專利名稱：基板制造方法和電路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造基板的方法和電路板，該方法包括得到多層基板的層疊步驟和加工在層疊步驟得到的基板的加工步驟，該多層基板具有交替層疊的絕緣層和導(dǎo)電圖案。
背景技術(shù)：
作為制造多層基板的代表性方法，已知一種所謂的堆積法(buildupmethod)，即在芯板上交替層疊絕緣層和布線(例如電源線和地線)或者作為焊盤的導(dǎo)電圖案(例如參見(jiàn)日本專利申請(qǐng)公開(kāi)No.5-335744和日本專利申請(qǐng)公開(kāi)No.10-341081)。具體地說(shuō)，根據(jù)在日本專利申請(qǐng)公開(kāi)No.5-335744和日本專利申請(qǐng)公開(kāi)No.10-341081中描述的堆積法，為了增加絕緣層和導(dǎo)電圖案之間的粘合度，使絕緣層的整個(gè)表面粗糙化，在該絕緣層的粗糙表面上形成導(dǎo)電圖案。
當(dāng)在所得到的多層基板上安裝LSI(大規(guī)模集成電路)芯片時(shí)，在某些情況下還安裝減噪元件，以減小電源線和地線之間的噪聲。為了增加與減噪元件相對(duì)應(yīng)的減噪率，應(yīng)將減噪元件安裝在基板上盡可能靠近LSI芯片的位置。為此，提出了將片狀電容器(chip capacitor)嵌入芯板中的技術(shù)(例如，參見(jiàn)NE/NμD Hardware Conference 2002(held by NikkeiElectronics and Nikkei Micro Device)draft paper，“The trend and technicaldevelopment of a high-density multilayer resin substrate package”，NobukazuWakabayashi，2002年5月30日，第3-16頁(yè))。
圖19是具有多個(gè)片狀電容器的電路板的示意圖，該片狀電容器是通過(guò)應(yīng)用NE/NμD Hardware Conference 2002中的上述文獻(xiàn)所描述的技術(shù)而嵌入到芯板中的。
圖19示出了電路板1′安裝到母板9′上的狀態(tài)。圖19還示出了構(gòu)成電路板1′的芯板3′以及設(shè)置在芯板3′的上表面和下表面上的堆積層4′。如圖19所示，LSI芯片2′被安裝在電路板1′的表面上。嵌入到芯板3′中的片狀電容器5′通過(guò)通孔6′與LSI芯片2′連接。
為了制造圖19所示的電路板1′，首先在芯板的表面形成溝槽3′a，將片狀電容器5′放到溝槽3′a中。利用粘合劑等將片狀電容器5′固定到溝槽3′a中。將樹脂注入到溝槽3′a中，以利用該樹脂填充溝槽3′a。在芯板的表面上形成堆積層4′。在堆積層4′中形成通孔6′，以使LSI芯片2′和片狀電容器5′電連接。
然而，為了將片狀電容器5′嵌入到芯板3′中，需要片狀電容器5′的上表面和芯板3′的上表面處于同一平面。因此，在芯板3′上形成溝槽3′a需要高精度的處理技術(shù)。片狀電容器5′的橫向定位也需要高精度。當(dāng)注入到溝槽3′a中的樹脂中形成有孔隙時(shí)，在后續(xù)的焊接中，孔隙中的空氣被加熱并爆裂，這帶來(lái)了電路板內(nèi)部破損的危險(xiǎn)。當(dāng)填充到溝槽3′a中的樹脂表面不能確保足夠的平整度時(shí)，堆積層4′膨脹，連接精細(xì)的LSI凸起時(shí)會(huì)出現(xiàn)合格率低的風(fēng)險(xiǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述情況提出了本發(fā)明，本發(fā)明提供了一種制造基板的方法，能夠容易地制造這樣的電路板，在該電路板上，能夠盡可能接近LSI芯片地安裝無(wú)源元件(例如減噪元件)，并且本發(fā)明提供一種電路板，在該電路板上能夠盡可能接近LSI芯片地安裝無(wú)源元件(例如減噪元件)。