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      一種基于sip技術(shù)的微型星載x波段數(shù)傳發(fā)射裝置制造方法

      文檔序號(hào):7803508閱讀:271來(lái)源:國(guó)知局
      一種基于sip技術(shù)的微型星載x波段數(shù)傳發(fā)射裝置制造方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種基于SIP技術(shù)的微型星載X波段數(shù)傳發(fā)射裝置,包括:接口芯片、SIP芯片、遙測(cè)接口和電源變換模塊。SIP芯片包括:溫補(bǔ)晶振、鎖相環(huán)、調(diào)制器、一級(jí)衰減-濾波-放大電路、二級(jí)衰減-濾波-放大電路、檢波電路、電流驅(qū)動(dòng)電路、極性變換電路;電流驅(qū)動(dòng)電路放大星上數(shù)據(jù)的驅(qū)動(dòng)電流,極性變換電路對(duì)星上數(shù)據(jù)映射成正負(fù)極性電平信號(hào)并輸入調(diào)制器,溫補(bǔ)晶振通過(guò)鎖相環(huán)產(chǎn)生X波段本振信號(hào)并輸入調(diào)制器,調(diào)制器根據(jù)正負(fù)極性電平信號(hào)以及X波段本振信號(hào)調(diào)制輸出星上調(diào)制信號(hào),星上調(diào)制信號(hào)依次經(jīng)過(guò)一級(jí)衰減-濾波-放大電路以及二級(jí)衰減-濾波-放大電路的濾波和放大后輸入檢波器進(jìn)行檢波輸出,以及輸入天線進(jìn)行數(shù)傳發(fā)射。
      【專利說(shuō)明】—種基于SIP技術(shù)的微型星載X波段數(shù)傳發(fā)射裝置
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及衛(wèi)星數(shù)傳通信【技術(shù)領(lǐng)域】,特別涉及一種基于SIP技術(shù)的微型星載X波段數(shù)傳發(fā)射裝置。
      [0002]
      【背景技術(shù)】
      [0003]星載數(shù)傳發(fā)射裝置的主要完成星上數(shù)據(jù)的調(diào)制、濾波和放大,并通過(guò)天線對(duì)地傳輸。其核心作用是將基帶信號(hào)頻譜搬移到衛(wèi)星通信的指定信道上,并使信號(hào)滿足星地鏈路EIRP (等效全向輻射功率)的要求,確保地面站的接收誤碼率滿足任務(wù)需求。數(shù)傳發(fā)射裝置是衛(wèi)星數(shù)傳鏈路中的必不可少的設(shè)備。
      [0004]一般的數(shù)傳發(fā)射裝置采用數(shù)字邏輯器件、射頻器件、射頻組件以及分立元器件來(lái)實(shí)現(xiàn),通過(guò)大規(guī)模邏輯器件如FPGA完成星上數(shù)據(jù)流的串并或并串變換和電流驅(qū)動(dòng),通過(guò)分立元件完成數(shù)字信號(hào)的極性變換,通過(guò)晶振、直倍頻器等獨(dú)立射頻組件產(chǎn)生本振信號(hào),通過(guò)調(diào)制模塊、濾波器等射頻器件完成調(diào)制和濾波功能。裝置一般采用QPSK調(diào)制方式,調(diào)制速率在10(T450Mbps范圍內(nèi),體積約為200mmX160mmX50mm,重量約為2kg,功耗不小于13W,其輸出功率為(T4dBm,且不包含功率放大設(shè)備如行波管或固態(tài)功放。
      [0005]微納衛(wèi)星是近年來(lái)衛(wèi)星發(fā)展的新興方向,通常按衛(wèi)星的質(zhì)量劃分,一般將KTlOOkg的稱為微型衛(wèi)星,f IOkg的稱為納衛(wèi)星。目前的數(shù)傳發(fā)射裝置由于電路復(fù)雜、元器件種類和數(shù)量繁多,采用多個(gè)獨(dú)立射頻器件、組件和分立器件來(lái)實(shí)現(xiàn),使裝置內(nèi)部有大量金屬殼體和封裝,造成其體積、重量和功耗都比較大,無(wú)法適應(yīng)微納衛(wèi)星的應(yīng)用。同時(shí),采用大規(guī)模邏輯器件使得裝置容易受到單粒子翻轉(zhuǎn)的影響。單粒子翻轉(zhuǎn)是發(fā)生在具有單穩(wěn)態(tài)或雙穩(wěn)態(tài)的邏輯器件和邏輯電路的一種帶電粒子輻射效應(yīng)。這種效應(yīng)會(huì)使大規(guī)模邏輯器件發(fā)生邏輯或配置錯(cuò)誤,造成整個(gè)數(shù)傳鏈路出現(xiàn)誤碼甚至失效。此外,對(duì)于微納衛(wèi)星而言,由于受功耗限制,信號(hào)EIRP值比較緊張,在雨天或信道噪聲功率較大的不良環(huán)境條件下往往需要降低數(shù)據(jù)傳輸速率或改變調(diào)制方式來(lái)提高信號(hào)的信噪比。一般的數(shù)傳發(fā)射裝置采用固定的調(diào)制方式和固定傳輸速率,并不能適應(yīng)這一要求。
