專利名稱：自發(fā)光面板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及自發(fā)光面板的制造方法。
背景技術(shù)：
在電極對之間設(shè)置有含發(fā)光層的成膜層的自發(fā)光元件是通過在該電極之間施加電壓使得發(fā)光層內(nèi)的空穴和電子再結(jié)合來發(fā)光的。自發(fā)光元件被用于顯示器或進行照明或者各種信息顯示等的自發(fā)光面板。自發(fā)光面板具有如下構(gòu)成，其中，在基板上形成有一個或多個自發(fā)光元件，并通過密封方法進行了密封。在此所言的密封方法可例舉出通過密封基材進行氣密密封的方法、在基板與密封基材之間填充樹脂等的固體密封方法以及用具有壁壘性的薄層狀或膜狀的密封基材來覆蓋自發(fā)光元件的方法。
在自發(fā)光元件中具有比如通過有機化合物來形成發(fā)光層的有機EL(Electro Luminescence，電致發(fā)光)元件等。在成膜層正確地介于電極之間的場合下，有機EL元件顯示二極管特性。但是，如果在基板上存在瑕疵、突起或異物等，電極或成膜層是以被擾亂的狀態(tài)成膜的。
以被擾亂狀態(tài)成膜的成膜層中，在局部上存在層的厚度薄的部位。層厚度薄的部位絕緣耐性降低。同樣，如果導(dǎo)電性異物附著在基板上，電極和成膜層也是以被擾亂的狀態(tài)成膜的，仍會在局部產(chǎn)生絕緣耐性低的部位。
有機EL元件中的絕緣耐性低的部位不顯示二極管特性。而且，有機EL元件中的絕緣耐性低的部位會發(fā)生電極間短路，或者形成低阻抗而成為所謂的發(fā)生漏電的狀態(tài)。漏電的發(fā)生是元件損壞、驅(qū)動不良或顯示不良等的原因，因此在制造時發(fā)生漏電的自發(fā)光面板被當(dāng)作次品。在這種次品發(fā)生率高的場合下，自發(fā)光面板制造中的成品率低，因此增加了自發(fā)光面板的制造單價。
為了消除這種弊端，以前公開了對下部電極中的凸部進行包埋處理的各種技術(shù)(例如參照下列專利文獻1～6)。
日本特開2000-91067號公報[專利文獻2]日本特開2001-68272號公報[專利文獻3]日本特開2001-267071號公報[專利文獻4]日本特開平09-245965號公報[專利文獻5]日本特開平08-54833號公報[專利文獻6]日本特表2001-523768號公報發(fā)明內(nèi)容然而，在上述專利文獻1～6所述的以往技術(shù)中，任何一種技術(shù)都是對下部電極中的凸部的包埋處理，而不是解決因下部電極中的凹部的原因所產(chǎn)生的問題的技術(shù)。
據(jù)認為，即使在同一下部電極中，在局部絕緣耐性降低是因凸部引起的情況下和在局部絕緣耐性降低是因凹部引起的情況下，用于提高絕緣耐性的方案是不同的，但是在包括上述專利文獻1～6在內(nèi)的以往技術(shù)中，存在的問題是難以防止因凹部引起的漏電的發(fā)生。
因此，本發(fā)明以處理這樣的問題點作為課題之一。即，本發(fā)明的目的在于防止下部電極與上部電極的短路。本發(fā)明的目的還在于防止下部電極與上部電極的短路所導(dǎo)致的漏電發(fā)生。進而，本發(fā)明的目的還在于提高自發(fā)光面板制造中的成品率從而抑制自發(fā)光面板制造單價的增加。
為了解決上述課題，達到目的，方案1的發(fā)明涉及自發(fā)光面板的制造方法，其是在基板上設(shè)置有在下部電極與上部電極之間設(shè)有含發(fā)光層的成膜層的自發(fā)光元件的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，其包含如下工序下部電極形成工序，在上述基板上形成上述下部電極；成膜層形成工序，在通過上述下部電極形成工序形成的下部電極的上述密封基材側(cè)形成成膜層；凸部包埋處理工序，在上述成膜層形成工序中包埋處理因上述下部電極形成工序形成的下部電極中的凸部；凹部包埋處理工序，在上述成膜層形成工序中包埋處理因上述下部電極形成工序形成的下部電極中的凹部；上部電極形成工序，在通過上述成膜層形成工序形成的成膜層的上述密封基材側(cè)形成上部電極。
此外，方案11的發(fā)明涉及自發(fā)光面板的制造方法，其是在基板上形成有在下部電極與上部電極之間設(shè)有含發(fā)光層的成膜層的自發(fā)光元件的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，其包含如下工序下部電極形成工序，在上述基板上形成上述下部電極；成膜層形成工序，在通過上述下部電極形成工序形成的下部電極的上部形成成膜層；第1道包埋處理工序，在上述成膜層形成工序中包埋因上述下部電極形成工序形成的下部電極中的凹部或者凸部的至少一方；第2道包埋處理工序，在上述成膜層形成工序中對通過上述第1道包埋處理工序包埋了凹部或者凸部的至少一方的下部電極，包埋該下部電極中的凹部或者凸部的至少未被包埋的一方；上部電極形成工序，在通過上述成膜層形成工序形成的成膜層的上部形成上部電極。


圖1是表示采用本發(fā)明實施方式中的自發(fā)光面板制造方法制成的自發(fā)光面板的縱斷側(cè)面圖。
圖2是表示采用本發(fā)明實施方式中的自發(fā)光面板制造方法制成的其他自發(fā)光面板的縱斷側(cè)面圖。
圖3是表示基于自發(fā)光面板一般制造方法的工序流程的流程圖。
圖4-1是表示下部電極形成后產(chǎn)生的凸部的縱斷側(cè)面圖。
圖4-2是表示下部電極形成后產(chǎn)生的凸部的縱斷側(cè)面圖。
圖4-3是表示下部電極形成后產(chǎn)生的凹部的縱斷側(cè)面圖。
100自發(fā)光面板101基板102自發(fā)光元件103密封基材
106下部電極107上部電極108成膜層具體實施方式
下面參照附圖，詳細地說明本發(fā)明涉及的自發(fā)光面板制造方法所優(yōu)選的實施方式。
(自發(fā)光面板的簡要構(gòu)成)圖1是表示采用本實施方式中的自發(fā)光面板制造方法制成的自發(fā)光面板的縱斷側(cè)面圖。采用本發(fā)明實施方式中的自發(fā)光面板制造方法制成的自發(fā)光面板100具有基板101、自發(fā)光元件102、密封基材103、粘合劑104及干燥劑105。作為形成基板101的材料，例如可以使用玻璃或者塑料等。
自發(fā)光面板100，除了被應(yīng)用于手機、車載用監(jiān)控器、家電的操作監(jiān)控器、個人電腦及電視等的點矩陣顯示器面板之外，還被應(yīng)用于鐘表及宣傳用板的固定顯示器、掃描儀及打印機的光源、照明、液晶的背面光等各種信息設(shè)備的顯示部等。在自發(fā)光面板100中，有使自發(fā)光元件102排成點矩陣狀的形式、形成圖標(biāo)部(固定顯示部)的顯示部、平面的二維形狀或所謂球面狀的三維形狀的形式以及大小從小型用到極光影像等大型屏幕等各種形式。
