字節(jié)]+ K2 * RM[字節(jié)]+ K3 > Tmin(公式I)
其中，F(xiàn)M[字節(jié)]是計及轉發(fā)消息中的字節(jié)數(shù)量的用于傳輸轉發(fā)消息所要求的時間，RM[字節(jié)]是計及返回消息中的字節(jié)數(shù)量的用于傳輸返回消息所要求的時間，Tmin是對多個設備106-1、106-2...106-N的能量存儲電路110-1、110-2...I1-N完全充電所要求的最小時間，并且K^KdPK3是基于多個設備的電容性負載的特征所定義的常數(shù)。Kl和K2是基于多個設備106-1、106-2...106-N中的設備中的能量存儲電路110-1、110-2...110-Ν所放電的能量以及多個設備106-1、106-2-_1064中的設備中所實現(xiàn)的電流限制而成比例地計算的。1(3可以被選擇為主控制器104(圖1)的輸出電路的響應性的指示符。
[0041]為了避免任意長的恢復時間，所計算的預定恢復時間Tr可以被設置為大于或等于Tmin但是小于Tmin加上預定時間段。預定恢復時間Tr可以是針對每個消息計算的，并且/或者主控制器104可以計算并且存儲與每個類型的消息關聯(lián)的預定恢復時間TR，并且當消息出現(xiàn)在總線108上時，應用所存儲的與每個消息關聯(lián)的預定恢復時間TR。此外或替換地，主控制器104可以使用設備106-1、106-2...106-Ν的動態(tài)標識來針對每個命令計算預定恢復時間TR。例如，每個設備106-1、106-2...106-Ν可以被主控制器104標識，并且可以具有已知的關聯(lián)恢復時間。當多個設備106-1、106-2...106-Ν中的設備在總線108上通信時，控制器可以標識多個設備106-1、106-2...106-Ν中的設備，并且從已知的與該設備關聯(lián)的恢復時間來計算預定恢復時間TR。以這種方式動態(tài)評估能量存儲負載允許在一些配置中優(yōu)化總線的使用，由此造成快速吞吐。
[0042]在一些實施例中，在耗盡能量存儲電路110-1、110-2...I1-N之后多個設備106-1、106-2...106-Ν中的設備所要求的組合能量大于主控制器104中所設置的電流限制。例如，在使用折返保護的主控制器104中，輸出電流Ibus和輸出電壓Vbus可能在通信期間下降，并且可能直到在總線108上的響應消息之后的時間段才返回到正常電平。在此情況下，總線電壓Vbus和電流Ibus可能在到下一轉發(fā)消息的預定時間Tr期間正從折返模式恢復，并且結果，可能不在下一轉發(fā)消息之前提供充足的電流以對能量存儲電路110-1、110-2...I1-N完全充電。因此，實施例可以在響應消息之后在發(fā)送下一轉發(fā)消息之前等待額外恢復時間。額外恢復時間可以為輸出電壓Vbus和電流Ibus提供時間以實質地(例如在10%內)返回到在主控制器104進入折返模式之前存在的標稱電平。在一些實施例中，例如，主控制器104可以監(jiān)控總線電壓Vbus并且等待總線電壓Vbu^質地返回到標稱電平。總線電壓Vbus返回到實質的標稱電平所花費的時間可以是額外恢復時間。在額外恢復時間之后，系統(tǒng)可以在發(fā)送下一消息之前等待所計算的到下一轉發(fā)消息的預定時間Tr，以允許用于多個設備106-1、106-2...106-Ν中的設備中的能量存儲電路110-1、110-2...I1-N完全充電的時間。
[0043]圖3圖解包括主控制器104(圖1)所設置的額外恢復時間Ter的定時圖。參照圖1和圖3，主控制器104被配置為:在響應消息之后監(jiān)控總線電壓VBus，并且等待用于總線電壓Vbus返回到實質的標稱電平的額外恢復時間Ter。在額外恢復時間Ter之后，主控制器104可以繼續(xù)聲稱總線108對于通信而言關閉，并且總線電壓Vbus可以在高電壓電平下保持被另一時間段。在圖3中，例如，在額外恢復時間Ter之后，主控制器104繼續(xù)聲稱在(有關于圖4討論的)預定恢復時間Tr總線108對于通信而言關閉。在預定恢復時間Tr之后，主控制器104可以聲稱總線108對于通信而言開放，并且下一轉發(fā)消息可以在總線108上傳輸。主控制器104可以針對總線108上所傳輸?shù)拿總€命令重復該處理，從而額外恢復時間Ter可以取決于總線電壓Vbus返回實質的標稱電平要花費多長時間而變化，并且取決于命令的類型、命令長度、響應的類型、響應長度和/或多個設備106-1、106-2...106-Ν中的設備的能量存儲來建立并且重新計算針對每個命令的預定恢復時間Tr。
