專利名稱：帶電路懸掛基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及帶電路懸掛基板的制造方法，具體涉及具有接地(グランド)端子的帶電路懸掛基板的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，對(duì)計(jì)算機(jī)和其外圍設(shè)備等的存儲(chǔ)裝置，越來越要求提高傳輸速度和精度，因此，存在電信號(hào)使用高頻的傾向?？墒牵l率提高，發(fā)送的電信號(hào)中噪聲就增加。
搭載在硬盤的帶電路懸掛基板是，在作為金屬基板的金屬箔基材上形成絕緣層，在該絕緣層上形成作為導(dǎo)體圖形的導(dǎo)體層(例如，參考日本特許公開公報(bào)平10-265572號(hào))，所以，在帶有這樣電路的懸掛式基板中，金屬基板與導(dǎo)體圖形之間的電位差成為發(fā)生噪聲的原因。
因此，在帶電路懸掛基板中，應(yīng)該降低這種噪聲，在導(dǎo)體圖形上形成接地端子，用于與金屬基板通電，使該接地端子與磁頭等電子零件的接地端子連接，就能夠接地連接。
而且，為了防止腐蝕，利用電解鍍金在接地端子上形成鍍金層。
為在接地端子上形成鍍金層，如圖5(a)所示，對(duì)外形加工前的帶電路懸掛基板1用防鍍膜17覆蓋，僅露出導(dǎo)體圖形7中接地端子13的形成位置，其后，如圖5(b)所示，經(jīng)由金屬基板2供電進(jìn)行鍍金，在導(dǎo)體圖形7的接地端子13形成位置形成鍍金層12后，如圖5(c)所示，除去防鍍膜17。另外，在圖5中，對(duì)與圖1所示構(gòu)件相同的構(gòu)件，賦予同樣的符號(hào)。
可是，由于前述方法經(jīng)由金屬基板2供電，為了防止金屬基板2上形成鍍金層12，對(duì)帶電路懸掛基板1需要用防鍍膜17全部覆蓋，但導(dǎo)體圖形7的接地端子13形成位置除外。一方面，形成防鍍膜17、之后將其除去時(shí)，需要粘貼防鍍膜17、曝光、顯影及剝離這樣煩雜的工序，非常麻煩，制造成本增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供帶電路懸掛基板的制造方法，該方法能夠減少工時(shí)數(shù)和煩雜的工序，形成接地端子，降低成本。
本發(fā)明的帶電路懸掛基板的制造方法，其特征在于，包括如下工序準(zhǔn)備金屬基板的工序；在上述金屬基板上，形成在接地端子的形成位置具有外露上述金屬基板的基層開口部的基層絕緣層的工序；在上述基層開口部?jī)?nèi)的金屬基板和上述基層絕緣層上形成金屬薄膜的工序；在上述金屬薄膜上，包括在上述基層開口部?jī)?nèi)的金屬薄膜上，形成導(dǎo)體圖形的工序；在上述基層絕緣層上形成覆蓋上述導(dǎo)體圖形且具有面向上述基層開口部外露上述導(dǎo)體圖形的覆蓋開口部的覆蓋絕緣層的工序；在上述金屬基板上形成外露上述基層開口部和其周圍的基層絕緣層的基板開口部的工序；從上述導(dǎo)體圖形通電，在上述覆蓋開口部?jī)?nèi)的導(dǎo)體圖形上形成電鍍層的工序；在上述基板開口部?jī)?nèi)形成金屬填充層，以使上述電鍍層和上述金屬基板通電的工序。
在本發(fā)明的帶電路懸掛基板的制造方法中，在金屬基板上形成外露基層開口部和其周圍的基底絕緣層的基板開口部，就是說，形成大于基層開口部的基板開口部，所以，金屬基板與導(dǎo)體圖形的通電被斷開。而且，經(jīng)由導(dǎo)體圖形供電，在覆蓋開口部?jī)?nèi)的導(dǎo)體圖形上形成電鍍層。因此，即使不用防鍍膜覆蓋，在導(dǎo)體圖形上的接地端子的形成位置能夠形成電鍍層，以后，形成金屬填充層，所以，能夠形成接地端子。其結(jié)果是，可以實(shí)現(xiàn)減少工時(shí)數(shù)和煩雜的工序，形成接地端子，降低制造成本。