作為代表性的自發(fā)光元件，有有機EL元件。有機EL元件也稱為有機電致發(fā)光元件、有機EL(OEL)設(shè)備、有機發(fā)光二極管(OLED)設(shè)備、電場發(fā)光光源，但是在本實施方式中稱為有機EL元件。下面，作為有機EL元件說明的是自發(fā)光元件102，添加了符號102進行說明。
在形成有機EL元件102的有機材料(發(fā)光材料或電荷注入·輸送材料)中，可以采用高分子材料，也可以采用低分子材料。現(xiàn)在，隨著材料開發(fā)和制造程序開發(fā)的進步，采用低分子材料的有機EL元件102作為顯示設(shè)備已被商品化。在本實施方式中，說明一例在有機材料中采用低分子材料的情況。此外，在本實施方式中，將一對電極之間的元件結(jié)構(gòu)稱為“有機EL元件”。
一般而言，有機EL元件102如圖1所示，具有在下部電極(在本實施方式中是陽極(空穴注入電極))106與上部電極(在本實施方式中是陰極(電子注入電極))107之間夾有成膜層108的結(jié)構(gòu)。成膜層108可以有至少1層的發(fā)光層，此外，也可以有層積了具有其他多種功能的有機層等的結(jié)構(gòu)。在有機EL元件102中，一般具有“下部電極(陽極)/空穴注入層/空穴輸送層/有機EL發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層/上部電極(陰極)”(省略符號)的層結(jié)構(gòu)。
形成成膜層108的各層，既可以都用單一的有機材料來形成，也可以是混合有多種材料的物質(zhì)(混合層)或者是在高分子粘合劑中分散有有機材料或無機材料的功能材料(電荷輸送功能、發(fā)光功能、電荷限制功能、光學(xué)功能等)的物質(zhì)。
此外，有機EL元件102還有如下各種構(gòu)成形式下部電極106為陰極(上部電極作為陽極)的構(gòu)成、成膜層108中的發(fā)光層為多層的構(gòu)成、有機EL元件102多重層積的構(gòu)成(SOLEDStacked OLED)、電荷發(fā)生層存在于陰極與陽極之間的構(gòu)成(多光子元件)、省略了空穴輸送層等層的構(gòu)成或空穴輸送層等層是多重層積的構(gòu)成、成膜層只有1層的構(gòu)成(各功能層連續(xù)形成，沒有層邊界)等。
另外，本實施方式對有機EL元件102的構(gòu)成沒有添加限定。只要是與本實施方式的自發(fā)光面板100具有同樣的效果的有機EL元件102，就可以解釋為屬于本實施方式的技術(shù)范圍。
在有機EL元件102中，如果在陽極(在本實施方式中是下部電極106)和陰極(在本實施方式中是上部電極107)上施加電壓，空穴就會從陽極被注入·輸送至成膜層108中的發(fā)光層，而電子就會從陰極被注入·輸送至成膜層108中的發(fā)光層。這些空穴和電子在發(fā)光層中再結(jié)合。在有機EL元件102中，通過空穴和電子的再結(jié)合來激發(fā)形成發(fā)光層的發(fā)光材料，從而在這種發(fā)光材料從激發(fā)狀態(tài)遷移至基態(tài)的過程中獲得發(fā)光。
如果下部電極106和上部電極107中的一方被設(shè)定為陰極，則另一方就被設(shè)定為陽極。被設(shè)定為陽極的電極(下部電極106或者上部電極107)可以用功函數(shù)高的材料來構(gòu)成。作為形成陽極的材料，例如可以使用鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉑(Pt)等金屬膜，或者ITO(氧化銦錫)、IZO等氧化金屬膜等透明導(dǎo)電膜。
被設(shè)定為陰極的電極(上部電極107或者下部電極106)可以用功函數(shù)低的材料來構(gòu)成。作為形成陰極的材料，可以使用特別是堿金屬(Li、Na、K、Rb、Cs)、堿土金屬(Be、Mg、Ca、Sr、Ba)、稀土金屬等功函數(shù)低的金屬、其化合物或者含有這些物質(zhì)的合金。而且在下部電極106和上部電極107都由透明的材料來形成的場合下，也可以采用在與光放出側(cè)相對的電極側(cè)設(shè)有未圖示的反射膜的結(jié)構(gòu)。
引出電極是從上部電極107和下部電極106向有機EL元件102的外側(cè)(密封基材、密封膜的外側(cè))引出的電極配線。雖然省略圖示，但是引出電極連接自發(fā)光面板100中的有機EL元件102和驅(qū)動有機EL元件102的IC或設(shè)備等。作為形成引出電極的材料，優(yōu)選低阻抗金屬材料。例如優(yōu)選Ag、Cr、Al金屬及其合金等作為形成引出電極的材料。
下部電極106和引出配線是如下形成的采用蒸鍍、濺射等方法，形成薄膜形式的金屬氧化物ITO、IZO等，并采用照相平版法等方法對該薄膜進行模制，從而形成下部電極106和引出配線。下部電極106和引出配線也可以是在ITO、IZO等材料上層積有Ag及Ag合金、Al、Cr等低阻抗金屬的2層結(jié)構(gòu)。而且，下部電極106和引出配線也可以是3層結(jié)構(gòu)，其中，作為層積在ITO、IZO等材料上的低阻抗金屬的保護層，在低阻抗金屬上層積了Cu、Cr或Ta等抗氧化性高的材料。
成膜層108一般是組合了空穴輸送層、發(fā)光層和電子輸送層的結(jié)構(gòu)，但是發(fā)光層、空穴輸送層和電子輸送層各自不僅是1層，也可以設(shè)成多層層積。對于空穴輸送層和電子輸送層，可以省略任意的一層，也可以省略這兩層。而且，也可以根據(jù)用途插入空穴注入層、電子注入層或載流子限制(carrier block)層等各種層。形成空穴輸送層、發(fā)光層和電子輸送層的材料可以適當(dāng)選擇以往所使用的材料(無論高分子材料或低分子材料)。
對于發(fā)光材料而言，雖然有從單重激發(fā)態(tài)恢復(fù)到基態(tài)時的發(fā)光(熒光)和從三重激發(fā)態(tài)恢復(fù)到基態(tài)時的發(fā)光(磷光)，但是采用那種發(fā)光的有機EL元件102均可利用本實施方式。
粘合劑104可以使用熱固化型、化學(xué)固化型(2液混合)、光(紫外線)固化型等。作為形成粘合劑104的材料，可以使用丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酯或聚烯烴等。特別優(yōu)選使用紫外線固化型的環(huán)氧樹脂來制成粘合劑。作為粘合劑104，例如可以使用紫外線固化型環(huán)氧樹脂制的粘合劑。也可以在此粘合劑104中適量混合(大約0.1重量％～0.5重量％)粒徑為1μm～300μm的間隔物(優(yōu)選玻璃間隔物或塑料間隔物)。
干燥劑105除去密封空間109內(nèi)的水分，由此抑制成膜層108的老化。干燥劑105可以使用以物理干燥劑和化學(xué)干燥劑為首的各種干燥劑。作為物理干燥劑，例如有沸石、硅膠、碳、碳納米管等。作為化學(xué)干燥劑，例如有堿金屬氧化物、金屬鹵化物、過氧化氯等。此外，也可以通過將有機金屬絡(luò)合物溶解于甲苯、二甲苯或脂肪族有機溶劑等石油系溶劑中的干燥劑，或者通過在具有透明性的聚乙烯、聚異戊二烯、聚肉桂酸乙烯酯(ポリビニルシンナエ一ト)等粘合劑中使干燥劑粒子分散的干燥劑，來得到干燥劑105。