      [0006]目前沒(méi)有發(fā)現(xiàn)同本發(fā)明類似技術(shù)的說(shuō)明或報(bào)道,也尚未收集到國(guó)內(nèi)外類似的資料。
      [0007]
      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0008]本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足,提供了一種基于SIP技術(shù)的微型星載X波段數(shù)傳發(fā)射裝置,本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
      一種基于SIP技術(shù)的微型星載X波段數(shù)傳發(fā)射裝置,包括:
      接口芯片,接收星上數(shù)據(jù)并對(duì)星上數(shù)據(jù)進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換;
      SIP芯片,連接接口芯片,SIP芯片包括:溫補(bǔ)晶振、鎖相環(huán)、調(diào)制器、一級(jí)衰減-濾波-放大電路、二級(jí)衰減-濾波-放大電路、檢波電路、電流驅(qū)動(dòng)電路、極性變換電路;其中,電流驅(qū)動(dòng)電路連接接口芯片,用以放大星上數(shù)據(jù)的驅(qū)動(dòng)電流,極性變換電路連接電流驅(qū)動(dòng)電路,用以對(duì)星上數(shù)據(jù)映射成正負(fù)極性電平信號(hào)并輸入調(diào)制器,溫補(bǔ)晶振通過(guò)鎖相環(huán)產(chǎn)生X波段本振信號(hào)并輸入調(diào)制器,調(diào)制器根據(jù)正負(fù)極性電平信號(hào)以及X波段本振信號(hào)調(diào)制輸出星上調(diào)制信號(hào),星上調(diào)制信號(hào)依次經(jīng)過(guò)一級(jí)衰減-濾波-放大電路以及二級(jí)衰減-濾波-放大電路的濾波和放大后輸入檢波器進(jìn)行檢波輸出,以及輸入一天線進(jìn)行數(shù)傳發(fā)射;
      遙測(cè)接口,連接檢波器,將檢波輸出作為遙測(cè)信號(hào)進(jìn)行輸出;
      電源變換模塊,連接SIP芯片,用以完成一次電源變換。
      [0009]較佳的,一級(jí)衰減-濾波-放大電路進(jìn)行飽和輸出,包括依次連接的:衰減器、微帶濾波器以及一級(jí)LNA放大器;二級(jí)衰減-濾波-放大電路用以淺飽和輸出,包括依次連接的:衰減器、MEMS濾波器以及二級(jí)功放器。
      [0010]較佳的,二級(jí)衰減-濾波-放大電路的輸出端連接有一微帶濾波器,用以控制輸出頻率范圍。
      [0011]較佳的,檢波器采用平行耦合線耦合出部分經(jīng)過(guò)二級(jí)衰減-濾波-放大電路的濾波和放大后的星上調(diào)制信號(hào)的功率,在通過(guò)肖特基二極管進(jìn)行檢波,檢波后通過(guò)遙測(cè)接口放大并輸出1.5V-3.3V的直流信號(hào)。
      [0012]較佳的,基于SIP技術(shù)的微型星載X波段數(shù)傳發(fā)射裝置采用的電路板為多層復(fù)合介質(zhì),將微帶板與普通印制板結(jié)合,用以保證高頻新能和力學(xué)強(qiáng)度。
      [0013]本發(fā)明可用于微納衛(wèi)星的數(shù)傳發(fā)射裝置,以解決一般星載數(shù)傳發(fā)射裝置體積、重量、功耗無(wú)法適應(yīng)微小衛(wèi)星應(yīng)用的問(wèn)題。
      [0014]
      【專利附圖】

      【附圖說(shuō)明】
      [0015]圖1所示的是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖;
      圖2所示的是本發(fā)明的SIP芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0016]
      【具體實(shí)施方式】
      [0017]以下將結(jié)合本發(fā)明的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述和討論,顯然,這里所描述的僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)例,并不是全部的實(shí)例,基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