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種基板制造方法，包括得到具有交替層疊的絕緣層和導(dǎo)電圖案的多層基板的層疊步驟，和加工在層疊步驟得到的基板的加工步驟，其中層疊步驟包括第一步驟，形成第一絕緣層、使形成的第一絕緣層的整個(gè)表面粗糙化、和在第一絕緣層的粗糙化表面上形成所需的導(dǎo)電圖案，它們作為一次加工過(guò)程，或者進(jìn)一步在形成的導(dǎo)電圖案上形成下一個(gè)第一絕緣層，從而一次以上地重復(fù)該加工過(guò)程，
第二步驟，在第一步驟最后形成的導(dǎo)電圖案上層疊第二絕緣層、使所層疊的第二絕緣層的除了所需區(qū)域以外的表面粗糙化、和至少在第二絕緣層表面的所需區(qū)域上形成導(dǎo)電層，和第三步驟，在第二步驟形成的導(dǎo)電層上形成第三絕緣層、使形成的第三絕緣層的整個(gè)表面粗糙化、和在第三絕緣層的粗糙化表面上形成需要的導(dǎo)電圖案，這些作為一次加工過(guò)程，或者進(jìn)一步在所形成的導(dǎo)電圖案上形成下一個(gè)第三絕緣層，從而一次以上地重復(fù)該加工過(guò)程，并且加工步驟包括去除步驟，去除所述區(qū)域的比在層疊步驟得到的基板上的第二絕緣層高的部分，和露出步驟，露出所述區(qū)域中與所述第二絕緣層的下側(cè)相鄰的導(dǎo)電圖案的一部分。
根據(jù)本發(fā)明的上述方案，在層疊步驟中，第二絕緣層和該比其高的區(qū)域之間的粘接保持弱狀態(tài)，而第一絕緣層和導(dǎo)電圖案之間的粘接保持強(qiáng)狀態(tài)。利用這種結(jié)構(gòu)，在加工步驟的去除步驟中，可以容易地去除在層疊步驟得到的基板上的比第二絕緣層高的區(qū)域的上部。例如，當(dāng)通過(guò)沿著該部分的外圍打孔來(lái)切割該部分時(shí)，由于第二絕緣層和該區(qū)域之間的粘接保持弱狀態(tài)，因此可以從第二絕緣層上容易地去除該部分。結(jié)束去除步驟之后，在基板上去除了該部分的位置露出第二絕緣層。從第二絕緣層的露出表面到與第二絕緣層的下側(cè)相鄰的導(dǎo)電圖案區(qū)域中的該部分的距離非常小。因此，在該露出步驟中，與第二絕緣層下側(cè)相鄰的導(dǎo)電圖案區(qū)域中的該部分可以通過(guò)激光加工或者化學(xué)處理露出，而不進(jìn)行機(jī)械切割加工。結(jié)果，可以低成本地在短時(shí)間內(nèi)露出導(dǎo)電布線的一部分，而不會(huì)使導(dǎo)電圖案的切割廢物散落(scatter)，或者使導(dǎo)電圖案表面的一部分粗糙化。
根據(jù)以這種方式制造的基板，當(dāng)將減噪元件連接到在露出步驟中露出的導(dǎo)電圖案的該部分區(qū)域中時(shí)，可以使半導(dǎo)體芯片對(duì)應(yīng)于在去除步驟中去除的部分的厚度來(lái)接近減噪元件。
該減噪元件可以是片狀電容器。根據(jù)本發(fā)明的基板制造方法還可以應(yīng)用于制造以下電路板在該電路板上安裝有減噪元件以外的無(wú)源元件。
第一步驟可以是通過(guò)電鍍形成所需的導(dǎo)電圖案的步驟，第二步驟可以是通過(guò)非電解鍍(electroless plating)形成導(dǎo)電層的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種電路板包括芯板，和堆積層，其具有交替層疊在所述芯板上的絕緣層和導(dǎo)電圖案，其中所述堆積層這樣構(gòu)成比低于頂層的某層中存在的待連接導(dǎo)電圖案高的層中容納無(wú)源元件的部分被去除，因而露出所述待與無(wú)源元件連接的導(dǎo)電圖案。
根據(jù)本發(fā)明的電路板，可以使半導(dǎo)體芯片對(duì)應(yīng)于所去除部分的厚度來(lái)接近減噪元件。