圖1是本發(fā)明的帶電路懸掛基板制造工序的一實(shí)施方式的工序圖(a)是準(zhǔn)備金屬基板的工序；(b)是以規(guī)定圖形在金屬基板上形成形成基層開口部的基底絕緣層工序；(c)是在全部的基底絕緣層和從基層開口部露出的金屬基板的表面形成金屬薄膜的工序；(d)是在金屬薄膜上形成與導(dǎo)體圖形反轉(zhuǎn)的圖形的防鍍膜的工序；(e)是形成導(dǎo)體圖形的工序；(f)是除去防鍍膜的工序；(g)是用腐蝕除去從導(dǎo)體圖形露出的金屬薄膜的工序；(h)是按照形成覆蓋開口部的規(guī)定圖形形成覆蓋絕緣層的工序；圖2是接著圖1，表示帶電路懸掛基板的制造方法一實(shí)施方式的工序圖
(i)是在金屬基板上，除了與基層開口部及其周圍的基底絕緣層對(duì)向的金屬基板部分，形成抗蝕膜的工序；(j)是通過腐蝕除去從抗蝕膜中露出的金屬基板部分的工序；(k)是除去抗蝕膜的工序；(l)是用電解鍍?cè)诟采w開口部露出的導(dǎo)體圖形的表面形成電鍍層的工序；(m)是在基板開口部?jī)?nèi)形成金屬填充層的工序。
圖3是對(duì)以規(guī)定圖形形成圖1(b)中基底絕緣層的工序詳細(xì)說明的工序圖(a)在金屬基板上形成表面膜的工序；(b)對(duì)表面膜曝光的工序；(c)表面膜顯影的工序；(d)使表面膜硬化的工序。
圖4是對(duì)以規(guī)定圖形形成圖1(h)中覆蓋絕緣層的工序詳細(xì)說明的工序圖(a)按照覆蓋導(dǎo)體圖形那樣在基底絕緣層上形成表面膜的工序；(b)對(duì)表面膜曝光的工序；(c)表面膜顯影的工序；(d)使表面膜硬化的工序。
圖5是以往的帶電路懸掛基板的制造方法的一實(shí)施方式的工序圖(a)是按照僅露出導(dǎo)體圖形中接地端子的形成位置那樣，用防鍍膜覆蓋外形加工前的帶電路懸掛基板的工序；(b)是通過經(jīng)由金屬基板供電進(jìn)行電解鍍，在導(dǎo)體圖形的接地端子的形成位置形成電鍍層的工序；(c)除去防鍍膜的工序。
具體實(shí)施例方式
圖1是本發(fā)明的帶電路懸掛基板的制造方法的一實(shí)施方式的制造工序圖。
在圖1中，本方法中首先如圖1(a)所示，準(zhǔn)備金屬基板2。對(duì)金屬基板2沒有特別的限制。例如，能使用金屬箔或金屬薄板。而且，形成金屬基板2用的金屬，能選用不銹鋼、42號(hào)合金、鋁、銅-鈹合金、磷青銅等。最好采用不銹鋼。而且，其厚度是10～60μm，最好是15～30μm。
接著，在本方法中如圖1(b)所示，在金屬基板2上形成基底絕緣層4，以在后述的接地端子13的形成位置，形成使金屬基板2的表面露出的基層開口部3形狀的、規(guī)定的圖形形成。
形成基底絕緣層4用的絕緣體，可以采用合成樹脂，例如，聚酰亞胺類樹脂、聚酰胺亞胺類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚醚腈類樹脂、聚醚磺酸類樹脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯類樹脂、聚對(duì)萘二甲酸乙二酯類樹脂、聚氯乙烯類樹脂等。其中，采用感光性合成樹脂是比較理想的，采用感光聚酰亞胺樹脂則更加理想。
例如，在采用感光聚酰亞胺樹脂，在金屬基板2上按照包括基層開口部3在內(nèi)的規(guī)定圖形形成基底絕緣層4時(shí)，首先，如圖3(a)所示，將聚酰亞胺樹脂的前驅(qū)體(聚酰胺酸樹脂)的溶液在預(yù)先準(zhǔn)備的金屬基板2上全面涂布后，例如在60～150℃、更好是在80～120℃下進(jìn)行加熱，形成感光聚酰亞胺樹脂前驅(qū)體的表面膜15。