密封基材103在有機EL元件102的周圍形成從外部氣體中將有機EL元件102密封起來的密封空間109。作為形成密封基材103的材料，例如有金屬、玻璃及塑料等。例如，相對于玻璃制的密封基材103，也可以使用經(jīng)加壓成型、蝕刻、噴射處理等加工而形成了密封凹部110的密封基材103。
密封凹部110無所謂挖入一段還是挖入二段。此外，雖然省略了圖示，但是可以把平板狀玻璃和被夾持在此玻璃與基板101之間的玻璃(也可以是塑料)制間隔物當(dāng)作密封基材103，通過此密封基材103形成密封空間109。
圖2是表示采用本實施方式中的自發(fā)光面板的制造方法制成的其他自發(fā)光面板的縱斷側(cè)面圖。采用本實施方式中的自發(fā)光面板的制造方法制成的其他自發(fā)光面板不限于具有如圖1所示結(jié)構(gòu)的自發(fā)光面板100。如圖2所示，也可以是具備基板101、自發(fā)光元件(有機EL元件)102、密封膜201和密封基材202的自發(fā)光面板200。圖2所示的自發(fā)光面板200中的密封膜201可以通過單層膜來形成，也可以通過層積多層保護膜來形成。
作為形成密封膜201的材料，可以是無機物，也可以是有機物，無論哪一種都可以。作為形成密封膜201的無機物材料，有SiN、AlN、GaN等氮化物，Si2O、Al2O3、Ta2O5、ZnO、GeO等氧化物；SiON等氧氮化物；SiCN等碳氮化物；金屬氟化合物；金屬膜等。
作為形成密封膜201的有機物材料，可以舉出環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚對二甲苯、全氟代烯烴或全氟代醚等氟系高分子、CH3OM或C2H5OM等金屬醇鹽、聚酰亞胺前體、二萘嵌苯系化合物等。密封膜201的層積結(jié)構(gòu)和材料可以根據(jù)有機EL元件102的設(shè)計適當(dāng)選擇。
作為形成密封基材202的材料，可以使用鈉玻璃、鉛玻璃及硬質(zhì)玻璃等玻璃基材；聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯及聚甲基丙烯酸甲酯等塑料基材；鋁及不銹鋼等金屬基材等各種材料。形成密封基材202的材料可根據(jù)有機EL元件102的構(gòu)成選擇正好適當(dāng)?shù)牟牧稀?br> 例如，在有機EL元件102是從基板101側(cè)相對的一側(cè)放出光的TopEmission(頂部發(fā)光)結(jié)構(gòu)的場合下，或者是從基板101側(cè)和其相對側(cè)這兩側(cè)放出光的TOLED結(jié)構(gòu)的場合下，作為形成密封基材202的材料優(yōu)選使用透明性高的材料，作為該密封基材202的厚度優(yōu)選為具有高透過率的厚度。
與此相對，例如在有機EL元件102是從基板101側(cè)放出光的BottomEmission(底部發(fā)光)結(jié)構(gòu)的場合下，也可以把金屬基材等用作形成密封基材202的材料。在有機EL元件102的密封中，可以使用氣密密封法、固體密封法及膜密封法等密封方法。在此所述的氣密密封法是指通過玻璃、金屬及塑料等密封基材在有機EL元件102的周圍設(shè)置空間以便將有機EL元件102與外部氣體隔絕的密封方法。在此所述的固體密封法是指在將有機EL元件102與外部氣體隔絕的空間內(nèi)填充樹脂等填充劑的密封方法。在此所述的膜密封法是指或者以塑料薄層或樹脂薄層等覆蓋有機EL元件102的形式層壓成膜，或者在有機EL元件102上形成具有密封性能的密封膜的密封方法。
用本實施方式中的自發(fā)光面板的制造方法制成的自發(fā)光面板不限于上述的自發(fā)光面板100和200。只要發(fā)揮上述自發(fā)光面板100和200的功能效果且不脫離本發(fā)明的要旨，即使改變設(shè)計等，也屬于本實施方式的范圍。例如，作為自發(fā)光面板100和200的驅(qū)動方法，可以使用被動驅(qū)動法，除此之外，也可以采用以TFT來驅(qū)動的主動驅(qū)動法。
由于是公知的技術(shù)而省略了說明，但是在用被動驅(qū)動法驅(qū)動的自發(fā)光面板中，使通過多個陽極形成的數(shù)據(jù)線與通過多個陰極形成的掃描線相互交叉，并使數(shù)據(jù)線與掃描線的交點中的有機EL元件選擇性發(fā)光。同樣省略了說明，但是在用主動驅(qū)動法驅(qū)動的自發(fā)光面板中，在各個自發(fā)光元件上設(shè)有作為開關(guān)元件的晶體管，從而使各個自發(fā)光元件一個個地發(fā)光。
此外，本實施方式的自發(fā)光面板100和200不限于有機EL元件102的發(fā)光方式。本實施方式的自發(fā)光面板100和200例如可以是從基板101側(cè)放出光的底部發(fā)光型，也可以是從與基板101側(cè)相對的一側(cè)放出光的頂部發(fā)光型。
而且，本實施方式中的自發(fā)光面板100和200可以是單色發(fā)光，也可以是至少2種顏色的多色發(fā)光型。多色發(fā)光的自發(fā)光面板100和200的制造可以采用分涂發(fā)光層的方式、采用了濾色片的CF方式或采用了色變換層的CCM方式、光漂白方式或?qū)臃eOLED方式等各種方式來實現(xiàn)。
在CF方式或CCM方式中，通過在白色或藍色等單色的發(fā)光層上組合濾色片和基于熒光材料的色變換層來實現(xiàn)多色發(fā)光。光漂白方式是在單色發(fā)光功能層的發(fā)光領(lǐng)域中照射電磁波等來實現(xiàn)多色發(fā)光的。層積OLED方式是沿著成膜層積層方向縱向地層積具有至少2種顏色的發(fā)光色的成膜層，從而形成一個像素來實現(xiàn)多色發(fā)光的。
(自發(fā)光面板的一般制造方法)圖3是表示基于自發(fā)光面板的一般制造方法的工序流程的流程圖。在此，作為一例，對被動驅(qū)動型自發(fā)光面板100的制造方法進行說明。在制造自發(fā)光面板100時，首先，通過下部電極形成工序(步驟S301)在基板101上形成下部電極106和引出配線。下部電極106和引出配線是采用蒸鍍或濺射等方法來形成金屬氧化物ITO、IZO等的薄膜。
然后，采用照相平版法等方法來模制在基板101上形成的薄膜。在形成2層結(jié)構(gòu)的下部電極106和引出配線的場合下，在模制的薄膜上層積例如Ag、Al、Cr等低阻抗金屬或者其合金。在形成3層結(jié)構(gòu)的下部電極106和引出配線的場合下，在低阻抗金屬上層積作為保護膜的如Cu、Cr、Ta等抗氧化性高的材料。