根據(jù)本發(fā)明的電路板可以具有與要規(guī)劃(schedule)的導(dǎo)電圖案相連接并且容納在去除部分中的無(wú)源元件(例如片狀電容器)。此外，該電路板可以具有與片狀電容器相連接的半導(dǎo)體芯片。
本發(fā)明提供了一種基板制造方法，能夠很容易地制造其上可以盡可能接近LSI芯片地安裝無(wú)源元件(例如減噪元件)的電路板，并且本發(fā)明提供一種電路板，其上可以盡可能接近LSI芯片地安裝無(wú)源元件，例如減噪元件。


圖1是基板的截面圖，表示在執(zhí)行了層疊步驟的第一步驟之后的狀態(tài)；圖2是該基板的截面圖，表示在圖1所示的導(dǎo)電圖案上層疊了第二絕緣層之后的狀態(tài)；圖3是該基板的截面圖，表示在圖2所示的第二絕緣層上形成了通孔后的狀態(tài)；圖4是該基板的截面圖，表示將光刻膠膜粘貼到圖3所示第二絕緣層表面上以后的狀態(tài)；圖5是該基板的截面圖，表示曝光和顯影圖4所示光刻膠膜之后的狀態(tài)；
圖6是該基板的截面圖，表示在將需要的區(qū)域遮蓋的同時(shí)使圖5所示第二絕緣層的表面粗糙化后的狀態(tài)；圖7是該基板的截面圖，表示在使表面粗糙化、去除了在需要的區(qū)域上形成的光刻膠膜的掩模之后的狀態(tài)；圖8是該基板的截面圖，表示在圖7所示的第二絕緣層的整個(gè)暴露表面上形成籽晶層后的狀態(tài)；圖9是該基板的截面圖，表示將光刻膠膜粘貼到圖8所示籽晶層表面上之后的狀態(tài)；圖10是該基板的截面圖，表示曝光和顯影圖9所示的光刻膠膜之后的狀態(tài)；圖11是該基板的截面圖，表示在籽晶層的暴露部分上形成電鍍層以后的狀態(tài)；圖12是該基板的截面圖，表示在執(zhí)行了第二步驟之后的狀態(tài)；圖13是該基板的截面圖，表示重復(fù)了第三步驟兩次并且進(jìn)一步層疊了第四絕緣層的狀態(tài)；圖14是該基板的截面圖，表示在層疊步驟得到的圖13所示的基板上形成切口后的狀態(tài)；圖15是該基板的截面圖，表示在執(zhí)行了去除步驟之后的狀態(tài)；圖16是該基板的截面圖，表示在執(zhí)行了露出步驟之后的狀態(tài)；圖17是該基板的截面圖，表示在執(zhí)行了減噪元件安裝步驟之后的狀態(tài)；圖18是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例安裝在母板上的基板、電路板的截面圖；而圖19是具有通過(guò)應(yīng)用NE/NμD Hardware Conference 2002的草案中所描述的技術(shù)而嵌入到芯板中的片狀電容器的電路板的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基板制造方法。根據(jù)本實(shí)施例的基板制造方法大致具有三個(gè)步驟，包括通過(guò)交替層疊絕緣層和導(dǎo)電圖案得到多層基板的層疊步驟、處理在層疊步驟得到的基板的加工步驟以及安裝減噪元件的減噪元件安裝步驟。
首先說(shuō)明層疊步驟。在層疊步驟，第一步驟被執(zhí)行。第一步驟包括作為一次加工過(guò)程來(lái)形成第一絕緣層、使所形成的第一絕緣層的整個(gè)表面粗糙化以及在第一絕緣層的粗糙化表面上形成所需的導(dǎo)電圖案，或者進(jìn)一步在所形成的導(dǎo)電圖案上形成下一個(gè)第一絕緣層，由此多次重復(fù)該加工過(guò)程。
圖1是基板的截面圖，示出了執(zhí)行了第一步驟的層疊之后的狀態(tài)。
