專利名稱：：顯示器以及制造顯示器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及顯示器以及制造顯示器的方法，并且特別涉及包括多色有機(jī)電致發(fā)光元件的顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
：最近幾年，作為CRT顯示器的替換物，具有更小重量和更低功耗的平板顯示器正在研究和開發(fā)。在平板顯示器中，使用有機(jī)電致發(fā)光元件的顯示器是自發(fā)光顯示器并具有高響應(yīng)速度，因此作為能夠以低功耗驅(qū)動的顯示器正在吸引人們的注意。為了獲得全色顯示，設(shè)置了分別發(fā)射紅(R)光、綠(G)光以及藍(lán)(B)光的有機(jī)電致發(fā)光元件。而且，人們提出了用于諧振在陽極和陰極之間的發(fā)光層中產(chǎn)生的光并從陽極側(cè)或陰極側(cè)發(fā)射諧振光的微腔結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)能夠增強(qiáng)輸出光的色純度并增強(qiáng)目標(biāo)波長的輸出光的強(qiáng)度。在這種顯示器中，R、G和B的有機(jī)電致發(fā)光元件的陰極和陽極之間的光學(xué)距離Lr、Lg和Lb通過在各元件中的有機(jī)層的膜厚來調(diào)整。光學(xué)距離Lr、Lg以及Lb設(shè)計(jì)成在輸出光的光譜中具有峰值波長Xr、Xg以及Xb的光將在陰極和陽極之間諧振。通過利用各顏色的發(fā)光層的膜厚調(diào)整光學(xué)距離Lr、Lg以及Lb,有機(jī)層的其它層能夠共同提供在所有的有機(jī)電致發(fā)光元件上。作為提供各顏色的發(fā)光層的圖案的方法，已經(jīng)提出了激光轉(zhuǎn)移法。激光轉(zhuǎn)移法例如進(jìn)行如下。最初，陽極形成在顯示器的基板(下文稱為顯示器基板)上。另一方面，在另一個基板(下文稱為轉(zhuǎn)移基板)上，提供光吸收層和發(fā)光層。隨后，顯示器基板和轉(zhuǎn)移基板設(shè)置成發(fā)光層和陽極互相面對。激光照射到轉(zhuǎn)移基板的后表面并且發(fā)光層熱轉(zhuǎn)移到顯示器基板上的陽極上。在這個步驟中，激光束在轉(zhuǎn)移基板上掃描，并且發(fā)光層的轉(zhuǎn)移圖案高準(zhǔn)確性地僅在陽極的預(yù)定區(qū)域上形成。作為這種激光轉(zhuǎn)移方法的應(yīng)用，提出了一種工藝，即紅色(R)和綠色(G)發(fā)光層通過激光轉(zhuǎn)移設(shè)置在每一種顏色的有機(jī)電致發(fā)光元件上，并且藍(lán)色(B)發(fā)光層通過蒸發(fā)設(shè)置在所有顏色的有機(jī)電致發(fā)光元件上。因此，與峰值波長Xr〉人g〉入b的次序一致，光學(xué)距離Lr、Lg以及Lb滿足關(guān)系Lr>Lg>Lb。另夕卜，與這些光學(xué)距離一致，各顏色的有機(jī)電致發(fā)光元件中的有機(jī)層的膜厚以R>G>B的次序設(shè)置(參考日本專利待審公開2005-235741)。然而，如果各顏色的有機(jī)層的膜厚設(shè)置成符合上述發(fā)光波長的次序，發(fā)光波長最短的B有機(jī)層形成為最薄的膜，因而容易受到外部損害。因此，B的有機(jī)電致發(fā)光元件與其它顏色的元件相比產(chǎn)生更多的壞點(diǎn)。另外，在包括激光轉(zhuǎn)移方法的一般膜沉積中，目標(biāo)膜的厚度越大，目標(biāo)膜厚與實(shí)際沉積的膜厚之間的誤差值越大。因此，如果有機(jī)膜的膜厚以上述R>G>B的次序設(shè)置，膜厚誤差值也會是這個次序。然而，一般情況下，人眼對于每一種顏色的靈敏度(CIE標(biāo)準(zhǔn)光譜發(fā)光效率發(fā)光率)是按照G>R>B(G的靈每文度最高)的次序。因此，在輸出光光譜中峰值波長人的準(zhǔn)確度，即有機(jī)層的膜厚的準(zhǔn)確度所必需的程度，也是按照G>R>B的次序。特別地，發(fā)光率最高的G有機(jī)層需要最高的厚度準(zhǔn)確度。因此，優(yōu)選根據(jù)發(fā)光特性的控制，轉(zhuǎn)移膜的厚度按照G<R<B的次序。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明需要提供一種允許在特定發(fā)光顏色的有機(jī)電致發(fā)光元件中包括減少的壞點(diǎn)，同時確保發(fā)光特性的可控性的顯示器，作為包括各顏色的有機(jī)電致發(fā)光元件的全色顯示器。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供包括排列在基板上的多個有機(jī)電致發(fā)光元件的顯示器。各有機(jī)電致發(fā)光元件是通過按照如下順序沉積下電極、至少包括發(fā)光層的有機(jī)層以及上電極而獲得的。在這些有機(jī)電致發(fā)光元件中的有機(jī)層調(diào)整為具有允許從發(fā)光層發(fā)出的發(fā)出光(luminescentlight)的波長諧振的膜厚。特別地，在該顯示器中，在產(chǎn)生第一顏色發(fā)出光的第一有機(jī)電致發(fā)光元件中的有機(jī)層的膜厚，設(shè)置為大于產(chǎn)生波長長于第一顏色發(fā)出光的第二顏色發(fā)出光的第二有機(jī)電致發(fā)光元件中的有機(jī)層的膜厚。