[0044]除了等待額外恢復時間Ter之外或作為對于等待額外恢復時間Ter的替換，在其中在能量存儲電路110-1、110-2...110-Ν的耗盡之后多個設備106-1、106-2...106-Ν中的設備所要求的組合能量大于主控制器104上所設置的電流限制的實施例中，主控制器104可以實現(xiàn)額外電流限制電路(其在一些實施例中是主控制器104的一部分)。通常，額外電流限制電路可以被配置為:每當電流限制不足以對多個設備106-1、106-2...106-Ν中的能量存儲電路110-1、110-2...110-Ν完全充電時，就動態(tài)地增加主控制器104的輸出電流限制。圖4例如圖解包括控制電路402、電源404和額外電流限制電路406的主控制器104a的一部分。在圖4中，電源404可以被配置有設置輸出電流限制和折返能力。參照圖1和圖4這兩者，當多個設備106-1、106-2…106-N所要求的組合能量大于電源404上的電流限制時，控制電路402可以將控制輸出提供給額外電流限制電路406，以增加電源404的輸出電流限制，并且由此對多個設備106-1、106-2...106-N中的能量存儲電路110-1、110-2...110-N充電。在圖4中，例如，控制電路402可以監(jiān)控總線電壓VBus，并且可以每當總線電壓Vbus實質上在標稱電平以下(例如低10%或更多)時就將控制輸出提供給額外電流限制電路406。
[0045]額外電流限制電路406的配置可以取決于電源404的特定配置而變化。圖5中圖解用于電源404a的一部分的一種現(xiàn)有技術配置，并且圖6中圖解與本公開一致并且與圖5的電源404a的配置有關而有用的額外電流限制電路406a。
[0046]圖5中圖解的電源404a的現(xiàn)有技術配置是用于實現(xiàn)電源中的電流限制和折返能力的眾所周知的配置，其包括通過(passing)晶體管Ql和電流限制晶體管Q2。通過晶體管Ql和電流限制晶體管Q2在圖5中都是雙極結型晶體管(BJT) AC電源的正輸出耦接到通過晶體管Ql的集電極，并且DC電源的負輸出耦接到電流限制晶體管Q2的集電極。通過晶體管Ql的發(fā)射極耦接到控制器和分流電阻器R1。在未連接到通過晶體管Ql的發(fā)射極的分流電阻器Rl的一側上提供輸出電壓(即總線電壓Vbus+的正輸出)。通常，輸出電流Ibus上的限制由分流電阻器Rl設置。隨著輸出電流Ibus接近電流限制，電流限制晶體管Q2導通以從通過晶體管Ql的基極取得電流，由此減少輸出電流IBus。在折返模式下，分流電阻器Rl以及電阻器R2和R3引起電流限制晶體管Q2導通，以從通過晶體管Ql的基極取得電流，由此減少輸出電壓Vbus和電流
I Bus ο
[0047]可以在如圖5所示的電源配置404a中實現(xiàn)圖6的額外電流限制電路406a，以動態(tài)地增加電源404a的輸出電流限制。圖6中圖解的實施例406a包括金屬氧化物場效應(MOSFET)開關Q3以及電阻器R4和R5 JOSFET開關Q3的源極耦接到大地，并且MOSFET開關Q3的漏極通過電阻器R4耦接到圖5的電流限制折返節(jié)點CLFB，其為圖5中的電流限制晶體管Q2的基極。MOSFET開關Q3的柵極耦接到控制電路402(圖4)以用于接收控制輸出，并且還通過電阻器R5耦接到大地。繼續(xù)參照圖4到圖6，當控制電路402將控制輸出提供給MOSFET開關Q3的基極時，MOSFET開關Q3導通并且本質上通過電阻器R4將圖5中的CLFB節(jié)點和電流限制晶體管Q2的基極耦接到大地。這從圖5中的電流限制晶體管Q2的基極取得電流，由此延遲電流限制晶體管Q2的導通并且增加圖5的電路的電流限制。例如，每當總線電壓Vbus減小到一定預定電平之下時，控制電路402就可以提供控制輸出以由此動態(tài)地增加電源404的輸出電流限制。
[0048]參照圖1和圖4，在其中多個設備106-1、106-2...106-N可以同時通信的系統(tǒng)中，控制電路402可以提供控制輸出，來以避免違反所定義的通信協(xié)議或避免中斷通信的方式增加電源404電流限制。例如，在其中兩個設備106-1和106-2同時在總線108上通信的系統(tǒng)中，控制電路402可以僅在每個邏輯I的后一半期間或在預定義的最小恢復時間內增加電源404電流限制。此外或替換地，主控制器104可以發(fā)起通信，并且此后短暫地終止通信。未完成的通信之后的恢復時段可以將附加能量提供給多個設備10