專利名稱：配線電路基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及配線電路基板及其制造方法，具體涉及帶電路的懸掛基板等配線電路基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
以往，已知在由不銹鋼形成的金屬支持基板上依次形成由樹脂形成的絕緣層、由銅形成的導(dǎo)體布圖的帶電路的懸掛基板。
這樣的帶電路的懸掛基板中，金屬支持基板以不銹鋼形成，所以導(dǎo)體布圖中傳輸損失大。
因此，為了使傳輸損失降低，提出了在由不銹鋼形成的懸掛基板上形成由銅或以銅為主要成分的銅合金形成的下部導(dǎo)體，在該下部導(dǎo)體上依次形成絕緣層、記錄側(cè)導(dǎo)體和再生側(cè)導(dǎo)體的技術(shù)方案(例如，參看日本專利特開2005-11387號公報(bào))。
但是，上述技術(shù)方案中，由于在下部導(dǎo)體上直接形成絕緣層，因而在電流和電壓的存在下，伴隨絕緣層的吸濕或水的吸附，產(chǎn)生下部導(dǎo)體的銅或以銅為主要成分的銅合金遷移到絕緣層的表面或內(nèi)部的離子遷移現(xiàn)象。因此，會引起下部導(dǎo)體與絕緣層的粘合性的不良或記錄側(cè)導(dǎo)體與再生側(cè)導(dǎo)體的導(dǎo)電性的不良。
此外，通過感光性樹脂的曝光和顯影作為布圖形成于下部導(dǎo)體上形成的絕緣層時(shí)，必須將曝光掩模準(zhǔn)確地設(shè)置在下部導(dǎo)體上方，必須在懸掛基板上設(shè)置用于該目的的定位標(biāo)記。
然而，定位標(biāo)記在光學(xué)上進(jìn)行檢出，所以為了準(zhǔn)確地檢出定位標(biāo)記，在定位標(biāo)記的表面與定位標(biāo)記周圍的表面之間需要光學(xué)上可識別的對比。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供通過簡單的層結(jié)構(gòu)，可以高精度地形成絕緣層并減低傳輸損失，同時(shí)防止在接地層及定位標(biāo)記層與絕緣層之間產(chǎn)生的離子遷移現(xiàn)象的發(fā)生，使接地層及定位標(biāo)記層與絕緣層的粘合性和導(dǎo)體的導(dǎo)電性提高，長期可靠性良好的配線電路基板及其制造方法。
本發(fā)明的配線電路基板的特征在于，具備金屬支持基板、形成于前述金屬支持基板上的第1金屬薄膜、形成于前述第1金屬薄膜上的接地層及定位標(biāo)記層、形成于前述接地層及前述定位標(biāo)記層上的第2金屬薄膜、形成于前述第2金屬薄膜上的絕緣層以及形成于前述絕緣層上的導(dǎo)體布圖。
此外，本發(fā)明的配線電路基板中，較好是前述接地層及前述定位標(biāo)記層由銅形成，前述第2金屬薄膜由鎳形成。
此外，本發(fā)明的配線電路基板的制造方法的特征在于，包括準(zhǔn)備金屬支持基板的工序、在前述金屬支持基板上形成第1金屬薄膜的工序、在前述第1金屬薄膜上以布圖形成抗蝕膜的工序、在從前述抗蝕膜暴露出來的前述第1金屬薄膜上形成接地層及定位標(biāo)記層的工序、在前述接地層及前述定位標(biāo)記層上形成第2金屬薄膜后除去前述抗蝕膜的工序、在前述第2金屬薄膜上形成絕緣層的工序以及在前述絕緣層上形成導(dǎo)體布圖的工序。
此外，本發(fā)明的配線電路基板的制造方法中，較好是前述接地層及前述定位標(biāo)記層由銅形成，前述第2金屬薄膜由鎳形成。
