快速獲取硅片光致發(fā)光影像的Si-CCD照相的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種快速獲取硅片光致發(fā)光影像的Si-CCD照相機，通過帕爾帖制冷元件將Si-CCD感光器件降溫到至少低于-20攝氏度，降低其本底噪聲的強度，從而縮短了最短有效曝光時間，同時根據(jù)Si-CCD的每個像素點亮度和曝光時間的線性關(guān)系，可以從一個時間段的電荷累積量推算出更長時間段的電荷累積量，達到快速獲取光致發(fā)光影像的目的。
【專利說明】快速獲取硅片光致發(fā)光影像的S1-CCD照相機
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種快速獲取硅片光致發(fā)光影像的S1-CCD照相機。
【背景技術(shù)】
[0002]為了判斷硅片或電池片是否存在缺陷，常用的方法是采用CXD (Charge CoupledDevice,電荷耦合器件)照相機拍攝硅片或電池片的光致發(fā)光影像，通過觀察其光致發(fā)光影像，可直接判斷出硅片或電池片是否存在缺陷及缺陷的位置。CCD照相機是根據(jù)光致發(fā)光效應(yīng)原理來進行工作的。所謂光致發(fā)光效應(yīng)是指:當(dāng)指價帶的電子受到入射光子的激發(fā)后，會躍過禁帶進入導(dǎo)帶。如果導(dǎo)帶上的這些被激發(fā)的電子又躍遷回到價帶時，會以放出光子的形式來釋放能量。光致發(fā)光效應(yīng)也稱突光效應(yīng)，其英文術(shù)語為:Photoluminescence,簡稱PL0 CXD照相機的工作原理如下:
[0003]首先利用激光作為激發(fā)光源，提供一定能量的入射光子，硅片中處于基態(tài)的電子在吸收這些光子后而進入激發(fā)態(tài)，處于激發(fā)態(tài)的電子屬于亞穩(wěn)態(tài)，在短時間內(nèi)會回到基態(tài)，并發(fā)出以1150 nm的紅外光為波峰的突光。CCD照相機即可對所述發(fā)出的突光進行感光成像，獲取光致發(fā)光影像；
[0004]從硅片中發(fā)出光致發(fā)光效應(yīng)的光的強度與本位置的非平衡少數(shù)載流子的密度成正比，而硅片中存有缺陷的地方會成為少數(shù)載流子的強復(fù)合中心，因此該區(qū)域的少數(shù)載流子密度變小導(dǎo)致熒光效應(yīng)減弱，在圖像上表現(xiàn)出來就成為暗色的點、線，或一定的區(qū)域，而在電池片內(nèi)復(fù)合較少的區(qū)域則表現(xiàn)為比較亮的區(qū)域。因此，通過觀察光致發(fā)光成像能夠判斷硅片或電池片是否存在缺陷。
[0005]CXD照相機的成像時間取決于CXD的種類和質(zhì)量，且CXD照相機的成像時間和進入相機的光線強度成正比。同時，CCD照相機得到的影像亮度在光線足夠的情況下是和曝光成像時間成線性(正比)關(guān)系。曝光時間越長，影像越亮。但是在光線非常微弱的情況下，影像的亮度和曝光成像時間就不一定是線性關(guān)系。
[0006]現(xiàn)有的CXD照相機包括以InGaAs (砷化銦鎵)為CXD感光器件的InGaAs-CXD照相機，以及以Si (硅)為感光元器件的S1-CCD照相機。
