專利名稱：雙背板傳聲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及傳聲器，且更特定而言涉及雙背板傳聲器。
背景技術(shù)：
非常需要持續(xù)改進(jìn)音頻傳聲器的信號電氣噪聲比(SNR)，諸如駐極體電容傳聲器(ECM),MEMS電容傳聲器和具有駐極體偏壓的MEMS傳聲器。這種類型的可變電容傳聲器中的電氣噪聲很大程度上由傳聲器外殼或包裝內(nèi)含有的放大器集成電路(IC)決定。因而,關(guān)鍵的是最優(yōu)化從傳聲器的聲電電容換能單元到達(dá)IC輸入處的音頻信號電平，所述單元基本上包括具有電極的活動膜片、空氣間隙和固定的或所謂的“背板”電極。優(yōu)選地在沒有增加所述單元的整體大小的情況下，通常通過增加所述單元的開路音頻信號電壓振幅(E。。)、 增加所述單元的有功(即，信號變化)電容(Ca)，和/或減小其固定寄生電容(Cs)而實(shí)現(xiàn)音頻信號電平最優(yōu)化。可被最優(yōu)化的參數(shù)包括膜片張カ或板型機(jī)械硬度、空氣間隙高度、植入的駐極體電荷和其等效電壓電平，和/或MEMS型傳聲器的外部極化電壓。雙背板傳聲器(也稱為推挽式傳聲器)利用位于兩塊背板之間的膜片。兩塊背板的每塊包括允許聲壓傳遞通過背板且偏轉(zhuǎn)該膜片的ー個或多個聲孔。不幸地是，結(jié)構(gòu)互連困難和電互連困難兩者阻礙了這種類型的傳聲器的顯著高產(chǎn)量商業(yè)應(yīng)用。本發(fā)明克服了這些困難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供駐極體電容傳聲器(ECM),其裝配在導(dǎo)電外殼內(nèi)，且包括第一背板和第ニ背板，膜片插入在所述兩塊背板之間，且具有插入在第一背板與膜片的導(dǎo)電層之間的第ー駐極體層，和插入在第二背板與膜片的導(dǎo)電層之間的第二駐極體層。駐極體層可附接到背板或膜片。電路板將外殼的開ロ封閉。兩塊背板的下背板，即，最接近電路板的背板裝配在不導(dǎo)電張カ環(huán)中(例如，陶瓷張カ環(huán))。張カ環(huán)優(yōu)選地包括用于將膜片的導(dǎo)電層經(jīng)由電路板而電連接到IC的鍍金屬表面/通路。隔片用于在每塊背板與膜片之間建立空氣間隙。運(yùn)算放大器(op-amp)IC電耦合到背板和膜片兩者，運(yùn)算放大器IC為ECM提供信號處理。ECM優(yōu)選地包括插入在電路板與下背板之間的導(dǎo)電彈簧墊圏。在至少ー個構(gòu)造中，運(yùn)算放大器IC是電壓式1C，其中第一 IC輸入經(jīng)由電路板和彈簧墊圈而電連接到第二背板，且其中第二 IC輸入經(jīng)由電路板和導(dǎo)電外殼而電連接到第一背板。優(yōu)選地，第二IC輸入經(jīng)由電路板和張カ環(huán)上的多個鍍金屬表面/通路而電連接到膜片的導(dǎo)電層。在至少ー個實(shí)施方案中，膜片包括與導(dǎo)電添加劑塊體摻合的聚合基膜樹脂，其中膜片具有介于5. OElO與I. 0E13歐姆/平方之間，且更優(yōu)選地介于I. OEll與5. OEll歐姆/平方之間的表面電阻率。在至少ー個其它實(shí)施方案中，膜片包括不導(dǎo)電基膜和表面鍍金屬，其中膜片具有介于5. OElO與I. 0E13歐姆/平方之間，且更優(yōu)選地介于I. OEll與5. OEll歐姆/平方之間的表面電阻率。在至少ー個其它構(gòu)造中，運(yùn)算放大器IC是差分1C，其中第一 IC輸入經(jīng)由電路板和彈簧墊圈而電連接到第二背板，且其中第二 IC輸入經(jīng)由電路板和導(dǎo)電外殼而電連接到第一背板，且其中參考IC輸入經(jīng)由電路板和張カ環(huán)上的多個鍍金屬表面/通路而電連接到膜片的導(dǎo)電層。在至少ー個其它構(gòu)造中，運(yùn)算放大器IC是充電式1C，其中第一 IC輸入經(jīng)由電路板和張カ環(huán)上的多個鍍金屬表面/通路而電連接到膜片，且其中第二 IC輸入經(jīng)由電路板和導(dǎo)電外殼而電連接到第一背板，且經(jīng)由電路板和彈簧墊圈而電連接到第二背板。在本發(fā)明的另ー個方面，提供ー種MEMS型傳聲器，其包括第一微機(jī)械化背板(其包括至少ー層導(dǎo)電材料和至少ー個聲孔)、第二微機(jī)械化背板(其包括至少ー層導(dǎo)電材料和至少ー個聲孔)、膜片(其包括至少ー個導(dǎo)電層，且其插入在第一微機(jī)械化背板與第二微機(jī)械化背板之間)、將第一微機(jī)械化背板從膜片分開且建立第一空氣間隙的第一隔片、將第二微機(jī)械化背板從膜片分開且建立第二空氣間隙的第二隔片，和電耦合到兩塊微機(jī)械化背板和膜片的運(yùn)算放大器1C，所述運(yùn)算放大器IC為MEMS型傳聲器提供信號處理?！ぴ谥辽侃`個構(gòu)造中，電荷泵耦合到膜片，且運(yùn)算放大器IC是電壓式1C，其中第一IC輸入電連接到第一微機(jī)械化背板，且其中第二 IC輸入電連接到第二微機(jī)械化背板，且其中第一 IC輸入經(jīng)由電荷泵而電連接到膜片的導(dǎo)電層。電阻源，諸如具有介于5. OElO與I. 0E13歐姆/平方之間的表面電阻率的膜片可與電荷泵串聯(lián)放置。在至少ー個構(gòu)造中，電荷泵耦合到膜片，且運(yùn)算放大器IC是差分運(yùn)算放大器1C，其中第一 IC輸入電連接到第一微機(jī)械化背板，且其中第二 IC輸入電連接到第二微機(jī)械化背板，且其中差分運(yùn)算放大器IC的參考輸入經(jīng)由電荷泵而電連接到膜片的導(dǎo)電層。 在至少ー個構(gòu)造中，運(yùn)算放大器IC是充電式運(yùn)算放大器1C，且第一 IC輸入電連接到膜片的導(dǎo)電層，且其中第二 IC輸入經(jīng)由第一電荷泵而電連接到第一微機(jī)械化背板，且經(jīng)由第二電荷泵而電連接到第二微機(jī)械化背板。通過參考本說明書的剰余部分和圖，可實(shí)現(xiàn)對本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和優(yōu)點(diǎn)的進(jìn)ー步理解。