采用本發(fā)明的配線電路基板，通過簡單的層結(jié)構(gòu)，可以高精度地形成絕緣層并減低傳輸損失，同時(shí)在接地層及定位標(biāo)記層與絕緣層之間形成有第2金屬薄膜，所以通過簡單的層結(jié)構(gòu)，可以防止在接地層及定位標(biāo)記層與絕緣層之間產(chǎn)生的離子遷移現(xiàn)象的發(fā)生，可以充分實(shí)現(xiàn)接地層及定位標(biāo)記層與絕緣層的粘合性和導(dǎo)體的導(dǎo)電性，確保良好的長期可靠性。
此外，采用本發(fā)明的配線電路基板的制造方法，可以在第1金屬薄膜上與接地層同時(shí)形成定位標(biāo)記層。此外，在接地層及定位標(biāo)記層上形成第2金屬薄膜后，除去抗蝕膜，所以形成絕緣層的工序中，接地層及定位標(biāo)記層上形成第2金屬薄膜，而除此之外的其它部分暴露出第1金屬薄膜。因此，可以在形成于定位標(biāo)記層上的第2金屬薄膜與暴露于其周圍的第1金屬薄膜之間，可靠地產(chǎn)生光學(xué)上可識別的對比。其結(jié)果，形成絕緣層的工序中，可以準(zhǔn)確地檢出定位標(biāo)記，高精度地形成絕緣層。


圖1為本發(fā)明的配線電路基板的一種實(shí)施方式的主要部分截面圖。
圖2為本發(fā)明的配線電路基板的另一實(shí)施方式的主要部分截面圖。
圖3為圖1所示的配線電路基板的制造方法的制造工序圖，(a)表示在金屬支持基板上通過濺射或電鍍形成第1金屬薄膜的工序，(b)表示以與接地層及定位標(biāo)記層的布圖都相反的布圖形成抗蝕膜的工序，(c)表示在從抗蝕膜暴露出來的第1金屬薄膜上通過電鍍形成接地層及定位標(biāo)記層的工序，(d)表示在從抗蝕膜暴露出來的接地層及定位標(biāo)記層上通過無電解鍍形成第2金屬薄膜的工序，(e)表示除去抗蝕膜的工序，(f)表示在第2金屬薄膜上形成基底絕緣層的工序，(g)表示在基底絕緣層上形成導(dǎo)體布圖的工序，(h)表示在基底絕緣層上形成被覆絕緣層以被覆導(dǎo)體布圖的工序。
圖4為圖3所示的在第2金屬薄膜上形成基底絕緣層的工序的具體工序圖，(a)表示在第2金屬薄膜的整面形成感光性聚酰亞胺樹脂的前體的被膜的工序，(b)表示光學(xué)上檢出定位標(biāo)記層、在被膜的上方設(shè)置曝光掩模、從而隔著曝光掩模將被膜曝光的工序，(c)表示將被膜顯影的工序，(d)表示使被膜固化、形成由聚酰亞胺樹脂形成的基底絕緣層的工序。
具體實(shí)施例方式
圖1為本發(fā)明的配線電路基板的一種實(shí)施方式的主要部分截面圖。
圖1中，該配線電路基板1為搭載于硬盤驅(qū)動器上的帶電路的懸掛基板，在沿長邊方向伸展的金屬支持基板2上形成有第1金屬薄膜3，在該第1金屬薄膜3上形成有接地層4及定位標(biāo)記層5，該接地層4及定位標(biāo)記層5上形成有第2金屬薄膜6，該第2金屬薄膜6上形成有基底絕緣層7，在該基底絕緣層7上形成有導(dǎo)體布圖8，還根據(jù)需要在導(dǎo)體布圖8上形成有被覆絕緣層9。
金屬支持基板2由平板狀的金屬箔或金屬薄板構(gòu)成。作為形成金屬支持基板2的金屬，可以使用例如不銹鋼、42合金等，較好是使用不銹鋼。此外，其厚度為例如15～30μm，較好是20～25μm。
此外，第1金屬薄膜3在金屬支持基板2的表面(上表面)以布圖形成，使其至少與形成有接地層4及定位標(biāo)記層5的部分相對。作為形成第1金屬薄膜3的金屬，可以使用鉻、金、銀、鉑、鎳、鈦、硅、錳、鋯及它們的合金或它們的氧化物等。此外，其厚度為例如0.01～1μm，較好是0.1～1μm。
此外，考慮到金屬支持基板2與接地層4及定位標(biāo)記層5的粘合性，第1金屬薄膜3可以形成多層，例如在金屬支持基板2的表面形成由與金屬支持基板2粘合力高的金屬形成的第1個第1金屬薄膜3后，在該第1個第1金屬薄膜3的表面層疊由與接地層4及定位標(biāo)記層5的粘合力都高的金屬形成的第2個金屬薄膜3等。