      [0018]為了便于對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的理解,下面將結(jié)合附圖以具體實(shí)施例為例作進(jìn)一步的解釋說(shuō)明,且各個(gè)實(shí)施例不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的限定。
      [0019]如圖1所示,本發(fā)明提供的一種基于SIP技術(shù)的微型星載X波段數(shù)傳發(fā)射裝置,包括:LVDS (Low Voltage Differential Signaling,低壓差分信號(hào))數(shù)據(jù)接口 USIP (SystemIn Package,系統(tǒng)級(jí)封裝)芯片2、電源變換模塊3、遙測(cè)接口 4。本發(fā)明的工作流程為:通過(guò)LVDS接口 I接收來(lái)自星上的數(shù)字信號(hào),由SIP芯片2完成數(shù)字信號(hào)的電流驅(qū)動(dòng)、極性映射,產(chǎn)生X波段本振信號(hào),由SIP芯片2中的調(diào)制器完成調(diào)制,再通過(guò)兩級(jí)濾波放大電路進(jìn)行已調(diào)信號(hào)的放大濾波,最后將信號(hào)送天線進(jìn)行發(fā)射。電源變換模塊,完成一次電源變換。同時(shí),SIP芯片2中的耦合檢波電路將輸出信號(hào)的功率轉(zhuǎn)化為直流電壓,通過(guò)遙測(cè)電路放大后對(duì)外輸出。本發(fā)明的電路板采用多層復(fù)合介質(zhì)電路進(jìn)行設(shè)計(jì),將微帶板與普通印制板結(jié)合使用,既保證了高頻性能,又具備了力學(xué)強(qiáng)度。
      [0020]如圖2所示,SIP芯片2包括:溫補(bǔ)晶振、鎖相環(huán)、調(diào)制器、兩級(jí)衰減-濾波-放大電路、檢波電路、電流驅(qū)動(dòng)、極性變換電路。通過(guò)SIP技術(shù)將裸芯片及電路集成到I塊芯片內(nèi),單片SIP芯片完全實(shí)現(xiàn)本振產(chǎn)生、數(shù)字信號(hào)驅(qū)動(dòng)、極性變換、X波段射頻直調(diào)、限帶濾波和功率放大功能。外圍電路僅需要電源變換模塊、數(shù)據(jù)接口芯片和遙測(cè)接口電路即可實(shí)現(xiàn)完整的數(shù)傳功能,極大的簡(jiǎn)化了電路的設(shè)計(jì),縮小了電路規(guī)模。
      [0021]其工作原理描述如下:電流驅(qū)動(dòng)電路用于放大數(shù)字信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電流,再由極性變換電路將數(shù)字信號(hào)映射成正負(fù)極性電平信號(hào)。溫補(bǔ)晶振信號(hào)通過(guò)鎖相倍頻的方式產(chǎn)生X波段本振信號(hào),送入調(diào)制器中作為星上調(diào)制數(shù)據(jù)的載波信號(hào),兩級(jí)衰減-濾波-放大電路完成已調(diào)信號(hào)的放大和濾波功能。通過(guò)使第一級(jí)放大器飽和輸出,第二級(jí)放大器淺飽和輸出,克服了三種調(diào)制方式下調(diào)制器輸出功率變化超過(guò)4dB的問(wèn)題,使芯片輸出功率變化小于±ldB ;此外,SIP芯片中的檢波電路耦合出一部分輸出功率信號(hào),通過(guò)遙測(cè)接口電路放大后作為遙測(cè)信號(hào)輸出。
      [0022]SIP芯片內(nèi)部的調(diào)制器采用砷化鎵工藝的雙平衡混頻器,支持4~8.5GHz頻率的射頻信號(hào)和DCT3.5Gbps的基帶信號(hào)進(jìn)行直調(diào),通過(guò)選擇使用調(diào)制器兩個(gè)中頻接口中的I個(gè)或2個(gè),或者使兩路中頻輸入信號(hào)的相對(duì)相位延時(shí)為90°,可實(shí)現(xiàn)BPSK、QPSK、OQPSK三種調(diào)制方式的無(wú)縫切換。
      [0023]SIP芯片中集成了檢波電路,采用平行耦合線耦合出部分輸出功率,再通過(guò)肖特基二極管進(jìn)行檢波,被檢波的 信號(hào)為X波段已調(diào)寬帶信號(hào),檢波后的直流信號(hào)通過(guò)遙測(cè)接口電路放大至1.5^3.3V電壓之間。
