專利名稱：印刷線路板及其制造方法、電鍍銅方法及電鍍銅液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)電路板實(shí)施電鍍銅、形成所期望電路的印刷線路板，尤其是涉及通過(guò)電鍍銅將具有暗通路孔的印刷線路板的通路孔填充的印刷線路板及其制造方法。還涉及對(duì)具有暗通路孔的印刷線路板的通路孔進(jìn)行電鍍銅的電鍍銅方法。此外，還涉及用于對(duì)各種基板進(jìn)行電鍍銅的電鍍銅液。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，對(duì)電子設(shè)備小型化、高性能化的要求日趨增大。適應(yīng)這種發(fā)展趨勢(shì)而對(duì)組裝各種電子設(shè)備的印刷線路板也更加強(qiáng)烈要求配線的高密度化、高集成化和高連接可靠性。為了適應(yīng)這樣的要求，廣泛采用在支撐基板上經(jīng)全添加法或半添加法交替地層合導(dǎo)體層和絕緣層形成三維微細(xì)電路的所謂疊置工藝。
作為形成這種微細(xì)配線方法的一個(gè)例子，經(jīng)常采用通過(guò)濺射等在電絕緣性樹(shù)脂層的表面析出銅薄膜，然后在該薄膜上面形成抗蝕劑圖形后實(shí)施電鍍銅的方法。該方法中，作為確保存在于絕緣層下部的導(dǎo)體層和設(shè)于該絕緣層上部的導(dǎo)體層的電性連接的手段，一般采用設(shè)置稱之為通路孔的互連孔后，對(duì)該孔壁面實(shí)施鍍導(dǎo)體或用導(dǎo)體填滿該全部孔的方法。
即，可采用對(duì)擬成為該絕緣性層的連通路或?qū)返牟课徽丈涠趸技す馐蛘卟捎勉@孔機(jī)械方法等對(duì)該絕緣層進(jìn)行鉆孔，然后對(duì)該穿孔部的壁面實(shí)施鍍銅等的導(dǎo)體形成導(dǎo)體層與導(dǎo)體層間的電性連接，這是該行業(yè)廣泛采用的方法。

發(fā)明內(nèi)容
然而，不只是對(duì)該通路孔的壁面實(shí)施鍍導(dǎo)體，最好是通過(guò)電鍍用導(dǎo)體填充該全部通路孔，這樣可大幅度地提高電性連接的可靠性。
當(dāng)然，采用電鍍填充通路孔的優(yōu)點(diǎn)，是在通過(guò)絕緣層利用3層以上的導(dǎo)體層時(shí)，可以將第1導(dǎo)體層與第2導(dǎo)體層之間的通路孔配置在第2導(dǎo)體層與第3導(dǎo)體層之間的通路孔正上方。
結(jié)果，為了設(shè)通路孔而分割的空間整體地減少，因此可實(shí)現(xiàn)更高密度的組裝。作為這種通路孔的尺寸，反映著配線的微細(xì)化，通常大多采用數(shù)十μm左右直徑的尺寸。
在填充通路孔的電鍍時(shí)，必須預(yù)先采用非電鍍銅等在擬實(shí)施電鍍導(dǎo)體的部分表面薄薄地形成導(dǎo)體膜。而且，在接著進(jìn)行的電鍍銅時(shí)，為了通過(guò)電鍍用導(dǎo)體填充通路孔內(nèi)，需要特殊技術(shù)。
即，在擬形成導(dǎo)體電路的表面上共存通路孔以外的平坦的上部表面與通路孔的凹部，結(jié)果若想通過(guò)電鍍用導(dǎo)體完全填充通路孔則在上述上部表面有可能形成過(guò)度的電鍍導(dǎo)體膜。反之，若想通過(guò)電鍍?cè)谠撋喜勘砻嫔闲纬蛇m宜厚度的導(dǎo)體膜，則通路孔的填充變得不充分。
