專利名稱：離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系有關(guān)用來除去靜電之靜電消除機(jī)；特別是關(guān)于朝向除電對象物放出經(jīng)離子化氣流的型式之靜電消除機(jī)，且是能用于防爆設(shè)施或裝置之離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)。
背景技術(shù)：
近年，在操作危險物設(shè)施等的防爆設(shè)施中，一直存在可燃粉體造成空氣輸出時的塞網(wǎng)或篩具的塞網(wǎng)、內(nèi)面涂上鐵弗龍之有機(jī)溶劑等的攪拌槽內(nèi)的帶電及放電的問題。以往，此種攪拌槽內(nèi)的帶電及放電，由于以N2氣體將空氣純化而除去有助于著火的氧氣，因而防止有機(jī)溶劑著火。但是此種除電方法由于給排氣設(shè)備等其附帶設(shè)備的初期成本及連轉(zhuǎn)成本為高價，因而不是理想的方法。
此外，以往作為除去制造半導(dǎo)體或液晶顯示器(以下，以LCD表示)等時清凈室等的生產(chǎn)環(huán)境中的靜電之裝置，采用以離子中和帶電體的電荷之空氣離子化裝置。此種的空氣離子化裝置廣泛使用電暈放電式靜電消除機(jī)；此電暈放電式靜電消除機(jī)經(jīng)由在正或負(fù)的電極分別施加正或負(fù)的高電壓而使之產(chǎn)生電暈放電；上述電極先端周圍的空氣離子化成正及負(fù)，以氣流輸送此離子而以相反極性的離子中和帶電體上的電荷。
不過，半導(dǎo)體或液晶制造裝置逐年演進(jìn)為小型化，采用以往所用的靜電消除機(jī)，對確保最佳的設(shè)置空間會有困難。另外，有關(guān)卡匣內(nèi)玻璃基板的間隙等的狹小空間對于靜電對策也提高要求。
因此，本發(fā)明人等針對上述空氣離子化裝置的小型化以及防爆設(shè)施或裝置的適用性進(jìn)行檢討，而知道有以下的問題點。即是以往所泛用之電暈放電式靜電消除機(jī)，由于電暈放電自體成為著火源的危險性升高，因而無法用于操作危險物設(shè)施等的防爆設(shè)施。
另外，電暈放電式靜電消除機(jī)，容易產(chǎn)生離子；為了防止所產(chǎn)生離子的消耗，在除電對象物的附近露出電極的狀態(tài)下將空氣離子化，因此也會產(chǎn)生以下的問題。
(1)臭氧的產(chǎn)生以電暈放電將除電對象物近旁的空氣離子化，因而空氣中的氮氣或水蒸氣離子化，此外也引起氧氣變?yōu)槌粞醯姆磻?yīng)。經(jīng)由此臭氧的氧化作用，硅片的表面被氧化，且又與空氣中微量的不純物起反應(yīng)而成為產(chǎn)生2次粒子的原因。
(2)電磁噪音的產(chǎn)生放電時放電極所產(chǎn)生的不規(guī)則電磁波會成為引起內(nèi)藏半導(dǎo)體元件的精密機(jī)器或電腦等的誤動作之原因。
(3)從離子產(chǎn)生電極引起的發(fā)塵每次使電暈放電產(chǎn)生時電極都會消耗，該消耗的電極材飛散。另外空氣中的微量氣體成分通過電暈放電而粒子化后析出到離子產(chǎn)生電極上，此成分成為一定程度的大小則再度飛散。因此樣的灰塵，而降低良品率。
另外，近年，以軟X線為離子化源之靜電消除機(jī)正在開發(fā)中，不過靜電消除機(jī)與電纜之間的連接部或離子化源的控制裝置并不是防爆規(guī)格，所以無法用于操作危險設(shè)施等的防爆設(shè)施。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明系為了解決上述以往技術(shù)上的問題點而被提案；其目的則是提供不會引起臭氧或電磁雜音以及發(fā)塵等的產(chǎn)生，而對于狹小的空間的靜電能采取對策；進(jìn)而能用于防爆設(shè)施或裝置之離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)。
本發(fā)明離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)包括具有將供應(yīng)到容器內(nèi)的離子輸送氣體的一部分離子化之離子化部、及向帶電體供應(yīng)離子輸送氣體的吹出部之容器，前述離子化部內(nèi)藏于前述容器內(nèi)之離子化源、及設(shè)在前述容器的外部，介由高電壓電纜控制前述離子化源的離子產(chǎn)生量之控制裝置構(gòu)成；其特征為前述離子化源為軟X線產(chǎn)生裝置的產(chǎn)生部、低能量電子線產(chǎn)生裝置的產(chǎn)生部或是紫外線產(chǎn)生裝置的產(chǎn)生部的其中1種；前述控制裝置、前述控制裝置與高電壓纜線之間的連接部以及前述離子化源與高電壓電纜之間的連接部為防爆構(gòu)造。