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供制造顯示器的方法。在具有上述結(jié)構(gòu)的顯示器中，因?yàn)楫a(chǎn)生第一顏色發(fā)出光(藍(lán)色發(fā)出光)的第一有機(jī)電致發(fā)光元件設(shè)置為最厚的有機(jī)層，所以阻止了第一有機(jī)電致發(fā)光元件中壞點(diǎn)的出現(xiàn)。而且，如后述實(shí)施例所示，可以確認(rèn)，即^使當(dāng)產(chǎn)生藍(lán)色發(fā)出光的有機(jī)電致發(fā)光元件的有機(jī)層的膜厚因此增加時，由于膜厚增加而引起的發(fā)光效率的變化也足夠小。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，在包括各顏色的有機(jī)電致發(fā)光元件的全色顯示器中，能夠減少用于特定發(fā)光顏色的有機(jī)電致發(fā)光元件的壞點(diǎn)，而不帶來發(fā)光特性的可控性的失效。圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的顯示器結(jié)構(gòu)的剖視圖2(1)至圖2(3)為制造根據(jù)該實(shí)施方案的顯示器的方法中的步驟的剖視圖3(1)和圖3(2)為制造根據(jù)該實(shí)施方案的顯示器的方法中的步驟的剖視圖；以及圖4(1)和圖4(2)為制造根據(jù)該實(shí)施方案的顯示器的方法中的步驟的剖視圖。具體實(shí)施例方式以下參考附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方案。在隨后的說明中，本發(fā)明的實(shí)施方案應(yīng)用到具有其中紅色(R)、綠色(G)以及藍(lán)色(B)的各顏色的有機(jī)電致發(fā)光元件排列在基板上以全色顯示的結(jié)構(gòu)的顯示器中。<顯示器>圖1為根據(jù)該實(shí)施方案的顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖1所示的顯示器1通過在基板3上排列發(fā)射紅色(R)、綠色(G)以及藍(lán)色(B)的各顏色光的有機(jī)電致發(fā)光元件5r、5g以及5b，即紅色光發(fā)射元件5r、綠色光發(fā)射元件5g和藍(lán)色光發(fā)射元件5b而獲得。顯示器1形成為頂發(fā)射顯示器，其從基板3的相對側(cè)輸出產(chǎn)生于各發(fā)光元件5r、5g和5b的發(fā)出光?；?是所謂的TFT基板，其通過在玻璃基板、硅基板、塑料基板等上設(shè)置薄膜晶體管(TFT,圖1中未示出)而獲得?；?的表面由平坦化絕緣膜覆蓋。排列在基板3上的發(fā)光元件5r、5g和5b具有從基板3開始按順序沉積陽極(下電極)7、有機(jī)層9、電子注入層11以及陰極(上電極)13而獲得的結(jié)構(gòu)。陽極7用作光反射層以及陰極13用作半透射/反射層，發(fā)光元件5r、5g以及5b形成為具有用于諧振在發(fā)光元件5r、5g以及5b中產(chǎn)生的具有特定波長的光人r、Xg以及Xb并且從陰極13輸出諧振光的微諧振腔結(jié)構(gòu)。特別地，對于紅色光發(fā)射元件5r，位于陽極7和陰極13之間的諧振部分的光學(xué)距離Lr調(diào)整為在紅色波長區(qū)域里的光Xr將在諧振部分諧振，并且可以獲得最大出光效率。而且，對于綠色光發(fā)射元件5g，位于陽極7和陰極13之間的諧振部分的光學(xué)距離Lg調(diào)整為在綠色波長區(qū)域里的光Xg將在諧振部分諧振，并且可以獲得最大出光效率。而且，對于藍(lán)色光發(fā)射元件5b,位于陽極7和陰極13之間的諧振部分的光學(xué)距離Lb調(diào)整為在藍(lán)色波長區(qū)域里的光人b將在諧振部分諧振，并且可以獲得最大出光效率。因此，不同發(fā)光顏色的光Xr、Xg以及Xb以足夠的強(qiáng)度從各發(fā)光元件5r、5g以及5b中發(fā)出。在設(shè)置有這樣的發(fā)光元件5r、5g以及5b的顯示器1中，藍(lán)色光發(fā)射元件5b作為產(chǎn)生具有最短波長的發(fā)出光的第一有機(jī)電致發(fā)光元件。而且，紅色光發(fā)射元件5r和綠色光發(fā)射元件5g作為產(chǎn)生具有長于第一有機(jī)電致發(fā)光元件中產(chǎn)生的發(fā)出光的波長的光的第二有機(jī)電致發(fā)光元件。當(dāng)發(fā)光元件5r、5g以及5b產(chǎn)生的光在諧振部分的端部反射時發(fā)生的相移由O(弧度)表示，諧振部分的光學(xué)距離由L表示，以及在輸出光光鐠中的峰值波長由人表示時，上述光學(xué)距離L(Lr、Lg，Lb)設(shè)計(jì)成滿足方程式(l)。(2L)/i+0/(27r)=m(m是整數(shù))方程式(l)如果所有的光學(xué)距離Lb、Lr以及Lg設(shè)計(jì)成提供相應(yīng)于同一級的干涉條件，例如零級干涉條件的m，那么距離會按照Lr〉Lg〉Lb的次序。相反，在本實(shí)施方案中，為了使在產(chǎn)生具有最短波長的發(fā)出光的藍(lán)色光發(fā)射元件5b中的有機(jī)層9的膜厚可以大于在紅色光發(fā)射元件5r和綠色光發(fā)射元件5g中的有機(jī)層的膜厚，紅色光發(fā)射元件5r的光學(xué)距離Lr和綠色光發(fā)射元件5g中的光學(xué)距離Lg像現(xiàn)有距離設(shè)計(jì)那樣設(shè)計(jì)成滿足零級干涉條件，而僅有藍(lán)色光發(fā)射元件5b的光學(xué)距離Lb設(shè)計(jì)成滿足第一級干涉條件。