接著，如圖3(b)所示那樣，通過光掩膜16使該表面膜15曝光，按照需要將曝光部分加熱到規(guī)定的溫度后，進(jìn)行顯影，就如圖3(c)所示，將表面膜15形成為包括基層開口部3的規(guī)定圖形。另外，通過光掩膜16進(jìn)行照射的射線是，曝光波長例如是300～450nm，更好的是350～420nm，曝光累計(jì)光量，例如是100～1200mJ/cm2，更好是200～1200mJ/cm2。
并且，受照射的表面膜15的曝光部分，例如在130℃以上、不到150℃加熱，在下面的顯影處理中就易溶化(正片型)，例如在150℃以上、180℃以下加熱，在下面的顯影處理中就不溶化(負(fù)片型)。顯影是使用公知的顯影液，例如堿性顯影液，并采用公知的方法進(jìn)行處理，例如浸漬法或噴涂法等。另外，在本方法中，以負(fù)片型得到的圖形是理想的，在圖3中，表示了以負(fù)片型制作導(dǎo)體圖形的情況。
而且，如圖3(d)所示，這樣，由于對(duì)圖形化的感光聚酰亞胺樹脂前驅(qū)體表面膜15進(jìn)行加熱，例如最終達(dá)到250℃以上，使之硬化(亞胺化)，由此，聚酰亞胺樹脂構(gòu)成的基底絕緣層4，就按照包括基層開口部3的規(guī)定圖形形成。
不使用感光性合成樹脂時(shí)，將合成樹脂以規(guī)定圖形涂布在金屬基板2上，或者以制成干膜粘貼在金屬基板2上。在這種場(chǎng)合，基層開口部3，在涂布或粘貼后，或者，在干膜時(shí)是粘貼前，用眾所周知的方法形成，例如，沖孔、鉆孔、激光穿孔、腐蝕等。
這樣形成的基底絕緣層4的厚度，例如是2～30μm，理想的是5～20μm。而且，開口部3形狀沒有特別的限制，能夠適當(dāng)選擇，如圓形、矩形等。在圓形時(shí)，其直徑例如是30～200μm，更好的是60～1000μm；矩形時(shí)，其一邊長，例如是30～2000μm，更好的是60～1000μm。
接著，在本方法中如圖1(c)所示，在全部的基底絕緣層4表面，及從基底絕緣層4的開口部3露出的金屬基板2的表面上，形成成為添加法的底膜的金屬薄膜5。
金屬薄膜5的形成，較好采用真空蒸鍍法、尤其是濺射蒸鍍法。而且，構(gòu)成金屬薄膜5的金屬，較好采用鉻、銅等。更具體的是，例如，在基底絕緣層4的全面和從基底絕緣層4的開口部3露出的金屬基板2的表面上，利用濺射法依次形成鉻薄膜、銅薄膜。另外，鉻薄膜的厚度為100～600是理想的，銅薄膜的厚度為500～2000，是理想的。
接著，如圖1(d)～(g)所示，在金屬薄膜5上形成導(dǎo)體圖形7。該導(dǎo)體圖形7包括對(duì)磁頭(未圖示)輸出、輸入的電信號(hào)進(jìn)行傳輸用的信號(hào)布線圖形，連接到磁頭的接地端子(未圖示)和后述的接地端子13的接地布線圖形。接地布線圖形包含接地端子13的形成位置，在接地端子13的形成位置導(dǎo)體被填充到基層開口部3內(nèi)。
形成導(dǎo)體圖形7用的導(dǎo)體，例如使用銅、鎳、金、焊錫、或者其合金等，最好是使用銅。
為將導(dǎo)體圖形7形成為前述的布線圖形，采用添加法，例如，首先如圖1(d)所示那樣，在金屬薄膜5上形成防鍍膜6，其圖形與布線圖形反向。防鍍膜6，使用眾所周知的方法形成，例如用干膜防護(hù)膜等進(jìn)行曝光和顯影的方法，以形成為防鍍膜圖形。接著，如圖1(e)所示那樣，在從防鍍膜6露出的金屬薄膜5上，利用電鍍、較好是電鍍銅，按照前述的布線圖形形成導(dǎo)體圖形7。
導(dǎo)體圖形7的厚度，例如是2～15μm，更好是5～10μm。而且，如圖1(f)所示，對(duì)防鍍膜6，利用例如化學(xué)腐蝕法(濕式腐蝕)等公知的腐蝕法或者剝離法除去。