依據(jù)具有上述構(gòu)成之本發(fā)明的離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，由于離子化源不是采用成為著火要因之電暈放電，所以能防止有機(jī)溶劑造成可燃物著火。另外控制裝置為防爆構(gòu)造，所以能防止設(shè)置在控制裝置內(nèi)的電源及控制基板造成的有機(jī)溶劑等燃著可燃物。


第1圖為表示本發(fā)明離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)其第1實施形態(tài)的構(gòu)成之模式圖。第2(A)圖為表示高電壓電纜與控制裝置的連接部其構(gòu)成之?dāng)嗝鎴D；第2(B)圖為表示在電極支承部的基端部設(shè)置容器的狀態(tài)之圖；第2(C)圖為表示離子化源與高電壓電纜的連接部其構(gòu)成之?dāng)嗝鎴D。
第3圖為表示本發(fā)明離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)其第2實施形態(tài)的構(gòu)成之模式圖。第4圖為表示本發(fā)明離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)其第3實施形態(tài)的構(gòu)成之模式圖。第5圖為表示本發(fā)明離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)其第4實施形態(tài)的構(gòu)成之模式圖。
第6圖為表示本發(fā)明離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)其第5實施形態(tài)之模式圖。第7圖為表示本發(fā)明離子化氣流釋出型無發(fā)塵電消除機(jī)其第6實施形態(tài)的構(gòu)成之模式圖。
第8圖為表示本發(fā)明離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)其第7實施形態(tài)的構(gòu)成之模式圖。第9圖為表示本發(fā)明離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)其第8實施形態(tài)的構(gòu)成之模式圖。
第10圖為表示本發(fā)明離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)其第9實施形態(tài)的構(gòu)成之模式圖。第11圖為表示本發(fā)明第9實施形態(tài)其吹出口的遮蔽部之構(gòu)成圖；第11(A)圖表示遮蔽部由2片的沖孔板所構(gòu)成的狀況，第11(B)圖表示在遮蔽部設(shè)置鋁整流柵的狀況，第11(C)圖表示在遮蔽部設(shè)置附套管沖孔板的情況。第12圖為表示本發(fā)明離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)其別種實施形態(tài)的構(gòu)成之模式圖。
具體實施例方式
以下，參照圖面說明本發(fā)明的具體實施形態(tài)。
(1)第1實施形態(tài)(1-1)構(gòu)成(1-1-1)整體構(gòu)成第1圖為表示本實施形態(tài)其離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)的整體構(gòu)成之模式圖。同圖中，標(biāo)號1為圓柱狀的離子化腔室容器(以下，稱為容器)；由鋁、不銹鋼等的金屬及氯乙烯等的樹脂所構(gòu)成。另外此容器1大體上由離子化部、遮蔽部以及吹出部所構(gòu)成；在容器1的內(nèi)部裝配離子化源4；此離子化源4連接到介由高電壓電纜6控制離子化源4的離子產(chǎn)生量之控制裝置5。
再者，本發(fā)明的離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)所具有的特征在于控制裝置5之構(gòu)成、控制裝置5與高電壓電纜6之間的連接部(第1圖的A部)之構(gòu)成、上述離子化源4與高電壓電纜6之間的連接部(第1圖的B部)之構(gòu)成。以下，詳述各部的構(gòu)成。
(1-1-2)控制裝置的構(gòu)成控制裝置5如第1圖所示由具有防爆功能之氣密容器51所構(gòu)成。另外在控制裝置5的內(nèi)部設(shè)置用來使其從上述離子化源4產(chǎn)生軟X線、低能量電子線或是紫外線的控制部之控制基板53、及使經(jīng)冷卻的空氣等循環(huán)之循環(huán)風(fēng)扇54、及將裝置內(nèi)部控制在一定溫度之冷卻裝置55。還有，在前述控制基板53連接電源電纜56，可以連接到設(shè)在外部的防爆插座(未圖示)。再者，在本實施形態(tài)中，上述冷卻裝置55例如構(gòu)成為在鋁制的放熱板上安裝熱電冷凍元件。