[0007]InGaAs-CCD照相機的優(yōu)點在于其所需的最短有效曝光時間較短，所以其獲取光致發(fā)光影像的速度較快，在等效一個太陽光強激發(fā)下，得到一幅清晰的光致發(fā)光影像，如果采用InGaAs-C⑶照相機需要5 - 10秒。但是，其缺陷在于:1、受到單個CXD合格率和性能一致性的限制，超過IK X IK高分辨率的InGaAs相機價格非常昂貴，因此，其不適用于大部分的使用者。2、InGaAs-C⑶的本體噪聲很高，得到的PL影像有很高的背景噪聲。(依據(jù)半導(dǎo)體材料的物理特性，任何電子元器件都存在有本底噪聲:熱噪聲，熱噪聲的強度和溫度成正比。當(dāng)微弱的光產(chǎn)生的電信號低于傳感器本身的熱噪聲時，常規(guī)的CCD就沒有辦法從較大的熱噪聲中分辨出信號。所以CCD本身的熱噪聲是限制了它對于微弱發(fā)光物體的拍攝能力。)[0008]S1-C⑶照相機的優(yōu)點在于成本相對比較便宜，且性能非常穩(wěn)定，分辨率也能達到非常高。它常用的光譜響應(yīng)范圍是400nm至800nm。但是，其缺點在于:1、它對IOOOnm之后的光譜產(chǎn)生的感光電流非常微弱，可能低于它本身的熱噪聲，因此，對上述1150 nm的光譜獲取的光致發(fā)光影像的效果較差；2、其最短有效曝光時間較長，在等效一個太陽光強激發(fā)下，得到一幅光致發(fā)光影像，采用S1-CXD照相機就需要5 - 10分鐘的曝光時間。因此，如何使S1-CCD照相機快速獲取清晰的硅片或電池產(chǎn)生的1150 nm的光譜的光致發(fā)光影像是目前所需克服的難題。
實用新型內(nèi)容
[0009]本實用新型針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足，提供了一種快速獲取硅片光致發(fā)光影像的S1-CXD照相機，采用低價格的S1-CXD照相機，將S1-CXD感光元件冷卻至-20攝氏度，并在不提高入射光功率，不犧牲CCD分辨率的前提條件下，縮短S1-CCD相機的曝光時間。
[0010]本實用新型通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):
[0011]一種快速獲取硅片光致發(fā)光影像的S1-CXD照相機，包括:
[0012]S1-CXD感光器件，用以拍攝光致發(fā)光影像；
[0013]電子線路板，電性連接S1-C⑶感光器件，用以向S1-C⑶感光器件提供電源，驅(qū)動，數(shù)模轉(zhuǎn)換及接口電路；
[0014]帕爾帖制冷元件，設(shè)置在S1-CXD感光器件和電子線路板下側(cè)，用以將S1-CXD感光器件的溫度降低到至少低于-20攝氏度；
[0015]導(dǎo)熱的真空密封模塊，用以導(dǎo)熱和散熱，導(dǎo)熱的真空密封模塊的內(nèi)部真空，S1-CCD感光器件、電子線路板以及帕爾帖制冷元件設(shè)置在導(dǎo)熱的真空密封模塊的內(nèi)部，光線可透過導(dǎo)熱的真空密封模塊照射在S1-CXD感光器件上；
[0016]散熱片，設(shè)置在導(dǎo)熱的真空密封模塊外側(cè)，用以散發(fā)帕爾帖制冷元件在制冷過程中所產(chǎn)生的熱量。
[0017]較佳的，導(dǎo)熱的真空密封模塊包括:
[0018]窗口密封玻璃，設(shè)置在S1-CXD感光器件上側(cè)，外部光線透過窗口密封玻璃照射在S1-CXD感光器件上；
[0019]散熱真空密封體，設(shè)置在帕爾帖制冷元件下側(cè)，并與窗口密封玻璃密封連接，窗口密封玻璃與散熱真空密封體之間真空。
[0020]較佳的，導(dǎo)熱的真空密封模塊還包括:絕緣絕熱密封圈，設(shè)置在窗口密封玻璃和散熱真空密封體之間，起密封作用。
[0021]較佳的，散熱片采用風(fēng)冷散熱或水冷散熱。
[0022]較佳的，帕爾帖制冷元件包括一片帕爾帖制冷元件或者多片帕爾帖制冷元件疊加
在一起。
[0023]本實用新型另提供一種快速獲取硅片光致發(fā)光影像的S1-CCD照相機，采用低價格的S1-CCD感光器件，將S1-CCD感光元件冷卻至-20攝氏度，并在不提高入射光功率，不犧牲CCD分辨率的前提條件下，縮短S1-CCD照相機的曝光時間，同時對S1-CCD照相機外圍進行去濕，防止水冷凝在S1-CXD照相機上而影響拍攝。