之后，如圖1(g)所示，對(duì)從導(dǎo)體圖形7露出的金屬薄膜5(也就是形成防鍍膜6的部分的金屬薄膜5)，同樣用化學(xué)腐蝕(濕式腐蝕)等公知的腐蝕方法除去。
接著，在方法中如圖1(h)所示，按照形成使相對(duì)基層開口部3的導(dǎo)體圖形7露出的、覆蓋開口部8那樣的規(guī)定圖形，形成覆蓋導(dǎo)體圖形7用的覆蓋絕緣層9。形成覆蓋絕緣層9用的絕緣體，例如采用與基底絕緣層4同樣的絕緣體，較好是采用感光聚酰亞胺樹脂。
例如，采用感光聚酰亞胺樹脂形成覆蓋絕緣層9時(shí)，如圖4(a)所示，按照覆蓋導(dǎo)體圖形7那樣，將感光聚酰亞胺樹脂的前驅(qū)體(聚酰胺酸樹脂)的溶液涂布在基底絕緣層4上后，例如在60～150℃加熱，更好是在80～120℃進(jìn)行加熱，以形成感光聚酰亞胺樹脂的前驅(qū)體的表面膜18。接著，如圖4(b)所示，通過光掩膜19使該表面膜18曝光，并按照需要將曝光部分加熱到規(guī)定溫度后，進(jìn)行顯影，則如圖4(c)所示，使表面膜18形成為覆蓋導(dǎo)體圖形7，并且含有覆蓋開口部8的、規(guī)定的圖形。其曝光和顯影，可以用與基底絕緣層4曝光和顯影的同樣的條件。而且，以負(fù)片型得到的圖形是理想的，在圖4中列示以負(fù)片型制作布線圖形的情況。
而且，如圖4(d)所示，利用對(duì)這樣圖形化的感光聚酰亞胺樹脂前驅(qū)體的表面膜18進(jìn)行加熱，例如最終加熱到250℃以上，使之硬化(亞胺化)，由此，在基底絕緣層4上形成由聚酰亞胺樹脂構(gòu)成的覆蓋絕緣層9，其覆蓋導(dǎo)體圖形7。
另外，在不用感光性合成樹脂時(shí)，例如，將合成樹脂按照規(guī)定的圖形涂布在基底絕緣層4上，或者將合成樹脂制成干薄膜粘貼在基底絕緣層4上。在這種情況下，覆蓋開口部8，在涂布或粘貼后，或者，在干薄膜的場(chǎng)合是粘貼前，用公知的方法形成，例如，沖孔、鉆孔、激光穿孔、腐蝕等。覆蓋絕緣層9的厚度，例如是1～30μm，更好是2～5μm。而且，對(duì)覆蓋開口部8的形狀沒有特別的限制，例如，可以按照與基層開口部3同樣形狀或面積形成。
本方法中，為了形成接地端子，如圖2(i)所示，首先用防蝕膜10將金屬基板2覆蓋，但與基層開口部3及其周圍的基底絕緣層4對(duì)向的金屬基板2部分除外。防蝕膜10例如采用干膜防蝕膜等，利用眾所周知的曝光和顯影的方法形成為防蝕膜圖形。
接著，在該方法中，如圖2(j)所示，將從防蝕膜10露出的金屬基板2的部分除去，形成基板開口部11。除去從防蝕膜10露出的金屬基板2的部分，可以采用公知的腐蝕方法，例如化學(xué)腐蝕方法(濕式腐蝕法)等。
該基板開口部11，開口比基層開口部3還要大，以使基層開口部3和其周圍的基底絕緣層4露出，就是說，不使基板開口部11的周端邊與從基層開口部3露出的金屬薄膜5的周端邊接觸。由此，在以下形成電鍍層12時(shí)，能夠防止在金屬基板2的表面形成電鍍層12。
對(duì)基板開口部11的形狀，沒有特別的限制，能夠適當(dāng)?shù)剡x擇，如圓形、矩形等。理想的是形成與基層開口部3相似的形狀(例如，將基層開口部3作為100％時(shí)，是120～1000％的相似形狀)。
接著，在本方法中，如圖2(K)所示，利用化學(xué)腐蝕(濕式腐蝕)等公知的腐蝕方法或剝離法除去防蝕膜10。
而且在本方法中，如圖2(1)所示，將導(dǎo)體圖形7當(dāng)作電鍍的引線利用，在覆蓋開口部8露出的導(dǎo)體圖形7的表面，通過電鍍形成電鍍層12。另外，電鍍層12也可以在從基板開口部11露出的金屬薄膜5的表面形成。用于電鍍的金屬，例如可使用銅、鎳、鉻、金等，最好是用鎳、金等。而且，由于經(jīng)由導(dǎo)體圖形7供電、進(jìn)行電鍍，較好是進(jìn)行電鍍鎳及/或電鍍金，因此，理想的是形成鎳及/或金構(gòu)成的電鍍層12。
