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      區(qū)熔單晶硅爐的制作方法

      文檔序號(hào):8160015閱讀:723來源:國知局
      專利名稱:區(qū)熔單晶硅爐的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型屬于一種區(qū)熔單晶硅爐。
      背景技術(shù)
      傳統(tǒng)的單晶硅爐主要用于生產(chǎn)硅半導(dǎo)體材料,單晶硅爐包括硅半導(dǎo)體材料生長合成的上中下爐膛、及旋轉(zhuǎn)硅籽晶糸統(tǒng)和電控自動(dòng)糸統(tǒng)。硅籽晶質(zhì)量很大程度上取決于上中下爐膛的真空度,但傳統(tǒng)的單晶硅爐抽真空結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不合理,使上中下爐膛內(nèi)真空度僅為3Pa,使生產(chǎn)出的硅籽晶質(zhì)量很差,造成產(chǎn)品正品率低,抽真空結(jié)構(gòu)使用制作成本高,維修麻煩。

      發(fā)明內(nèi)容
      本實(shí)用新型的目的是設(shè)計(jì)一種區(qū)熔單晶硅爐,使其能用簡單的結(jié)構(gòu)提高爐膛內(nèi)的真空度,以提高硅籽晶質(zhì)量,達(dá)到理想的使用效果。為此,本實(shí)用新型采用中爐膛中部一側(cè)通過真空管道相通復(fù)合分子泵的抽氣口,復(fù)合分子泵的抽氣口與真空管道之間設(shè)有真空擋板閥,復(fù)合分子泵通過分子泵固定栓固接在支架上。上述結(jié)構(gòu)達(dá)到了本實(shí)用新型的目的。
      本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是能用簡單的結(jié)構(gòu)提高爐膛內(nèi)的真空度,真空度可達(dá)到5×10-4以上,大幅提高了硅籽晶質(zhì)量,達(dá)到理想的使用效果,大幅度提高了產(chǎn)品的正品率,且結(jié)構(gòu)簡單,制作使用成本低,維修和使用簡便效果好。


      圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖圖2為圖1的俯視結(jié)構(gòu)示意圖具體實(shí)施方案如圖1至圖2所示,一種區(qū)熔單晶硅爐,由支架1、地腳14、傳動(dòng)支架2、上爐膛3、下爐膛5和中爐膛4所組成。中爐膛中部一側(cè)通過真空管道6、7相通復(fù)合分子泵11的抽氣口。復(fù)合分子泵的抽氣口與真空管道之間設(shè)有真空擋板閥10,復(fù)合分子泵通過分子泵固定栓12固接在支架上。
      所述的上爐膛通過爐膛支架8與支架固接。中爐膛下端為下爐膛,中爐膛上端為上爐膛,中爐膛上下端與上下爐膛互相貫通。上下爐膛的上下端設(shè)傳動(dòng)支架,傳動(dòng)支架上設(shè)帶動(dòng)伸入爐膛內(nèi)的傳動(dòng)軸轉(zhuǎn)動(dòng)。支架下端設(shè)有地腳,用于支撐支架和調(diào)整其高度。復(fù)合分子泵的抽氣口通過真空管道6、波紋管9、真空擋板閥和真空管道7與中爐膛中部一側(cè)相通。波紋管的作用是用于減少復(fù)合分子泵的震動(dòng)。復(fù)合分子泵的出氣口通過出氣管13可再接一個(gè)抽氣泵的抽氣口以增加抽氣效果。
      使用時(shí),復(fù)合分子泵的抽氣口通過真空管道、波紋管、真空擋板閥和真空管道對(duì)上中下爐膛抽真空。真空擋板閥可有效防止氣體回流,以保證提高硅籽晶質(zhì)量,達(dá)到理想的使用效果。
      總之,本實(shí)用新型能用用簡單的結(jié)構(gòu)提高爐膛內(nèi)的真空度,真空度可達(dá)到5×10-4以上,大幅提高了硅籽晶質(zhì)量,達(dá)到理想的使用效果,大幅度提高了產(chǎn)品的正品率,且結(jié)構(gòu)簡單,制作使用成本低,維修和使用簡便效果好。
      權(quán)利要求1.一種區(qū)熔單晶硅爐,由支架、地腳、傳動(dòng)支架、上爐膛、下爐膛和中爐膛所組成,其特征在于中爐膛中部一側(cè)通過真空管道相通復(fù)合分子泵的抽氣口,復(fù)合分子泵的抽氣口與真空管道之間設(shè)有真空擋板閥,復(fù)合分子泵通過分子泵固定栓固接在支架上。
      2.按權(quán)利要求1所述的區(qū)熔單晶硅爐,其特征在于所述的上爐膛通過爐膛支架與支架固接。
      專利摘要本實(shí)用新型屬于一種區(qū)熔單晶硅爐,采用中爐膛中部一側(cè)通過真空管道相通復(fù)合分子泵的抽氣口,復(fù)合分子泵的抽氣口與真空管道之間設(shè)有真空擋板閥,復(fù)合分子泵通過分子泵固定栓固接在支架上。本實(shí)用新型能用簡單的結(jié)構(gòu)提高爐膛內(nèi)的真空度,以提高硅籽晶質(zhì)量,達(dá)到理想的使用效果。
      文檔編號(hào)C30B13/00GK2913390SQ200620117810
      公開日2007年6月20日 申請日期2006年5月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月29日
      發(fā)明者張志新, 王軍, 安桂正 申請人:北京京運(yùn)通真空設(shè)備廠
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