圖I圖示了常規(guī)駐極體傳聲器的基本元件；圖2提供了根據(jù)本發(fā)明的ECM的一個優(yōu)選實(shí)施方案的橫截面圖；圖3提供了圖2中所示的ECM的一部分的詳細(xì)橫截面圖；圖4圖示了用于將電壓式放大器IC耦合到圖2和圖3中所示的ECM的一個優(yōu)選構(gòu)造；圖5圖示了用于將差分電壓式放大器IC耦合到圖2和圖3中所示的ECM的ー個替代優(yōu)選構(gòu)造；圖6提供了使用于圖2和圖3中所示的ECM中的彈簧墊圈的透視圖；圖7提供了使用于圖2和圖3中所不的ECM中的替代彈黃塾圈的透視圖；圖8提供了 ECM的一個替代優(yōu)選實(shí)施方案的橫截面圖；圖9提供了圖8中所示的ECM的一部分的詳細(xì)橫截面圖；圖10圖示了用于將充電式放大器IC耦合到圖8和圖9中所示的ECM的一個優(yōu)選構(gòu)造；
圖11圖示了與圖2和圖8中所示的實(shí)施方案搭配使用的ー個替代駐極體構(gòu)造；圖12圖示了與圖2和圖8中所示的實(shí)施方案搭配使用的另ー個替代駐極體構(gòu)造；圖13圖示了與圖2和圖8中所示的實(shí)施方案搭配使用的又ー個替代駐極體構(gòu)造；圖14圖示了類似于圖2中所示的ECM的ECM，只是帶電駐極體含氟聚合物層直接施覆到上套圈表面的內(nèi)表面；圖15提供了圖14中所示的ECM的一部分的詳細(xì)橫截面圖；圖16圖示了基于圖2中所示的構(gòu)造的梯度式ECM ；圖17圖示了基于圖8中所示的構(gòu)造的梯度式ECM ；
圖18圖示了耦合到根據(jù)本發(fā)明的電壓式放大器IC的MEMS型傳聲器的一個優(yōu)選實(shí)施方案；圖19圖示了耦合到根據(jù)本發(fā)明的差分電壓式放大器IC的MEMS型傳聲器的ー個優(yōu)選實(shí)施方案；圖20圖示了耦合到根據(jù)本發(fā)明的充電式放大器IC的MEMS型傳聲器的一個優(yōu)選實(shí)施方案。
具體實(shí)施例方式圖I圖示了常規(guī)駐極體傳聲器，通常稱為單邊駐極體傳聲器的基本元件。如這個橫截面中所不，傳聲器100包括導(dǎo)電圓柱外殼101,也稱為套圈。在典型的傳聲器中，套圈101具有介于3毫米與10毫米之間的直徑。外殼101的末端部分的前面103包括一個或多個大體上共同定位的聲孔105。具有ー個或多個ニ級聲孔109的電極板107抵靠外殼101的前部103的內(nèi)表面裝配。駐極體材料111沉積或以其它方式施覆到在電極107的內(nèi)表面上，且?guī)щ?。鍍金屬聚合物膜?13經(jīng)由電絕緣隔片115而從駐極體材料層111分開。印刷電路板(PCB)117裝配在位于相對于前面103的遠(yuǎn)端的外殼開口內(nèi)，且覆蓋所述外殼開ロ。如所示，集成電路(IC) 119，或ー個或多個信號處理元件(例如，場效應(yīng)晶體管或FET)附接到PCB117且包含在外殼101內(nèi)。由凸起接觸區(qū)域118表示的PCB 117上的電極圖案與導(dǎo)電外殼101結(jié)合用于將信號處理IC 119耦合到電極板107。鍍金屬膜片113經(jīng)由導(dǎo)電隔片121和位于PCB 117底表面上的凸起接觸區(qū)域123而耦合到信號處理IC 119。隔片121通常是環(huán)形的。通常也是環(huán)形的電絕緣隔片125用于防止隔片121與外殼101的短路，以及確保隔片121相對于接觸區(qū)域123適當(dāng)定位。外殼101的末端邊緣部分127被折疊且卷曲，從而使電路板117、隔片121和鍍金屬膜片113抵靠彼此壓縮，且將各個組件保持在適當(dāng)位置。焊接凸塊129用于將傳聲器元件電耦合到希望裝置(S卩，手機(jī)、攝像機(jī)等
坐、
-Tf- ノ o如由本領(lǐng)域技術(shù)人員所知，常規(guī)駐極體電容傳聲器(ECM)元件具有許多可能構(gòu)造。上文關(guān)于圖I描述的傳聲器元件只是ー個這種構(gòu)造，一般稱為反向背部駐極體配置。稱為背部駐極體配置的另ー個示例性現(xiàn)有技術(shù)配置將元件107、111、115和113的位置顛倒，將電極板107朝結(jié)構(gòu)的背部放置。在ー個這種構(gòu)造中，電極107通常稱為背板。在稱為箔駐極體配置的又ー個示例性現(xiàn)有技術(shù)配置中，駐極體材料層沉積在膜片上且?guī)щ?，而不是放置在背板電極上。在上文簡單描述的兩個替代構(gòu)造中，結(jié)構(gòu)的其它變化是必要的。圖2提供了根據(jù)本發(fā)明的ECM 200的一個優(yōu)選實(shí)施方案的橫截面圖。圖3提供了ECM 200的部分201的詳細(xì)橫截面圖。聲音進(jìn)入位于外殼101的末端部分的前面103中的聲孔105，且接著傳遞通過位于固定金屬上背板203中的ー個或多個ニ級聲孔202。膜片205定位在上背板203與固定金屬下背板207之間，其中上背板203包括帶電駐極體含氟聚合物層209，且下背板207包括帶電駐極體含氟聚合物層211。如圖3的詳細(xì)圖中所示，駐極體層209與膜片205的上表面之間形成上空氣間隙301，且駐極體層211與膜片205的下表面之間形成下空氣間隙303。應(yīng)當(dāng)理解，如所示，下背板207中的孔213不需要與上背板203中的聲孔201對準(zhǔn)。