(1-1-3)高電壓電纜與控制裝置其連接部的構(gòu)成第2(A)圖為表示上述控制裝置5與高電壓電纜6之間的連接部(第1圖的A部)其構(gòu)成之?dāng)U大斷面圖。然而此連接部如以下所述為防爆規(guī)格。
即是在高電壓電纜6的先端部安裝插頭61，能插拔地與裝配在控制裝置5的側(cè)壁上的插座71連接。另外前述插頭61為3芯構(gòu)造，在具有一定長度“L”之電極支承部62的先端安裝電極63。另外在前述插頭61其基部61a的外側(cè)，能旋轉(zhuǎn)地安裝有在內(nèi)壁形成螺旋部64的袋狀螺帽65。
另一方面，在裝設(shè)于控制裝置5的側(cè)壁之插座71，設(shè)置與形成在前述插頭61之電極支承部62卡合之插入孔72；在其最深部設(shè)置與前述插頭側(cè)的電極63連接之電極73。另外，插座71的凸緣部71a，在其外周面形成螺旋部74，與安裝在前述插頭61之袋狀螺帽65的螺旋部64卡合。
然而，插入孔72的長度對應(yīng)于插頭側(cè)的電極支承部62而設(shè)為“L”，此長度“L”設(shè)定為能在以插頭61的電極支承部62及插座71的插入孔72所構(gòu)成的具有氣密性的空間進(jìn)行兩電極的插拔之長度。另外如第2(B)圖所示，為了保持插頭61與插座71其連接部的氣密性，在電極支承部62的基端部設(shè)置O封圈等的墊圈66亦可。
(1-1-4)離子化源與高電極電纜其連接部的構(gòu)成離子化源4與高電壓電纜6之間的連接部(第1圖的B部)，如第2(C)圖所示，構(gòu)成為將具有電絕緣性的氯乙烯、聚丙烯、丙烯基等樹脂制的導(dǎo)管41貫通配置在容器1的側(cè)面，在該導(dǎo)管的內(nèi)部埋入環(huán)氧樹脂等的絕緣性樹脂42。
(1-1-5)離子化部的構(gòu)成如第1圖所示，在容器1的側(cè)端部(圖中的右側(cè)側(cè)端部)，介由軟管套裝件2連接細(xì)軟管(未圖示)，通過此軟管，對容器1內(nèi)供應(yīng)除電對象室內(nèi)的空氣或高純度N2氣體等的非反應(yīng)性氣體(以下，稱為離子輸送氣體)。還有，此處高純度N2氣體則是指包含形成負(fù)離子程度的氧氣或水蒸氣，且其氧氣濃度為不產(chǎn)生臭氧的程度(5％程度之下)之N2氣體。
另外，在容器1內(nèi)的軟管套裝件2的裝配位置近旁設(shè)置離子化源4。再者，由此離子化源4及上述控制裝置5構(gòu)成離子產(chǎn)生裝置。
另外，前述離子化源4，由軟X線產(chǎn)生裝置的產(chǎn)生部、低能量電子線產(chǎn)生裝置的產(chǎn)生部或是紫外線產(chǎn)生裝置的產(chǎn)生部等所形成，其構(gòu)成可將流過容器1內(nèi)之離子輸送氣體離子化。
(1-1-6)遮蔽部的構(gòu)成如第1圖所示，在本實施形態(tài)中，容器1的遮蔽部由設(shè)置有多個直徑為3φ程度的細(xì)孔11之2片的沖孔板10a、10b所構(gòu)成；此2片的沖孔板10a、10b，相互間隔離3mm程度，且偏離設(shè)置使細(xì)孔11不重疊。
(1-1-7)吹出部的構(gòu)成容器1的先端部開放，配置在作為除電對象之帶電體的近旁，并向此帶電體供應(yīng)在上述離子產(chǎn)生裝置中所產(chǎn)生的正負(fù)離子。
(1-1-8)離子化源其次，說明離子化源4。
軟X線為具有3-9.5keV程度的能量之微弱X線，以2mm厚度程度的氯乙烯板就能容易遮蔽。另外低能量電子線例如為利用由日本ushio電機(jī)株式會社制的超小型電子束照射管軟管等以數(shù)10kV的較低動作電壓所取出的電子束(軟電子)；空氣中只有5cm程度的到達(dá)距離，將該領(lǐng)域的空氣或是氣體離子化。
還有，低能量電子線，由于在含有氧氣的氣體中產(chǎn)生臭氧的同時也產(chǎn)生軟X線，因而遮蔽為必要。因此在離子化源采用低能量電子線的情況下，作為離子輸送氣體最好采用如同高純度N2氣體等含有不產(chǎn)生臭氧程度的氧氣之非反應(yīng)性氣體。另外從紫外線產(chǎn)生裝置所產(chǎn)生的紫外線為400nm以下的短波長亦為30w程度的輸出。
在離子化源4為軟X線的產(chǎn)生部的場合下，作為供應(yīng)到容器1的離子輸送氣體而采用空氣及非反應(yīng)性氣體的其中1種亦可，不過在離子化源4為低能量電子線的產(chǎn)生部或是紫外線的產(chǎn)生部的場合下，最好采用如同高純度N2氣體等含有不產(chǎn)生臭氧程度的氧氣之非反應(yīng)性氣體。