最表面的第1金屬薄膜3由與后面詳述的第2金屬薄膜6不同的金屬形成，該金屬較好是使用銅。
此外，接地層4在第1金屬薄膜3的表面(上表面)以布圖形成，使其至少與形成有導(dǎo)體布圖8的部分相對。作為形成接地層4的金屬，較好是使用銅。此外，其厚度為例如0.5～5μm，較好是2～5μm。
此外，定位標(biāo)記層5在第1金屬薄膜3的表面(上表面)于形成接地層4的部分以外的任意部分、例如與接地層4相對的配線電路基板1寬度方向(與長邊方向垂直的方向)的一側(cè)端部以布圖形成。作為形成定位標(biāo)記層5的金屬，較好是使用銅。此外，其厚度為例如0.5～7μm，較好是2～5μm。此外，其形狀沒有特別限定，例如為俯視橢圓的形狀，其大小為例如100～1000μm，較好是200～700μm。
此外，第2金屬薄膜6在接地層4及定位標(biāo)記層5的表面(上表面)形成，被覆接地層4及定位標(biāo)記層5的上表面。作為形成第2金屬薄膜6的金屬，可以例舉上述作為形成第1金屬薄膜3的金屬示例的同樣的金屬，但使用與第1金屬薄膜3不同的金屬，較好是使用鎳。此外，其厚度為例如3μm以下、較好是0.5μm以下，通常在0.1μm以上。
此外，基底絕緣層7在第2金屬薄膜6的上方，更具體地，在第1金屬薄膜3的表面形成，使其被覆第2金屬薄膜6的表面(上表面和側(cè)面)、接地層4及定位標(biāo)記層5的側(cè)面。作為形成基底絕緣層7的絕緣體，在通常用作配線電路基板的絕緣體的例如聚酰亞胺、聚醚腈、聚醚砜、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯等合成樹脂中，使用感光性的合成樹脂，較好是使用感光性聚酰亞胺。此外，其厚度為例如5～15μm，較好是8～10μm。
此外，導(dǎo)體布圖8在基底絕緣層7的表面形成，呈由相互間隔、沿長邊方向平行配置的多條(例如4條)配線構(gòu)成的配線電路布圖。作為形成導(dǎo)體布圖8的導(dǎo)體，可以使用通常用作配線電路基板的導(dǎo)體的例如銅、鎳、金、焊錫或它們的合金等金屬。其中，較好是使用銅。此外，其厚度為例如5～20μm、較好是7～15μm，各配線的寬度為例如10～100μm、較好是20～50μm，各配線間的間隔為例如10～100μm、較好是20～50μm。
此外，被覆絕緣層9在基底絕緣層7的表面形成，被覆導(dǎo)體布圖8。作為形成被覆絕緣層9的絕緣體，可以使用與上述的基底絕緣層7同樣的絕緣體。此外，其厚度為例如3～15μm，較好是4～5μm。
圖1所示的配線電路基板1可以通過例如圖3和圖4所示的方法制造。
即，首先，如圖3(a)所示，準(zhǔn)備金屬支持基板2，在該金屬支持基板2的整個表面上通過濺射或電鍍形成第1金屬薄膜3。
接著，如圖3(b)所示，以與接地層4及定位標(biāo)記層5的布圖都相反的布圖形成抗蝕膜10。抗蝕膜10的形成可以使用例如采用干膜抗蝕劑進(jìn)行曝光和顯影的公知的方法。
接著，如圖3(c)所示，將抗蝕膜10作為抗鍍膜，通過電鍍、較好是電鍍銅，在從抗蝕膜10暴露出來的第1金屬薄膜3的整個表面上同時(shí)形成接地層4及定位標(biāo)記層5。
然后，如圖3(d)所示，在從抗蝕膜10暴露出來的接地層4及定位標(biāo)記層5的表面(上表面)上，通過無電解鍍、較好是無電解鍍鎳，形成第2金屬薄膜6。
接著，如圖3(e)所示，通過例如化學(xué)蝕刻(濕法蝕刻)等公知的蝕刻法或剝離，除去抗蝕膜10。由此，在接地層4及定位標(biāo)記層5的上表面形成第2金屬薄膜6，而在除此以外的金屬支持基板2的上表面暴露出第1金屬薄膜3。