在ECM 200中，聲學(xué)聲壓波從膜片205輻射，傳遞通過下空氣間隙303和孔213，且進(jìn)入形成于下背板207與含有IC 119的PCB 117之間的聲學(xué)空氣腔215。當(dāng)套圈101抵靠PCB 117卷曲時，導(dǎo)電彈簧墊圈217穩(wěn)固地將下背板207保持抵靠下隔片219。圖2和圖3 兩者中可見的張力環(huán)總成包括堅硬且優(yōu)選地由陶瓷制成的不導(dǎo)電材料本體221，其具有鍍金屬上表面223、鍍金屬下表面224以及將表面223和224電連接的窄導(dǎo)電表面/通路225。如在下文中詳細(xì)討論，膜片205可為各處導(dǎo)電的，或利用鄰近表面223的膜片表面上的鍍金屬涂層。張カ環(huán)221的主要目的是在已使用導(dǎo)電粘合劑將膜片在張力下接合到張カ環(huán)鍍金屬223之后維持膜片205上的張力。張カ環(huán)221必須是不導(dǎo)電的，以防止下背板207與金屬套圈101內(nèi)部之間的短路，且使張カ環(huán)鍍金屬表面與下背板207之間的寄生電容最小化。如上文中所示和描述，ECM 200含有共享共同膜片205的兩個電容換能單元，其中每個換能単元由膜片電極和上背板203或下背板207接合。這個構(gòu)造在本文中稱為雙背板結(jié)構(gòu)，雖然其也可以稱為推挽式結(jié)構(gòu)。在ECM 200中，下背板207定位在張カ環(huán)221內(nèi)，即，背板207的外徑(OD)小于張カ環(huán)221的內(nèi)徑(ID)。在這個構(gòu)造中，為了避免增加套圈101的外徑或減少膜片205的振動(即，作用)部分，張カ環(huán)211利用很薄優(yōu)選地以0. 3毫米厚的數(shù)量級的壁。應(yīng)當(dāng)了解，減小膜片205的作用部分的面積和因此的有功電容Ca將趨于勝過雙單元途徑的優(yōu)點(diǎn)。因此，在至少ー個優(yōu)選實(shí)施方案中，張カ環(huán)221由非常強(qiáng)硬且不導(dǎo)電的材料制成，諸如具有至少92%的Al2O3的氧化鋁陶瓷。應(yīng)當(dāng)注意，膜片205的作用部分由環(huán)形隔片115 (S卩，上隔片)和219 (即，下隔片)的ID定義。ECM 200的上單元和下單元，S卩，膜片205上方和下方的電容系統(tǒng)是以電串聯(lián)推挽式構(gòu)造來構(gòu)造。這個構(gòu)造提供傳統(tǒng)ECM中使用的單個單元的兩倍開路信號電壓E。。，以及ー半有功電容Ca和一半寄生電容Cs。如圖4或圖5中所示，這個串聯(lián)推挽式構(gòu)造優(yōu)選地耦合到IC 119。在這些構(gòu)造中，IC 119是具有非常低輸入電容Cin和非常高輸入阻抗Rin的電壓式運(yùn)算放大器(op-amp)，導(dǎo)致IC 119的輸入處約有6dB的電壓信號増加。此外，因?yàn)殡p背板結(jié)構(gòu)在靜電的意義上被迫平衡于其中性位置，而單邊現(xiàn)有技術(shù)駐極體設(shè)計則不然，所以本發(fā)明的傳聲器在兩個駐極體含氟聚合物層209和211的每個中可以良好定義的更高且穩(wěn)定的駐極體電荷靜電偏壓。在駐極體層209和211分別附接到背板203和207，且假設(shè)膜片各處導(dǎo)電的這種電串聯(lián)的優(yōu)選實(shí)施方案中，在鄰接各自空氣間隙301和303的兩層中捕獲的駐極體表面電荷優(yōu)選地在量值上是中性的和負(fù)的(應(yīng)當(dāng)注意，如果膜片包括鍍金屬聚合物層，那么兩個駐極體的最優(yōu)表面電荷將在量值上以某種程度不同)。或者，在兩層中捕獲的駐極體表面電荷可為正的。因此，由于至少高出30%的穩(wěn)定駐極體電荷，IC輸入在上文提及的現(xiàn)有技術(shù)單邊駐極體傳聲器的設(shè)計上増加6dB的基礎(chǔ)上，其(取決于設(shè)計參數(shù))進(jìn)一步增強(qiáng)2dB或更多dB。在圖4中圖示的構(gòu)造中，單端IC 119電壓式放大器的IrT經(jīng)由PCB117、導(dǎo)電彈簧墊圈217和下背板207接收其信號。IC 119的In+從PCB 117、套圈101和上背板203接收其信號。In+也經(jīng)由PCB 117和鍍金屬通路223-225而連接到膜片205?；蛘?，In+可經(jīng)由PCB117、套圈101，以及套圈101與鍍金屬通路223-225之間的直接連接或經(jīng)由諸如導(dǎo)電環(huán)氧樹月旨、小接觸彈簧或諸如此類的構(gòu)件的連接而連接到膜片205。膜片205優(yōu)選地由聚合基膜樹脂制成(例如，優(yōu)選地為2微米的聚苯硫醚(PPS)或聚對苯ニ甲酸こニ(醇)酷(PET))，其與貫穿其厚度而分布的導(dǎo)電添加劑(例如，本征型消散聚合物(IDP)抗靜電復(fù)合物)塊體摻合。在ー個不例性實(shí)施方案中，這樣ー種膜片的表面電阻率介于5. OElO與I. 0E13歐姆/平方之間，且更優(yōu)選地介于I. OEll與5. OEll歐姆/平方之間，且此外更優(yōu)選地設(shè)為約2. OEll歐姆/平方。在一個替代優(yōu)選實(shí)施方案中，膜片205由以非常薄的層或涂層表面鍍金屬的不導(dǎo)電基膜制成，以便產(chǎn)生與上文所述的相同表面電阻率。如圖4中所示，不管用于制造膜片205的方法，導(dǎo)電率制造成如此低，使得其建立非常高但有限的(分布式)總徑向電阻Rd。 圖4圖示了最適于電串聯(lián)推挽式構(gòu)造的優(yōu)選電互連和電壓式運(yùn)算放大器IC 119。確保電串聯(lián)單元的靜電偏壓在空氣間隙中提供固定電場是重要的。基于圖4中所示的構(gòu)造，將Rd與具有等于Ca+Cs的電容C的上單元(包括空氣間隙301)的徑向分布式電容的乘積數(shù)學(xué)積分，為所述単元的充電/衰減產(chǎn)生RdC時間常數(shù)。