為了避免這類(lèi)問(wèn)題，不僅通過(guò)電鍍對(duì)通路孔部進(jìn)行填充而且在上部表面也通過(guò)電鍍銅等形成適宜厚度的導(dǎo)體膜，則廣泛采用添加了各種添加劑的電鍍?cè)　?br> 在為恰好地填充這類(lèi)通路孔而調(diào)合的電鍍銅液中使用聚合物成分、均涂劑成分、增艷劑成分這三種物質(zhì)作為添加劑，采用這三種添加劑填充通路孔的方法是已廣為人知的方法。
這三種添加劑內(nèi)通常使用有機(jī)色素作為均涂劑。采用電鍍銅填充通路孔時(shí)，雖然對(duì)這三種添加劑成分作用的機(jī)理還不十分清楚，但廣泛認(rèn)為這三種添加劑內(nèi)，均涂劑成分有控制通孔內(nèi)外銅析出速度的作用，這種作用如以下所說(shuō)明。
即，構(gòu)成均涂劑成分的分子吸附在被電鍍銅的基板表面上阻礙電鍍銅，但在電極(被鍍的基板表面)上產(chǎn)生電化學(xué)分解或進(jìn)入鍍膜中而消耗掉。
另一方面，與這種消耗相對(duì)應(yīng)地，是均涂劑成分的分子從認(rèn)為濃度一定的鍍液主體擴(kuò)散到電鍍基板表面。雖然該均涂劑成分的擴(kuò)散速度成為對(duì)電鍍速度賦予影響的因素，但由于作為均涂劑成分使用的物質(zhì)一般有比較大的分子量，故若采用超過(guò)一定程度的快電鍍速度，則在從電鍍液主體到基板表面的經(jīng)路(擴(kuò)散層)上產(chǎn)生均涂劑成分的濃度梯度。結(jié)果，由于通路孔凹部與不是通路孔的平坦部分相比需要更長(zhǎng)的擴(kuò)散距離，因此通路孔底部與不含通路孔的平坦的上部表面相比均涂劑成分的擴(kuò)散量減少。由于這樣的效果，通路孔底部表面正常情況下只是存在比平坦部表面濃度小的均涂劑成分，結(jié)果通路孔底部鍍銅膜的成長(zhǎng)比平坦部表面快。根據(jù)這樣的機(jī)理便理解為采用電鍍銅進(jìn)行通路孔的填充。
著眼于如上述的均涂劑成分的特征，如果均涂劑成分的濃度在基板的各部位產(chǎn)生偏差，則招致成為鍍膜厚不均勻性這種不希望的結(jié)果。
這種均涂劑成分濃度的偏差，與如前述的通路孔內(nèi)外的情況不同，在鍍抗蝕劑壁的附近等，成分?jǐn)U散不一樣的部位或鍍液流動(dòng)易變成不均勻的部位明顯。
因此，要利用電鍍填充通路孔時(shí)，需要不完全使用均涂劑成分或使用低濃度均涂劑成分填充通路孔的方法。本發(fā)明的目的是提供實(shí)際上消除如上述均涂劑成分呈現(xiàn)的弊病，填充通路孔同時(shí)也在其以外的部位賦予膜厚均勻性良好鍍膜的電鍍方法。
作為均涂劑成分使用的有機(jī)色素物質(zhì)一段都很貴，因此通過(guò)不完全使用均涂劑成分或只使用有限的少量，也具有可采用更低的成本實(shí)施填充通路孔的電鍍銅的其他優(yōu)點(diǎn)。
再者，使用均涂劑產(chǎn)生的問(wèn)題雖然以印刷線路板為例已闡述，而有微細(xì)通路孔的半導(dǎo)體基板也產(chǎn)生同樣的問(wèn)題。
因此，本發(fā)明的目的是提供利用電鍍銅對(duì)電路基板上實(shí)施電鍍銅從而形成所期望電路的印刷線路板的通路孔進(jìn)行填充的印刷線路板。還提供對(duì)有暗通路孔的印刷線路板的通路孔進(jìn)行電鍍銅的鍍銅方法。還有，提供用于對(duì)各種基板進(jìn)行電鍍銅的電鍍銅液。
對(duì)解決上述課題的方法潛心進(jìn)行研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)不依賴于均涂劑成分而采用電鍍進(jìn)行填充通路孔的方法從而達(dá)到了期望的目的。