然后，如圖3(f)所示，在第1金屬薄膜3的整個表面形成基底絕緣層7，使其被覆第2金屬薄膜6的表面、接地層4及定位標(biāo)記層5的側(cè)面。
更具體地，例如使用感光性聚酰亞胺樹脂以布圖形成基底絕緣層7的情況下，首先，如圖4(a)所示，將感光性聚酰亞胺樹脂的前體(感光性聚酰胺酸樹脂)的溶液涂布在第1金屬薄膜3的整個表面，使其被覆第2金屬薄膜6的表面、接地層4及定位標(biāo)記層5的側(cè)面，然后在例如60～150℃、較好是80～120℃下進(jìn)行加熱，形成感光性聚酰亞胺樹脂的前體的被膜12。
接著，如圖4(b)所示，通過光學(xué)傳感器檢出定位標(biāo)記層5，以該定位標(biāo)記為基準(zhǔn)，在被膜12的上方設(shè)置曝光掩模13，隔著曝光掩模13將被膜12曝光。曝光掩模13以布圖具有遮光部分13a和全透光部分13b。
以負(fù)型形成布圖的情況下，將曝光掩模13與被膜12相對配置，使遮光部分13a與第1金屬薄膜3中不形成基底絕緣層7的部分相對，全透光部分13b與第1金屬薄膜3中形成基底絕緣層7的部分相對。
此外，隔著曝光掩模13照射的光(照射光線)，其曝光波長為例如300～450nm、較好是350～420nm，其曝光累積光量為例如100～2000mJ/cm2。
接著，如圖4(c)所示，將曝光了的被膜12根據(jù)需要加熱至規(guī)定溫度后顯影。被照射的被膜12的曝光部分通過以例如150℃～200℃的溫度加熱，在接著的顯影中不溶化(負(fù)型)。
此外，顯影例如可以采用堿性顯影液等公知的顯影液，使用浸漬法或噴霧法等公知的方法。該方法中，較好是以負(fù)型形成布圖，圖4中以負(fù)型形成布圖。
通過該顯影，被膜12中，與曝光掩模13的遮光部分13a相對的周緣部溶解，形成暴露出第1金屬薄膜3的周緣部的布圖。
然后，如圖4(d)所示，通過例如最終加熱至250℃以上，使形成了布圖的被膜固化(酰亞胺化)。由此，以暴露出第1金屬薄膜3的周緣部的布圖形成由聚酰亞胺樹脂形成的基底絕緣層7。
接著，如圖3(g)所示，通過加成法(additive method)或減成法(subtractive method)等公知的布圖形成方法，以上述的配線電路布圖形成導(dǎo)體布圖8。
例如，通過加成法進(jìn)行布圖形成的情況下，首先在基底絕緣層7的整個表面通過例如真空成膜法或?yàn)R射法等形成作為基底的導(dǎo)體薄膜，在該導(dǎo)體薄膜的表面使用干膜抗蝕劑等進(jìn)行曝光和顯影，形成與配線電路布圖相反的布圖的抗鍍膜。接著，通過鍍覆，在從抗鍍膜暴露出來的導(dǎo)體薄膜的表面以配線電路布圖形成導(dǎo)體布圖8，通過蝕刻等將抗鍍膜和形成有抗鍍膜的部分的導(dǎo)體薄膜除去。鍍覆可以是電鍍或無電解鍍，較好是使用電鍍，其中較好是使用電鍍銅。
此外，例如通過減成法進(jìn)行布圖形成的情況下，首先在基底絕緣層7的整個表面形成導(dǎo)體層。形成導(dǎo)體層的方法沒有特別限定，例如在基底絕緣層7的整個表面通過公知的粘接劑層粘附導(dǎo)體層。接著，在該導(dǎo)體層的表面使用干膜抗蝕劑等進(jìn)行曝光和顯影，形成與配線電路布圖相同的布圖的抗蝕膜。然后，對從抗蝕膜暴露出來的導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻(濕法蝕刻)后，除去抗蝕膜。
接著，如圖3(h)所示，被覆導(dǎo)體布圖8地，在基底絕緣層7的表面上例如均一地涂布上述的合成樹脂的溶液后，進(jìn)行干燥，接著根據(jù)需要通過加熱使其固化，形成由合成樹脂形成的被覆絕緣層9，由此得到配線電路基板1。