假設(shè)兩個單元相同，在至少ー個實(shí)施方案中，Ca等于I. 9pF, Cs等于I. 6pF, Cin等于0. 3pF (即，遠(yuǎn)小于C), Rin等于10千兆歐姆，且Rd等于32千兆歐姆。所得112毫秒的時間常數(shù)RdC被設(shè)計為遠(yuǎn)大于最低音頻F。的周期的一半，其在F。等于20Hz的至少ー個實(shí)例中是25毫秒。應(yīng)當(dāng)了解，對于下単元(即，空氣間隙303)RdC將由于在所述實(shí)例中Rin加到Rd上而在某種程度上更大。此夕卜，雖然不是以相同速率，但是膜片205從兩個単元的dc充電/衰減是電荷相加的。應(yīng)當(dāng)注意，已忽略Cin，因?yàn)槠鋵Ρ扔谏衔墓烙嫷臅r間常數(shù)中的C較小。因此，對于這組參數(shù)且在dc下，且遠(yuǎn)低于F。，可在膜片205上建立正(即，引發(fā))電荷，以與209和211上的捕獲負(fù)駐極體電荷互補(bǔ)，因此分別在上空氣間隙301和下空氣間隙303中建立所需偏壓和固定電場。關(guān)鍵的是，視高于F。的需要，膜片205上建立的偏壓的引發(fā)靜電電荷在高于F。的ac (BP,音頻信號)運(yùn)動期間無法放電或從膜片泄漏。這樣ー種放電將導(dǎo)致不利的輸入-輸出非線性，以及因此的信號失真。由于有利的Rd設(shè)計，到達(dá)IC 119的輸入IrT和In+處的ac信號只來自上背板203和下背板207，而不是來自膜片205。在圖5中圖示的替代構(gòu)造中，對于IC 119使用差分電壓式運(yùn)算放大器，而不是圖4中所示的單端電壓式放大器。Vrat與圖4和圖5中圖示的構(gòu)造中大體上相同，但通過使用差分放大器，膜片的分布電阻Rd可用兩個輸入電阻器Rin代替，其中Rin將采用上文給出的Rd的優(yōu)選數(shù)值，而Cin表示IC的寄生輸入電容。應(yīng)當(dāng)注意，這在圖4中所示的構(gòu)造中是不可能的，因?yàn)樵赗d等于0時，上単元將是短路電路，其由于膜片電流隨膜片運(yùn)動泄露而導(dǎo)致較大的信號飛線性。應(yīng)當(dāng)注意，在圖5的構(gòu)造中，膜片205不需要制造成產(chǎn)生圖4所指定的分布電阻Rd。雖然本發(fā)明不限于特定設(shè)計的彈簧墊圈217，但是圖6和圖7分別圖示了可應(yīng)用于ECM 200的墊圈217的兩個示例性設(shè)計600和700。不管墊圈217的設(shè)計，希望在下背板207上施加靜態(tài)壓縮力，因此確保下空氣間隙303的適當(dāng)間距。雖然由墊圈217施加的カ很重要，但是其必然遠(yuǎn)小于套圈101的軸向卷曲力。此外，彈簧墊圈217被設(shè)計和組裝以便在PCB 117和下背板207兩者上建立最低機(jī)械彎曲力矩臂。在至少ー個優(yōu)選實(shí)施方案中，墊圈217包括具有0. I毫米厚度的貝爾維爾型(Belleville-type)彈簧墊圈(例如，墊圈600)，當(dāng)壓縮到所需的0. 40毫米工作高度，PCB 117與背板207之間的距離時，其在下背板207上提供30N的壓縮力。在所需的0. 40毫米工作高度下 ，這種墊圈提供約I. 8E5N/m的彈簧常數(shù)。墊圈700圖示了一個替代的優(yōu)選設(shè)計。應(yīng)當(dāng)了解，墊圈217可使用其它設(shè)計(例如，波浪型彈黃塾圈)。本文中公開的雙背板結(jié)構(gòu)在其dc或靜止?fàn)顟B(tài)中靜電カ平衡(即，膜片上的凈靜電カ是零)。這與常規(guī)單邊駐極體傳聲器極為不同，在常規(guī)單端駐極體傳聲器中，膜片上與空氣間隙的電場平方成正比的靜電カ通過膜片中的恢復(fù)張カ而平衡于dc下。在其動態(tài)模式中，這樣ー種常規(guī)傳聲器的膜片受聲壓、張カ或機(jī)械硬度、膜片慣性力、靜電力、空氣間隙131中的聲學(xué)薄氣膜阻尼和與聲學(xué)空氣腔133內(nèi)的空氣體積成反比的聲學(xué)剛度影響。在本文中公開的雙背板結(jié)構(gòu)的動態(tài)模式中，相同的力通常開始發(fā)揮作用，但張カ和慣性膜片恢復(fù)カ在單元之間共享。圖8提供根據(jù)本發(fā)明的雙背板ECM 800的一個替代優(yōu)選實(shí)施方案的橫截面圖。圖9提供ECM 800的部分801的詳細(xì)橫截面圖。在ECM 800中，結(jié)構(gòu)的兩個電容換能單元希望并聯(lián)而不是如先前構(gòu)造中的串聯(lián)電連接到運(yùn)算放大器IC 119的輸入處。結(jié)果，組合的単元開路電壓E。。從每個単元的開路電壓無變化。因此，由于推挽式構(gòu)造的增強(qiáng)靜電平衡，組合Eoc將僅增強(qiáng)前文討論的2dB或更多dB。然而，組合單元現(xiàn)將具有常規(guī)單個單元傳聲器的兩倍電容，即，2*(Ca+Cs)。因此，組合單元的信號電流輸出(在此與2*(Ca+Cs)成正比)將在從充電式放大器IC 119的輸出信號電平上提供6dB增強(qiáng)。圖10圖示了 ECM 800與IC 119之間的優(yōu)選電連接。為了構(gòu)建圖8和圖9中所示的優(yōu)選實(shí)施方案,姆個單元的戴維南(Thevenin)信號電流必須瞬時地被導(dǎo)向到膜片205中，或從膜片205導(dǎo)出(S卩，同相位)。因此，不像圖2和圖3中圖示的實(shí)施方案，在本實(shí)施方案中，空氣間隙301和303中的dc電場必須是相同方向的。為了實(shí)現(xiàn)這種效應(yīng)，下背板207的駐極體層211帶負(fù)電荷，而上背板203的駐極體層209帶正電荷。