在探索不完全含或只含極微量均涂劑成分的通路孔填充性電鍍液時(shí)，本發(fā)明者又對(duì)前述各種添加劑的功能進(jìn)行了潛心研究。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)均涂劑成分有兩種功能。
其中之一是作為許多有機(jī)色素一般屬性所發(fā)揮的功能，由各分子在界面堆積形成會(huì)合體的性質(zhì)而產(chǎn)生的功能。這種會(huì)合體的形成由于在最活躍地進(jìn)行銅原子加成的位移或步進(jìn)等的缺陷部容易引起，結(jié)果阻礙陰極界面進(jìn)行電鍍反應(yīng)。
均涂劑成分具有的另一種功能，是作為均涂劑成分的電荷高度地非局域化的有機(jī)離子性化合物屬性所發(fā)揮的功能，是被聚乙二醇等的聚合物成分覆蓋，在封蓋的電極界面破壞聚合物吸附膜，有助于銅離子或增艷劑成分向基板表面接近。
換而言之，說(shuō)明有機(jī)色素所代表的均涂劑成分，有阻礙電鍍反應(yīng)的作用和促進(jìn)作用這種相矛盾的兩個(gè)側(cè)面的功能。這意味著均涂劑性能內(nèi)，對(duì)于不僅后者不需要是會(huì)合性的色素，而且以通路孔的填充性為主依賴于增艷劑成分功能的情況，即使是具有較小分子量的有機(jī)離子性物質(zhì)也可發(fā)揮功能。
一旦，增艷劑向電極面進(jìn)行移動(dòng)時(shí)，由于進(jìn)行電鍍反應(yīng)通路孔內(nèi)的表面積縮小，因此增艷劑成分在表面濃縮，結(jié)果通路孔內(nèi)的電鍍反應(yīng)比外部加快。利用這種增艷劑的表面濃縮填充通路孔的工藝是基于電鍍反應(yīng)消耗增艷劑成分的程度小的性質(zhì)。
根據(jù)如上述的看法，本發(fā)明者把分子量比過(guò)去用作均涂劑成分的化合物低，至少在電鍍電位附近不呈現(xiàn)會(huì)合性，且兼具水溶性和表面活性的物質(zhì)，作為替代過(guò)去均涂劑成分的通路孔填充用添加劑的候補(bǔ)進(jìn)行了研究。
過(guò)去的均涂劑成分的會(huì)合性與作為有機(jī)色素物質(zhì)這種成分密切相關(guān)。因此，針對(duì)過(guò)去的均涂劑成分?jǐn)M替代的添加劑成分，實(shí)際上在可見(jiàn)光范圍不呈現(xiàn)強(qiáng)的光吸收是重要條件之一。
這種新的添加劑成分，如前所述，與增艷劑成分一起使用則發(fā)揮大的通路孔填充性。根據(jù)本發(fā)明判明通過(guò)使用這樣的添加劑，不僅可以填充通路孔，而且在通路孔以外的部位也可得到電鍍均勻性高的鍍膜。
此外，線路板有鍍抗蝕劑圖形的情況，在壁的附近也可得到平坦性高，極好的鍍膜。廣為人知的事實(shí)是若使用過(guò)去使用均涂劑，則在鍍抗蝕劑壁的附近鍍膜的平坦性往往明顯遭到損壞。
采用本發(fā)明的方法得到這樣的良好結(jié)果，是因?yàn)橥房滋畛湫耘c類(lèi)似過(guò)去的均涂劑成分?jǐn)U散性極小的分子沒(méi)有依賴關(guān)系。
如上所述本發(fā)明的方法由于不使用擴(kuò)散性小的成分，迄今由于均涂劑成分的強(qiáng)作用容易出現(xiàn)被掩蓋的銅離子自身擴(kuò)散性的問(wèn)題。