      [0024]通過(guò)SIP專有技術(shù)如覆晶技術(shù)、線結(jié)合技術(shù)、多層堆疊技術(shù)、高密度黏著技術(shù)等將未封裝的裸芯片集成到一塊芯片內(nèi),完整集成了數(shù)傳發(fā)射系統(tǒng)的核心功能。SIP芯片2采用鎖相環(huán)倍頻產(chǎn)生本振信號(hào),參考源采用20MHz溫補(bǔ)晶振,采用鑒相頻率為20MHz的鑒相器進(jìn)行倍頻,參考源經(jīng)400倍頻產(chǎn)生8000 MHz的X波段本振信號(hào);SIP芯片2中的調(diào)制器采用砷化鎵工藝的雙平衡混頻器,支持4~8.5GHz頻率的射頻信號(hào)和D(T3.5Gbps的基帶信號(hào)進(jìn)行直調(diào)。如圖3所示,通過(guò)選擇使用調(diào)制器兩個(gè)中頻接口中的I個(gè)或2個(gè),或者使兩路中頻輸入信號(hào)的相對(duì)相位延時(shí)保持90°,可分別實(shí)現(xiàn)BPSK、QPSK, OQPSK三種調(diào)制方式;SIP芯片中集成了兩級(jí)濾波放大電路,兩級(jí)濾波器分別采用微帶濾波器和MEMS濾波器實(shí)現(xiàn)。先將調(diào)制后的(TldBm射頻信號(hào)通過(guò)一級(jí)放大得到IOdBm信號(hào),再通過(guò)二級(jí)放大使輸出信號(hào)功率大于2W,對(duì)不同調(diào)制方式而言,BPSK下輸出功率為0~ldBm,QPSK及OQPSK下輸出功率為3~4dBm,通過(guò)使第一級(jí)放大器(LNA, low-noise amplifier,低噪音放大器)飽和輸出,第二級(jí)放大器(功放)淺飽和輸出,可使三種調(diào)制方式下輸出功率變化小于±ldB ; SIP芯片中集成了檢波電路,采用平行耦合線耦合出部分輸出功率,并通過(guò)肖特基二極管完成檢波,被檢波的信號(hào)為X波段已調(diào)寬帶信號(hào),檢波后的直流信號(hào)通過(guò)遙測(cè)接口電路放大至1.5^3.3V電壓之間。
      [0025]本發(fā)明的體積為45mmX45mmX 30mm,重量小于70g,總功耗不超過(guò)9W。由于體積小、重量輕,該裝置可以直接安裝在數(shù)傳天線口上,輸出與數(shù)傳天線直接連接,無(wú)需通過(guò)饋線傳輸,最大程度的減小了下行數(shù)傳鏈路的饋線損耗。本發(fā)明中不包含F(xiàn)PGA,無(wú)需對(duì)數(shù)字信號(hào)進(jìn)行處理即可直接完成調(diào)制。因此該裝置對(duì)單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)完全免疫??山邮兆罡?00Mbps碼速率的數(shù)據(jù)完成調(diào)制,并且無(wú)需做任何改動(dòng),可自適應(yīng)碼速率從D(T300Mbps的變化。
      [0026]同一般的數(shù)傳發(fā)射裝置相比,本發(fā)明通過(guò)SIP技術(shù)在單片芯片中實(shí)現(xiàn)了本振產(chǎn)生、信號(hào)驅(qū)動(dòng)、極性變換、X波段射頻調(diào)制、限帶濾波和功率放大等功能。通過(guò)SIP專有技術(shù)如覆晶技術(shù)、線結(jié)合技術(shù)、多層堆疊技術(shù)、高密度黏著技術(shù)等將未封裝的裸芯片集成到I塊芯片內(nèi),完整集成了數(shù)傳發(fā)射系統(tǒng)的核心功能,簡(jiǎn)化了外圍電路的設(shè)計(jì),極大的減小了裝置的體積、重量和功耗。本發(fā)明在發(fā)射裝置中集成了調(diào)制信號(hào)放大功能,無(wú)需專有功率設(shè)備如行波管、固態(tài)功放等對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大,可直接與數(shù)傳天線連接。通過(guò)在SIP芯片中集成了兩級(jí)衰減-濾波-放大網(wǎng)絡(luò)替代隔離器,實(shí)現(xiàn)了反射信號(hào)的抑制,縮小了裝置的體積和重量;本發(fā)明中該裝置不包含大規(guī)模邏輯器件,因而不受單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的影響;支持BPSK、QPSK,OQPSK三種調(diào)制方式的無(wú)縫切換;調(diào)制速率能夠自適應(yīng)D(T300Mbps ;支持衛(wèi)星在雨天或信道噪聲功率較大的不良環(huán)境條件下切換調(diào)制方式或降級(jí)傳輸速率。本發(fā)明的體積約為一般數(shù)傳發(fā)射裝置的1/42,重量約為一般數(shù)傳發(fā)射裝置2.5%,功耗約為一般數(shù)傳發(fā)射裝置的1/2。由于其體積小,質(zhì)量輕,可安裝在天線接口端,直接與數(shù)傳天線連接,最大程度的減小饋線損耗。本發(fā)明可廣泛應(yīng)用于小衛(wèi)星或微納衛(wèi)星的數(shù)傳系統(tǒng)中。另外,本裝置還可應(yīng)用于微小衛(wèi)星的數(shù)傳測(cè)控一體化設(shè)計(jì)中,并可向常規(guī)衛(wèi)星的數(shù)傳系統(tǒng)推廣。