然后，根據(jù)成膜層形成工序(步驟S302)，在基板101上，準(zhǔn)備在下部電極106及引出配線上進行層積，依次層積形成空穴輸送層、發(fā)光層及電子輸送層的各種材料，從而形成成膜層108。在形成成膜層108時，例如使用旋轉(zhuǎn)涂層法和浸漬法等涂布法、網(wǎng)版印刷法和噴墨法等印刷法等濕法加工，或者化學(xué)蒸鍍法和激光轉(zhuǎn)印法等干法加工。
在此，自發(fā)光面板100為多色發(fā)光型，在形成發(fā)光層時，例如在采用發(fā)光層分涂方式的場合下，周知的成膜方法有以覆蓋全部有機EL元件102的方式，采用斜向蒸鍍法使成膜的成膜材料遍布基板101整體而成膜的方法；采用垂直蒸鍍法使每種顏色的成膜用成膜材料成膜的方法。在每種顏色的分涂中，使用合并成各種發(fā)光色的成膜用掩模。
此外，在采用以成膜用掩模進行每種顏色分涂的成膜方式的場合下，不限于按覆蓋全部有機EL元件102的方式采用斜向蒸鍍法使成膜的成膜材料遍布基板101整體而成膜的方法，或者用垂直蒸鍍法使每種顏色的成膜用成膜材料成膜的方法。也可以采用垂直蒸鍍法使包含多種顏色的成膜用成膜材料成膜。此外，在包含多種顏色的成膜用成膜材料有多種的場合下，還可以對每種成膜材料采用不同的成膜方法。
在分涂時，使呈現(xiàn)RGB 3色發(fā)光的有機材料、不限于RGB 3色的由紅(R)和藍(B)組合的2色發(fā)光以及在RGB 3色中添加有白(W)的4色發(fā)光等多種有機材料組合，將組合的材料在RGB各色發(fā)光部分對應(yīng)的像素范圍成膜，從而形成使RGB各種顏色發(fā)光的發(fā)光層。在形成發(fā)光層時，例如對于1個部位的像素范圍，用相同材料進行至少2次成膜。由此可以防止產(chǎn)生未成膜部分。
接著，通過上部電極形成工序(步驟S303)在成膜層108上形成上部電極107。上部電極107是通過以正交于下部電極106圖形的狀態(tài)在成膜層108上層積多條條紋狀的金屬薄膜來形成的。本實施方式的上部電極107被當(dāng)作陰極。在形成實現(xiàn)上部電極107的金屬薄膜時，例如使用蒸鍍或濺射等方法。由此，在沿著成膜層108的積層方向看到有機EL元件102的場合下，通過下部電極106和上部電極107來成為形成矩陣的狀態(tài)。
最后，根據(jù)密封工序(步驟S304)，將形成有有機EL元件102的基板101和另外形成有密封凹部110的密封基材103通過存在于它們中間的粘合劑104進行密封。在密封時，在基板101上的適當(dāng)部位上涂布粘合劑104，并按夾持該粘合劑104的方式粘合基板101和密封基材103。在涂布粘合劑104時，例如使用分配器等?；?01和密封基材103的粘合工序是在氬氣等惰性氣體氛圍下來進行的。
使基板101和密封基材103粘合后，從基板101側(cè)(或者密封基材103側(cè))對粘合劑104照射紫外線。這樣，粘合劑104發(fā)生紫外線固化反應(yīng)，以粘合基板101和密封基材103的狀態(tài)進行固化。這樣，有機EL元件102被形成在基板101和密封基材103之間，并被密封在封入氬氣等惰性氣體的密封空間109內(nèi)。
然而，通過上述方法形成的下部電極106會產(chǎn)生成為有機EL元件102功能老化原因的凸部和凹部。下面對在下部電極106上產(chǎn)生的凸部和凹部的代表情況進行說明。
圖4-1是表示在下部電極形成后產(chǎn)生的凸部的縱斷側(cè)面圖。如圖4-1所示的凸部410是因下部電極106的成膜不良等而產(chǎn)生的。此外，雖省略了圖示，但在基板101上具有凸?fàn)铊Υ玫膱龊舷拢伯a(chǎn)生同樣的凸部。凸部410在成膜層108的厚度方向突出的場合下，在下部電極106中的凸部410和在成膜層108上層積的上部電極107(參照圖2)之間會發(fā)生短路。此外，即使凸部410沒有從成膜層108的厚度方向突出，由于存在凸部410，也會因凸部410的尖端與上部電極107的距離變短而易于短路。
圖4-2是表示在下部電極形成中產(chǎn)生的凸部的縱斷側(cè)面圖。在圖4-2中，示出了在形成下部電極106后(或形成下部電極106時)由于混雜異物420而產(chǎn)生的凸部421。由于異物420成為障礙，因而成膜層108不能良好地成膜，例如會在異物420的周圍等處生成露出下部電極106的部分422。如果在該狀態(tài)下形成上部電極107，露出下部電極106的部分422與上部電極107就會發(fā)生短路。
圖4-3是表示在下部電極形成后產(chǎn)生的凹部的縱斷側(cè)面圖。圖4-3中所示的凹部430是例如如圖4-2所示在下部電極形成后或者下部電極106形成時由于混雜異物420而生成的。另外，在下部電極形成后在對下部電極106進行模制時有異物等混入。在由于成膜層108形成后進行的基板清洗工序等而此異物420脫落的場合下，會生成凹部430，使原來存在該異物420的部分中的下部電極106露出。如果在這種狀態(tài)下形成上部電極107(參照圖2)，則露出下部電極106的部分430與上部電極107就會發(fā)生短路。
此外，雖省略了圖示，但即使在因成膜層108成膜不良而生成針孔的場合下，也會生成露出下部電極106的部分，與上述相同，露出下部電極106的部分與上部電極107就會發(fā)生短路。
(本實施方式的自發(fā)光面板制造方法)在此，在本實施方式中，對在自發(fā)光元件中采用有機EL元件的自發(fā)光面板制造工序進行說明。在如圖3所示的自發(fā)光面板制造工序中的下部電極形成工序之后，即在成膜層形成工序中，進行包埋凸部410和421或者凹部430的至少之一的第1道包埋處理工序以及包埋凸部410和421或者凹部430的至少之一的第2道包埋處理工序。
第1道包埋處理工序進行凸部包埋處理工序或者凹部包埋處理工序中的任一道工序。第2道包埋處理工序進行凸部包埋處理工序或者凹部包埋處理工序中與第1道包埋處理工序相異的工序。第2道包埋處理工序，對于通過第1道包埋處理工序被包埋了凸部410和421或者凹部430的至少之一的下部電極106，包埋該下部電極106中的凸部410和421或者凹部430的至少之一。
凸部包埋處理工序包埋在下部電極106產(chǎn)生的凸部410和421。具體而言，在下部電極形成工序接下來的成膜層形成工序中，使用斜向蒸鍍法、垂直蒸度法、熔融法、加壓蒸鍍法或厚膜厚成膜法，形成成膜層108中的至少一層，從而包埋凸部410和421。在本實施方式中，即使在存在凸部410和421的場合下，也可以由成膜層108包含的方式來包埋該凸部410和421，而不會發(fā)生上述短路。
斜向蒸鍍法是采用真空蒸鍍的成膜方法之一，是通過對成膜對象物(基板)中的成膜對象面(基板的成膜面)從斜向使蒸鍍(成膜)材料附著來成膜的方法。具體而言，在本實施方式中，相對基板101的板厚方向從斜向使蒸鍍(成膜)材料附著。
在采用斜向蒸鍍法的成膜中，相對于成膜源旋轉(zhuǎn)成膜對象物。此外，斜向蒸鍍法中由于蒸鍍材料的卷包和有效覆蓋，因而該方法也可以利用在不用必需分涂的成膜層108(空穴注入層、空穴輸送層、電子輸送層、電子注入層)或上部電極107的成膜上。