再次說明，如果單獨(dú)上単元含有鍍金屬膜片的介電厚度，那么兩個電荷電平的量值將在某種程度上不同以確保dc靜電カ平衡?；蛘?，可通過其它方式實(shí)現(xiàn)靜電カ偏壓，諸如從上背板203移除帶正電荷的含氟聚合物層209，且從含氟聚合物制造膜片205，其在膜片下表面上具有鍍金屬，且在其鄰接上空氣間隙301的上表面上帶負(fù)電荷。再次說明，兩個電荷量值將需要在某種程度上不同以確保dc靜電カ平衡。如圖10中所示，對于驅(qū)動成充電式放大器的圖8和圖9中所示的實(shí)施方案，沒有將電阻元素也沒有RC時間常數(shù)設(shè)計到膜片205中或供應(yīng)于IC 119上。在這個實(shí)施方案中，運(yùn)算放大器IC 119的In+從導(dǎo)電塊體或膜片205的鍍金屬下層經(jīng)由PCB 117和張カ環(huán)221上的鍍金屬跡線接收其信號。應(yīng)當(dāng)注意，張カ環(huán)221上的鍍金屬跡線包括上表面鍍金屬223、下表面鍍金屬224和將上鍍金屬耦合到下鍍金屬的窄通路鍍金屬803。優(yōu)選地，通路鍍金屬803位于張カ環(huán)221的外表面與內(nèi)表面之間,例如在環(huán)221的內(nèi)表面上的窄槽ロ中，因此得以防止短路，且最小化跡線與下背板207或與套圈101之間的寄生電容。運(yùn)算放大器IC 119的In_經(jīng)由套圈101和PCB 117而連接到上背板203，且經(jīng)由導(dǎo)電彈簧墊圈217和PCB 117而連接到下背板207。在關(guān)于圖2、圖3、圖8和圖9而描述的實(shí)施方案中，駐極體層(例如，駐極體層209和211)附接到各自背板電極203和207。然而應(yīng)當(dāng)理解，駐極體層也可以附接到膜片，使得駐極體層仍然插入在膜片的導(dǎo)電層與導(dǎo)電背板之間。例如，圖11提供與圖3中所示的圖類似的詳細(xì)圖，只是上背板203不包括駐極體層。在這個實(shí)施方案中，駐極體層1101(例如經(jīng)由接合或沉積)附接到膜片205，駐極體層1101被插入在膜片205的導(dǎo)電層與上背板203之間。例如，如果駐極體層211帶負(fù)電荷，那么駐極體層1101對于圖3的電串聯(lián)構(gòu)造中的單元而言帶正電荷。類似地，圖12圖示了圖3的下背板207上的駐極體層211用(例如，經(jīng)由接合或沉積)附接到膜片205的駐極體層1201代替，其中駐極體層1201插入在膜片205的導(dǎo)電層與下背板207之間。類似地，圖13圖 示了用駐極體層1101和1201代替圖3中的駐極體層209和211，其每個均插入在膜片上的導(dǎo)電層與各自背板203和207之間，且在這種情況中，兩個電荷可以是相同極性的(優(yōu)選為負(fù))。上文描述的雙背板ECM構(gòu)造利用一對導(dǎo)電背板203和207。雖然這個途徑一般是優(yōu)選的，但是本發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)，如果需要，可除去上背板203。在這樣ー種構(gòu)造中，鄰近膜片的套圈101的內(nèi)表面代替了背板203。例如，圖14圖示了類似于圖2中所示的構(gòu)造的ECM，只是帶電駐極體含氟聚合物層209直接施覆到套圈上表面的內(nèi)表面。圖15提供類似于圖13所提供的構(gòu)造的這種構(gòu)造的詳細(xì)橫截面圖。應(yīng)當(dāng)理解，可通過除去背板203而類似地修改前文公開的任何實(shí)施方案。雖然已就全向型ECM描述本發(fā)明的雙背板傳聲器，但是應(yīng)當(dāng)理解，所公開的設(shè)計同樣可應(yīng)用于梯度型ECM，因此對某些應(yīng)用提供有利方向或降噪拾音性能。為了修改前文公開的設(shè)計以生產(chǎn)梯度型ECM，通過PCB 117添加第二聲音端ロ。例如，圖16和圖17圖示了分別類似于圖2和圖8中所示的實(shí)施方案的實(shí)施方案，其中已添加第二聲音端ロ 1601，因此允許跨越膜片聲學(xué)地減去聲音信號。圖18圖示了類似于關(guān)于圖2和圖4所示的構(gòu)造的構(gòu)造，其應(yīng)用到微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)型電容傳聲器1800。應(yīng)當(dāng)注意，圖18示出了裝置(S卩，MEMS 1800)以及其到運(yùn)算放大器IC 119的連接兩者?；?801支撐MEMS換能器模具1800的分層結(jié)構(gòu)，MEMS換能器1800包括微機(jī)械化上背板1803，微機(jī)械化下背板1805和夾在兩塊背板之間的膜片1807。膜片1807包括導(dǎo)電層。上隔片1809在膜片1807與上背板1803之間建立上空氣間隙1811。類似地，下隔片1813在膜片1807與下背板1805之間建立下空氣間隙1815。類似于前文描述的ECM實(shí)施方案，在MEMS換能器1800中，空氣間隙1811和1815的厚度隨膜片1807在聲壓作用下的振動而變化，從而形成兩個換能単元的變化部分。應(yīng)當(dāng)注意，取決于MEMS換能器模具在MEMS傳聲器外殼或機(jī)械聲學(xué)包裝(沒有示出)中的放置，聲壓可通過上背板1803中的孔陣列1817或下背板1805中的孔陣列1819而進(jìn)入雙単元系統(tǒng)。如本文中所使用，機(jī)械聲學(xué)封裝從用戶端裝置(例如，電話聽筒和手持裝置)收集聲音，同時包住MEMS換能器模具(例如，模具1800)和信號處理電子器件(例如，運(yùn)算放大器IC 119)。應(yīng)當(dāng)了解，在ー個典型實(shí)施方案中，運(yùn)算放大器IC 119和換能器模具1800在分開的模具上整合，雖然如果需要，可將兩者共同定位在相同模具上。