另外，在該電鍍中，如前所述，導(dǎo)體圖形7(金屬薄膜5)與金屬基板2不接觸，即使經(jīng)由導(dǎo)體圖形7供電，在金屬基板2的表面也不形成電鍍層12，因此，能夠省去用防鍍膜17(參照?qǐng)D5)覆蓋金屬基板2的表面的麻煩。另外，電鍍層12的厚度，例如是0.2～6μm，較好是0.5～4μm。
接著，在本方法中，如圖2(m)所示，按照在從基板開口部11露出的金屬薄膜5表面形成的電鍍層12與金屬基板2實(shí)現(xiàn)電連接，在基板開口部11內(nèi)形成金屬填充層14，由此就形成接地端子13，從而得到帶電路懸掛基板。金屬填充層14是，將釬焊膏用絲網(wǎng)印刷方法填充在基板開口部11內(nèi)后加熱，將釬焊膏熔融形成的。金屬填充層14如填充在基板開口部11內(nèi)的電鍍層12與金屬基板2的間隙中，使其實(shí)現(xiàn)電通電，則其厚度沒有特別限制，但最好是形成與金屬板2同樣的厚度。
采用這樣的帶電路懸掛基板1的制造方法，如圖2(1)所示，基板開口部11開口比基層開口部3還要大，因此，在覆蓋開口部8露出的導(dǎo)體圖形7的表面，經(jīng)由導(dǎo)體圖形7供電形成電鍍層12時(shí)，就不需要用防鍍膜17覆蓋帶電路懸掛基板1的整體，能夠?qū)崿F(xiàn)減少工時(shí)數(shù)和煩雜的工序，形成接地端子13，并且，能夠降低制造成本。
實(shí)施例以下，例舉實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，但本發(fā)明決不限制于任一實(shí)施例。
帶電路懸掛基板的制作在厚20μm的不銹鋼箔(參照?qǐng)D1(a))上，涂布聚酰胺酸樹脂溶液后，在100℃加熱，以形成聚酰胺酸樹脂表面膜(參照?qǐng)D3(a))，接著，使通過光掩膜曝光(405nm、650mJ/cm2)(參照?qǐng)D3(b))，將曝光部分加熱到180℃后，用堿性顯影液進(jìn)行顯影，以負(fù)片型的圖象將表面膜形成為包含基層開口部的圖形(參照?qǐng)D3(c))。
接著，使圖形化的聚酰胺酸樹脂表面膜在360℃加熱，硬化(亞胺化)(參照?qǐng)D3(d))，由此，就按照包含基層開口部的規(guī)定圖形，形成厚10μm的聚酸亞胺樹脂組成的基底絕緣層(參照?qǐng)D1(b))。另外，基層開口部是圓狀的，其大小是直徑200μm。
接著，在基底絕緣層的全面和從基底絕緣層的基層開口部露出的金屬基板的表面上，應(yīng)用濺射蒸鍍法依次形成厚300的鉻薄膜、厚600的銅薄膜后(參照?qǐng)D1(c))，用干膜保護(hù)膜在這些鍍層上形成防鍍膜，圖形與導(dǎo)體圖形是反轉(zhuǎn)的(參照?qǐng)D1(d))。接著，在從防鍍膜露出的金屬基板上利用電鍍銅形成導(dǎo)體圖形(參照?qǐng)D1(e))。之后，在用化學(xué)腐蝕除去防鍍膜后(參照?qǐng)D1(f))，用化學(xué)腐蝕除去形成防鍍膜的部分的鍍鉻薄膜和鍍銅薄膜(圖1(g))。另外，該導(dǎo)體圖形，形成為是厚10μm的、包括信號(hào)布線圖形和接地布線圖形的布線圖形。
接著，在含有導(dǎo)體圖形的基底絕緣層的表面，涂布聚酰胺酸樹脂溶液后，在100℃加熱，以形成聚酰胺酸樹脂的表面膜(參照?qǐng)D4(a))，隨后通過光掩膜將表面膜曝光(405nm、1200mJ/cm2)(參照?qǐng)D4(b))，將曝光部分加熱到180℃后，用堿性顯影液進(jìn)行顯影，就將該表面膜形成為覆蓋導(dǎo)體圖形、并包括覆蓋開口部的規(guī)定的圖形(參照?qǐng)D4(c))。接著，使圖形化的聚酰胺酸樹脂的表面膜在360℃加熱、硬化(亞胺化)(參照?qǐng)D4(d))，由此，在基底絕緣層上，按照包含覆蓋開口部在內(nèi)的規(guī)定圖形、形成厚4μm聚酸亞胺樹脂組成的覆蓋絕緣層。