垂直蒸鍍法是采用真空蒸鍍的成膜方法之一，是通過相對于成膜對象物(基板)中的成膜對象面(基板的成膜面)從正面使蒸鍍(成膜)材料附著來成膜的方法。具體而言，在本實施方式中，沿著基板101的板厚方向使蒸鍍(成膜)材料附著。
即使在采用垂直蒸鍍法的成膜中，也是相對成膜源以成膜源與成膜對象物的相對方向為軸心方向使成膜對象物旋轉(zhuǎn)。由于垂直蒸鍍可以防止蒸鍍材料的不需要的卷包，因而在多色發(fā)光的自發(fā)光面板的制造中，被利用于對應(yīng)各種發(fā)光色分涂有機材料的成膜。
熔融法是在形成成膜層108的至少1層成膜后，通過在不低于形成此層的有機材料的玻璃化轉(zhuǎn)變點的溫度加熱，來使其熔融，并由熔融的材料包埋凸部410和421的方法。在采用熔融法的場合下，在基板101、下部電極106和成膜層108中材料熔融之前形成的層是通過熔點高于熔融材料熔點的材料形成的。
加壓蒸鍍法是在稱為LP-OVPD法(Low pressure organic vapor phasedeposition低真空蒸鍍法、)的真空度低的氛圍氣中進行蒸鍍的方法，或者是在由壓力調(diào)整氣體(N2等)使裝置內(nèi)加壓后的氛圍氣中進行蒸鍍的方法。具體而言，通常的真空蒸鍍在10-4帕～10-6帕的真空中進行蒸鍍，與之相對，加壓蒸鍍是在10-1帕～103帕的低真空狀態(tài)或者加壓狀態(tài)中利用壓力調(diào)整氣體進行蒸鍍。加壓蒸鍍法由于是低真空狀態(tài)或者加壓狀態(tài)中的蒸鍍方法，因而可以蔓延到成膜對象面的表面，可以減少成膜時瑕疵的產(chǎn)生。
厚膜厚成膜法是較厚地形成多重成膜的成膜層108中至少1層膜厚的方法。作為厚的層，例如可以是采用高分子材料的緩沖層，但不限于此。在形成緩沖層的場合下，采用涂布或旋轉(zhuǎn)涂層法在下部電極106上使緩沖層成膜，其后通過真空蒸鍍法使含有發(fā)光層的低分子有機材料成膜。此外，還有在下部電極106與發(fā)光層之間設(shè)置摻雜了電子受體的高密度載流子層和在此高密度載流子層上部的低密度載流子層，使低密度載流子層的膜厚較厚的成膜方法。作為成膜為厚膜的方法，可以使用上述斜向蒸鍍法、垂直蒸鍍法及加壓蒸鍍法等任何一種成膜方法。
作為凸部包埋處理工序，具體而言，還可以在形成下部電極106后，接著采用下部電極研磨法，通過研磨下部電極106的表面包埋凸部410和421。在本實施方式中，研磨凸部410和421直至不發(fā)生上述短路的程度，以此作為包埋。
下部電極研磨法是在形成下部電極106后研磨該下部電極106表面的方法。對由基板101上的瑕疵或下部電極106的成膜不良產(chǎn)生的凸部410，通過研磨或蝕刻(無論物理或化學(xué))，使下部電極106表面光滑化。采用下部電極研磨法，也可以研磨以異物420作為原因而產(chǎn)生的凸部421。
作為凸部包埋處理工序，還可以采用下部電極化學(xué)或物理蝕刻法來溶解除去凸部410和421，通過使下部電極106表面平滑來包埋凸部410和421。在本實施方式中，熔融除去凸部410和421直至不發(fā)生上述短路的程度，以此作為包埋。另外，下部電極化學(xué)和物理蝕刻法是通過化學(xué)法或電化學(xué)法來溶解除去蝕刻對象物的表面或外形的方法。
凹部包埋處理工序包埋在下部電極106上產(chǎn)生的凹部430。具體而言，在下部電極形成工序接下來的成膜層108形成時，通過采用斜向蒸鍍法、垂直蒸鍍法、熔融法、加壓蒸鍍法和厚膜厚成膜法的任何一種方法形成成膜層108中的至少一層，從而包埋凹部430。在本實施方式中，在形成成膜層108后，通過成膜層108包含該凹部430來形成包埋，使露出凹部430的部分不存在。
凸部包埋處理工序和凹部包埋處理工序先進行哪一道工序都可以。即，可以將上述各種包埋方法用在第1道包埋處理工序中，也可以用在第2道包埋處理工序中。但是，在依次進行第1道包埋處理工序和第2道包埋處理工序的場合中，只在第2道包埋處理工序中使用蒸鍍法。
另外，在本實施方式中，將第1道包埋處理工序和第2道包埋處理工序作為各自分開的工序來進行，但是不限于此。也可以同時進行第1道包埋處理工序和第2道包埋處理工序。然而，在這種情況中，凸部包埋處理工序和凹部包埋處理工序是采用斜向蒸鍍法、垂直蒸鍍法及加壓蒸鍍法的任意一種方法來進行的。
而且，在本實施方式中，對于下部電極106上產(chǎn)生的凸部410、421以及凹部430，雖然進行了第1道包埋處理工序和第2道包埋處理工序這二次包埋處理，但是本發(fā)明不限于此。即，在第2道包埋處理工序之后，也可以進行第3道包埋處理工序。
例如，進行了作為第1道包埋處理工序的凸部包埋處理工序之后，進行作為第2道包埋處理工序的凹部包埋處理工序，在這種場合下，在進行了第2道包埋處理工序之后，也可以進行作為第3道包埋處理工序的再次凸部包埋處理工序。此時，作為第3道包埋處理工序的凸部包埋處理工序，可以使用與進行第1道包埋處理工序的方法相同的方法，也可以使用其他方法。
例如，進行了作為第1道包埋處理工序的凹部包埋處理工序之后，進行作為第2道包埋處理工序的凸部包埋處理工序，在這種場合下，在進行了第2道包埋處理工序之后，也可以進行作為第3道包埋處理工序的再次凹部包埋處理工序。此時，作為第3道包埋處理工序的凹部包埋處理工序，可以使用與進行第1道包埋處理工序的方法相同的方法，也可以使用其他方法。
如以上所說明的，根據(jù)本實施方式的自發(fā)光面板制造方法，在基板101上形成的下部電極106的密封基材103側(cè)形成成膜層108時，通過進行凸部包埋處理工序和凹部包埋處理工序，包埋下部電極106中的凸部410、421以及凹部430，之后，形成上部電極107。
這樣，通過組合包埋凸部410、421的凸部包埋處理工序和包埋凹部430的凹部包埋處理工序，并在凸部包埋處理工序和凹部包埋處理工序中分別對下部電極106上生成的凸部410、421以及凹部430進行特殊的包埋處理，可以確實地包埋下部電極106中的凸部410、421以及凹部430。由此可防止下部電極106與上部電極107的短路。
此外，由于防止基于下部電極106與上部電極107的短路的漏電發(fā)生，就可以抑制基于下部電極106與上部電極107的短路的漏電發(fā)生而引起的次品產(chǎn)生，因而就可以抑制在制造自發(fā)光面板100中的收率低下。由此可以抑制自發(fā)光面板制造單價的增加。
例如，在分別進行凸部包埋處理工序和上述凹部包埋處理工序的場合下，采用分別適于包埋下部電極106中的凸部410、421以及凹部430的方法，能夠包埋下部電極106中的凸部410、421以及凹部430。由此，可以確實地包埋下部電極106中的凸部410、421以及凹部430。
另一方面，例如在同時進行凸部包埋處理工序和凹部包埋處理工序的場合下，凸部包埋處理工序和凹部包埋處理工序各自采用相同的方法，與分別進行凸部包埋處理工序和凹部包埋處理工序的場合相比較，可以縮短下部電極106中的凸部410、421以及凹部430的包埋操作所需要的時間，使操作簡易化。由此可以提高制造自發(fā)光面板時的工作效率。
