi)可嵌裝傳聲器極板，傳聲器極板與塑封管腔內(nèi)的專用結(jié)型場效應(yīng)晶體管芯片的柵極(G)引出腳相接觸。本發(fā)明以一個單件組件替代原技術(shù)構(gòu)成放大器不可缺少的結(jié)型場效應(yīng)晶體管、腔體、線路板這三個零件，自然省卻了以前裝配放大器的全部手工操作，可以大大降低生產(chǎn)環(huán)節(jié)的勞務(wù)工時的消耗，必要時有利于傳聲器的自動化連續(xù)裝配和自動化連續(xù)測試。
文檔編號H04R19/01GK101340739SQ20081004086
公開日2009年1月7日 申請日期2008年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月22日
發(fā)明者張慈偉 申請人:張慈偉