[0024]一種快速獲取硅片光致發(fā)光影像的S1-CXD照相機，包括:[0025]S1-CXD感光器件，用以拍攝光致發(fā)光影像；
[0026]電子線路板，電性連接S1-CCD感光器件，用以向S1-CCD感光器件提供電源，驅(qū)動，數(shù)模轉(zhuǎn)換及接口電路；
[0027]第一帕爾帖制冷元件，設(shè)置在S1-CCD感光器件和電子線路板下側(cè)，用以將S1-CCD感光器件的溫度降低到至少低于-20攝氏度；
[0028]導(dǎo)熱的真空密封模塊，用以導(dǎo)熱和散熱，導(dǎo)熱的真空密封模塊的內(nèi)部真空，S1-CCD感光器件、電子線路板以及第一帕爾帖制冷元件設(shè)置在導(dǎo)熱的真空密封模塊的內(nèi)部，光線可透過導(dǎo)熱的真空密封模塊照射在S1-CXD感光器件上；
[0029]冷凝去濕塊，設(shè)置在導(dǎo)熱的真空密封模塊下方，用以冷凝空氣中的水分，起去濕作用；
[0030]導(dǎo)熱絕緣層，設(shè)置在冷凝去濕塊與導(dǎo)熱的真空密封模塊之間，用以導(dǎo)熱和絕緣；
[0031]第二帕爾帖制冷元件，設(shè)置在冷凝去濕塊下側(cè)，用以維持冷凝去濕塊在一預(yù)設(shè)溫度，以增加去濕效果；
[0032]空氣加熱器，設(shè)置在第二帕爾帖制冷元件下側(cè)，用以加熱經(jīng)冷凝去濕后的空氣；
[0033]真空風(fēng)扇，用以將未經(jīng)冷凝去濕的空氣送入冷凝去濕塊，將冷凝去濕后的空氣送入S1-CXD感光器件周圍，形成循環(huán)。
[0034]較佳的，導(dǎo)熱的真空密封模塊包括:
[0035]窗口密封玻璃，設(shè)置在S1-CXD感光器件上側(cè)，外部光線透過窗口密封玻璃照射在S1-CXD感光器件上；
[0036]散熱真空密封體，設(shè)置在帕爾帖制冷元件下側(cè)，并與窗口密封玻璃密封連接，窗口密封玻璃與散熱真空密封體之間真空。
[0037]較佳的，導(dǎo)熱的真空密封模塊還包括:絕緣絕熱密封圈，設(shè)置在窗口密封玻璃和散熱真空密封體之間，起密封作用。
[0038]較佳的，第一帕爾帖制冷元件或第二帕爾帖制冷元件包括一片帕爾帖制冷元件或者多片帕爾帖制冷元件疊加在一起。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0039]圖1所示的是本實用新型第一實施例的結(jié)構(gòu)爆炸圖；
[0040]圖2所示的是未冷卻的S1-CCD照相機的曝光時間與輸出電壓示意圖；
[0041]圖3所示的是冷卻后的S1-CCD照相機的曝光時間與輸出電壓示意圖；
[0042]圖4所示的是S1-CXD照相機的曝光時間與圖像亮度示意圖；
[0043]圖5所示的是本實用新型快速獲取硅片光致發(fā)光影像的原理圖；
[0044]圖6所示的是本實用新型的第二實施例的結(jié)構(gòu)爆炸圖。
【具體實施方式】
[0045]以下將結(jié)合本實用新型的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整的描述和討論，顯然，這里所描述的僅僅是本實用新型的一部分實例，并不是全部的實例，基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型的保護范圍。[0046]為了便于對本實用新型實施例的理解，下面將結(jié)合附圖以具體實施例為例作進一步的解釋說明，且各個實施例不構(gòu)成對本實用新型實施例的限定。
[0047]請參考圖1，本實用新型的第一實施例所提供的一種快速獲取硅片光致發(fā)光影像的S1-CXD照相機，包括=S1-CXD感光器件2 ;電子線路板3 ;帕爾帖制冷元件(Peltier) 4 ；導(dǎo)熱的真空密封模塊；散熱片7。