因此，在進行了凸部包埋處理工序之后，進行凹部包埋處理工序，這樣可以確實地分別進行凸部包埋處理工序和凹部包埋處理工序。由此可以確實地包埋下部電極106中的凸部410、421以及凹部430。
例如，在進行了凹部包埋處理工序之后，通過與進行凸部包埋處理工序的方法相同的方法或者其他方法，再次進行凸部包埋處理工序，這種場合下，可以更確實地包埋凸部410和421。由此可以更確實地防止下部電極106與上部電極107的短路。
此外，通過本實施方式的自發(fā)光面板的制造方法，在凸部包埋處理工序中，采用斜向蒸鍍方法、垂直蒸鍍方法、厚膜成膜方法及加壓蒸鍍法的任何一種方法來形成成膜層中的至少一層，或者采用下部電極研磨方法包埋處理凸部；在凹部包埋處理工序中，可以采用斜向蒸鍍方法、垂直蒸鍍方法、熔融法、厚膜成膜方法及加壓蒸鍍法的任何一種方法來形成成膜層中的至少一層。
因此，采用分別適于包埋下部電極106中的凸部410、421以及凹部430的方法，可以在包埋下部電極106中的凸部410、421以及凹部430的同時，進行成膜層的形成。由此可以確實地包埋下部電極106中的凸部410、421以及凹部430且不對成膜層的形成帶來障礙。
因此，在進行了凹部包埋處理工序后，進行凸部包埋處理工序，從而可以確實地分別進行凸部包埋處理工序和凹部包埋處理工序。由此可以確實地包埋下部電極106中的凸部410、421以及凹部430。
另一方面，例如在進行了凸部包埋處理工序之后，通過與進行凹部包埋處理工序方法相同的方法或者其他方法，再次進行凹部包埋處理工序，這種場合下，可以更確實地包埋凸部410和421。由此可以更確實地防止下部電極106與上部電極107的短路。
此外，通過本實施方式的自發(fā)光面板制造方法，在凹部包埋處理工序中，采用斜向蒸鍍方法、垂直蒸鍍方法、厚膜成膜方法及加壓蒸鍍法的任何一種方法來形成成膜層中的至少一層；在凸部包埋處理工序中，可以采用斜向蒸鍍方法、垂直蒸鍍方法、熔融法、厚膜成膜方法及加壓蒸鍍法的任何一種方法來形成上述成膜層中的至少一層。
因此，采用分別適于包埋下部電極106中的凸部410、421以及凹部430的方法，可以在包埋下部電極106中的凸部410、421以及凹部430的同時，進行成膜層的形成。由此，可以確實地包埋下部電極106中的凸部410、421以及凹部430且不對成膜層的形成帶來障礙。
根據(jù)本實施方式的自發(fā)光面板制造方法，通過用不同的方法進行凸部包埋處理工序和凹部包埋處理工序，可以采用分別適于包埋下部電極106中的凸部410、421以及凹部430的方法，同時使各種方法的單獨優(yōu)勢得以發(fā)揮，可以通過更多種方法包埋下部電極106中的凸部410、421以及凹部430。由此可以更確實地包埋下部電極106中的凸部410、421以及凹部430。
進而，根據(jù)本實施方式的自發(fā)光面板的制造方法，在基板上形成的下部電極106的密封基材側(cè)形成成膜層時，通過進行第1道包埋處理工序和第2道包埋處理工序，包埋下部電極106中的凸部410、421以及凹部430，之后，形成上部電極107。
根據(jù)本實施方式的自發(fā)光面板制造方法，通過用不同的方法來進行第1道包埋處理工序和第2道包埋處理工序，可以采用分別適合包埋下部電極106中的凸部410、421以及凹部430的方法，同時使各種方法的單獨優(yōu)勢得以發(fā)揮，可以通過更多種方法來包埋下部電極106中的凸部410、421以及凹部430。由此可以更確實地包埋下部電極106中的凸部410、421以及凹部430。
此外，在第1道包埋處理工序中，通過采用斜向蒸鍍法、垂直蒸鍍法、厚膜成膜方法及加壓蒸鍍法的任何一種方法來形成上述成膜層中的至少一層，或者用下部電極研磨方法來使下部電極表面光滑，從而可以采用已確立的方法包埋下部電極106的凹部430或者凸部410、421的至少一方。由此可以使第1道包埋處理工序中的操作穩(wěn)定化并容易進行。
此外，第2道包埋處理工序通過采用斜向蒸鍍方法、垂直蒸鍍方法、熔融法、厚膜成膜方法及加壓蒸鍍法的任何一種方法來形成上述成膜層中的至少一層，從而可以采用已確立的方法至少包埋下部電極106的凹部430或者凸部410、421的中未在第1道包埋處理工序包埋的一方。由此可以使第2道包埋處理工序中的操作穩(wěn)定化并容易進行。
而且，根據(jù)本實施方式的自發(fā)光面板制造方法，通過由有機EL元件102來實現(xiàn)自發(fā)光元件，可以穩(wěn)定化有機EL元件102的發(fā)光性能，可以制造性能穩(wěn)定的自發(fā)光面板100。此外，上述各種效果不限于自發(fā)光面板100，對自發(fā)光面板200也同樣奏效。
下面，作為采用了本實施方式自發(fā)光面板制造方法的自發(fā)光面板的制造工序的具體一例，對實施例1～實施例7進行說明。在實施例1～實施例7中，只對自發(fā)光元件102的制造工序進行說明。

在本實施例1中，作為第1道包埋處理工序進行凸部包埋處理工序，其中，采用了下部電極研磨法；作為第2道包埋處理工序進行凹部包埋處理工序，其中采用了熔融法。在制造本實施例1中的自發(fā)光元件102時，首先，在作為基板101的透明玻璃基板表面上，使成為下部電極106的ITO膜形成規(guī)定的形狀。在ITO膜成膜時，采用了濺射蒸鍍。
然后，研磨ITO膜的表面，使其成為規(guī)定的厚度。在研磨ITO膜表面時，例如采用擦光、拋光、管拋光等方法。在此，作為第1道包埋處理工序，進行凸部包埋處理工序，其中采用了下部電極研磨法。在研磨ITO膜表面時，以日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(JIS)中規(guī)定的表面粗糙度定義和在說明(BO6O1)中定義的表面粗糙度的最大值(Rmax)小于等于50埃的方式，研磨ITO膜表面。然后，根據(jù)電極圖形施以模制，形成最終的下部電極106。
將形成了下部電極106的玻璃基板(基板101)用中性洗滌劑、丙酮、乙醇進行超聲波清洗，然后，從沸騰乙醇中取出，使其干燥。干燥了的玻璃基板表面用UV/O3進行清洗。
然后，在經(jīng)UV/O3清洗后的玻璃基板的下部電極106上，采用銅酞菁藍(Cu-Pc)來形成空穴注入層。在形成空穴注入層時，采用了蒸鍍法。在形成空穴注入層時，在真空蒸鍍裝置的基板支持物上固定玻璃基板，將真空蒸鍍裝置中的槽內(nèi)減壓至小于等于1×10-4Pa。然后，在空穴注入層上形成空穴輸送層。形成空穴輸送層時，采用三苯基二胺系化合物(所謂的TPD)，通過蒸鍍成膜。
在此，把形成空穴輸送層的玻璃基板整體加熱至大于等于TPD的玻璃化轉(zhuǎn)變點(Tg＝95℃)且小于等于熔點的溫度。這樣，將形成空穴輸送層的TPD熔融，并以包埋了凹部的狀態(tài)融合。在此，作為第2道包埋處理工序進行凹部包埋處理工序，其中采用了熔融法。
在本實施例1中，例如，對由玻璃化轉(zhuǎn)變點為95℃的材料形成的空穴輸送層進行了150℃左右的加熱。融合所需的加熱時間是5分鐘左右。加熱是在減壓或者真空室內(nèi)用加熱器進行加熱的。此外，加熱裝置不限于加熱器，例如也可以是鹵化物燈等。