以后，在不銹鋼箔表面上，層疊干摸保護(hù)膜組成的防蝕膜，進(jìn)行曝光、顯影，形成為與基層開口部和其周圍的基底絕緣層對(duì)向的不銹鋼箔的部分除外的、防蝕膜圖形(參照?qǐng)D2(i))。對(duì)從防蝕膜露出的不銹鋼箔進(jìn)行化學(xué)腐蝕(參照?qǐng)D2(j))，隨后用化學(xué)腐蝕除去防蝕膜，就形成直徑500μm大小的圓狀的基板開口部(參照?qǐng)D2(k))。然后，將導(dǎo)體圖形作為電解鍍引線利用，在從覆蓋開口部露出的導(dǎo)體圖形的表面和從基板開口部露出的金屬薄膜的表面，形成厚2μm的鍍金層(參照?qǐng)D2(1))。
接著，為了在從基板開口部露出的金屬薄膜表面形成的鍍金層與不銹鋼箔電通電，在基板開口部?jī)?nèi)填充釬焊膏，并軟溶，形成金屬填充層，就得到有接地端子的帶電路懸掛基板(參照?qǐng)D2(m))。
另外，前述說明是作為本發(fā)明的例示的實(shí)施方式提供的，這只不過是例示，不是限定性解釋。由該技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所作出的本發(fā)明的變形例也包含在前述的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.帶電路懸掛基板的制造方法，其特征在于，包括如下工序準(zhǔn)備金屬基板的工序；在上述金屬基板上，形成在接地端子的形成位置具有外露上述金屬基板的基層開口部的基層絕緣層的工序；在上述基層開口部?jī)?nèi)的金屬基板和上述基層絕緣層上形成金屬薄膜的工序；在上述金屬薄膜上，包括在上述基層開口部?jī)?nèi)的金屬薄膜上，形成導(dǎo)體圖形的工序；在上述基層絕緣層上形成覆蓋上述導(dǎo)體圖形且具有面向上述基層開口部外露上述導(dǎo)體圖形的覆蓋開口部的覆蓋絕緣層的工序；在上述金屬基板上形成外露上述基層開口部和其周圍的基層絕緣層的基板開口部的工序；從上述導(dǎo)體圖形通電，在上述覆蓋開口部?jī)?nèi)的導(dǎo)體圖形上形成電鍍層的工序；在上述基板開口部?jī)?nèi)形成金屬填充層，以使上述電鍍層和上述金屬基板通電的工序。
全文摘要
提供帶電路懸掛基板的制造方法，該方法能減少工時(shí)數(shù)和繁雜的工序，形成接地端子，并降低制造成本。即，在金屬基板2上，形成在接地端子13的形成位置有基層開口部3的基底絕緣層4，在基層開口部3內(nèi)的金屬基板2和基底絕緣層4的上形成金屬薄膜5，在該金屬薄膜5的上面形成導(dǎo)體圖形。在基底絕緣層4上形成覆蓋導(dǎo)體圖形7，并且有與基層開口部3對(duì)向的覆蓋開口部8的覆蓋絕緣層9。在金屬基板2上，形成露出基層開口部3和其周圍基底絕緣層4的基板開口部11，經(jīng)由導(dǎo)體圖形7供電，在覆蓋開口部8內(nèi)的導(dǎo)體圖形7的兩面形成電鍍層12，為使電鍍層12與金屬基板2電通電，在基板開口部11內(nèi)形成金屬填充層14。
文檔編號(hào)H05K1/03GK1713799SQ200510081450
公開日2005年12月28日 申請(qǐng)日期2005年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月22日
發(fā)明者青沼英則, 大脇泰人 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社