圖1示出了芯板3和設(shè)置在芯板3上的第一絕緣層10。通過(guò)將環(huán)氧樹脂片粘接到導(dǎo)電圖案20上并且加熱所粘接的片而形成第一絕緣層10。通過(guò)使用錳的過(guò)氧化物來(lái)進(jìn)行化學(xué)處理使圖1所示的第一絕緣層的整個(gè)表面10a粗糙化。圖1還示出了與第一絕緣層被粗糙化的表面10a接觸設(shè)置的導(dǎo)電圖案20。導(dǎo)電圖案20具有兩層，包括與第一絕緣層的表面接觸的非電解鍍層(electroless-plated)210和層疊在非電解鍍層210上的電鍍層220。非電解鍍層210是通過(guò)在非電解狀態(tài)下對(duì)第一絕緣層的表面10a鍍銅而形成的導(dǎo)電層。由于該層通過(guò)非電解鍍形成，因此該層的厚度非常小。另一方面，電鍍層220包含作為主成分的銅，該電鍍層220通過(guò)對(duì)非電解鍍層210進(jìn)行電鍍形成。由于電鍍層220通過(guò)電鍍形成，因此該層具有比非電解鍍層210更厚的厚度。圖1所示的導(dǎo)電圖案20的整個(gè)厚度基本上是電鍍層220的厚度。盡管圖1中未示出，但可以在第一絕緣層10的下面提供通過(guò)交替層疊第一絕緣層和導(dǎo)電圖案而形成的層。換句話說(shuō)，圖1示出了在進(jìn)行多次下述工藝之后最后形成的第一絕緣層10和導(dǎo)電圖案20形成第一絕緣層、使所形成的第一絕緣層的整個(gè)表面粗糙化和在第一絕緣層的粗糙化表面上形成所需的導(dǎo)電圖案。
在層疊步驟中，在第一步驟之后進(jìn)行第二步驟。在第二步驟中，在最后形成的導(dǎo)電圖案20上層疊第二絕緣層。
圖2是該基板的截面圖，示出了在圖1所示的導(dǎo)電圖案上層疊了第二絕緣層的狀態(tài)。
與第一絕緣層10一樣，通過(guò)將環(huán)氧樹脂片粘接到導(dǎo)電圖案20上并且加熱該所粘接的片而形成第二絕緣層30。在第二步驟中，在層疊第二絕緣層30之后，使層疊的第二絕緣層的表面30a粗糙化，所需區(qū)域除外。在粗糙化該表面之前，在第二絕緣層30上形成通孔。
圖3是該基板的截面圖，示出了在圖2所示的第二絕緣層上形成了通孔的狀態(tài)。
對(duì)第二絕緣層的暴露表面30a進(jìn)行激光加工，以形成連通到與第二絕緣層30的下表面相鄰的導(dǎo)電圖案20的一部分的通孔31。形成通孔之后，在第二步驟中使第二絕緣層的表面粗糙化。為了有選擇地使第二絕緣層的表面粗糙化，將光刻膠膜粘接到該表面上。
圖4是該基板的截面圖，示出了將光刻膠膜粘接到圖3所示的第二絕緣層表面上以后的狀態(tài)。
粘接光刻膠膜40以覆蓋第二絕緣層的整個(gè)暴露表面30a。對(duì)該光刻膠膜40曝光并且顯影。
圖5是該基板的截面圖，示出了對(duì)圖4所示的光刻膠膜曝光和顯影后的狀態(tài)。
提供圖4所示的光刻膠膜40以遮蔽第二絕緣層的表面30a的所需區(qū)域S。圖5示出了形成在所需區(qū)域S上的由光刻膠膜形成的掩模41。第二絕緣層的表面30a被粗糙化，但被遮蔽的所需區(qū)域S除外。
圖6是該基板的截面圖，示出了在遮蔽了所需區(qū)域的情況下使圖5所示的第二絕緣層的表面粗糙化后的狀態(tài)。
通過(guò)使用錳的過(guò)氧化物來(lái)進(jìn)行化學(xué)處理使第二絕緣層的表面30a粗糙化。不使被遮蔽的所需區(qū)域S粗糙化，保持原有的表面狀態(tài)。使用脫模劑(release agent)去除所需區(qū)域的掩模41。
圖7是該基板的截面圖，示出了在使表面粗糙化、去除了形成在所需區(qū)域上的光刻膠膜的掩模之后的狀態(tài)。
在圖7中，第二絕緣層的暴露表面30a具有粗糙化部分301和未粗糙化的部分302。在選擇性地使第二絕緣層的表面30a粗糙化之后，在第二步驟中形成作為導(dǎo)電圖案的籽晶層(seed layer)。
圖8是該基板的截面圖，示出了在圖7所示的第二絕緣層的整個(gè)暴露表面上形成籽晶層后的狀態(tài)。
對(duì)第二絕緣層的整個(gè)暴露表面30a進(jìn)行非電解鍍銅，以形成薄籽晶層(seed layer)21。該籽晶層21與粗糙化部分301強(qiáng)粘接，與非粗糙化部分302即所需區(qū)域S弱粘接。因此，可以容易地從該部分302上去除籽晶層21。在第二步驟中，為了有選擇地在籽晶層21上設(shè)置電鍍層，將光刻膠膜粘接到該籽晶層上，并且曝光和顯影該光刻膠膜。
圖9是該基板的截面圖，示出了將光刻膠膜粘接到圖8所示籽晶層表面上之后的狀態(tài)。圖10是該基板的截面圖，示出了曝光和顯影圖9所示光刻膠膜后的狀態(tài)。