被覆絕緣層9也可以通過對感光性合成樹脂進(jìn)行曝光和顯影以布圖形成。另外，被覆絕緣層9的形成并不特定于上述的方法，例如可以預(yù)先將合成樹脂形成為膜，將該膜通過公知的粘接劑層粘附到基底絕緣層7的表面，使其被覆導(dǎo)體布圖8。
雖然未圖示，但按暴露出作為導(dǎo)體布圖8的端子部的部分的要求，形成被覆絕緣層9。為了使作為導(dǎo)體布圖8的端子部的部分暴露，可以使用上述的感光性合成樹脂形成布圖，或者通過激光或沖孔進(jìn)行穿孔加工。
此外，雖然未圖示，但圖1所示的配線電路基板1也可以通過例如如下所示的方法進(jìn)行制造。
在上述圖3(c)的工序后，通過例如化學(xué)蝕刻(濕法蝕刻)等公知的蝕刻法或剝離，將抗蝕膜10除去。
接著，在第1金屬薄膜3的表面形成第2金屬薄膜6，使其被覆接地層4及定位標(biāo)記層5的整個表面(上表面和側(cè)面)。
然后，在形成于接地層4及定位標(biāo)記層5的上表面的第2金屬薄膜6的表面(上表面)形成抗蝕膜后，通過蝕刻除去形成于第1金屬薄膜3的表面、接地層4及定位標(biāo)記層5的側(cè)面的第2金屬薄膜6。
接著，通過例如化學(xué)蝕刻(濕法蝕刻)等公知的蝕刻法或剝離，將抗蝕膜除去。
然后，通過與圖3(f)～(h)的工序相同的方法獲得配線電路基板1。
圖1所示的配線電路基板1也可以通過上述未圖示的方法進(jìn)行制造，但如果采用圖3所示的方法，不需要形成和除去抗蝕膜的工序，可以減少制造工序數(shù)。
圖2為本發(fā)明的配線電路基板的另一實(shí)施方式的主要部分截面圖。
圖2所示的配線電路基板1中，除去了圖1所示的配線電路基板1中金屬支持基板2的表面上的從接地層4及定位標(biāo)記層5暴露出來的第1金屬薄膜3。
圖2所示的配線電路基板1中，為了除去金屬支持基板2的表面上的從接地層4及定位標(biāo)記層5暴露出來的第1金屬薄膜3，在圖3(e)的工序中，通過例如化學(xué)蝕刻(濕法蝕刻)等公知的蝕刻法或剝離，將形成有抗蝕膜10的部分的第1金屬薄膜3與抗蝕膜10一起除去。
圖2所示的配線電路基板1中，第1金屬薄膜3和第2金屬薄膜6由互不相同的金屬形成。
這樣得到的配線電路基板1中，如圖1和圖2所示，在金屬支持基板2上隔著第1金屬薄膜3層疊有接地層4。因此，僅有金屬支持基板2時(shí)，相對于金屬支持基板2的導(dǎo)體布圖8的傳輸損失大，而這樣通過使接地層4介于金屬支持基板2與導(dǎo)體布圖8之間，可以減少導(dǎo)體布圖8的傳輸損失。
而且，在這樣得到的配線電路基板1中，如圖1和圖2所示，在接地層4及定位標(biāo)記層5上隔著第2金屬薄膜6層疊基底絕緣層7。因此，雖然在接地層4及定位標(biāo)記層5上直接層疊基底絕緣層7時(shí)，在接地層4及定位標(biāo)記層5與基底絕緣層7之間產(chǎn)生離子遷移現(xiàn)象，但這樣通過使第2金屬薄膜6介于接地層4及定位標(biāo)記層5與基底絕緣層7之間，第2金屬薄膜6成為阻隔層，可以防止離子遷移現(xiàn)象的發(fā)生。
此外，通過使第2金屬薄膜6介于接地層4及定位標(biāo)記層5與基底絕緣層7之間，由簡單的層結(jié)構(gòu)，可以充分實(shí)現(xiàn)接地層4及定位標(biāo)記層5與基底絕緣層7的粘合性和導(dǎo)體布圖8的導(dǎo)電性，確保良好的長期可靠性。特別是如果由銅形成接地層4及定位標(biāo)記層5，由鎳形成第2金屬薄膜6，可以進(jìn)一步提高接地層4及定位標(biāo)記層5與基底絕緣層7的粘合性和導(dǎo)體布圖8的導(dǎo)電性。