例如有時(shí)在抗蝕劑壁附近出現(xiàn)這樣的情況。即，是來(lái)自隔抗蝕劑壁方向的銅離子的擴(kuò)散被阻礙所形成的樣子。阻礙這種銅離子擴(kuò)散對(duì)稱性形成的影響與均涂劑的情況相比極小，該方向恰好與均涂劑成分的情況相反。
換而言之，銅離子的情況與均涂劑成分?jǐn)U散的情況不同，擴(kuò)散量越多電鍍的量越多。若利用在限制溶質(zhì)擴(kuò)散性的相同幾何學(xué)條件下引起的這樣兩者的相反方向性，則可以更高地實(shí)現(xiàn)鍍膜的膜厚均勻性。
實(shí)施這樣的方法，除了前述聚合物成分，增艷劑成分，有機(jī)離子性化合物之外，電鍍液中可以只含極微量的均涂劑成分。此時(shí)的均涂劑成分的添加可以是充分抵消銅離子擴(kuò)散的非對(duì)稱性導(dǎo)致的小膜厚偏差的量。
作為滿足以上這類(lèi)主要條件的鍍銅促進(jìn)輔助劑，本發(fā)明者著眼于特定的含季氮的雜環(huán)化合物，實(shí)現(xiàn)了本發(fā)明。
即，第1本發(fā)明是印刷線路板的發(fā)明，第2是印刷線路板制造方法的發(fā)明，第3是電鍍方法的發(fā)明，第4是電鍍銅液的發(fā)明，其特征在于電鍍銅液中作為鍍銅促進(jìn)輔助劑均含有選自N-烷基、N-芳烷基或N-烯丙基加成形成鎓鹽的吡啶鎓、聯(lián)吡啶鎓、菲繞啉鎓、喹啉鎓、吩嗪鎓的鹽中的至少1種物質(zhì)。
本發(fā)明中，所謂N-烷基、N-芳烷基或N-烯丙基加成形成鎓鹽的吡啶鎓、聯(lián)吡啶鎓、菲繞啉鎓、喹啉鎓、吩嗪鎓的鹽，是指下述通式
表示的有機(jī)吡啶鎓陽(yáng)離子(式中R1表示選自烷基、苯基、芳烷基的有機(jī)基)、 表示的有機(jī)聯(lián)吡啶鎓陽(yáng)離子(式中R2、R3相互獨(dú)立地表示選自烷基、苯基、芳烷基的有機(jī)基)、 表示的有機(jī)菲繞啉鎓陽(yáng)離子(式中R4表示選自亞烷基、亞芳烷基的有機(jī)基)、 表示的有機(jī)喹啉鎓陽(yáng)離子(式中R5表示選自烷基、苯基、芳烷基的有機(jī)基)、
表示的有機(jī)吩嗪鎓陽(yáng)離子(式中R6表示選自烷基、苯基、芳烷基的有機(jī)基)的鹽。
這5類(lèi)陽(yáng)離子的鹽中，從通路孔填充性好和在市場(chǎng)上容易得到的觀點(diǎn)考慮最優(yōu)選有機(jī)聯(lián)吡啶鎓陽(yáng)離子的鹽。
這里，前述R1-R5表示的N-烷基、N-苯基、N-芳烷基可以是無(wú)取代基、也可以用各種取代基進(jìn)行取代。作為取代基優(yōu)選磺酸基，與鍍銅液中通常含的磺酸陰離子的親合好。
此外，上述N-烷基、N-芳烷基或N-烯丙基加成形成鎓鹽的吡啶鎓、聯(lián)吡啶鎓、菲繞啉鎓、喹啉鎓、吩嗪鎓的鹽是與過(guò)去用作均涂劑成分的有機(jī)色素有明顯區(qū)別的鹽，其特征是這些陽(yáng)離子的鹽在波長(zhǎng)400nm～700nm間只具有5000M-1cm-1(M為mole/litter)以下的摩爾吸光系數(shù)。
附圖的簡(jiǎn)單說(shuō)明

圖1是根據(jù)實(shí)施例1中含實(shí)施了電鍍銅的印刷線路板的通路孔部的部位截面顯微鏡照片制作的圖。
圖2是根據(jù)比較例1中含實(shí)施了電鍍銅的印刷線路板的通路孔部的部位截面顯微鏡照片制作的圖。
圖3是根據(jù)比較例5中含實(shí)施了電鍍銅的印刷線路板的通路孔部的部位截面顯微鏡照片制作的圖。