這些光學(xué)距離Lr、Lg以及Lb通過后述的在各有機(jī)電致發(fā)光元件5r、5g以及5b中的有機(jī)層9的膜厚的控制進(jìn)行調(diào)整。在下文中將對包括在發(fā)光元件5r、5g以及5b中具有上述^f敬諧振腔結(jié)構(gòu)的各層進(jìn)行描述。形成各個像素的陽極7的圖案。每一個陽極7類似地通過形成在覆蓋TFT的層間絕緣膜中的接觸孑L(未示出)連接到提供給各像素的TFT的相應(yīng)的一個。陽極7通過使用高反射材料形成為鏡面。這樣的陽極7由以下任何具有高反射率的導(dǎo)電材料和材料的合金構(gòu)成銀(Ag)、鋁(A1)、鉻(Cr)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鉭(Ta)、鎢(W)、鉑(Pt)以及金(Au)。陽極7可以具有在導(dǎo)電材料層上提供阻擋層的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，阻擋層由具有大功函數(shù)的材料構(gòu)成并具有大約lnm到200nm的厚度。這種阻擋層可以由任意材料構(gòu)成，只要陽極7可以形成高反射層。當(dāng)導(dǎo)電材料層由高反射材料構(gòu)成時，阻擋層由光學(xué)透明材料構(gòu)成。當(dāng)導(dǎo)電材料的光學(xué)反射率低時，阻擋層使用高反射材料?？紤]到與上述導(dǎo)電材料層的組合，這樣的阻擋層由從包括下述金屬、任意金屬的合金、任意金屬的金屬氧化物或任意金屬的金屬氮化物中的至少一種的光學(xué)透明材料中充分選擇的材料構(gòu)成銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鎘(Cd)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎵(Ga)以及鋁(Al)。合金的實(shí)例包括銦錫合金和銦鋅合金。金屬氧化物的實(shí)例包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦(111203)、氧化錫(Sn02)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎘(CdO)、氧化鈦(7102)以及氧化鉻(002)。金屬氮化物的實(shí)例包括氮化鈦和氮化鉻(CrN)。分別形成在每一個像素中的陽極7的外圍以僅暴露陽極7的中心部分的方式覆蓋著絕緣膜15。這種絕緣膜15由例如聚酰亞胺或光致抗蝕劑的有機(jī)絕緣材料，或者例如氧化硅的無機(jī)絕緣材料構(gòu)成。設(shè)置在陽極7上的有機(jī)層9通過按順序沉積空穴注入層9-1,空穴傳輸層9-2，設(shè)置在像素基底上的紅色光發(fā)射圖案層9r、綠色光發(fā)射圖案層9g、膜厚調(diào)整圖案層9-3，設(shè)置成公共層的藍(lán)色公共發(fā)光層9b，以及電子傳輸層9-4而獲得。這些層中，紅色光發(fā)射圖案層9r、綠色光發(fā)射圖案層9g以及膜厚調(diào)整圖案層9-3分別通過激光轉(zhuǎn)移方法形成為發(fā)光元件5r、5g以及5b的每一個的圖案。另一方面，包括藍(lán)色公共發(fā)光層9b的其它層通過蒸發(fā)設(shè)置成所有發(fā)光元件5r、5g以及5b的公共層。包括在有機(jī)層9中的這些層和圖案層的每一層的細(xì)節(jié)將在下文順序地從陽極側(cè)說明。空穴注入層9-1以覆蓋陽極7和絕緣膜15的方式設(shè)置成所有像素的公共層。這樣的空穴注入層9-l由一般的空穴注入材料構(gòu)成。例如，空穴注入層9-1使用m-MTDATA[4,4,4-三(3-曱基苯基苯基氨基)三苯胺]通過蒸發(fā)沉積到10nm的膜厚?？昭▊鬏攲?-2作為所有像素的公共層設(shè)置在空穴注入層9-1上。這樣的空穴傳輸層9-2由一般的空穴傳輸材料構(gòu)成，具體地由例如汽油衍生物、苯乙烯胺衍生物、三苯基曱烷衍生物或腙衍生物構(gòu)成。例如，空穴傳輸層9-2使用a-NPD[4，4-二(N-l-萘基-N-苯基氨基)聯(lián)苯]通過蒸發(fā)沉積到15nm的膜厚。空穴注入層9-1和空穴傳輸層9-2均可以具有多個層形成的多層結(jié)構(gòu)。紅色光發(fā)射圖案層9r在紅色光發(fā)射元件5r的像素區(qū)域形成為完全覆蓋形成在絕緣膜15里的開口窗的圖案。紅色光發(fā)射圖案層9r由主體材料和客體材料構(gòu)成。作為主體材料，使用至少一種空穴傳輸主體材料、電子傳輸主體材料以及空穴和電子傳輸主體材料。例如，可以使用ADN(蒽二萘基)，其是電子傳輸主體材料。作為客體材料，可以使用熒光或磷光紅色光發(fā)射材料。例如，可以使用2,6-二[(4'-曱氧基二苯基氨基)苯乙烯基]-l,5-二氰基萘(BSN)?？腕w材料與主體和客體材料總量的數(shù)量比是大約30重量％。具有這樣的結(jié)構(gòu)的紅色光發(fā)射圖案層9r的膜厚設(shè)定為例如35nm。綠色光發(fā)射圖案層9g在綠色光發(fā)射元件5g的像素區(qū)域形成為完全覆蓋形成在絕緣膜15里的開口窗的圖案。綠色光發(fā)射圖案層9g由主體材料、客體材料以及降低阻抗的有機(jī)材料構(gòu)成。作為主體材料，可以使用類似于紅色光發(fā)射圖案層9r的主體材料的材料，例如可以使用ADN(蒽二萘基)。作為客體材料，可以使用熒光或磷光綠色光發(fā)射材料，例如可以使用香豆素6?？