然后，在空穴輸送層上形成發(fā)光層。發(fā)光層是通過蒸鍍?nèi)?8-羥基喹啉)鋁絡(luò)合物(Alq3)來形成的。在該發(fā)光層上形成電子注入層。電子注入層是通過蒸鍍Li2O來形成的。由此，形成了通過以上工序形成的成膜層108。在成膜層108中的電子注入層上進一步形成上部電極107。上部電極107是采用Al來形成的。形成Al的方式是使其形成沿著與下部電極106配列方向垂直的方向的圖形。
通過如本實施例1制造的自發(fā)光面板，可以防止下部電極106與上部電極107的短路。
在本實施例2中，作為第1道包埋處理工序進行凹部包埋處理工序，其中采用了加壓蒸鍍法；作為第2道包埋處理工序，進行凸部包埋處理工序，其中采用了熔融法。在本實施例2中，對于與上述實施例1相同的工序，適當(dāng)省略說明。以下相同。
在本實施例2中，在用UV/O3清洗了表面的下部電極106上形成空穴注入層，該下部電極106通過與上述實施例1同樣的方式形成，但不進行ITO膜表面的研磨。在形成空穴注入層時，采用加壓蒸鍍法蒸鍍Cu-Pc。將基板搬入到室內(nèi)壓力調(diào)整為100帕的加壓蒸鍍用成膜室中，并固定在加壓蒸鍍用成膜室內(nèi)設(shè)置的基板支持物上，以此狀態(tài)進行空穴注入層的形成。在此，作為第1道包埋處理工序進行的是凹部包埋處理工序，其中采用了加壓蒸鍍法。
然后，在空穴注入層上形成空穴輸送層?？昭ㄝ斔蛯邮怯肗-苯基-對苯二胺(PPD)形成的。將形成了空穴注入層的基板從加壓蒸鍍用成膜室移至真空成膜室，在真空成膜室中進行空穴輸送層的形成。此時，將真空成膜室內(nèi)減壓至小于等于1×10-4帕。
在此，將形成了空穴輸送層的玻璃基板整體在小于等于熔點且大于等于PPD的玻璃化轉(zhuǎn)變點(Tg＝150℃)的溫度即160℃下加熱15分鐘。由此，形成空穴輸送層的PPD發(fā)生熔融，并以包埋凸部的狀態(tài)進行融合。在此，作為第2道包埋處理工序進行凸部包埋處理工序，其中采用了熔融法。以后，與上述實施例1相同，形成發(fā)光層、電子注入層和上部電極107。
通過如本實施例2制成的自發(fā)光面板，可以防止下部電極106與上部電極107的短路。
在本實施例3中，作為第1道包埋處理工序進行凸部包埋處理工序，其中采用了斜向蒸鍍法；作為第2道包埋處理工序進行凹部包埋處理工序，其中采用了垂直蒸鍍法。在本實施例3中，在采用與上述實施例2相同的方式形成的下部電極106上形成空穴注入層時，采用斜向蒸鍍法蒸鍍Cu-Pc?？昭ㄗ⑷雽拥男纬墒窃谑覂?nèi)壓力減壓至小于等于1×10-4帕的真空成膜室中進行的。在此，作為第1道包埋處理工序進行的是凸部包埋處理工序，其中采用了斜向蒸鍍法。
然后，采用垂直蒸鍍法使用TPD在空穴注入層上形成空穴輸送層。在此，作為第2道包埋處理工序進行的是凹部包埋處理工序，其中采用了垂直蒸鍍法。以后，與上述實施例1相同，形成發(fā)光層、電子注入層和上部電極107。
通過如本實施例3制成的自發(fā)光面板，可以防止下部電極106與上部電極107的短路。
在本實施例4中，作為第1道包埋處理工序進行凹部包埋處理工序，其中采用了厚膜成膜；作為第2道包埋處理工序進行凸部包埋處理工序，其中采用了斜向蒸鍍法。在本實施例4中，在采用與上述實施例2相同的方式形成的下部電極106上，形成緩沖層。形成緩沖層時，將溶解于有機溶劑中并摻雜了酸的聚苯胺衍生物(PEDOT(聚亞乙基二氧噻吩))的涂布液進行旋轉(zhuǎn)涂布。然后，通過擦除來除去附著于玻璃基板顯示部分以外的端子部分的涂布液，其后，用電熱板加熱該玻璃基板，通過使溶劑揮發(fā)來形成聚苯胺膜(緩沖層)。在此，作為第1道包埋處理工序進行的是凹部包埋處理工序，其中采用了厚膜成膜。
然后，在緩沖層上形成空穴輸送層。在形成空穴輸送層時，采用斜向蒸鍍法。在斜向蒸鍍時，將形成了緩沖層的玻璃基板搬送到減壓至小于等于1×10-4帕的真空成膜室中，并把該玻璃基板安裝在基板支持物上，以該狀態(tài)進行蒸鍍。
然后，采用垂直蒸鍍法使用TPD在空穴注入層上形成空穴輸送層。在此，作為第2道包埋處理工序進行的是凹部包埋處理工序，其中采用了垂直蒸鍍法。以后，與上述實施例1相同地形成發(fā)光層、電子注入層和上部電極107。
通過如本實施例4制成的自發(fā)光面板，可以防止下部電極106與上部電極107的短路。
在本實施例5中，作為第1道包埋處理工序，進行凹部包埋處理工序，其中采用了厚膜成膜；作為第2道包埋處理工序，進行凸部包埋處理工序，其中采用了熔融法。在本實施例5中，在采用與上述實施例4相同的方式形成的聚苯胺膜(緩沖層)上形成電子輸送層。空穴輸送層是采用蒸鍍法使用TPD形成的。在蒸鍍時，將玻璃基板搬送到減壓至小于等于1×10-4帕的真空成膜室中，并將該玻璃基板安裝在基板支持物上，以該狀態(tài)進行蒸鍍。在此，進行了作為第1道包埋處理工序的采用厚膜成膜的凹部包埋處理工序。
然后，與實施例1相同，加熱形成了緩沖膜的玻璃基板整體。在此，作為第2道包埋處理工序進行凸部包埋處理工序，其中采用了熔融法。以后，與上述實施例1相同地形成發(fā)光層、電子注入層和上部電極107。
通過如本實施例5制成的自發(fā)光面板，可以防止下部電極106與上部電極107的短路。
在本實施例6中，作為第1道包埋處理工序進行凸部包埋處理工序，其中采用了下部電極研磨法；作為第2道包埋處理工序進行凹部包埋處理工序，其中采用了厚膜成膜。在本實施例6中，與上述實施例1相同，研磨ITO膜表面。在此，作為第1道包埋處理工序進行凸部包埋處理工序，其中采用了下部電極研磨法。
然后，在采用與上述相同的方式形成的空穴注入層上，形成高密度載流子層。在形成高密度載流子層時，將作為電子受容性物質(zhì)的F4-TCNQ摻雜到α-NPD中進行蒸鍍。然后，采用蒸鍍法，只蒸鍍α-NPD，形成低密度載流子層(緩沖膜層)。低密度載流子層(緩沖膜層)形成比空穴輸送層的厚度還厚的膜層。以后，與上述實施例1相同地形成發(fā)光層、電子注入層和上部電極107。
通過如本實施例6制成的自發(fā)光面板，可以防止下部電極106與上部電極107的短路。
在本實施例7中，作為第1道包埋處理工序進行凸部包埋處理工序，其中采用了加壓蒸鍍法；作為第2道包埋處理工序進行凹部包埋處理工序，其中采用了厚膜成膜(也稱為緩沖膜法)。在本實施例7中，與上述實施例2相同，在形成下部電極106后表面經(jīng)UV/O3清洗了的玻璃基板上形成空穴注入層。在形成空穴注入層時，采用加壓蒸鍍法蒸鍍Cu-Pc。在形成空穴注入層時，將加壓蒸鍍用成膜室調(diào)整壓力至100帕，并將玻璃基板固定在加壓蒸鍍用成膜室的基板支持物上。在此，作為第1道包埋處理工序進行的是凸部包埋處理工序，其中采用了加壓蒸鍍法。