(1-2)作用·效果接著，說明具有上述構(gòu)成之本實施形態(tài)的離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)的作用·效果。
本實施形態(tài)的離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，不將成為著火原因的電暈放電作為離子化源使用而將軟X線產(chǎn)生裝置的產(chǎn)生部、低能量電子線產(chǎn)生裝置的產(chǎn)生部、紫外線產(chǎn)生裝置的產(chǎn)生部等作為離子化源使用，因而能防止有機(jī)溶劑等燃著可燃物。
另外，本實施形態(tài)的離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，由于在控制上述離子化源的離子產(chǎn)生量之控制裝置5內(nèi)裝配由珀耳帖元件(熱電冷卻元件)等所形成的冷卻裝置55，因而吸收設(shè)置在控制裝置內(nèi)之電源及控制基板所造成的發(fā)熱，能將裝置內(nèi)控制在一定溫度，因此能將控制裝置設(shè)為氣密構(gòu)造。其結(jié)果能防止設(shè)置在裝置內(nèi)的電源及控制基板造成有機(jī)溶劑等燃著可燃物。
再者，由于高電壓電纜6與控制裝置5的連接部為第2圖所示的防爆構(gòu)造，因而能在插頭61的電極支承部62與插座71的插入孔72具有氣密性的空間進(jìn)行電極的插拔，因此能防止插頭插拔時的放電造成有機(jī)溶劑等燃著可燃物。另外由于離子化源4與高電壓電纜6的連接部也是第1圖所示的防爆構(gòu)造，因而能防止此連接部上造成有機(jī)溶劑燃著可燃物。
另外，在本實施形態(tài)的離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)中，介由軟管(未圖示)及軟管套裝件2供應(yīng)到容器1之離子輸送氣體由于以內(nèi)藏于容器1內(nèi)的離子化源4照射軟X線、低能量電子線、紫外線等因而成為正負(fù)的離子。然后此正負(fù)離子通過設(shè)在離子化部的下流側(cè)之遮蔽部，從容器1的先端部供應(yīng)到成為除電對象的帶電體，而能將帶電體上其正負(fù)相反極性的電荷分別中和。
此樣本實施形態(tài)的離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，在離子化源4為軟X線的產(chǎn)生部的場合下，即使作為離子輸送氣體采用空氣或是非反應(yīng)性氣體的其中1種也不會產(chǎn)生臭氧。另外沒有電極材的飛散或空氣中雜質(zhì)的堆積及再飛散之飛塵且電磁雜音也不會產(chǎn)生。
另外，在離子化源4為低能量電子線或是紫外線的產(chǎn)生部的場合下，由于作為離子輸送氣體采用如同高純度N2氣體等含有不產(chǎn)生臭氧程度的氧氣之非反應(yīng)性氣體，因而進(jìn)行離子化時不會產(chǎn)生臭氧；發(fā)塵及電磁雜音也不會發(fā)生。
還有，軟X線及低能量電子線，以薄的氯乙烯板等就能充分遮蔽，幾乎沒有反射，因而以第1圖所示的簡單構(gòu)造就能加以遮蔽。另外由于從離子化源4到容器出口的距離較短，所以也具有幾乎沒有正負(fù)離子再結(jié)合所造成的離子減少之優(yōu)點。
另外，通過設(shè)置上述的遮蔽部而能減小來自容器吹出口的氣流亂流，因此也達(dá)到能降低因氣體亂流所引起的離子量減少之效果。
還有，由于離子化源4及作為電源部和控制部的控制裝置5介由高電壓電纜另外設(shè)置，并且只有離子化源4設(shè)置在容器1內(nèi)，因而能減小容器1的內(nèi)徑，因此能在極狹窄的場所使之產(chǎn)生離子，并且例如也達(dá)到對收容于卡匣內(nèi)的玻璃基板其間隙等狹小的空間也能除去靜電之效果。
如上述過，依據(jù)本實施形態(tài)的離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，不會引起臭氧或電磁雜音以及發(fā)塵的產(chǎn)生，對狹小空間的靜電能采取對策，并且可以得到能用于防爆設(shè)施或裝置之靜電消除機(jī)。
(2)第2實施形態(tài)本實施形態(tài)為變更上述第1實施形態(tài)其遮蔽部的構(gòu)成之變形例。