在圖18的MEMS實(shí)施方案中，如圖4中所示的ECM實(shí)施方案，雙單元是電串聯(lián)的，且耦合到單端電壓式運(yùn)算放大器IC 119。因?yàn)樵贛EMS結(jié)構(gòu)，諸如圖18的結(jié)構(gòu)中利用內(nèi)部捕獲的駐極體電荷型偏壓是不常見的，所以優(yōu)選地將經(jīng)由電壓Vp的電荷泵1821的外部dc電壓極化整合到IC模具上。在這個構(gòu)造中，Vp的符號僅將以180度改變音頻信號輸出相位。這導(dǎo)致兩個空氣間隙1811和1815中以相反方向的極化電場，如這個電串聯(lián)單元構(gòu)造所需。如上文關(guān)于圖4所描述，Rd必須足夠大，使得所得的上単元時間常數(shù)RdC是約12毫秒，且遠(yuǎn)大于最低音頻F。的周期的一半，其在F。等于20Hz的至少ー個實(shí)例中是25毫秒。接著，視高于F。的需要，分別在膜片1807和上背板1803和下背板1805上建立的極化引發(fā)靜電電荷在膜片的ac運(yùn)動(S卩，高于F。的音頻信號)期間無法放電(即，泄漏)。優(yōu)選地，選擇Rd值使得到達(dá)IC 119的IrT和In+處的ac信號只來自上背板1103和下背板1805，而不是來自膜片1807。應(yīng)當(dāng)注意，Rd電阻可建立在膜片1807或背板或MEMS換能器模具1800的導(dǎo)電路徑中。或者，如圖19中所整合，其可整合于運(yùn)算放大器IC 119上。圖19圖示了圖18中所示的系統(tǒng)的ー個替代實(shí)施方案，其中MEMS換能器模具1800的雙単元串聯(lián)電連接到差分式電壓運(yùn)算放大器IC 119，且因而不包括MEMS模具中形成的電阻Rd。IC 119的Rin被設(shè)計成采用上文給出的Rd的優(yōu)選數(shù)值。應(yīng)當(dāng)注意，圖19的實(shí)施方案是與前文描述使用圖5中所示的IC構(gòu)造的ECM傳聲器等效的MEMS，且加上了取代捕獲電 荷的電荷泵1821。圖20圖示了圖18中所示的系統(tǒng)的另一個替代實(shí)施方案，其中MEMS換能器模具1800的雙單元并聯(lián)電連接到充電式運(yùn)算放大器IC119，諸如圖10中所示的1C。有利地利用經(jīng)由(可能整合于IC 119模具上的)兩個電荷泵1821的外部dc電壓極化，以將相反極性的極化電壓供應(yīng)到兩塊背板1803和1805中的每個。由于這種構(gòu)造，如這個并聯(lián)單元構(gòu)造中所需，兩個空氣間隙1811和1815中的極化電場方向相同。應(yīng)當(dāng)理解，與使用從ー個或多個電荷泵1821外部施加的dc極化電壓相反，圖18至圖20中所示的MEMS實(shí)施方案可代替地使用內(nèi)部駐極體捕獲電荷，以使雙単元dc偏壓。此外，雖然上文描述和示出的電串聯(lián)雙單元型ECM和MEMS實(shí)施方案優(yōu)選地與電壓式運(yùn)算放大器IC匹配，且上文描述和示出的電并聯(lián)雙單元型ECM和MEMS實(shí)施方案優(yōu)選地與充電式運(yùn)算放大器IC匹配，但是上文描述的任何雙単元型ECM和MEMS實(shí)施方案可與這些運(yùn)算放大器類型的任ー個匹配，或者如果需要，可與混合電壓-充電式運(yùn)算放大器匹配。應(yīng)當(dāng)理解，多個圖上使用的相同元件符號指的是相同組件，或相同功能的組件。此夕卜，附圖僅意味著圖示本發(fā)明的范疇，并沒有限制本發(fā)明的范疇，且不應(yīng)視作是按比例繪制的。已經(jīng)概括描述系統(tǒng)和方法以幫助理解本發(fā)明的細(xì)節(jié)。在一些實(shí)例中，沒有明確示出或詳細(xì)描述熟知的結(jié)構(gòu)、材料和/或操作，以避免模糊本發(fā)明的多個方面。在其它實(shí)例中，已經(jīng)給出特定細(xì)節(jié)，以提供對本發(fā)明的透徹理解。相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到，本發(fā)明可在沒有脫離其精神或基本特性的情況下以其它特定形式體現(xiàn)，例如適應(yīng)于特定系統(tǒng)或設(shè)備或情境或材料或組件。因此，本文中的公開內(nèi)容和描述g在說明在以下權(quán)利要求中闡述的本發(fā)明范疇而不對其有所限制。
權(quán)利要求
1.一種駐極體電容傳聲器(ECM),其包括 導(dǎo)電外殼，其中所述導(dǎo)電外殼具有第一末端部分和第二末端部分，其中所述第一末端部分包括至少一個第一類型的聲孔； 電路板，其安置在所述導(dǎo)電外殼內(nèi)且封閉所述導(dǎo)電外殼的所述第二末端部分處的開Π ； 第一背板，其安置在所述導(dǎo)電外殼內(nèi)，其中所述第一背板的第一表面鄰近所述導(dǎo)電外殼的所述第一末端部分的內(nèi)表面，其中所述第一背板包括至少一個第二類型的聲孔； 第二背板，其安置在所述導(dǎo)電外殼內(nèi)，其中所述第二背板的第一表面被導(dǎo)向成朝向安置在所述導(dǎo)電外殼內(nèi)的所述電路板，其中所述第二背板包括至少一個第三類型的聲孔；膜片，其插入在所述第一背板的第二表面與所述第二背板的第二表面之間，其中所述膜片還包括至少一個導(dǎo)電層； 至少一個第一隔片，其將所述第一背板的所述第二表面從所述膜片分開，其中所述至少一個第一隔片在所述第一背板與所述膜片之間建立第一空氣間隙； 第一駐極體層，其插入在所述第一背板的所述第二表面與所述膜片的所述至少一個導(dǎo)電層之間； 至少一個第二隔片，其將所述第二背板的所述第二表面從所述膜片分開，其中所述至少一個第二隔片在所述第二背板與所述膜片之間建立第二空氣間隙； 第二駐極體層，其插入在所述第二背板的所述第二表面與所述膜片的所述至少一個導(dǎo)電層之間； 不導(dǎo)電張力環(huán)，其安置在所述導(dǎo)電外殼內(nèi)，其中所述第二背板安置在所述不導(dǎo)電張力環(huán)內(nèi)，且其中所述不導(dǎo)電張力環(huán)插入在所述第二背板的外表面與所述導(dǎo)電外殼之間；和運(yùn)算放大器集成電路(1C)，其電耦合到所述第一背板、所述第二背板和所述膜片的所述至少一個導(dǎo)電層，其中所述運(yùn)算放大器IC為所述ECM提供信號處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ECM，其中所述第一駐極體層附接到所述第一背板。