在圖9中，提供光刻膠膜50以遮蔽籽晶層21的所需部分。圖10示出了形成在該所需區(qū)域上的由光刻膠膜形成的掩模51。利用掩模51形成的籽晶層21的暴露部分被電鍍，從而形成包含銅作為主成分的電鍍層220。籽晶層21扮演著與圖1所示的導(dǎo)電圖案20的非電解鍍層210相同的角色。
圖11是該基板的截面圖，示出了在籽晶層的露出部分上形成電鍍層之后的狀態(tài)。
圖11示出了形成在第二絕緣層的表面30a上的兩個(gè)導(dǎo)電圖案20。每個(gè)導(dǎo)電圖案20包含部分籽晶層21和電鍍層220。在第二步驟的最后步驟中，使用脫模劑去除由光刻膠膜形成的掩模51，并且進(jìn)一步通過(guò)蝕刻去除在掩模51被去除之后露出的部分籽晶層21。
圖12是該基板的截面圖，示出了執(zhí)行了第二步驟之后的狀態(tài)。
在圖12中，使第二絕緣層30的露出部分粗糙化。
該層疊步驟中，在第二步驟之后執(zhí)行第三步驟。該第三步驟包括在第二步驟形成的籽晶層21上(即通過(guò)電鍍層220)形成第三絕緣層、使所形成的第三絕緣層的整個(gè)表面粗糙化、以及在第三絕緣層的粗糙化表面上形成所需的導(dǎo)電圖案，它們作為一個(gè)加工過(guò)程，或者進(jìn)一步在所形成的導(dǎo)電圖案上形成下一個(gè)第三絕緣層，從而重復(fù)一個(gè)以上的該加工過(guò)程。
圖13是該基板的截面圖，示出了重復(fù)了兩次第三步驟、并且進(jìn)一步層疊了第四絕緣層的狀態(tài)。
圖13示出了兩個(gè)第三絕緣層60和設(shè)置在這兩個(gè)第三絕緣層60的表面上的導(dǎo)電圖案20。每個(gè)第三絕緣層60都具有粗糙化部分。在圖13中，第四絕緣層(即頂層)70形成在設(shè)置在一個(gè)第三絕緣層60表面上的導(dǎo)電圖案20的表面上，該第三絕緣層60位于比另一個(gè)第三絕緣層60更高的位置。與第一絕緣層10類似，第三絕緣層60和第四絕緣層70也通過(guò)將環(huán)氧樹脂片粘接到導(dǎo)電圖案20上、并且加熱所粘接的片而形成。與形成在第一絕緣層10表面上的導(dǎo)電圖案20一樣，形成在第三絕緣層60表面上的導(dǎo)電圖案20包括非電解鍍層210和電鍍層220。上面完成了根據(jù)本實(shí)施例的基板制造方法中的層疊步驟。
下面說(shuō)明加工步驟。該加工步驟包括去除步驟和露出步驟。去除步驟是去除在層疊步驟得到的、比圖13所示基板1上的第二絕緣層30更靠上的層上的所需區(qū)域S的上部的步驟。首先，沿著比第二絕緣層30更高的所需區(qū)域S上部的外圍來(lái)形成孔，從而形成切口C。
圖14是該基板的截面圖，示出了在層疊步驟得到的圖13所述基板上形成切口后的狀態(tài)。
在圖14中，與第二絕緣層30的未粗糙化的所需區(qū)域S接觸的、形成在基板1上的籽晶層的部分21a與第二絕緣層30具有弱粘接。因此，當(dāng)如圖14所示形成切口C時(shí)，可以從第二絕緣層30上很容易地去除比第二絕緣層30高的所需區(qū)域S的上部R。形成切口C之后，機(jī)械去除該部分R。
圖15是該基板的截面圖，示出了執(zhí)行去除步驟之后的狀態(tài)。
圖15示出了第二絕緣層30的未粗糙化的所需區(qū)域S被露出的狀態(tài)。由于圖14所示的比第二絕緣層30高的所需區(qū)域S的上部R是機(jī)械去除的，因此在某些情況下第二絕緣層30的所需區(qū)域S上稍殘留有籽晶層。在這種情況下，可以通過(guò)化學(xué)蝕刻該所需區(qū)域S來(lái)完全去除剩余籽晶層。去除步驟結(jié)束之后，執(zhí)行露出步驟。在露出步驟中，與第二絕緣層30的下部相鄰的導(dǎo)電圖案20的所需區(qū)域S內(nèi)的焊盤被露出。對(duì)第二絕緣層30的被露出的所需區(qū)域S的表面照射激光束，從而形成從表面連通到焊盤25的通孔。優(yōu)選地，使用紫外線來(lái)防止第二絕緣層30的樹脂材料的碳化。