[0048]S1-CXD感光器件2設(shè)置在電子線路板3上，電子線路板3給S1-CXD感光器件2提供電源，驅(qū)動，數(shù)模轉(zhuǎn)換及接口電路；帕爾帖制冷元件4將S1-CCD感光器件2降溫到至少低于-20攝氏度，其目的會在本文后續(xù)的原理部分說明；散熱片7設(shè)置在導(dǎo)熱的真空密封模塊外側(cè)，用以散發(fā)帕爾帖制冷元件4在制冷過程中所產(chǎn)生的熱量；導(dǎo)熱的真空密封模塊的內(nèi)部真空，S1-CCD感光器件2、電子線路板3以及帕爾帖制冷元件4設(shè)置在導(dǎo)熱的真空密封模塊的內(nèi)部，其本身同時帶有導(dǎo)熱和散熱的作用，光線可透過導(dǎo)熱的真空密封模塊照射在S1-CXD感光器件2上，完成拍攝光致發(fā)光影像的功能。
[0049]當(dāng)S1-C⑶感光器件2的溫度低過10-15攝氏度以下，空氣中的水分會凝結(jié)在S1-CXD感光器件表面，產(chǎn)生結(jié)露現(xiàn)象。所以S1-C⑶感光器件2必須安裝在高度真空的密封體里面。S1-CXD感光器件2安裝進密封體之后，里面需要高度抽真空。
[0050]在本實施例中，導(dǎo)熱的真空密封模塊包括:窗口密封玻璃I，設(shè)置在S1-CXD感光器件2上側(cè)，外部光線透過窗口密封玻璃照射在S1-CXD感光器件2上；散熱真空密封體6，設(shè)置在帕爾帖制冷元件4下側(cè)，并與窗口密封玻璃I密封連接，窗口密封玻璃I與散熱真空密封體6之間真空；絕緣絕熱密封圈5，設(shè)置在所述窗口密封玻璃I和所述散熱真空密封體6之間，起密封作用。這里只是對導(dǎo)熱的真空密封模塊舉一例說明，本實用新型在此對導(dǎo)熱的真空密封模塊的結(jié)構(gòu)不做限制。
[0051]散熱片7采用風(fēng)冷散熱或水冷散熱，技術(shù)人員可以根據(jù)實際情況做出選擇。
[0052]以下提供本實用新型的工作方法和原理，以便技術(shù)人員理解本實用新型。
[0053]請參考圖2，S1-CXD感光器件的本底噪聲b是一種白噪聲，它的強度限制了 s1-CXD照相機能夠獲取有用的光致發(fā)光影像最短的曝光時間。只有當(dāng)CCD表面電荷累積超過CCD本身的熱噪聲，即圖2中的Tl時刻，CCD才能探測出發(fā)光物體的影像。Tl的長短取決于被測量的物體屬性和激發(fā)光強度，正常獲取一幅高分辨率(IKxlK)硅片的光致發(fā)光圖像大約需要5-10分鐘，正常獲取一幅高分辨率(IKxlK)電池片的光致發(fā)光圖像大約需要5-10秒鐘。
[0054]請參考圖3，S1-CXD感光器件本身的熱噪聲和溫度有對應(yīng)關(guān)系。當(dāng)把S1-CXD感光器件的體溫降到-20攝氏度以下，S1-CCD感光器件本身的熱噪聲就會大幅度地降低。當(dāng)把S1-CXD感光器件的溫度降到-20攝氏度以下，器件本身的熱噪聲就幾乎為零，S1-CXD感光器件的光譜響應(yīng)范圍就可以延伸到1200nm。它就可以用來測量從硅片激發(fā)出來的1150nm的光致發(fā)光影像，且降溫了的S1-CXD感光器件最短的有效曝光時間T2可以大大地縮短。
[0055]請參考圖4，高質(zhì)量的S1-CCD照相機即使在非常微弱的光照條件下，由入射光產(chǎn)生的S1-CCD感光器件表面電荷累積量和時間成線性關(guān)系。也即影像的亮度和照射的時間成線性關(guān)系。請參考圖5，所以高質(zhì)量的S1-CCD產(chǎn)生的影像的亮度與曝光時間用數(shù)學(xué)公式可以表達為:Y=aXt+b。Y是S1-CXD感光器件每個像素點代表的亮度，X是從硅片或者電池片中激發(fā)出來的光致發(fā)光影像的光強，a是光學(xué)轉(zhuǎn)換系數(shù)，t是曝光時間，b是S1-CCD的本底噪聲。因為冷卻的S1-CCD感光器件的每個像素點亮度和曝光時間有這樣的線性關(guān)系，因此可以從一個時間段的電荷累積量推算出更長時間段的電荷累積量。比如我們可以從一秒的曝光時間得到的圖像亮度Y(I)推算出它在10秒曝光時間的圖像亮度:Y(10)= IOxY⑴-9b。