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ECM，其中所述第一駐極體層附接到所述膜片。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ECM，其中所述第二駐極體層附接到所述第二背板。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ECM，其中所述第二駐極體層附接到所述膜片。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ECM，其還包括導(dǎo)電彈簧墊圈，所述導(dǎo)電彈簧墊圈安置在所述導(dǎo)電外殼內(nèi)且插入在所述第二背板的所述第一表面與所述電路板之間，其中所述導(dǎo)電彈簧墊圈將所述第二背板保持在適當(dāng)位置，其中所述運(yùn)算放大器IC是單端電壓式運(yùn)算放大器1C，其中所述單端電壓式運(yùn)算放大器IC的第一輸入經(jīng)由所述電路板和所述導(dǎo)電彈簧墊圈而電連接到所述第二背板，且其中所述單端電壓式運(yùn)算放大器IC的第二輸入經(jīng)由所述電路板和所述導(dǎo)電外殼而電連接到所述第一背板；和 多個鍍金屬表面，其安置在所述不導(dǎo)電張力環(huán)上，其中所述單端電壓式運(yùn)算放大器IC的所述第二輸入經(jīng)由所述電路板和所述多個鍍金屬表面而電連接到所述膜片的所述至少一個導(dǎo)電層。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ECM，其還包括導(dǎo)電彈簧墊圈，所述導(dǎo)電彈簧墊圈安置在所述導(dǎo)電外殼內(nèi)，且插入在所述第二背板的所述第一表面與所述電路板之間，其中所述導(dǎo)電彈簧墊圈將所述第二背板保持在適當(dāng)位置，其中所述運(yùn)算放大器IC是單端電壓式運(yùn)算放大器1C，其中所述單端電壓式運(yùn)算放大器IC的第一輸入經(jīng)由所述電路板和所述導(dǎo)電彈簧墊圈而電連接到所述第二背板，且其中所述單端電壓式運(yùn)算放大器IC的第二輸入經(jīng)由所述電路板和所述導(dǎo)電外殼而電連接到所述第一背板；和 多個鍍金屬表面，其安置在所述不導(dǎo)電張力環(huán)上，其中所述單端電壓式運(yùn)算放大器IC的所述第二輸入經(jīng)由所述電路板和所述導(dǎo)電外殼和所述多個鍍金屬表面而電連接到所述膜片的所述至少一個導(dǎo)電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ECM，其還包括導(dǎo)電彈簧墊圈，所述導(dǎo)電彈簧墊圈安置在所述導(dǎo)電外殼內(nèi)，且插入在所述第二背板的所述第一表面與所述電路板之間，其中所述導(dǎo)電彈簧墊圈將所述第二背板保持在適當(dāng)位置，其中所述運(yùn)算放大器IC是差分電壓式運(yùn)算放大器1C，其中所述差分電壓式運(yùn)算放大器IC的第一輸入經(jīng)由所述電路板和所述導(dǎo)電彈簧墊圈而電連接到所述第二背板，其中所述差分電壓式運(yùn)算放大器IC的第二輸入經(jīng)由所述電路板和所述導(dǎo)電外殼而電連接到所述第一背板，且其中所述差分電壓式運(yùn)算放大器IC的參考輸入電連接到所述膜片的所述至少一個導(dǎo)電層；和 多個鍍金屬表面，其安置在所述不導(dǎo)電張力環(huán)上，其中所述差分電壓式運(yùn)算放大器IC的所述參考輸入經(jīng)由所述電路板和所述多個鍍金屬表面而電連接到所述膜片的所述至少一個導(dǎo)電層。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ECM，其還包括導(dǎo)電彈簧墊圈，所述導(dǎo)電彈簧墊圈安置在所述導(dǎo)電外殼內(nèi)，且插入在所述第二背板的所述第一表面與所述電路板之間，其中所述導(dǎo)電彈簧墊圈將所述第二背板保持在適當(dāng)位置，其中所述運(yùn)算放大器IC是差分電壓式運(yùn)算放大器1C，其中所述差分電壓式運(yùn)算放大器IC的第一輸入經(jīng)由所述電路板和所述導(dǎo)電彈簧墊圈而電連接到所述第二背板，其中所述差分電壓式運(yùn)算放大器IC的第二輸入經(jīng)由所述電路板和所述導(dǎo)電外殼而電連接到所述第一背板，且其中所述差分電壓式運(yùn)算放大器IC的參考輸入電連接到所述膜片的所述至少一個導(dǎo)電層；和 多個鍍金屬表面，其安置在所述不導(dǎo)電張力環(huán)上，其中所述差分電壓式運(yùn)算放大器IC的所述參考輸入經(jīng)由所述電路板和所述導(dǎo)電外殼和所述多個鍍金屬表面而電連接到所述膜片的所述至少一個導(dǎo)電層。