此外，使用感光性樹脂以布圖在第1金屬薄膜3上形成基底絕緣層7時(shí)，如果在第1金屬薄膜3的整面形成第2金屬薄膜6，使其被覆接地層4及定位標(biāo)記層5的整個表面，則定位標(biāo)記層5的表面與其周圍的表面由同樣的第2金屬薄膜6形成，所以在它們之間難以獲得光學(xué)上可識別的對比。
但是，如果采用上述的配線電路基板1的制造方法，在使抗蝕膜10殘存于第1金屬薄膜3上的狀態(tài)下，僅在接地層4及定位標(biāo)記層5的上表面形成第2金屬薄膜6后，除去抗蝕膜10，所以形成于定位標(biāo)記層5的上表面的第2金屬薄膜6與暴露于其周圍的第1金屬薄膜3之間可以獲得光學(xué)上可識別的對比。因此，通過光學(xué)傳感器可以準(zhǔn)確地檢出定位標(biāo)記層5，可以高精度地形成基底絕緣層7。
此外，像圖2所示的配線電路基板1那樣，在除去抗蝕膜10的同時(shí)除去形成有抗蝕膜10的部分的第1金屬薄膜3的情況下，形成于定位標(biāo)記層5的上表面的第2金屬薄膜6與暴露于其周圍的金屬支持基板2之間也可以獲得光學(xué)上可識別的對比。因此，通過光學(xué)傳感器可以準(zhǔn)確地檢出定位標(biāo)記層5，可以高精度地形成基底絕緣層7。
配線電路基板1中，為了調(diào)整特性阻抗，如圖1和圖2所示，也可以根據(jù)需要通過蝕刻金屬支持基板2，以所希望的形狀進(jìn)行切割，形成開口部11。
這樣通過蝕刻在金屬支持基板2上形成開口部11的情況下，以往的配線電路基板中，由于在金屬支持基板2上直接層疊有接地層4及定位標(biāo)記層5，因此接地層4及定位標(biāo)記層5也被蝕刻。
但是，該配線電路基板1中，在金屬支持基板2上層疊第1金屬薄膜3，在該第1金屬薄膜3上層疊接地層4及定位標(biāo)記層5，因此通過蝕刻在金屬支持基板2上形成開口部11的情況下，第1金屬薄膜3成為阻隔層，可以防止接地層4及定位標(biāo)記層5被蝕刻。
實(shí)施例以下，例舉實(shí)施例和比較例，進(jìn)一步對本發(fā)明具體說明，但本發(fā)明并不局限于任何實(shí)施例和比較例。
實(shí)施例1在厚25μm的由不銹鋼形成的金屬支持基板上，作為第1金屬薄膜，通過濺射依次形成厚0.03μm的鉻薄膜和厚0.07μm的銅薄膜(參看圖3(a))。接著，使用干膜抗蝕劑形成與接地層及定位標(biāo)記層都相反的布圖的抗鍍膜(參看圖3(b))。接著，在從抗鍍膜暴露出來的第1金屬薄膜的整個表面上，作為接地層及定位標(biāo)記層，通過電鍍銅形成厚4.0μm的銅箔(參看圖3(c))。接著，在從抗鍍膜暴露出來的接地層及定位標(biāo)記層的表面，作為第2金屬薄膜，通過無電解鍍形成厚0.1μm的鎳薄膜(參看圖3(d))。
接著，將抗鍍膜通過化學(xué)蝕刻除去后(參看圖3(e))，在第1金屬薄膜的表面涂布感光性聚酰胺酸樹脂的清漆(參看圖4(a))，然后通過光學(xué)傳感器檢出定位標(biāo)記層5，以定位標(biāo)記為基準(zhǔn)，在涂布的清漆上方設(shè)置曝光掩模，隔著曝光掩模進(jìn)行曝光(參看圖4(b))，然后顯影(參看圖4(c))，再通過加熱固化，以布圖形成厚10μm的由聚酰亞胺樹脂形成的基底絕緣層，使其被覆第2金屬薄膜的表面、接地層及定位標(biāo)記層的側(cè)面(參看圖4(d)和圖3(f))。
接著，在該基底絕緣層的表面，通過加成法以配線電路布圖形成厚10μm的由銅形成的導(dǎo)體布圖(參看圖3(g))。然后，涂布感光性聚酰胺酸樹脂的清漆，覆蓋導(dǎo)體布圖后，進(jìn)行曝光和顯影，再通過加熱固化，在基底絕緣層上以布圖形成厚5μm的由聚酰亞胺樹脂形成的被覆絕緣層，使其被覆導(dǎo)體布圖的整個表面(除了端子部)(參看圖3(h))。然后，對端子部進(jìn)行鍍金，通過蝕刻將金屬支持基板切割成所希望的形狀，得到帶電路的懸掛基板。