如第3圖所示，在本實施形態(tài)中，容器1的遮蔽部由半圓狀的2片隔壁7、7所構(gòu)成，此兩片隔壁7、7隔著一定的間隔交互形成在容器1的上部及下部。即是在離子化源4為軟X線的產(chǎn)生部或是低能量電子線的產(chǎn)生部的場合下，構(gòu)成為使直進(jìn)的軟X線或是電子線碰觸隔壁7、7，而形成為這些軟X線及電子線被遮蔽使其不外漏到外部之構(gòu)成。然而，在離子化源4為紫外線的產(chǎn)生部的場合下，不需此遮蔽部。其他的構(gòu)成與上述第1實施形態(tài)同樣，其說明則省略。
具有上述構(gòu)成之本實施形態(tài)的離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，具有與上述第1實施形態(tài)同樣的作用·效果，可以用于防爆設(shè)施或裝置，并且通過簡易的構(gòu)成，就能將容器1其離子化部的下流側(cè)周邊形成為遮蔽構(gòu)造。
(3)第3實施形態(tài)本實施形態(tài)為變更上述第1實施形態(tài)其吹出部的構(gòu)成之變形例。再者，本實施形態(tài)的吹出部當(dāng)然能用于上述第2實施形態(tài)。
如第4圖所示，在本實施形態(tài)中，在容器1其遮蔽部的下流側(cè)設(shè)置使之噴出離子化氣流所用的噴嘴20。此噴嘴20例如采用SILVENT社制的噴嘴216、扁平噴嘴920、氣簾302-306、氣刀392-396等。
具有上述構(gòu)成之本實施形態(tài)的離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，不單是達(dá)到與上述第1實施形態(tài)或是第2實施形態(tài)同樣的作用·效果，通過在吹出部安裝具有所期望的形狀·大小之噴嘴的，而以高速將離子化氣流吹送到帶電體，并在除電的同時能以高效率除去附著在帶電體的雜物。另外經(jīng)選擇種種的噴嘴20，能將離子化氣流呈圓錐狀廣角地擴(kuò)散且又呈氣簾狀擴(kuò)散，因此能夠按照除電對象控制離子化氣流。再者，使用能調(diào)整開口度的噴嘴就能容易地變更離子化氣流的噴出速度。
(4)第4實施形態(tài)本實施形態(tài)為進(jìn)一步變更上述第3實施形態(tài)其吹出部的構(gòu)成之變形例。
如第5圖所示，在本實施形態(tài)中，在容器1的吹出部安裝可撓性膠管30，在其先端安裝噴嘴31。還有，作為此噴嘴31與上述第3實施形態(tài)同樣地，例如采用SILVENT社制的噴嘴216、扁平噴嘴920、氣簾302-306、氣刀392-396等。再者，此可撓性膠管30與乙烯軟管等不同，形成為能保持經(jīng)設(shè)定過的形狀之構(gòu)造。
具有上述構(gòu)成之本實施形態(tài)的離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，由于在吹出部安裝可撓性膠管30，并且在其先端安裝噴嘴31，所以不單是達(dá)到與上述第1-第3實施形態(tài)同樣的作用·效果，離子化氣流高速吹送到帶電體，并在除電的同時能以高效率除去附著在帶電體的雜物。另外經(jīng)選擇種種的噴嘴31，離子化氣流就能呈圓錐狀廣角地擴(kuò)散且又呈氣簾狀擴(kuò)散，因此能夠按照除電對象控制離子化氣流。再者，使用能夠調(diào)整噴嘴的開口之噴嘴就能容易地變更離子化氣流的噴出速度。
(5)第5實施形態(tài)本實施形態(tài)為遮蔽部及吹出部成一體化所構(gòu)成的。
如第6圖所示，在本實施形態(tài)中，在離子化源4其下流側(cè)之容器的一部分(例如，側(cè)面)，按照除電對象形成1個或多個能遮蔽X線等程度的開口(直徑1φ程度的孔)40。還有，在本實施形態(tài)中這些個開口40是作為遮蔽部及吹出部而起作用的。
具有上述構(gòu)成之本實施形態(tài)的離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，在離子化源4其下流側(cè)之容器的一部分形成多個能夠遮蔽X線等程度的開口40，因而遮蔽同時能朝向除電對象噴出離子化氣流。還有，在本實施形態(tài)中如以下所述，在卡匣內(nèi)玻璃基板間隙等較狹窄的處所，直到深處吹送離子化氣流加以除電時則非常有效。
(6)第6實施形態(tài)本實施形態(tài)的離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)所具有的特征在于吹出口的構(gòu)成。即是本實施形態(tài)的吹出口81，如第7圖所示，形成為圓柱狀或是角柱狀，在其上流側(cè)連接容器82及管路83。另外管路83則是介由前述容器82及吹出口81，將空氣或是高純度N2氣體等的非反應(yīng)性氣體(以下，稱為離子輸送氣體)供應(yīng)到防爆設(shè)施的除電對象之配管；另外容器82，其下流側(cè)的斷面積比上流側(cè)還大，例如形成為圓錐狀或四角錐狀，其上流側(cè)的端部連結(jié)到前述管路83，下流側(cè)的端部則連結(jié)到前述吹出口81。再者，當(dāng)然也能成一體構(gòu)成容器82與吹出口81。