      [0027]以上所述,僅為本發(fā)明較佳的【具體實(shí)施方式】,但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到的變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
      【權(quán)利要求】
      1.一種基于SIP技術(shù)的微型星載X波段數(shù)傳發(fā)射裝置,其特征在于,包括: 接口芯片,接收星上數(shù)據(jù)并對(duì)星上數(shù)據(jù)進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換; SIP芯片,連接所述接口芯片,所述SIP芯片包括:溫補(bǔ)晶振、鎖相環(huán)、調(diào)制器、一級(jí)衰減-濾波-放大電路、二級(jí)衰減-濾波-放大電路、檢波電路、電流驅(qū)動(dòng)電路、極性變換電路;其中,所述電流驅(qū)動(dòng)電路連接所述接口芯片,用以放大星上數(shù)據(jù)的驅(qū)動(dòng)電流,所述極性變換電路連接所述電流驅(qū)動(dòng)電路,用以對(duì)星上數(shù)據(jù)映射成正負(fù)極性電平信號(hào)并輸入所述調(diào)制器,所述溫補(bǔ)晶振通過(guò)所述鎖相環(huán)產(chǎn)生X波段本振信號(hào)并輸入所述調(diào)制器,所述調(diào)制器根據(jù)所述正負(fù)極性電平信號(hào)以及所述X波段本振信號(hào)調(diào)制輸出星上調(diào)制信號(hào),所述星上調(diào)制信號(hào)依次經(jīng)過(guò)所述一級(jí)衰減-濾波-放大電路以及所述二級(jí)衰減-濾波-放大電路的濾波和放大后輸入所述檢波器進(jìn)行檢波輸出,以及輸入一天線進(jìn)行數(shù)傳發(fā)射; 遙測(cè)接口,連接所述檢波器,將檢波輸出作為遙測(cè)信號(hào)進(jìn)行輸出; 電源變換模塊,連接所述SIP芯片,用以完成一次電源變換。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于SIP技術(shù)的微型星載X波段數(shù)傳發(fā)射裝置,其特征在于,所述一級(jí)衰減-濾波-放大電路進(jìn)行飽和輸出,包括依次連接的:衰減器、微帶濾波器以及一級(jí)LNA放大器;所述二級(jí)衰減-濾波-放大電路用以淺飽和輸出,包括依次連接的:衰減器、MEMS濾波器以及二級(jí)功放器。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于SIP技術(shù)的微型星載X波段數(shù)傳發(fā)射裝置,其特征在于,所述二級(jí)衰減-濾波-放大電路的輸出端連接有一微帶濾波器,用以控制輸出頻率范圍。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于SIP技術(shù)的微型星載X波段數(shù)傳發(fā)射裝置,其特征在于,所述檢波器采用平行耦合線耦合出部分經(jīng)過(guò)所述二級(jí)衰減-濾波-放大電路的濾波和放大后的星上調(diào)制信號(hào)的功率,在通過(guò)肖特基二極管進(jìn)行檢波,檢波后通過(guò)所述遙測(cè)接口放大并輸出1.5V-3.3V的直流信號(hào)。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于SIP技術(shù)的微型星載X波段數(shù)傳發(fā)射裝置,其特征在于,所述基于SIP技術(shù)的微型星載X波段數(shù)傳發(fā)射裝置采用的電路板為多層復(fù)合介質(zhì),將微帶板與普通印制板結(jié)合,用以保證高頻新能和力學(xué)強(qiáng)度。
      【文檔編號(hào)】H04B1/04GK103944631SQ201410199218
      【公開(kāi)日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2014年5月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月13日
      【發(fā)明者】陳劼, 張朝路, 陸衛(wèi)強(qiáng) 申請(qǐng)人:上海航天電子通訊設(shè)備研究所
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