評價(jià)(離子遷移現(xiàn)象的評價(jià))將實(shí)施例1中得到的帶電路的懸掛基板在溫度85℃、濕度85％、電壓6V的條件下使用1000小時(shí)后，通過電阻值確認(rèn)是否存在作為接地層及定位標(biāo)記層的銅遷移到作為基底絕緣層的聚酰亞胺樹脂的表面或內(nèi)部。其結(jié)果，在實(shí)施例1中，第1金屬薄膜成為阻隔層，沒有發(fā)現(xiàn)離子遷移現(xiàn)象。
(傳輸效率的評價(jià))對于實(shí)施例1中得到的帶電路的懸掛基板，測定輸出信號強(qiáng)度(POUT)和輸入信號強(qiáng)度(PIN)，如下述式(1)所示，算出輸出信號強(qiáng)度相對于輸入信號強(qiáng)度的比例，評價(jià)傳輸效率。其結(jié)果，實(shí)施例1中，傳輸效率為79％。
傳輸效率(％)＝PONT/PIN(1)上述說明供作本發(fā)明示例的實(shí)施方式，但這僅作為示例，并不能成限定性的解釋。對于本技術(shù)領(lǐng)域的從業(yè)者顯而易見的本發(fā)明的變形例包括在后述的權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.配線電路基板，其特征在于，具備金屬支持基板、形成于前述金屬支持基板上的第1金屬薄膜、形成于前述第1金屬薄膜上的接地層及定位標(biāo)記層、形成于前述接地層及前述定位標(biāo)記層上的第2金屬薄膜、形成于前述第2金屬薄膜上的絕緣層以及形成于前述絕緣層上的導(dǎo)體布圖。
2.如權(quán)利要求1所述的配線電路基板，其特征在于，前述接地層及前述定位標(biāo)記層由銅形成，前述第2金屬薄膜由鎳形成。
3.配線電路基板的制造方法，其特征在于，包括準(zhǔn)備金屬支持基板的工序、在前述金屬支持基板上形成第1金屬薄膜的工序、在前述第1金屬薄膜上以布圖形成抗蝕膜的工序、在從前述抗蝕膜暴露出來的前述第1金屬薄膜上形成接地層及定位標(biāo)記層的工序、在前述接地層及前述定位標(biāo)記層上形成第2金屬薄膜后除去前述抗蝕膜的工序、在前述第2金屬薄膜上形成絕緣層的工序以及在前述絕緣層上形成導(dǎo)體布圖的工序。
4.如權(quán)利要求3所述的配線電路基板的制造方法，其特征在于，前述接地層及前述定位標(biāo)記層由銅形成，前述第2金屬薄膜由鎳形成。
全文摘要
為了提供通過簡單的層結(jié)構(gòu)，可以高精度地形成絕緣層并減低傳輸損失，同時(shí)防止在接地層及定位標(biāo)記層與絕緣層之間產(chǎn)生的離子遷移現(xiàn)象的發(fā)生，使接地層及定位標(biāo)記層與絕緣層的粘合性和導(dǎo)體的導(dǎo)電性提高，長期可靠性良好的配線電路基板及其制造方法，采用如下的工序準(zhǔn)備金屬支持基板，在金屬支持基板上形成第1金屬薄膜，在第1金屬薄膜上以布圖形成抗蝕膜，在從抗蝕膜暴露出來的第1金屬薄膜上同時(shí)形成接地層及定位標(biāo)記層；接著，在接地層及定位標(biāo)記層上形成第2金屬薄膜后，除去抗蝕膜；然后，在包含第2金屬薄膜的上表面的第1金屬薄膜上形成絕緣層，在絕緣層上形成導(dǎo)體布圖。
文檔編號H05K1/00GK1979673SQ20061016674
公開日2007年6月13日 申請日期2006年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月8日
發(fā)明者船田靖人, 石井淳 申請人:日東電工株式會社