(符號(hào)說(shuō)明)1基板、2銅箔層、3抗蝕劑、4環(huán)氧樹(shù)脂層、5鍍銅膜。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明中作為對(duì)象的通路孔的一般尺寸，印刷線路板的情況是深度10～600mm、直徑5～800mm。這樣的通路孔可以通過(guò)采用激光的照射等對(duì)介于兩個(gè)導(dǎo)通層之間的絕緣性樹(shù)脂層進(jìn)行沖孔形成。再者，當(dāng)本發(fā)明的鍍銅適用于半導(dǎo)體基板時(shí)，上述通路孔的尺寸當(dāng)然更微細(xì)。
然后通過(guò)對(duì)底部和側(cè)面采用非電鍍法或?yàn)R射法等實(shí)施導(dǎo)電化處理，接著可采用電鍍法對(duì)通路孔部實(shí)施電鍍。此外，對(duì)通路孔的外部也可以采用同樣的手段對(duì)所期望的部位進(jìn)行導(dǎo)電化處理后實(shí)施電鍍。
根據(jù)本發(fā)明的方法采用電鍍銅法填充通路孔時(shí)使用的電鍍銅液的典型組成，是硫酸銅五水合物55g/L～240g/L、濃硫酸60g/L～260g/L、氯離子濃度60～100ppm。然而，如果脫離該范圍，并不是本發(fā)明的實(shí)施立即變得困難。
相對(duì)于這樣調(diào)制的電鍍銅液的基本組成，添加聚乙二醇20～300mg/L作為聚合物成分、添加式(NaO3S-CH2-CH2-CH2-S-)2表示的雙(3-硫丙基)二硫化鈉鹽(以下簡(jiǎn)稱SPS)1～30mg/L作為增艷劑成分。該電鍍液中還含有選自上述5類(lèi)陽(yáng)離子的鹽，即N-烷基、N-芳烷基或N-烯丙基加成形成鎓鹽的吡啶鎓、聯(lián)吡啶鎓、菲繞啉鎓、喹啉鎓、吩嗪鎓的鹽組成群中所選出的化合物中至少1種2μmol/L～2000μmol/L供給電鍍。
此外，為了根據(jù)情況進(jìn)一步提高鍍膜的平坦化，優(yōu)選相對(duì)于這種電鍍液組成含有極微量的有機(jī)色素物質(zhì)等作為均涂劑。作為擬成為前述有機(jī)陽(yáng)離子的平衡離子的陰離子，除了氯等鹵離子外，也可以適當(dāng)?shù)厥褂蔑畴x子等。這些離子性化合物的添加與母體電鍍液成分相比由于通常是極微量，故平衡離子對(duì)電鍍液的離子濃度沒(méi)有大的影響。同樣，若電鍍液基本成分中含的氯離子或磺酸離子作為平衡離子使用，只要不脫離本來(lái)適宜的離子濃度則沒(méi)影響。
電鍍時(shí)進(jìn)行的陰極與陽(yáng)極之間的通電，定電位法或定電流法均達(dá)到本發(fā)明的目的。其中，采用定電流法電鍍銅時(shí)，外加的電流密度優(yōu)選是2.5A/dm-2，但在0.5～6.0A/dm2的范圍內(nèi)也可呈現(xiàn)本發(fā)明的效果。
實(shí)施例以下，按照本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。
在表面有銅箔的支撐基板上，按15μm的厚度被覆通常用于疊置方法的公知環(huán)氧樹(shù)脂絕緣層，然后通過(guò)對(duì)該表面照射二氧化碳激光，形成開(kāi)口部φ60μm、底部φ50μm、深度15μm的通路孔。通過(guò)將該基板浸漬在高錳酸溶液中進(jìn)行消拖尾處理后，進(jìn)行公知的賦予催化處理形成厚度0.6μm的非電解鍍銅膜。把該基板切裁成含通路孔的60mm×60mm后，垂直浸漬在下述表1所示組成的鍍液中，采用電流密度2.5A/dm-2通電26分鐘實(shí)施電鍍。用于該電鍍的電解槽的內(nèi)部尺寸是寬250mm、長(zhǎng)200mm、高200mm，電鍍時(shí)用空氣環(huán)進(jìn)行電鍍液的攪拌。