然后，在與上述相同地形成的空穴注入層上，形成高密度載流子層。在形成高密度載流子層時，將作為電子受容性物質(zhì)的F4-TCNQ摻雜到α-NPD中，并進行蒸鍍。然后，采用蒸鍍法，只蒸鍍α-NPD，從而形成低密度載流子層(緩沖膜層)。低密度載流子層(緩沖膜層)形成比空穴輸送層的厚度還厚的膜層。在此，作為第2道包埋處理工序進行凹部包埋處理工序，其中采用了厚膜成膜。以后，與上述實施例1相同地形成發(fā)光層、電子注入層和上部電極107。
通過如本實施例7制成的自發(fā)光面板，可以防止下部電極106與上部電極107的短路。
權(quán)利要求
1.一種自發(fā)光面板的制造方法，其是一種在基板上設(shè)有自發(fā)光元件的自發(fā)光面板的制造方法，所述自發(fā)光元件在下部電極與上部電極之間設(shè)置有含發(fā)光層的成膜層，其特征在于，含有如下工序下部電極形成工序，在所述基板上形成所述下部電極；成膜層形成工序，在通過所述下部電極形成工序形成的下部電極的上部形成成膜層；凸部包埋處理工序，在所述成膜層形成工序中包埋處理因所述下部電極形成工序形成的下部電極中的凸部；凹部包埋處理工序，在所述成膜層形成工序中包埋處理因所述下部電極形成工序形成的下部電極中的凹部；上部電極形成工序，在通過所述成膜層形成工序形成的成膜層的上部形成上部電極。
2.如權(quán)利要求1所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，分別進行所述凸部包埋處理工序和所述凹部包埋處理工序。
3.如權(quán)利要求1所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，同時進行所述凸部包埋處理工序和所述凹部包埋處理工序。
4.如權(quán)利要求1或2所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，在進行了所述凸部包埋處理工序之后，進行所述凹部包埋處理工序。
5.如權(quán)利要求4所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，在進行了所述凹部包埋處理工序之后，通過與進行所述凸部包埋處理工序的方法相同的方法或者不同的方法，再次進行凸部包埋處理工序。
6.如權(quán)利要求4所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述凸部包埋處理工序采用斜向蒸鍍方法、垂直蒸鍍方法、厚膜成膜方法、加壓蒸鍍法的任何一種方法形成所述成膜層中的至少一層，或者用下部電極研磨方法使下部電極的表面平滑；所述凹部包埋處理工序采用斜向蒸鍍方法、垂直蒸鍍方法、熔融法、厚膜成膜方法、加壓蒸鍍法的任何一種方法形成所述成膜層中的至少一層。
7.如權(quán)利要求1所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，在進行了所述凹部包埋處理工序之后，進行所述凸部包埋處理工序。
8.如權(quán)利要求7所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，在進行了所述凸部包埋處理工序之后，通過與進行所述凹部包埋處理工序的方法相同的方法或者不同的方法，再次進行凹部包埋處理工序。
9.如權(quán)利要求7或8所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述凹部包埋處理工序采用斜向蒸鍍方法、垂直蒸鍍方法、厚膜成膜方法、加壓蒸鍍法的任何一種方法形成所述成膜層中的至少一層，或者用下部電極研磨方法使下部電極的表面平滑；所述凸部包埋處理工序采用斜向蒸鍍方法、垂直蒸鍍方法、熔融法、厚膜成膜方法、加壓蒸鍍法的任何一種方法形成所述成膜層中的至少一層。
10.如權(quán)利要求1所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，用不同的方法進行所述凸部包埋處理工序和所述凸部包埋處理工序。
11.一種自發(fā)光面板的制造方法，其是一種在基板上設(shè)有自發(fā)光元件的自發(fā)光面板的制造方法，所述自發(fā)光元件在下部電極與上部電極之間設(shè)置有含發(fā)光層的成膜層，其特征在于，含有如下工序下部電極形成工序，在所述基板上形成所述下部電極；成膜層形成工序，在通過所述下部電極形成工序形成的下部電極的上部形成成膜層；第1道包埋處理工序，在所述成膜層形成工序中包埋因所述下部電極形成工序形成的下部電極中的凹部或凸部的至少一方；第2道包埋處理工序，在所述成膜層形成工序中對通過所述第1道包埋處理工序包埋了凹部或凸部的至少一方的下部電極，包埋該下部電極中的凹部或凸部的至少未被包埋的一方；上部電極形成工序，在通過所述成膜層形成工序形成的成膜層的上部形成上部電極。
12.如權(quán)利要求11所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，用不同的方法進行所述第1道包埋處理工序和所述第2道包埋處理工序。
13.如權(quán)利要求11或12所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述第1道包埋處理工序采用斜向蒸鍍方法、垂直蒸鍍方法、厚膜成膜方法、加壓蒸鍍法的任何一種方法形成所述成膜層中的至少一層，或者用下部電極研磨方法使下部電極的表面平滑。
14.如權(quán)利要求11或12所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述第2道包埋處理工序采用斜向蒸鍍方法、垂直蒸鍍方法、熔融法、厚膜成膜方法、加壓蒸鍍法的任何一種方法形成所述成膜層中的至少一層。
15.如權(quán)利要求1或11所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述自發(fā)光元件為有機EL元件。
全文摘要
本發(fā)明的課題是防止自發(fā)光面板所具備的自發(fā)光元件中的下部電極與上部電極短路。自發(fā)光面板(100)在基板(101)與密封基材(103)之間密封有自發(fā)光元件(102)，該自發(fā)光元件(102)在下部電極(106)與上部電極(107)之間設(shè)置了含發(fā)光層的成膜層(108)，在這樣的自發(fā)光面板(100)的制造方法中，在下部電極(106)的密封基材(103)側(cè)形成成膜層(108)的成膜層形成工序中，進行包埋處理下部電極(106)中的凸部的凸部包埋處理工序和包埋處理下部電極(106)中的凹部的凹部包埋處理工序，之后，在成膜層(108)的密封基材(103)側(cè)上形成上部電極(107)。由此可以防止下部電極(106)與上部電極(107)的短路。
文檔編號H05B33/10GK1828977SQ20061005839
公開日2006年9月6日 申請日期2006年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月4日
發(fā)明者尾越國三 申請人:東北先鋒公司