圖16是該基板的截面圖，示出了露出步驟執(zhí)行之后的狀態(tài)。
在圖16中，在基板1中形成通孔35，從而露出導(dǎo)電圖案的焊盤。圖16所示的基板1對(duì)應(yīng)于本發(fā)明實(shí)施例的電路板。換句話說(shuō)，在圖16中，基板1包含芯板3，在芯板3上交替層疊了導(dǎo)電圖案20和絕緣層10、60和70，以形成堆積層4。對(duì)應(yīng)圖16所示的堆積層4，去除了高于待連接的導(dǎo)電圖案20、低于第四絕緣層(即頂層)的用于容納減噪元件的部分(下文稱作去除區(qū)域4a)，從而露出待與減噪元件連接的導(dǎo)電圖案20。
在露出步驟中，形成與第二絕緣層30的厚度對(duì)應(yīng)的通孔35。焊盤25和焊盤25之上的被露出表面之間的距離很小。機(jī)械切割加工具有高加工能力，但是焊盤的切割廢物會(huì)散落從而使焊盤表面粗糙化。在該露出步驟中，盡管激光加工的加工能力低于機(jī)械切割，但還是進(jìn)行激光加工以避免焊盤的切割廢物散落而使焊盤表面粗糙化。結(jié)果，可以在短時(shí)間內(nèi)低成本地形成通孔。因而，可以在短時(shí)間內(nèi)低成本地露出焊盤25，而不會(huì)使焊盤25的切割廢物散落而致焊盤25的表面粗糙化。
圖16示出了其間具有距離的兩個(gè)焊盤25被露出的狀態(tài)。第二絕緣層30的部分36留在兩個(gè)焊盤25之間。當(dāng)兩個(gè)焊盤25之間的距離小時(shí)，以及當(dāng)從成本和生產(chǎn)率的角度來(lái)看允許去除時(shí)，可以在露出步驟中去除該部分36。在能以低成本和高生產(chǎn)率形成通孔的情況下，只要焊盤的切割廢物不會(huì)散落從而不會(huì)使焊盤粗糙化，則可以使用激光加工以外的其它方法來(lái)形成通孔35。
下面說(shuō)明減噪元件安裝步驟。在減噪元件安裝步驟中，將減噪元件與在露出步驟中露出的導(dǎo)電圖案20的所需區(qū)域S內(nèi)的部分(即焊盤25)相連接。
圖17是該基板的截面圖，示出了減噪元件安裝步驟執(zhí)行之后的狀態(tài)。
在圖17中，在殘留于第二絕緣層30的兩個(gè)焊盤25之間的部分36上安裝減噪元件80。所安裝的減噪元件80利用焊料90與焊盤25電連接。圖17所示的基板1對(duì)應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的電路板。在圖17中，基板1包括與待連接的導(dǎo)電圖案20相連接的減噪元件80，并且該減噪元件80容納在去除部分4a中。
在圖17中，在基板1上與安裝有減噪元件80的一側(cè)相對(duì)的一側(cè)提供與焊盤25(減噪元件與該焊盤相連接)相對(duì)應(yīng)的焊盤(未示出)。LSI(大規(guī)模集成)芯片被焊到該相對(duì)應(yīng)的焊盤上。
圖18是安裝在母板上的基板的截面圖，該基板對(duì)應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電路板。
圖18示出了構(gòu)成基板1的芯板3和設(shè)置在芯板3的上表面和下表面上的堆積層4。在圖18中，在兩個(gè)堆積層4中，位于母板9側(cè)的堆積層根據(jù)上述基板制造方法制得。在圖18中，LSI芯片2安裝在基板1的表面上。容納在堆積層4的去除部分4a上的片狀電容器5通過(guò)在其周面設(shè)置有導(dǎo)體的通孔7和通孔6與LSI芯片2連接。圖18所示的基板1具有不引起加工麻煩的厚度。其上安裝片狀電容器5的基板部分在基板的厚度方向具有小的厚度，從而減小了片狀電容器5和安裝在相對(duì)側(cè)的LSI芯片2之間的距離。因此，圖18所示的基板1具有高減噪率的片狀電容器5。
權(quán)利要求