[0056]根據(jù)上述原理，本實用新型在此提供一種基于本實用新型的快速獲取光致發(fā)光影像的方法，以便技術(shù)人員理解本實用新型的用途:
[0057]S1、將快速獲取硅片光致發(fā)光影像的S1-CXD感光器件降溫到至少低于-20攝氏度；
[0058]S2、在沒有激發(fā)光源的狀態(tài)下，S1-CXD照相機采集一第一二維數(shù)據(jù)fQ (Xi ; Yj);
[0059]S3、設(shè)定激發(fā)光源和S1-CXD照相機的曝光時間為T3，S1-CXD照相機采集一第二二維數(shù)據(jù) (Xi;Yj)；
[0060]S4、計算在T4曝光時間條件下的光致發(fā)光影像:f2 (Xi ;Yj) = If1 (Xi ;Yj) - f0(Xi;Yj) ] XT4/T3 ；
[0061]其中，i=0到M，j=0到N，M和N的值為S1-CXD感光器件的橫向及縱向最大像素點，比如CCD的像素是:1024 X 1024 ；M, N的值就是1024 ；
[0062]f0 (Xi;Yj)是S1-CXD感光器件每個像素點輸出的電壓值，代表S1-CXD感光器件的本體噪聲和環(huán)境光線產(chǎn)生的綜合誤差信號；f\ (Xi ; Yj)是S1-CCD感光器件在T3時刻每個像素點輸出的電壓值；f2 (Xi；Yj)是S1-CXD感光器件在T4時刻每個像素點可能輸出的電壓值；
[0063]f2 (Xi;Yj)是S1-CXD感光器件每個像素點輸出的電壓值，代表了 S1-CXD感光器件的本體噪聲和環(huán)境光線產(chǎn)生的綜合誤差信號，M和N的值為S1-CCD感光器件的橫向及縱向最大像素點；
[0064]T3的取值為未制冷的S1-CCD感光器件能夠采集到光致發(fā)光影像的最短曝光時間的十分之一至五十分之一，T4所需計算的光致發(fā)光影像所在的時刻。為了便于比較硅片和硅片之間的質(zhì)量，通常采用設(shè)定時間參數(shù)T4，比較各硅片光致發(fā)光影像的亮度。光致發(fā)光影像越亮，硅片的少數(shù)載流子壽命越長，質(zhì)量越好。
[0065]請參考圖6，本實用新型在第一實施例的基礎(chǔ)上做出改進所提供的第二實施例。由于本實用新型的S1-CXD感光器件的工作溫度在-20攝氏度以下，考慮到外部高溫、高濕氣的空氣可能會在窗口密封玻璃上產(chǎn)生冷凝現(xiàn)象(即第一實施例的工作環(huán)境需要在低溫、低濕度的環(huán)境中進行)，因此，在本實施例中增加了對周圍環(huán)境去濕的功能，以適應(yīng)其他的工作環(huán)境。
[0066]本實施例的快速獲取硅片光致發(fā)光影像的S1-CXD照相機，包括:
[0067]S1-CXD感光器件12 ；電子線路板13 ;第一帕爾帖制冷元件14 ;導(dǎo)熱的真空密封模塊；冷凝去濕塊18 ;導(dǎo)熱絕緣層17 ;第二帕爾帖制冷元件19 ;空氣加熱器20 ;真空風(fēng)扇21。