另外在前述吹出口81的先端部近旁設(shè)置遮蔽部84。此遮蔽部84，例如如第7圖所示，由設(shè)有多個直徑約為5mmφ、開口間距12mm程度的細(xì)孔85之厚度1mm的2片沖孔板86a、86b所構(gòu)成；該2片沖孔板86a、86b相互間隔離3mm程度，并偏離設(shè)置使前述細(xì)孔85不重疊。還有，吹出口81的先端部開放，配置在帶電體S的近旁；構(gòu)成為朝向該帶電體S供應(yīng)離子產(chǎn)生裝置所產(chǎn)生的正負(fù)離子。
另外，在前述吹出口81的側(cè)部設(shè)置離子產(chǎn)生裝置。此離子產(chǎn)生裝置由配置在吹出口81的側(cè)部之離子化源4及控制此離子化源4的離子產(chǎn)生量之控制裝置5所構(gòu)成。再者，此控制裝置5由配置在吹出口81的外部，從離子化源4使其產(chǎn)生軟X線或是紫外線之電源部及控制部所形成，以高電壓電纜6連接離子化源4。
還有，此控制裝置5的構(gòu)成、高電壓電纜6和控制裝置5其連接部的構(gòu)成、離子化源4和高電壓電纜6其連接部的構(gòu)成與上述第1實施形態(tài)同樣，其說明則省略。
具有上述構(gòu)成之本實施形態(tài)的離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，能用于防爆設(shè)施或裝置，并且在吹出口81的出口部近旁內(nèi)藏離子化源4，因而能在吹出口81的近旁將離子輸送氣體離子化，經(jīng)離子化的空氣等供應(yīng)到所期望的除電對象。另外在吹出口81的側(cè)部內(nèi)藏離子化源4，與吹出口成水平照射軟X線等的放射線，因而能以1個離子化源含蓋廣闊的范圍。還有，由于在吹出口81其出口部的近旁內(nèi)藏離子化源4，所以從離子化源4到吹出口的出口為止的距離較短，也達(dá)到降低因正負(fù)離子的再結(jié)合而造成的離子減少之效果。
(7)第7實施形態(tài)本實施形態(tài)為變更上述第6實施形態(tài)其離子化源的設(shè)置位置之變形例。即是在本實施形態(tài)中，如第8圖所示，離子化源4設(shè)置在形成為圓錐狀或四角錐狀之容器82的中央部。其他的構(gòu)成與上述第6實施形態(tài)同樣，其說明則省略。還有，如第8圖所示能配置之離子化源為軟X線及紫外線產(chǎn)生部。
具有上述構(gòu)成之本實施形態(tài)的離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，不只是達(dá)到與上述第6實施形態(tài)同樣的作用·效果；在可以廣角地放射軟X線之離子化源的場合下，可以以較少的離子化源將廣大范圍離子化所以離子化效率良好；產(chǎn)生離子量增多所以提高除電性能。另外對遮蔽板其放射線的入射角，比在遮蔽板的近旁成水平照射時還大，所以容易遮蔽，不需要具有豎孔的遮蔽板等。
(8)第8實施形態(tài)本實施形態(tài)為上述第6實施形態(tài)的變形例，且是在吹出口的上流側(cè)設(shè)置HEPA濾網(wǎng)或是ULPA濾網(wǎng)之情況。即是在本實施形態(tài)中，如第9圖所示，在吹出口81的上流側(cè)配置HEPA濾網(wǎng)或是ULPA濾網(wǎng)等的層流形成用濾網(wǎng)91；構(gòu)成為能將介由管路83及容器82所送進(jìn)來的離子輸送氣體形成為遍及吹出口81的全面并具有均等流速分布的氣流。還有，在本實施形態(tài)中，離子化源4設(shè)置在前述層流形成用濾網(wǎng)91與遮蔽部84之間的側(cè)壁部近旁。其他的構(gòu)成與上述第6實施形態(tài)同樣，其說明則省略。
具有上述構(gòu)成之本實施形態(tài)的離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，不只是達(dá)到與上述第6實施形態(tài)同樣的作用·效果；在吹出口81的上流側(cè)裝配層流形成用濾網(wǎng)91就能將從容器82所送進(jìn)來的離子輸送氣體形成為層流。其結(jié)果當(dāng)亂流(噴流)供應(yīng)到吹出口時，可以防止因該混合效應(yīng)而促進(jìn)正負(fù)離子的再結(jié)合使離子量減少，除電性能降低之不完備點，因此能夠?qū)嵤└行实碾x子化，而能達(dá)到優(yōu)越的除電性能。