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ECM，其還包括導(dǎo)電彈簧墊圈，所述導(dǎo)電彈簧墊圈安置在所述導(dǎo)電外殼內(nèi)，且插入在所述第二背板的所述第一表面與所述電路板之間，其中所述導(dǎo)電彈簧墊圈將所述第二背板保持在適當(dāng)位置；和 多個鍍金屬表面，其安置在所述不導(dǎo)電張力環(huán)上，其中所述運(yùn)算放大器IC是充電式運(yùn)算放大器1C，其中所述充電式運(yùn)算放大器IC的所述第一輸入經(jīng)由所述電路板和所述多個鍍金屬表面而電連接到所述膜片，其中所述充電式運(yùn)算放大器IC的所述第二輸入經(jīng)由所述電路板和所述導(dǎo)電外殼而電連接到所述第一背板，且經(jīng)由所述電路板和所述導(dǎo)電彈簧墊圈而電連接到所述第二背板。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ECM，其還包括導(dǎo)電彈簧墊圈，所述導(dǎo)電彈簧墊圈安置在所述導(dǎo)電外殼內(nèi)，且插入在所述第二背板的所述第一表面與所述電路板之間，其中所述導(dǎo)電彈簧墊圈將所述第二背板保持在適當(dāng)位置；和 多個鍍金屬表面，其安置在所述不導(dǎo)電張力環(huán)上，其中所述運(yùn)算放大器IC是充電式運(yùn)算放大器1C，其中所述充電式運(yùn)算放大器IC的所述第一輸入經(jīng)由所述電路板和所述導(dǎo)電外殼和所述多個鍍金屬表面而電連接到所述膜片，其中所述充電式運(yùn)算放大器IC的所述第二輸入經(jīng)由所述電路板和所述導(dǎo)電外殼而電連接到所述第一背板，且經(jīng)由所述電路板和所述導(dǎo)電彈簧墊圈而電連接到所述第二背板。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ECM，其中所述電路板包括至少一個聲音端口。
13.—種微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)型電容傳聲器,其包括 第一微機(jī)械化背板，其中所述第一微機(jī)械化背板包括至少一層第一導(dǎo)電材料和至少一個聲孔； 第二微機(jī)械化背板，其中所述第二微機(jī)械化背板包括至少一層第二導(dǎo)電材料和至少一個聲孔； 膜片，其插入在所述第一微機(jī)械化背板與所述第二微機(jī)械化背板之間，其中所述膜片還包括至少一個導(dǎo)電層； 至少一個第一隔片，其將所述第一微機(jī)械化背板從所述膜片分開，其中所述至少一個第一隔片在所述第一微機(jī)械化背板與所述膜片之間建立第一空氣間隙； 至少一個第二隔片，其將所述第二微機(jī)械化背板從所述膜片分開，其中所述至少一個第二隔片在所述第二微機(jī)械化背板與所述膜片之間建立第二空氣間隙；和 運(yùn)算放大器(op-amp)集成電路(1C)，其電耦合到所述第一微機(jī)械化背板的所述至少一層所述第一導(dǎo)電材料、所述第二微機(jī)械化背板的所述至少一層所述第二導(dǎo)電材料，和所述膜片的所述至少一個導(dǎo)電層，其中所述運(yùn)算放大器IC為所述MEMS型傳聲器提供信號處理。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的MEMS型傳聲器，其還包括耦合到所述膜片的電荷泵，其中所述運(yùn)算放大器IC是單端電壓式運(yùn)算放大器1C，其中所述單端電壓式運(yùn)算放大器IC的第一輸入電連接到所述第一微機(jī)械化背板，其中所述單端電壓式運(yùn)算放大器IC的第二輸入電連接到所述第二微機(jī)械化背板，且其中所述單端電壓式運(yùn)算放大器IC的所述第一輸入經(jīng)由所述電荷泵而電連接到所述膜片的所述至少一個導(dǎo)電層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的MEMS型傳聲器，其還包括電阻源，其中所述電阻源與所述電荷泵串聯(lián)放置。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的MEMS型傳聲器，其還包括耦合到所述膜片的電荷泵，其中所述運(yùn)算放大器IC是差分電壓式運(yùn)算放大器1C，且其中所述差分電壓式運(yùn)算放大器IC的第一輸入電連接到所述第一微機(jī)械化背板，其中所述差分電壓式運(yùn)算放大器IC的第二輸入電連接到所述第二微機(jī)械化背板，且其中所述差分電壓式運(yùn)算放大器IC的參考輸入經(jīng)由所述電荷泵而電連接到所述膜片的所述至少一個導(dǎo)電層。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的MEMS型傳聲器，其還包括第一極性的第一電荷泵和第二極性的第二電荷泵，其中所述第二極性與所述第一極性相反，其中所述運(yùn)算放大器IC是充電式運(yùn)算放大器1C，其中所述充電式運(yùn)算放大器IC的所述第一輸入電連接到所述膜片的所述至少一個導(dǎo)電層，其中所述充電式運(yùn)算放大器IC的第二輸入經(jīng)由所述第一電荷泵而電連接到所述第一微機(jī)械化背板，且經(jīng)由所述第二電荷泵而電連接到所述第二微機(jī)械化背板。
全文摘要
提供了一種雙背板傳聲器，其利用駐極體電容或MEMS電容構(gòu)造，且其中運(yùn)算放大器IC電連接到背板和膜片的導(dǎo)電層兩者。
文檔編號H04R19/01GK102957992SQ20121029080
公開日2013年3月6日 申請日期2012年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月15日
發(fā)明者J.R.巴伯, 小約翰.C.鮑姆豪爾, J.P.麥卡蒂爾, A.D.米歇爾, J.V.奧爾森 申請人:哈曼國際工業(yè)有限公司