腕w材料與主體和客體材料總量的數(shù)量比是大約5重量％。具有這樣的結(jié)構(gòu)的綠色光發(fā)射圖案層9g的膜厚設(shè)定為例如15nm。膜厚調(diào)整圖案層9-3在藍(lán)色光發(fā)射元件5b的像素區(qū)域形成為完全覆蓋形成在絕緣膜15里的開口窗的圖案。這種膜厚調(diào)整圖案層9-3形成為不含發(fā)光材料，但是具有空穴傳輸功能的層。而且，膜厚調(diào)整圖案層9-3是最厚的轉(zhuǎn)移圖案層，如下文所描述。因此，優(yōu)選膜厚調(diào)整圖案層9-3由具有與用于其它顏色的紅色光發(fā)射圖案層9r和綠色光發(fā)射圖案層9g的材料相比的低分子量和低升華溫度的材料構(gòu)成。而且，膜厚調(diào)整圖案層9-3設(shè)置成與下文所述的藍(lán)色公共發(fā)光層9b的陽極側(cè)的表面相接觸。因此，優(yōu)選膜厚調(diào)整圖案層9-3具有高電子阻擋性能。作為這樣的空穴傳輸材料，例如可以使用具有125nm膜厚的a-NPD[4,4-二(N-l-萘基-N-苯基氨基)聯(lián)苯]。具有芳基胺主鏈的材料例如a-NPD具有高電子阻擋性能，因此適合作為形成為與下文所述的藍(lán)色公共發(fā)光層9b的陽極側(cè)的表面相接觸的膜厚調(diào)整圖案層9-3的材料。膜厚調(diào)整圖案層9-3可以設(shè)置在空穴傳輸層9-2和空穴注入層9-1之間。在這種結(jié)構(gòu)中，空穴傳輸層9-2形成為與藍(lán)色公共發(fā)光層9b相接觸，因此膜厚調(diào)整圖案層9-3不需要具有高電子阻擋性能。當(dāng)采用這種結(jié)構(gòu)時，作為膜厚調(diào)整圖案層9-3的空穴傳輸材料，可以選擇性地使用具有高空穴傳輸性能并容易升華的材料。作為這樣的空穴傳輸材料，例如可以使用式(l)表示的化合物。在式(1)中，R1到R6是取代基，其獨(dú)立地選自氫、卣素、羥基、氨基、芳基氨基、具有20或更少的碳原子的取代或未取代的羰基、具有20或更少的碳原子的取代或未取代的羰基酯基、具有20或更少的碳原子的取代或未取代的烷基、具有20或更少的碳原子的取代或未取代的鏈烯基、具有20或更少的碳原子的取代或未取代的烷氧基、具有30或更少的碳原子的取代或未取代的芳基、具有30或更少的碳原子的取代或未取代的雜環(huán)基、腈基、氰基、硝基以及曱硅烷基。基團(tuán)Rl到R6的相鄰基團(tuán)可以互相連接以形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。式(l)中的XI到X6均獨(dú)立地是碳或氮原子。作為這種化合物的具體實(shí)例，可以使用式(2)表示的化合物。式(2)的化合物是很容易升華的材料，因此包含這種材料的結(jié)構(gòu)允許高準(zhǔn)確度的轉(zhuǎn)移。式(1)的化合物的具體實(shí)例不限于式(2)表示的結(jié)構(gòu)，而是可以使用由式(l)描述的任意取代基來獨(dú)立替換式(l)的Rl到R6部分和X1到X6部分而獲得的結(jié)構(gòu)。膜厚調(diào)整圖案層9-3可以由使用a-NPD和式(l)表示的材料的多層或混合層形成。然而，當(dāng)膜厚調(diào)整圖案層9-3形成為與藍(lán)色公共發(fā)光層9b的陽極側(cè)的表面相接觸時，與藍(lán)色公共發(fā)光層9b相接觸的膜厚調(diào)整圖案層9-3的界面層由具有高電子阻擋性能的材料構(gòu)成。如上所述，各發(fā)光元件5r、5g以及5b的光學(xué)距離Lr、Lg以及Lb調(diào)整為具有特定波長的光將在陽極7和陰極13之間諧振。在本實(shí)施方案中，通過對上述紅色光發(fā)射圖案層9r、綠色光發(fā)射圖案層9g以及膜厚調(diào)整圖案層9-3的膜厚差的控制來調(diào)整光學(xué)距離Lr、Lg以及Lb。因此，當(dāng)在各發(fā)光元件5r、5g以及5b中的諧振部分的光學(xué)距離Lr、Lg以及Lb表示為L,各圖案層9r、9g以及9-3的光學(xué)距離表示為Lt，以及除了這些圖案層之外的公共功能層的光學(xué)距離表示為Lf時，圖案層9r、9g以及9-3的光學(xué)距離Lt，即這些圖案層的膜厚，設(shè)計(jì)成滿足方程式Lt:L-Lf。特別是在本實(shí)施方案中，如上所述，在各發(fā)光元件5r、5g以及5b中的諧振部分的光學(xué)距離Lr、Lg以及Lb像現(xiàn)有距離設(shè)計(jì)那樣設(shè)計(jì)成紅色光發(fā)射元件5r的光學(xué)距離Lr和綠色光發(fā)射元件5g的光學(xué)距離Lg滿足零級千涉條件，而只有藍(lán)色光發(fā)射元件5b的光學(xué)距離Lb滿足第一級干涉條件。因此，這些圖案層9r、9g以及9-3的光學(xué)距離Lt(膜厚)按照9g<9r<9-3的次序。覆蓋上述圖案層9r、9g以及9-3的藍(lán)色公共發(fā)光層9b設(shè)置為所有像素的公共層。這種藍(lán)色公共發(fā)光層9b作為藍(lán)色光發(fā)射元件5b中的發(fā)光層。相反，它不作為紅色光發(fā)射元件5r和綠色光發(fā)射元件5g的發(fā)光層。作為選擇，它設(shè)置為發(fā)射藍(lán)光的層，但是并不影響發(fā)出的波長長于藍(lán)光的紅光和綠光。這樣的藍(lán)色公共發(fā)光層9b由摻雜2.5重量％的4,4'-二[2-(4-(N,N-二苯基氨基)苯基)乙烯基]聯(lián)苯基(DPAVBi)的ADN構(gòu)成并具有大約25nm的膜厚。