切斷電鍍所得含通路孔部的基板，通過(guò)研磨觀察通路孔部的截面。圖1揭示根據(jù)本實(shí)施例實(shí)施電鍍銅所得基板的截面顯微鏡照片的模式圖。由該圖看出采用鍍銅填充通路孔的樣子。另外、在抗蝕劑附近也只是±2μm左右的凹凸、平坦性良好。
表1實(shí)施例1用的電鍍液組成
除了表1表示的電鍍液組成中，不使用芐基聯(lián)吡啶鎓氯化物以外，其他采用與實(shí)施例1同樣的操作實(shí)施電鍍。切斷電鍍所得含通路孔部的基板，通過(guò)研磨觀察通路孔部的截面。圖2揭示根據(jù)本比較例實(shí)施電鍍銅所得基板的截面顯微鏡照片的模式圖。如該圖所示，采用鍍銅不能充分填充通路孔，鍍膜有±5μm以上的凹凸。
除了使用表2表示的電鍍液組成替代實(shí)施例1使用的電鍍液組成以外，其他采用與實(shí)施例1同樣的操作實(shí)施電鍍。切斷電鍍所得含通路孔部的基板，經(jīng)過(guò)研磨用顯微鏡觀察通路孔部的截面。結(jié)果看出不僅電鍍填充通路孔，而且抗蝕劑附近的鍍銅膜的平坦性也良好。
表2實(shí)施例2用的電鍍液組成
表2表示的電鍍液組成中，除了不使用己基吡啶鎓氯化物以外，其他采用與實(shí)施例2同樣的操作實(shí)施電鍍銅。切斷實(shí)施電鍍所得含通路孔部的基板，經(jīng)過(guò)研磨使用顯微鏡觀察通路孔的截面。結(jié)果鍍銅沒(méi)有充分填充通路孔，鍍膜的凹凸為±5μm以上。
除了使用表3表示的電鍍液組成代替實(shí)施例1使用的電鍍液組成部分以外，其他采用與實(shí)施例同樣的操作實(shí)施電鍍。切斷電鍍所得含通路孔部的基板，經(jīng)過(guò)研磨用顯微鏡觀察通路孔部的截面。結(jié)果看出不僅通路孔被電鍍銅填充，而且抗蝕劑附近也沒(méi)有鍍銅膜厚增大的現(xiàn)象，平坦性高。
表3實(shí)施例3用的電鍍液組成

表3表示的電鍍液組成中，除了不使用己基喹啉鎓氯化物以外，其他采用與實(shí)施例2同樣的操作實(shí)施電鍍銅。切斷實(shí)施電鍍所得含通路孔部的基板，經(jīng)過(guò)研磨用顯微鏡觀察通路孔部的截面。結(jié)果電鍍銅沒(méi)充分填充、鍍膜的凹凸為±5μm以上。
除了使用表4表示的電鍍液組成替代實(shí)施例1用的電鍍液組成以外，其他采用與實(shí)施例1同樣的操作實(shí)施電鍍。切斷電鍍所得含通路孔部的基板，經(jīng)研磨用顯微鏡觀察通路孔部的截面。結(jié)果看出不僅通路孔被電鍍銅填充，而且在抗蝕劑附近也沒(méi)有鍍銅膜厚增大的現(xiàn)象，平坦性高。
表4實(shí)施例4用的電鍍液組成
表4表示的電鍍液組成中，除了不使用乙基吩嗪鎓氯化物以外，其他采用與實(shí)施例4同樣的操作實(shí)施電鍍銅。切斷實(shí)施電鍍所得含通路孔部的基板，經(jīng)過(guò)研磨用顯微鏡觀察通路孔部及與通路孔部周邊的抗蝕劑壁相接部分的截面。結(jié)果，通路孔沒(méi)被鍍銅充分填充，鍍膜的凹凸為±5μm以上。
