專利名稱：一種單晶爐加熱器底盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種加熱器底盤，特別是一種單晶爐加熱器底盤。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體生產(chǎn)中硅單晶是最重要的基本材料。其拉晶過(guò)程是把原料多硅晶塊放入石英 坩堝中，在單晶爐中加熱融化，再將一根棒狀晶種浸入融液中，融液中的硅原子會(huì)順著晶種 的硅原子排列，在固液交界面上形成規(guī)則的結(jié)晶，成為單晶體。把晶種向上提升，融液中的 硅原子會(huì)在前面形成的單晶體上繼續(xù)結(jié)晶，并延續(xù)其規(guī)則的原子排列結(jié)構(gòu)。若整個(gè)結(jié)晶環(huán)境 穩(wěn)定，就可以周而復(fù)始的形成結(jié)晶，最后形成一根圓柱形的原子排列整齊的硅單晶晶體，即 硅單晶錠。
現(xiàn)有單晶爐中加熱融化裝置是依靠?jī)蓚€(gè)電極導(dǎo)電，使原料多硅晶塊融化的，目前由于兩
個(gè)電極距離較大， 一般在680mm左右，功耗較大。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于，提供一種單晶爐加熱器底盤，以降低單晶爐的能耗。 本實(shí)用新型的技術(shù)方案 一種單晶爐加熱器底盤，其特征在于它包括底盤；底盤上設(shè) 有兩個(gè)電極孔，兩個(gè)電極孔的間距為450 470mm。
上述的單晶爐加熱器底盤中，所述的兩個(gè)電極孔的間距為460mm。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，現(xiàn)有的單晶爐加熱器底盤上的兩個(gè)電極孔距離較遠(yuǎn)， 一般為680mm左 右，功耗較大。本實(shí)用新型將兩個(gè)電極孔的距離縮小為460mm左右，可有效降低單晶爐的能 耗。在保證生產(chǎn)的情況下，改進(jìn)后耗費(fèi)功率可以降低大約10個(gè)千瓦。


圖l是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。 附圖中的標(biāo)記為l-底盤，2-電極孔具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的單晶爐加熱器底盤作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明，但并不 作為對(duì)本實(shí)用新型做任何限制的依據(jù)。本實(shí)用新型如圖l所示。本實(shí)用新型是對(duì)現(xiàn)有單晶爐加熱器底盤的改進(jìn)，現(xiàn)有單晶爐加 熱器底盤上的在兩個(gè)電極孔間距為680mm左右，在加熱時(shí)功耗較大，本實(shí)用新型將底盤l上的 兩個(gè)電極孔2間距調(diào)整為460mm。經(jīng)使用在保證正常工作的情況下，加熱器的功耗明顯降低。 具體制作時(shí)兩個(gè)電極孔2可對(duì)稱設(shè)置，即兩個(gè)電極孔2中心連線的中點(diǎn)與底盤1的中心重合。
權(quán)利要求權(quán)利要求1一種單晶爐加熱器底盤，其特征在于它包括底盤(1)；底盤(1)上設(shè)有兩個(gè)電極孔(2)，兩個(gè)電極孔(2)的間距為450～470mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的單晶爐加熱器底盤，其特征在于所述的兩 個(gè)電極孔的間距為460mm。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種單晶爐加熱器底盤。包括底盤(1)；底盤(1)上設(shè)有兩個(gè)電極孔(2)，兩個(gè)電極孔(2)的間距為450～470mm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，現(xiàn)有的單晶爐加熱器底盤上的兩個(gè)電極孔距離較遠(yuǎn)，一般為680mm左右，功耗較大。本實(shí)用新型將兩個(gè)電極孔的距離縮小為460mm左右，可有效降低單晶爐的能耗。改進(jìn)后耗費(fèi)功率可以降低大約10個(gè)千瓦。
文檔編號(hào)C30B15/18GK201305649SQ20082030277
公開(kāi)日2009年9月9日 申請(qǐng)日期2008年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月13日
發(fā)明者丁宇翔, 何紫平, 胥敬東 申請(qǐng)人:湖州新元泰微電子有限公司