藍(lán)色公共發(fā)光層9b上的電子傳輸層9-4由一般電子傳輸材料構(gòu)成。例如，電子傳輸層9-4使用8-羥基喹啉鋁(Alq3)通過蒸發(fā)沉積至大約20nm的膜厚。位于由上述各層形成的有機(jī)層9之上的電子注入層11設(shè)置為所有像素的公共層。這樣的電子注入層11由一般電子注入材料構(gòu)成。例如，電子注入層11通過蒸發(fā)沉積LiF至大約0.3nm膜厚。位于電子注入層11上的陰極13設(shè)置為所有像素的公共層。這樣的陰極13由具有小功函數(shù)的導(dǎo)電材料構(gòu)成。作為這樣的導(dǎo)電材料，例如可以使用像Li、Mg或Ca這樣的活潑金屬的合金以及像Ag、Al或In這樣的金屬，或者任意這些金屬的多層結(jié)構(gòu)。這種陰極13用作半反射鏡，因此其膜厚根據(jù)它的材料調(diào)整為其反射率為至少0.1%并低于50%。作為這樣的陰極13,例如可以使用膜厚為10nm的MgAg膜。而且，在電子注入層11的界面，例如可以插入由像Li、Mg或Ca這樣的活潑金屬，氟或溴這樣的卣素，氧等構(gòu)成的薄化合物層。如上所述，當(dāng)陰極13用作所有像素的公共電極時，輔助電極(未示出)可以由與陽極7相同的層形成，并且陰極13可以連接到輔助電極上從而能夠阻止陰極13的電壓降。在沉積陰極13之前，沉積在輔助電極上的有機(jī)層可以通過激光燒蝕等立即去除。由上述各層形成的發(fā)光元件5r、5g以及5b由保護(hù)膜(未示出)覆蓋。而且，密封基板通過使用粘接劑施加在該保護(hù)膜上，因此全固態(tài)顯示器1形成。保護(hù)膜通過使用具有低透水性和低吸水性的材料以阻止水分接觸有機(jī)層9,形成為具有足夠大的膜厚。而且，因?yàn)樗圃斓娘@示器l是頂發(fā)射顯示器，所以該保護(hù)膜由允許發(fā)光元件5r、5g以及5b發(fā)出的光透過的材料構(gòu)成。例如，對于保護(hù)膜確保大約80%的光透過。這樣的保護(hù)膜可以由絕緣材料或者導(dǎo)電材料構(gòu)成。當(dāng)保護(hù)膜由絕緣材料構(gòu)成時，可以優(yōu)選使用無機(jī)無定型絕緣材料例如非晶硅(a-Si)、非晶碳化硅(a-SiC)、非晶氮化硅(a-SiLxNx)或者非晶碳(a-C)。這樣的無機(jī)無定型絕緣材料不包括顆粒并且因而具有低透水性，因此成為有利的保護(hù)膜。當(dāng)保護(hù)膜由導(dǎo)電材料構(gòu)成時，可以使用例如ITO或IZO的透明導(dǎo)電材料。作為粘接劑，例如可以使用可UV固化的樹脂。作為密封基板，例如可以使用玻璃基板。優(yōu)選地，粘接劑和密封基板由具有光透過性的材料構(gòu)成。在陰極13(光輸出側(cè))上，可以設(shè)置濾色片以允許由諧振部分諧振得到的并從諧振部分輸出的預(yù)定波長區(qū)域的光透過。提供濾色片進(jìn)一步增強(qiáng)從各顏色的發(fā)光元件5r、5g以及5b發(fā)出的光的色純度。<制造顯示器的方法>制造具有上述結(jié)構(gòu)的顯示器1的方法將參考示出制造步驟的剖視圖的附圖2至4在下文描述。以下所示的各層中，在圖1中已經(jīng)描述過的同樣的層，將不再贅述。首先參考圖2(1),形成了高反射陽極7的圖案，然后將絕緣膜15形成為暴露這些陽極7的中心部分的形狀。接下來參考圖2(2)，空穴注入層9-1以覆蓋陽極7和絕緣膜15的方式，通過蒸發(fā)沉積在基板3的全部表面，之后通過蒸發(fā)沉積空穴傳輸層9-2。然后，對于位于由此形成的空穴傳輸層9-2之上的各像素，順序進(jìn)行通過激光轉(zhuǎn)移形成各圖案層的步驟。如圖2(3)所示，最初準(zhǔn)備轉(zhuǎn)移基板30b。在該轉(zhuǎn)移基板30b上，在具有與用于顯示器制造的基板3基本上相同的形狀的玻璃基板31的全部表面上，設(shè)置用于形成用作藍(lán)色像素的膜厚調(diào)整圖案層的轉(zhuǎn)移層(膜厚調(diào)整層)35,中間為光吸收層33。作為光吸收層33的材料，優(yōu)選使用具有相對于在隨后的激光轉(zhuǎn)移步驟中作為熱源的激光的波長區(qū)域的低反射率的材料。例如，當(dāng)使用來自固態(tài)激光光源的大約800nm波長的激光時，優(yōu)選鉻(Cr)、鉬(Mo)等作為具有低反射率和高熔點(diǎn)的材料，雖然所述材料并不限制于這些材料。在本實(shí)施方案中，光吸收層33通過濺射沉積膜厚為200nm的Cr而形成。膜厚調(diào)整層35由a-NPD[4,4'-二(N-l-萘基-N-苯基氨基)聯(lián)苯]構(gòu)成，其提供圖l所描述的空穴傳輸層，并通過蒸發(fā)沉積125nm的膜厚。由此形成的轉(zhuǎn)移基板30b面對其上已經(jīng)形成空穴傳輸層9-2的基板3布置。特別地，轉(zhuǎn)移基板30b和基板3設(shè)置成用于藍(lán)色的轉(zhuǎn)移層35和空穴傳輸層9-2互相面對。如果絕緣膜15的厚度充分大，那么基板3可以與轉(zhuǎn)移基板30b形成緊密接觸，使得作為基板3上最上層的空穴傳輸層9-2可以與作為轉(zhuǎn)移基板30b上最上層的膜厚調(diào)整層35形成接觸。甚至在這種情況下，轉(zhuǎn)移基板30b支撐在基板3的絕緣膜15上，因此不與陽極7上的空穴傳輸層9-2的部分接觸。隨后，如此設(shè)置成面對基板3的轉(zhuǎn)移基板30b的背側(cè)使用具有例如800nrn波長的激光hr照射。在這種照射中，用點(diǎn)束的激光hr選擇性地照射相應(yīng)于藍(lán)色光發(fā)射元件的形成區(qū)域的部分。