[0068]S1-CXD感光器件12設(shè)置在電子線路板13上，電子線路板13向S1-CXD感光器件12提供電源，驅(qū)動，數(shù)模轉(zhuǎn)換及接口電路；第一帕爾帖制冷元件14設(shè)置在電子線路板13下側(cè)，用以將S1-CCD感光器件12的溫度降低到至少低于-20攝氏度；冷凝去濕塊18設(shè)置在導(dǎo)熱的真空密封模塊下方，用以冷凝空氣中的水分，起去濕作用；導(dǎo)熱絕緣層17設(shè)置在冷凝去濕塊18與導(dǎo)熱的真空密封模塊之間，用以導(dǎo)熱和絕緣；第二帕爾帖制冷元件19設(shè)置在冷凝去濕塊18下側(cè)，用以維持冷凝去濕塊18在一預(yù)設(shè)溫度，以增加去濕效果；空氣加熱器20設(shè)置在第二帕爾帖制冷元件19下側(cè)，用以加熱經(jīng)冷凝去濕后的空氣；真空風(fēng)扇21設(shè)置在空氣加熱器20的下側(cè)，用以將未經(jīng)冷凝去濕的空氣送入冷凝去濕塊18，將冷凝去濕后的空氣送入S1-CXD感光器件12周圍，形成循環(huán)。
[0069]導(dǎo)熱的真空密封模塊的內(nèi)部真空，S1-C⑶感光器件12、電子線路板13以及第一帕爾帖制冷元件14設(shè)置在導(dǎo)熱的真空密封模塊的內(nèi)部，光線可透過導(dǎo)熱的真空密封模塊照射在S1-C⑶感光器件12上，完成拍攝光之發(fā)光影像的目的。導(dǎo)熱的真空密封模塊的結(jié)構(gòu)可以與第一實施例相同，包括窗口密封玻璃11，散熱真空密封體16以及絕緣絕熱密封圈15 ;本實用新型在此不做限制。
[0070]由于濕熱空氣中的水分子和冷凝去濕塊18接觸時，在冷凝去濕塊18表面比較容易冷凝成水。所以經(jīng)過冷凝去濕塊18的冷空氣需要再加熱，然后送回S1-CCD感光器件12周圍的環(huán)境中，經(jīng)過循環(huán)再次和冷凝去濕塊18接觸，去濕。周而復(fù)始，不斷循環(huán)，同時達到了冷卻S1-CXD照相機以及去濕的作用。
[0071]經(jīng)過試驗，本實用新型可以將光致發(fā)光影像的曝光時間縮短至正常獲取光致發(fā)光影像的所需曝光時間的十分之一至五十分之一內(nèi)。
[0072]以上所述，僅為本實用新型較佳的【具體實施方式】，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種快速獲取硅片光致發(fā)光影像的S1-CXD照相機，其特征在于，包括: S1-CCD感光器件，用以拍攝光致發(fā)光影像； 電子線路板，電性連接所述S1-CCD感光器件，用以向所述S1-CCD感光器件提供電源，驅(qū)動，數(shù)模轉(zhuǎn)換及接口電路； 帕爾帖制冷元件，設(shè)置在所述S1-CCD感光器件和電子線路板下側(cè)，用以將所述S1-CCD感光器件的溫度降低到至少低于-20攝氏度； 導(dǎo)熱的真空密封模塊，用以導(dǎo)熱和散熱，所述導(dǎo)熱的真空密封模塊的內(nèi)部真空，所述S1-CCD感光器件、所述電子線路板以及所述帕爾帖制冷元件設(shè)置在所述導(dǎo)熱的真空密封模塊的內(nèi)部，光線可透過所述導(dǎo)熱的真空密封模塊照射在所述S1-CCD感光器件上； 散熱片，設(shè)置在所述導(dǎo)熱的真空密封模塊外側(cè)，用以散發(fā)所述帕爾帖制冷元件在制冷過程中所產(chǎn)生的熱量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速獲取硅片光致發(fā)光影像的S1-CCD照相機，其特征在于，所述導(dǎo)熱的真空密封模塊包括: 窗口密封玻璃，設(shè)置在所述S1-CCD感光器件上側(cè)，外部光線透過所述窗口密封玻璃照射在所述S1-CXD感光器件上； 散熱真空密封體，設(shè)置在所述帕爾帖制冷元件下側(cè)，并與所述窗口密封玻璃密封連接，所述窗口密封玻璃與所述散熱真空密封體之間真空。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的快速獲取硅片光致發(fā)光影像的S1-CCD照相機，其特征在于，所述導(dǎo)熱的真空密封模塊還包括:絕緣絕熱密封圈，設(shè)置在所述窗口密封玻璃和所述散熱真空密封體之間，起密封作用。`