如表5所示，除了不采用本發(fā)明的方法，替而使用含作為均涂劑的賈納斯綠B的電鍍液組成以外，其他采用與實(shí)施例1同樣的操作實(shí)施電鍍銅。切斷實(shí)施電鍍銅所得含通路孔部的基板，經(jīng)過(guò)研磨用顯微鏡觀察通路孔部、及與通路孔周邊的抗蝕劑壁相接部分的截面。圖3揭示根據(jù)本實(shí)施方案實(shí)施電鍍銅的基板的截面顯微鏡照片的模式圖。由該圖判明通路孔雖然某種程度被鍍銅填充，但在與電鍍抗蝕劑壁相接的部分鍍膜的厚度超過(guò)5μm以上，不能確保成為本發(fā)明目的的鍍膜平坦性。
表5比較例5用的電鍍液組成

發(fā)明效果如以上所說(shuō)明，通過(guò)采用本發(fā)明的方法，對(duì)有通路孔的基板實(shí)施電鍍銅時(shí)，可實(shí)現(xiàn)良好的通路孔填充性或鍍膜的高平坦性。
權(quán)利要求
1.印刷線路板，是在采用電鍍銅進(jìn)行鍍覆了的具有通路孔的印刷線路板中，所述通路孔，使用含有選自N-烷基、N-芳烷基或N-烯丙基加成形成鎓鹽的吡啶鎓、聯(lián)吡啶鎓、菲繞啉鎓、喹啉鎓、吩嗪鎓的鹽中至少1種物質(zhì)的電鍍銅液通過(guò)電鍍銅大致被填充。
2.印刷線路板的制造方法，是在采用電鍍銅進(jìn)行電鍍制造具有通路孔的印刷線路板的方法中，實(shí)施所述電鍍銅時(shí)使用的電鍍液，含有選自N-烷基、N-芳烷基或N-烯丙基加成形成鎓鹽的吡啶鎓、聯(lián)吡啶鎓、菲繞啉鎓、喹啉鎓、吩嗪鎓的鹽中的至少1種物質(zhì)。
3.電鍍方法，其中實(shí)施所述電鍍時(shí)使用的電鍍液，使用含有選自N-烷基、N-芳烷基或N-烯丙基加成形成鎓鹽的吡啶鎓、聯(lián)吡啶鎓、菲繞啉鎓、喹啉鎓、吩嗪鎓的鹽中至少1種物質(zhì)的電鍍銅液實(shí)施電鍍銅。
4.權(quán)利要求3所述的電鍍方法，其中，所述N-烷基、N-芳烷基、N-烯丙基具有磺酸基。
5.權(quán)利要求3所述的電鍍方法，其中，所述陽(yáng)離子的鹽在波長(zhǎng)400nm～700nm之間只有5000M-1cm-1(M為mole/litter)以下的摩爾吸光系數(shù)。
6.電鍍銅液，在實(shí)施電鍍銅時(shí)使用電鍍液中，含有選自N-烷基、N-芳烷基或N-烯丙基加成形成鎓鹽的吡啶鎓、聯(lián)吡啶鎓、菲繞啉鎓、喹啉鎓、吩嗪鎓的鹽中至少1種的物質(zhì)。
7.權(quán)利要求6所述的電鍍銅液，其中，所述N-烷基、N-苯基、N-芳烷基具有磺酸基。
8.權(quán)利要求6所述的電鍍銅液，其中，所述陽(yáng)離子的鹽在波長(zhǎng)400nm～700nm之間只有5000M-1cm-1(M為mole/litter)以下的摩爾吸光系數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明目的是在印刷線路板電鍍時(shí)，提供對(duì)存在通路孔或抗蝕劑等的基板也再現(xiàn)性良好地保證良好的膜質(zhì)和通路孔填充性的電鍍銅法。在印刷線路板電鍍時(shí)使用的電鍍液中，添加N－烷基、N－芳烷基或N－烯丙基加成形成鎓鹽的吡啶鎓、聯(lián)吡啶鎓、菲繞啉鎓、喹啉鎓、吩嗪鎓的鹽。
文檔編號(hào)H05K3/40GK1575106SQ20041004537
公開(kāi)日2005年2月2日 申請(qǐng)日期2004年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月23日
發(fā)明者村尾健二 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所, 日東電工株式會(huì)社