這種照射引起光吸收層33吸收激光hr。通過使用由于光吸收產(chǎn)生的熱量，膜厚調(diào)整層35b熱轉(zhuǎn)移到基板3。通過這種操作，在沉積在基板3上的空穴傳輸層9-2上，形成了緣于膜厚調(diào)整層35的激光轉(zhuǎn)移的具有高位置準(zhǔn)確度的膜厚調(diào)整圖案層9-3。在該步驟中，重要的是激光hr的照射是這樣進(jìn)行的，即在藍(lán)色光發(fā)射元件的形成部分(像素區(qū)域)中暴露于絕緣膜15的陽極7將完全被膜厚調(diào)整圖^!/S"9-3。此后，類似于上述步驟的激光轉(zhuǎn)移步驟重復(fù)進(jìn)行，從而順序地形成綠色光發(fā)射圖案層和紅色光發(fā)射圖案層。特別地，如圖3(1)所示，在具有與用于顯示器制造的基板基本上相同的外形的玻璃基板31上，轉(zhuǎn)移基板30g通過提供用于形成具有光吸收層33的中間層的綠色光發(fā)射層的轉(zhuǎn)移層(綠色轉(zhuǎn)移層)35g而形成。該轉(zhuǎn)移基板30g的綠色轉(zhuǎn)移層35g由作為發(fā)光客體材料的綠色光發(fā)射客體材料構(gòu)成。特別地，綠色轉(zhuǎn)移層35g由例如通過用5重量％的作為綠色光發(fā)射客體材料的香豆素6摻雜作為電子傳輸主體材料的ADN(二萘基蒽)獲得的材料構(gòu)成，并且通過蒸發(fā)沉積大約15nm的膜厚。轉(zhuǎn)移基板30g設(shè)置成面對其上已經(jīng)形成空穴傳輸層9-2的基板3。隨后，從轉(zhuǎn)移基板30g的后側(cè)，用點(diǎn)束的激光hr選擇性地照射相應(yīng)于綠色光發(fā)射元件的形成區(qū)域的部分。這種操作形成緣于沉積在基板3上的空穴傳輸層9-2的綠色轉(zhuǎn)移層35g的選擇性激光轉(zhuǎn)移的綠色光發(fā)射圖案層9g。在該激光轉(zhuǎn)移中，轉(zhuǎn)移基板30g的綠色轉(zhuǎn)移層35g的每一種材料的濃度梯度通過例如激光hr的照射能量的控制來調(diào)整。特別地，照射能量設(shè)置得高，從而形成作為緣于綠色轉(zhuǎn)移層35g的各材料的基本上均勻的混合的混合層的綠色光發(fā)射圖案層9g。作為選擇，照射能量可以這樣調(diào)整，即緣于綠色轉(zhuǎn)移層35g的各材料的混合的混合層將提供在綠色光發(fā)射圖案層9g上。隨后，如圖3(2)所示，通過在具有與用于顯示器制造的基板基本上相同的轉(zhuǎn)移層(紅色轉(zhuǎn)移層)35r，形成轉(zhuǎn)移基板30r。該轉(zhuǎn)移基板30r的紅色轉(zhuǎn)移層35r通過使用包含在紅色光發(fā)射圖案層(9r)中的材料形成。特別地，紅色轉(zhuǎn)移層35r由主體材料和發(fā)光客體材料構(gòu)成。這樣的紅色轉(zhuǎn)移層35r由例如通過用30重量％的作為紅色光發(fā)射客體材料的2,6-二[(4'-曱氧基雙苯基氨基)苯乙烯基]-l,5-二氰基萘(BSN)摻雜作為電子傳輸主體材料的ADN(蒽二萘基)而獲得的材料構(gòu)成，并且通過蒸發(fā)沉積為大約35nm的膜厚。轉(zhuǎn)移基板30r設(shè)置成面對其上已經(jīng)形成空穴傳輸層9-2的基板3。隨后，從轉(zhuǎn)移基板30r的后側(cè)，用點(diǎn)束的激光hr選擇性地照射相應(yīng)于紅色光發(fā)射元件的形成區(qū)域的部分。該操作形成緣于沉積在基板3上的空穴傳輸層9-2上的紅色轉(zhuǎn)移層35r的選^^生激光轉(zhuǎn)移的紅色光發(fā)射圖案層9r。該激光轉(zhuǎn)移是這樣進(jìn)行的，即類似于上述綠色光發(fā)射圖案層9g的圖案形成，紅色光發(fā)射圖案層9r將利用彼此基本上均勻混合的紅色轉(zhuǎn)移層35r的各種材料形成。期望的是，上述用于膜厚調(diào)整圖案層9-3、綠色光發(fā)射圖案層9g和紅色光發(fā)射圖案層9r的激光轉(zhuǎn)移步驟在真空中進(jìn)行，盡管該步驟也可以在大氣壓力下進(jìn)行。在真空中的激光轉(zhuǎn)移的執(zhí)行允許使用可以減少在即將轉(zhuǎn)移的發(fā)光層上的熱學(xué)不利影響的低能激光進(jìn)行轉(zhuǎn)移。而且，期望在真空中進(jìn)行激光轉(zhuǎn)移步驟，因?yàn)榛逯g接觸的程度得到加強(qiáng)，并且可以獲得有利的轉(zhuǎn)移圖案準(zhǔn)確度。而且，如果所有的工藝在真空中連續(xù)進(jìn)行，可以阻止元件的惡化。在上述點(diǎn)束的激光hr的選擇性照射的步驟中，如果在激光照射設(shè)備中的激光頭驅(qū)動單元具有精確的對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)，那么具有適當(dāng)?shù)狞c(diǎn)直徑的激光hr可以沿著陽極7照射到轉(zhuǎn)移基板(30r、30g、30b)上。在這種情況下，不需要嚴(yán)格地將轉(zhuǎn)移基板(30r、30g、30b)對準(zhǔn)基板3。相反，如果激光頭驅(qū)動單元不具有精確的對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)，那么優(yōu)選在轉(zhuǎn)移基板側(cè)形成用于限制激光hr的照射區(qū)域的光屏蔽膜。特別地，在轉(zhuǎn)移基板的后側(cè)，設(shè)置通過在反射激光的高反射金屬層中提供孔而獲得的光屏蔽膜。作為選擇，具有低反射率的金屬可以沉積在其上。