(9)第9實施形態(tài)本實施形態(tài)的離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)為上述第6實施形態(tài)的變形例，且是如第10圖及第11圖所示，在吹出口81的上流側(cè)設(shè)置HEPA濾網(wǎng)或是ULPA濾網(wǎng)等的層流形成用濾網(wǎng)91，并且在裝配于吹出81的遮蔽部84之2片沖孔板86a、86b的上流側(cè)，裝配具有豎孔的鋁整流柵92。還有，取代設(shè)置具有豎孔的鋁整流柵92，改而裝配如第11(C)圖所示的附套管沖孔板93亦可。其他的構(gòu)成與上述第6實施形態(tài)同樣，其說明則省略。
具有上述構(gòu)成之本實施形態(tài)的離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，能用于防爆設(shè)施或裝置，并且由于在吹出口81的上流側(cè)裝配層流形成用濾網(wǎng)91，因而能將從容器82所送進(jìn)來的離子輸送氣體形成為層流。其結(jié)果當(dāng)亂流(噴流)供應(yīng)到吹出口時，防止因該混合效應(yīng)而促進(jìn)正負(fù)離子的再結(jié)合使離子量減少，除電性能降低之不完備點，因此能夠?qū)嵤└行实碾x子化，而能達(dá)到優(yōu)越的除電性能。
另外，如第11(A)圖所示，在隔開一定的間隔偏離設(shè)置2片沖孔板86a、86b使分別所形成的細(xì)孔不重疊的場合下，難以完全遮蔽由斜上方射入到?jīng)_孔板86a、86b的細(xì)孔之軟X線等的放射線。但是針對第10圖所示本實施形態(tài)的吹出口，由斜上方所射入的軟X線等，如第11(B)圖所示，由于抵觸到鋁整流柵92其豎孔部的側(cè)壁所以完全被遮蔽；另外如第11(C)圖所示，由于抵觸到附套管沖孔板93其套管的側(cè)壁所以完全被遮蔽。
(10)其他的實施形態(tài)再者，本發(fā)明并不局限上述的實施形態(tài)，也能是以下所示的種種形態(tài)。即是具體性各構(gòu)件的形狀或是安裝位置以及方法皆能適度變更。例如，遮蔽部的形狀不局限于上述各實施形態(tài)所示的沖孔板，只要是直進(jìn)的軟X線或是低能量電子線等不漏到外部且可以輸送所產(chǎn)生的正負(fù)離子之形狀皆可。
另外，離子化源4，不局限于軟X線、低能量電子線、紫外線，只要是經(jīng)由離子化而不產(chǎn)生臭氧、及不產(chǎn)生發(fā)塵和電磁噪音，則能夠使用其他的電磁波或射線等。還有如第12圖所示，形成為內(nèi)藏供氣用風(fēng)扇94之構(gòu)成亦可。
如以上所說明的，依據(jù)本發(fā)明，可以提供不會引起臭氧或電磁噪音以及發(fā)塵等的產(chǎn)生，而對于狹窄空間的靜電能采取對策，并且能用于防爆設(shè)施或裝置之離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)。
權(quán)利要求
1.一種離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，包括具有將供應(yīng)到容器內(nèi)之離子輸送氣體的一部分離子化之離子化部、及朝向帶電體供應(yīng)離子輸送氣體的吹出部之容器，前述離子化部由內(nèi)藏于前述容器中之離子化源、及設(shè)置在前述容器的外部，介由高電壓電纜控制前述離子化源的離子產(chǎn)生量之控制裝置構(gòu)成；其特征為前述離子化源為軟x線產(chǎn)生裝置的產(chǎn)生部、低能量電子線產(chǎn)生裝置的產(chǎn)生部或是紫外線產(chǎn)生裝置的產(chǎn)生部當(dāng)中的其中一種，前述控制裝置、前述控制裝置與高電壓纜線之間的連接部以及前述離子化源與高電壓電纜之間的連接部為防爆構(gòu)造。
2.根據(jù)權(quán)利要求1項之離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，其中前述控制裝置具備具有氣密構(gòu)造而能將裝置內(nèi)保持在一定溫度之冷卻手段。