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速獲取硅片光致發(fā)光影像的S1-CCD照相機，其特征在于，所述散熱片采用風(fēng)冷散熱或水冷散熱。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速獲取硅片光致發(fā)光影像的S1-CCD照相機，其特征在于，所述帕爾帖制冷元件包括一片帕爾帖制冷元件或者多片帕爾帖制冷元件疊加在一起。
6.一種快速獲取硅片光致發(fā)光影像的S1-CXD照相機，其特征在于，包括: S1-CCD感光器件，用以拍攝光致發(fā)光影像； 電子線路板，電性連接所述S1-CCD感光器件，用以向所述S1-CCD感光器件提供電源，驅(qū)動，數(shù)模轉(zhuǎn)換及接口電路； 第一帕爾帖制冷元件，設(shè)置在所述S1-CCD感光器件和電子線路板下側(cè)，用以將所述S1-CXD感光器件的溫度降低到至少低于-20攝氏度； 導(dǎo)熱的真空密封模塊，用以導(dǎo)熱和散熱，所述導(dǎo)熱的真空密封模塊的內(nèi)部真空，所述S1-CCD感光器件、所述電子線路板以及所述第一帕爾帖制冷元件設(shè)置在所述導(dǎo)熱的真空密封模塊的內(nèi)部，光線可透過所述導(dǎo)熱的真空密封模塊照射在所述S1-CCD感光器件上； 冷凝去濕塊，設(shè)置在所述導(dǎo)熱的真空密封模塊下方，用以冷凝空氣中的水分，起去濕作用； 導(dǎo)熱絕緣層，設(shè)置在所述冷凝去濕塊與所述導(dǎo)熱的真空密封模塊之間，用以導(dǎo)熱和絕緣； 第二帕爾帖制冷元件，設(shè)置在所述冷凝去濕塊下側(cè)，用以維持所述冷凝去濕塊在一預(yù)設(shè)溫度，以增加去濕效果；空氣加熱器，設(shè)置在所述第二帕爾帖制冷元件下側(cè)，用以加熱經(jīng)冷凝去濕后的空氣； 真空風(fēng)扇，用以將未經(jīng)冷凝去濕的空氣送入所述冷凝去濕塊，將冷凝去濕后的空氣送入S1-CXD感光器件周圍，形成循環(huán)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的快速獲取硅片光致發(fā)光影像的S1-CCD照相機，其特征在于，所述導(dǎo)熱的真空密封模塊包括: 窗口密封玻璃，設(shè)置在所述S1-CCD感光器件上側(cè)，外部光線透過所述窗口密封玻璃照射在所述S1-CXD感光器件上； 散熱真空密封體，設(shè)置在所述第一帕爾帖制冷元件下側(cè)，并與所述窗口密封玻璃密封連接，所述窗口密封玻璃與所述散熱真空密封體之間真空。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的快速獲取硅片光致發(fā)光影像的S1-CCD照相機，其特征在于，所述導(dǎo)熱的真空密封模塊還包括:絕緣絕熱密封圈，設(shè)置在所述窗口密封玻璃和所述散熱真空密封體之間，起密封作用。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的快速獲取硅片光致發(fā)光影像的S1-CCD照相機，其特征在于，所述第一帕爾帖制冷元件或所述第二帕爾帖制冷元件包括一片帕爾帖制冷元件或者多片帕爾帖制冷元件疊加在一起。`
【文檔編號】H04N5/235GK203596857SQ201320648063
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2013年10月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月21日
【發(fā)明者】王宇昶 申請人:維信科技（新加坡）有限公司