在這種情況下，優(yōu)選準(zhǔn)確地對準(zhǔn)基板3和轉(zhuǎn)移基板(30r、30g、30b)。用于膜厚調(diào)整圖案層9-3、綠色光發(fā)射圖案層9g以及紅色光發(fā)射圖案層9r的激光轉(zhuǎn)移步驟的次序不受上述次序的限制，而是可以使用任意次序。接下來參考圖4(1),藍(lán)色公共發(fā)光層9b以覆蓋其上已經(jīng)形成各圖案層9r、9g以及9-3的基板3的全部表面的方式通過蒸發(fā)而沉積，然后通過蒸發(fā)沉積電子傳輸層9-4，從而完成有機(jī)層9。此后，如圖4(2)所示，電子注入層11和陰極13按該次序沉積。優(yōu)選這些層通過這樣的方法沉積，其中粒子沉積的能量如此低以致不給下面的有機(jī)層9帶來影響，例如蒸發(fā)或化學(xué)氣相沉積(CVD)。在各顏色的有機(jī)電致發(fā)光元件5r、5g以及5b以上述方式形成后，形成保護(hù)膜(未示出)。期望的是，該保護(hù)膜在室溫作為沉積溫度下沉積以防止由于有機(jī)層9的惡化帶來的亮度降低，并且在提供最小的膜應(yīng)力的條件下沉積以防止保護(hù)膜分離。通過使用粘接劑將密封基板施加到保護(hù)膜上，完成顯示器1。在具有上述結(jié)構(gòu)的顯示器1中，藍(lán)色光發(fā)射元件5b的有機(jī)層9設(shè)置成具有最大的膜厚，其在藍(lán)色光發(fā)射元件5b上阻止壞點(diǎn)的產(chǎn)生。而且，如下文所述的實(shí)施例所示，即使當(dāng)藍(lán)色光發(fā)射元件5b的有機(jī)層9設(shè)置成最大膜厚以滿足不是零級干涉條件而是第一級干涉條件時，也可以確信發(fā)光效率的變化得到充分抑制。并且膜厚調(diào)整圖案層9-3沉積在藍(lán)色公共發(fā)光層9b下面。由于這些特征，對于藍(lán)色光發(fā)射元件5b來說，其在發(fā)光效率和亮度半衰期上一般低于紅色光發(fā)射元件5r和綠色光發(fā)射元件5g，可以阻止由于轉(zhuǎn)移方法的影響而帶來的藍(lán)色公共發(fā)光層9b的惡化(膜厚的變化等)。另外，在藍(lán)色光發(fā)射的情況下，其發(fā)光率低于綠色光發(fā)射，即使當(dāng)膜厚增加以阻止缺陷(即壞點(diǎn))的產(chǎn)生時，也難以在^L覺上察覺到顏色偏差。該特征還顯示出藍(lán)色光發(fā)射元件5b的有機(jī)層的膜厚的增加幾乎不影響發(fā)光特性。而且，藍(lán)色光發(fā)射元件5b設(shè)計(jì)成滿足第一級干涉條件，因此可以獲得與滿足零級干涉條件的元件5b相比較高的色度。這還可以提供有利的影響，即藍(lán)色光發(fā)射元件5b的色度點(diǎn)向深藍(lán)色區(qū)域偏移。因此，可以確保高清晰度顯示器所必需的顏色再現(xiàn)范圍。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，在包括各顏色的有機(jī)電致發(fā)光元件的全色顯示器中，藍(lán)色光發(fā)射元件5b的壞點(diǎn)可以減少而不會使發(fā)光特性的可控性失效。在上述實(shí)施方案中，膜厚調(diào)整圖案層9-3形成為具有空穴傳輸功能的層。然而，如果有可能使用具有較好的電子傳輸特性的材料，那么膜厚調(diào)整圖案層9-3可以設(shè)置為位于藍(lán)色公共發(fā)光層9b的陰極側(cè)表面上的具有電子傳輸功能的層。而且，在該實(shí)施方案中，顯示器l是有源矩陣顯示器。然而，本發(fā)明的實(shí)施方案還可以應(yīng)用于筒單矩陣顯示器。在簡單矩陣顯示器的情況下，陰極13形成為與形成為條狀的陽極7交叉的條狀，并且紅色光發(fā)射元件5r、綠色光發(fā)射元件5g以及藍(lán)色光發(fā)射元件5b設(shè)置在陰極13和陽極7互相交叉的各部分，并且有機(jī)層9插入其間。在簡單矩陣顯示器中，每一個像素的驅(qū)動電路沒有設(shè)置在基板3上。因此，即使當(dāng)簡單矩陣顯示器形成為通過基板3輸出發(fā)出光的透射顯示器時，像素的開口率能夠得以維持。在該透射顯示器中，設(shè)置在基板3上的陽極7用作半反射鏡，而陰極13用作反射鏡，因此諧振光通過陽極7從基板3發(fā)出。在這種情況下，作為基板3、陽極7以及陰極13的材料，選擇并使用適用于相應(yīng)層的分別具有光學(xué)反射/透射特性的材料。另外，如果簡單矩陣顯示器是透射顯示器，那么顯示器可以具有通過顛倒上述實(shí)施方案中的從陽極7到陰極13的各層的疊層順序而獲得的結(jié)構(gòu)。而且，本發(fā)明的實(shí)施方案可以應(yīng)用于具有通過顛倒上述實(shí)施方案中的從陽極7到陰極13的各層的疊層順序而獲得的結(jié)構(gòu)的有源矩陣顯示器。在該有源矩陣顯示器中，每一個像素的驅(qū)動電路設(shè)置在基板3上。因此，顯示器形成為頂發(fā)射型，在確保高像素開口率方面是有利的，其從基板3的相對側(cè)輸出發(fā)出光。在這種情況下，置于基板3上的陰極13和置于光輸出側(cè)的陽極7的材料適當(dāng)選擇，使得陰極13作為反射鏡而陽極7作為半反射鏡。本發(fā)明的實(shí)施方案是有效的，并還能夠在例如日本專利待審公開2003-272860中所示的通過疊層包括發(fā)光層(發(fā)光單元)的有機(jī)層單元而獲得的有機(jī)電致發(fā)光元件的顯示器中提供相同的優(yōu)點(diǎn)。