3.根據(jù)權(quán)利要求2項之離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，其中前述冷卻手段由熱電冷凍元件所構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項之離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，其中前述高電壓電纜與控制裝置之間的連接部由能插拔的插頭及插座所構(gòu)成；在前述插頭設(shè)置具有一定長度的電極支承部，在該電極支承部的先端部裝配電極；在前述插座形成插入前述電極支承部的插入孔，在此插入孔的最深部裝配電極；前述高電壓電纜與控制裝置之間的連接部由裝配在前述插頭的先端之電極及裝配在插座其插入孔的最深部之電極所形成；前述電極的插拔前述插頭的電極支承部在插座的插入孔內(nèi)保持氣密性的狀態(tài)下進(jìn)行。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項之離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，其中前述離子化源與高電壓電纜之間的連接部由具有絕緣性之筒狀的樹脂、及充填到其內(nèi)部之絕緣性的樹脂所構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項之離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，其中在前述容器內(nèi)其離子化部的下流側(cè)，形成用來遮蔽從前述離子化源所產(chǎn)生的軟X線或是低能量電子線之遮蔽部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6項之離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，其中前述遮蔽部由隔開一定的間隔交互裝配在前述容器的內(nèi)壁之多個隔壁所構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求6項之離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，其中前述遮蔽部由形成有多個細(xì)孔的至少2片遮蔽板所構(gòu)成，設(shè)置前述遮蔽板使前述細(xì)孔不重疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項之離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，其中前述吹出部由安裝在前述容器的開口端之具有一定形狀的噴嘴所構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項之離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，其中前述吹出部由安裝在前述容器的開口端之自由彎曲的膠管、及安裝在其先端之具有一定形狀的噴嘴所構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項之離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，其中在前述容器其下流側(cè)側(cè)面的一部分形成多個開口，介由此開口，對帶電體供應(yīng)離子輸送氣體。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項之離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，其中在前述吹出部的上流側(cè)，裝配層流形成用濾網(wǎng)。
全文摘要
一種離子化氣流釋出型無發(fā)塵靜電消除機(jī)，包括具有將供應(yīng)到容器內(nèi)的離子輸送氣體的一部分離子化之離子化部、及朝向帶電體供應(yīng)離子輸送氣體的吹出部之容器，前述離子化部由內(nèi)藏于前述容器中之離子化源、及設(shè)置在前述容器的外部，介由高電壓電纜控制前述離子化源的離子產(chǎn)生量之控制裝置構(gòu)成；其特征為前述離子化源為軟X線產(chǎn)生裝置的產(chǎn)生部、低能量電子線產(chǎn)生裝置的產(chǎn)生部或是紫外線產(chǎn)生裝置的產(chǎn)生部當(dāng)中的一種，控制裝置、控制裝置與高電壓電纜之間的連接部、及離子化源與高電壓電纜的連接部為防爆結(jié)構(gòu)。
文檔編號H05F3/06GK1513284SQ02810860
公開日2004年7月14日 申請日期2002年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月29日
發(fā)明者水野彰, 杉田章夫, 鈴木政典, 佐藤朋且, 日野利彥, 鋒治幸, 且, 典, 夫, 彥 申請人:菱和技術(shù)株式會社, 浜松光子學(xué)株式會社, 原田產(chǎn)業(yè)株式會社