1.一種基板制造方法，包括得到具有交替層疊的絕緣層和導(dǎo)電圖案的多層基板的層疊步驟，和加工在所述層疊步驟得到的基板的加工步驟，其中所述層疊步驟包括第一步驟，包括作為一次加工過(guò)程來(lái)形成第一絕緣層、將所形成的第一絕緣層的整個(gè)表面粗糙化和在第一絕緣層的粗糙化表面上形成所需的導(dǎo)電圖案，或者進(jìn)一步包括在所形成的導(dǎo)電圖案上形成下一個(gè)第一絕緣層，從而多于一次地重復(fù)該加工過(guò)程，第二步驟，在所述第一步驟最后形成的導(dǎo)電圖案上層疊第二絕緣層、使所層疊的第二絕緣層的除所需區(qū)域之外的表面粗糙化并至少在所述第二絕緣層表面的所述所需區(qū)域上形成導(dǎo)電層，和第三步驟，包括作為一次加工過(guò)程來(lái)在所述第二步驟形成的導(dǎo)電層上形成第三絕緣層、使形成的第三絕緣層的整個(gè)表面粗糙化和在第三絕緣層的粗糙化表面上形成所需的導(dǎo)電圖案，或者進(jìn)一步包括在所形成的導(dǎo)電圖案上形成下一個(gè)第三絕緣層，從而多于一次地重復(fù)該加工過(guò)程，以及所述加工步驟包括去除步驟，去除所述區(qū)域的比在所述層疊步驟得到的基板上的所述第二絕緣層高的部分，和露出步驟，露出所述區(qū)域中與所述第二絕緣層的下側(cè)相鄰的導(dǎo)電圖案的一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板制造方法，其中所述露出步驟由激光加工執(zhí)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板制造方法，其中在所述第一步驟中，使用電鍍來(lái)形成所需的導(dǎo)電圖案，而在所述第二步驟中，通過(guò)非電解鍍來(lái)形成導(dǎo)電層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板制造方法，還包括無(wú)源元件安裝步驟，用于使無(wú)源元件與所述露出步驟中露出的所述導(dǎo)電圖案在所述區(qū)域內(nèi)的部分相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板制造方法，還包含片狀電容器安裝步驟，用于使片狀電容器與所述露出步驟中露出的所述導(dǎo)電圖案在所述區(qū)域內(nèi)的部分相連接。
6.一種電路板，包括芯板，以及堆積層，具有交替層疊在所述芯板上的絕緣層和導(dǎo)電圖案；其中所述堆積層這樣構(gòu)成比低于頂層的某層中存在的待連接導(dǎo)電圖案高的層中容納無(wú)源元件的部分被去除，從而露出該待與無(wú)源元件連接的導(dǎo)電圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路板，還包括與待連接導(dǎo)電圖案連接并且容納在所述部分中的無(wú)源元件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路板，其中所述無(wú)源元件是片狀電容器。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路板，還包括與所述片狀電容器相連接的半導(dǎo)體芯片。
全文摘要
基板制造方法和電路板。層疊步驟包括在第一步驟中形成的導(dǎo)電圖案上層疊第二絕緣層、使除了所需區(qū)域以外的所層疊的第二絕緣層的表面粗糙化、和至少在第二絕緣層表面的所需區(qū)域上形成導(dǎo)電層的第二步驟，加工步驟包括去除所述區(qū)域的比在層疊步驟中得到的基板上的第二絕緣層高的部分的去除步驟，和露出所述區(qū)域中與第二絕緣層的下側(cè)相鄰的導(dǎo)電圖案的一部分的露出步驟。
文檔編號(hào)H05K3/00GK1747630SQ20051000736
公開(kāi)日2006年3月15日 申請(qǐng)日期2005年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月10日
發(fā)明者小出正輝 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社