實(shí)施例制造十個藍(lán)色光發(fā)射元件，其中設(shè)計(jì)微諧振腔結(jié)構(gòu)以滿足第一級干涉條件。在施加到藍(lán)色光發(fā)射元件上的電流密度為10mA/cm2的恒定電流的條件下，通過使用光i普輻射儀表，測量制得的十個藍(lán)色光發(fā)射元件的色度和發(fā)光效率藍(lán)色光發(fā)射元件。在這些元件中，從中可以獲得想要的發(fā)光特性的元件定義為設(shè)計(jì)中心。而且，在正方向具有最大厚度偏差的試樣定義為試樣1,而在反方向具有最大厚度偏差的試樣定義為試樣2。評估結(jié)果示于表l中。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>表1的結(jié)果表明，對于其微諧振腔結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)成滿足第一級干涉條件的藍(lán)色光發(fā)射元件5b的發(fā)光特性，發(fā)光效率與設(shè)計(jì)中心的差別在±15%的范圍內(nèi)。因此，可以確定，即使當(dāng)藍(lán)色光發(fā)射元件5b的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)成滿足第一級干涉條件因此藍(lán)色光發(fā)射元件5b的有機(jī)層部分的膜厚相比于零級空腔結(jié)構(gòu)的膜厚增加時，由于膜厚增加而帶來的影響引起的發(fā)光效率的差異也在±15%的范圍內(nèi)，其對于高清晰度顯示器來說是允許的，并且確保了發(fā)光特性的可控性。權(quán)利要求1、一種顯示器，包括多個具有按照如下順序的下電極、至少包括發(fā)光層的有機(jī)層以及上電極的有機(jī)電致發(fā)光元件，該有機(jī)層具有允許在該發(fā)光層中產(chǎn)生的發(fā)出光諧振的膜厚，其中在產(chǎn)生第一顏色發(fā)出光的第一有機(jī)發(fā)光元件中的有機(jī)層的膜厚設(shè)定為大于在產(chǎn)生波長長于該第一顏色發(fā)出光的波長的第二顏色發(fā)出光的第二有機(jī)電致發(fā)光元件中的有機(jī)層的膜厚。2、如權(quán)利要求1所述的顯示器，其中在各有機(jī)電致發(fā)光元件中的有機(jī)層的膜厚通過發(fā)光層和僅形成在第一有機(jī)電致發(fā)光元件中的膜厚調(diào)整圖案層調(diào)整。3、如權(quán)利要求2所述的顯示器，其中產(chǎn)生該第一顏色發(fā)出光的第一發(fā)光層設(shè)置為多個有機(jī)電致發(fā)光元件中的公共層，并且產(chǎn)生該第二顏色發(fā)出光的第二發(fā)光層僅設(shè)置在第二有機(jī)電致發(fā)光元件中。4、如權(quán)利要求3所述的顯示器，其中該膜厚調(diào)整圖案層和該第二發(fā)光層通過激光轉(zhuǎn)移方法提供，并且該第一發(fā)光層通過蒸發(fā)提供。5、如權(quán)利要求2所述的顯示器，其中該膜厚調(diào)整圖案層設(shè)置在位于該第一有機(jī)電致發(fā)光元件中的該發(fā)光層下。6、如權(quán)利要求2所述的顯示器，其中該膜厚調(diào)整圖案層具有空穴傳輸能力。7、如權(quán)利要求1所述的顯示器，其中該第一有機(jī)電致發(fā)光元件產(chǎn)生藍(lán)色發(fā)出光。8、一種制造顯示器的方法，該顯示器具有多個有機(jī)電致發(fā)光元件，其中各電致發(fā)光元件均具有按照如下順序的下電極、至少包括發(fā)光層的有機(jī)層以及上電極，該有機(jī)層具有允許在該發(fā)光層中產(chǎn)生的發(fā)出光的波長諧振的膜厚，該方法包括如下步驟以將第一有機(jī)電致發(fā)光元件中的有機(jī)層的膜厚設(shè)定為大于第二有機(jī)電致發(fā)光元件中的有機(jī)層的膜厚的方式，提供產(chǎn)生第一顏色發(fā)出光的第一有機(jī)電致發(fā)光元件和產(chǎn)生具有長于該第一顏色發(fā)出光的波長的第二顏色發(fā)出光的第二有機(jī)電致發(fā)光元件。9、如權(quán)利要求8所述的制造顯示器的方法，其中產(chǎn)生該第一顏色發(fā)出光的第一發(fā)光層通過蒸發(fā)沉積；產(chǎn)生該第二顏色發(fā)出光的第二發(fā)光層通過激光轉(zhuǎn)移方法提供；并且用于調(diào)整在該第一有機(jī)電致發(fā)光元件中的有機(jī)層的膜厚的膜厚調(diào)整圖案層通過激光轉(zhuǎn)移方法提供。全文摘要在此公開的顯示器包括多個配置成排列在基板上并且均通過按照如下順序沉積下電極、至少包括發(fā)光層的有機(jī)層以及上電極而獲得的有機(jī)電致發(fā)光元件，各有機(jī)電致發(fā)光元件的有機(jī)層調(diào)整成具有允許在發(fā)光層中產(chǎn)生的發(fā)出光的波長諧振的膜厚，其中在產(chǎn)生具有在多個有機(jī)電致發(fā)光元件中最短波長的發(fā)出光的第一有機(jī)電致發(fā)光元件中的有機(jī)層的膜厚，設(shè)定為大于在產(chǎn)生波長長于在第一有機(jī)電致發(fā)光元件中產(chǎn)生的發(fā)出光的最短波長的發(fā)出光的第二有機(jī)電致發(fā)光元件中的有機(jī)層的膜厚。文檔編號H05B33/10GK101111108SQ20071014643公開日2008年1月23日申請日期2007年7月23日優(yōu)先權(quán)日2006年7月21日發(fā)明者松田英介,高木亮子申請人:索尼株式會社