專利名稱：散熱器、電子裝置和散熱器制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種熱連接到電子裝置的熱源的散熱器(heatspreader )、 一種包括該散熱器的電子裝置、以及一種散熱器制造方法。
背景技術：
在過去，已經(jīng)將散熱器用作熱連接到電子裝置的熱源如PC (個人計算機)的CPU (中央處理單元)的設備，以吸收并擴散該熱源
的熱。作為散熱器，已知由例如銅板制成的固體型金屬散熱器，且最近已經(jīng)提出包括蒸發(fā)部和工作流體的相變型散熱器。
在相變型散熱器中，工作流體在從熱源4妄收熱的蒸發(fā)部中蒸發(fā)，且#1蒸發(fā)的工作流體在流動路徑中冷凝且沿流動而返回到蒸發(fā)部。通過重復上述工作，熱源的熱凈皮擴散(例如，參見美國專利申
請公開第2007/0158052號；第0032 ^殳，圖4，下文稱為專利文件1 )。在專利文件1的散熱器中，對流動^各徑纟是供紗布條(芯，wick)，且在上(較高)表面上冷凝的工作流體利用毛細力而流到下(較低)表面(蒸發(fā)部)。

發(fā)明內容
安裝有這樣的散熱器的電子裝置需要提高熱密度且需要小型化。通常，鑒于較高的熱密度，提供給從冷凝器部到蒸發(fā)部的流動路徑的紗布條表面經(jīng)過親水性處理以提高毛細力，然而，這可能會
導致工作流體的偏向分布(biased distribution )。另外，鑒于小型化，要求流動路徑更窄，然而，這會導致流動路徑阻力增加。因此，減少了對蒸發(fā)部的工作流體的供應量，從而導致燒干。
鑒于上述情況，期望提供能夠提高從冷凝器部到蒸發(fā)部的工作流體的流動效率的散熱器，以及包括該散熱器的電子裝置。
還期望提供一種能夠更容易制造并且具有更高可靠性的散熱器制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，、提供了一種散熱器，包括蒸發(fā)部、第一冷凝器部、工作流體和第一流動路徑。蒸發(fā)部配置在第一位置中。第一冷凝器部配置在第二位置中，該第二位置是比第一位置高且與第 一位置分開的位置。工作流體在蒸發(fā)部中從液相蒸發(fā)為氣
相，且在第一冷;疑器部中乂人氣相冷凝為液相。第一流動^各徑由納米材料制成，表面上具有疏水性，且使在第一冷凝位置中^皮冷凝為液相的工作流體流至蒸發(fā)部。
才艮據(jù)本發(fā)明的該實施方式，熱源熱連接到蒸發(fā)部，且液相工作流體在蒸發(fā)部中蒸發(fā)為氣相。氣相工作流體在配置在比蒸發(fā)部更高位置的第一冷凝器部中冷凝為液相。液相工作流體在第 一流動路徑中流動以返回到蒸發(fā)部。重復上述相變。
第 一 流動^各徑4吏工作流體從第 一 冷凝器部流動到配置在比第一冷;疑器部4氐的蒸發(fā)部。在此，由于第一流動^各徑在表面上具有疏水性，所以可以將流動^各徑阻力保持專交4氐。此外，由于第一流動路徑由能夠達到更高疏水性的納米材并牛制成，所以可以將流動^各徑阻力保持得更^f氐。因此，可以-提高從第一冷凝器部到蒸發(fā)部的工作流
體的流動效率。
本實施方式的散熱器可以進一步包4舌第二冷凝器部和第二流動路徑。第二冷凝器部配置在第三位置中，該第三位置是比第一位置低且與第一位置分開的位置，且能夠使工作流體從氣相冷凝為液相。第二流動^4圣由納米材料制成，在表面上具有親水性，且使在第二冷凝位置中被冷凝為液相的工作流體流到蒸發(fā)部。
才艮據(jù)本發(fā)明的該實施方式，除了如上所述在蒸發(fā)部、第一冷凝器部和第一流動3各徑中的循環(huán)之外，工作流體如下循環(huán)。即，在蒸發(fā)部中蒸發(fā)為氣相的工作流體在配置在比蒸發(fā)部4氐的第二冷凝器部中冷凝為液相。該液相工作流體在第二流動^各徑中流動以返回到蒸發(fā)部。重復上述相變。
第二流動^各徑-使工作流體乂人第二冷凝器部流動到配置在比第二冷凝器部高的蒸發(fā)部。第二流動路徑由能夠達到更高親水性的納米材料制成。在此，由于第二流動^各徑在表面上具有親水性，所以工作流體滲透第二流動^各徑。納米材料的才及孩史小表面結構促進滲透的工作流體的流動。通過才是供第二流動路徑與第一流動^各徑，工作流體^皮分離，且蒸發(fā)部的流動效率可以得到4是高。
在才艮據(jù)本發(fā)明該實施方式的散熱器中，可以垂直或傾殺牛配置第
一流動路徑。
才艮據(jù)本發(fā)明的該實施方式，在垂直配置第 一 :;危動3各徑的情況下，可以更有效地執(zhí)行工作流體從第 一冷凝器部到蒸發(fā)部的流動。
在傾斜配置第一流動3各徑的情況下，可以i殳置多個第一流動^各徑和
7與其相對應的多個第一冷凝器部。由此，可以^是高工作流體從第一冷凝器部到蒸發(fā)部的流動效率。
在才艮據(jù)本發(fā)明該實施方式的散熱器中，第 一流動^各徑可以在朝向蒸發(fā)部的方向上包4舌親水部。
根據(jù)本發(fā)明的該實施方式，在表面上具有疏7jC性的第一流動-各徑包括親水部。第 一流動^各徑以其疏水性和親水部的親7jC性而4吏工作流體從第 一冷凝器部流動到蒸發(fā)部。
根據(jù)本發(fā)明的 一個實施方式，提供了 一種包括熱源和散熱器的電子裝置。散熱器熱連接到熱源。散熱器包括蒸發(fā)部、第一冷凝器部、工作流體和第一流動^各徑。蒸發(fā)部配置在第一位置中。第一冷凝器部配置在第二位置中，該第二位置是比第一位置高且與第一位置分開的位置。工作流體在蒸發(fā)部中乂人液相蒸發(fā)為氣相，且在第一冷凝器部中從氣相冷凝為液相。第一流動^各徑由納米材料制成，表面上具有疏水性，且4吏在第 一冷凝位置中^皮冷凝為液相的工作流體流動到蒸發(fā)部。
在根據(jù)本發(fā)明該實施方式的散熱器中，液相工作流體在蒸發(fā)部中蒸發(fā)為氣相。該氣相工作流體在配置在比蒸發(fā)部更高位置中的第一冷凝器部中^皮冷凝為液相。該液相工作流體在第 一流動路徑中流動以返回到蒸發(fā)部。重復上述相變。
散熱器的第 一流動路徑使工作流體從第 一冷凝器部流動到配置在比第一冷凝器部低的蒸發(fā)部。在此，由于第一流動路徑在表面上具有疏水性，所以可以將流動路徑阻力保持較低。此外，由于第一流動路徑由能夠達到更高疏水性的納米材料制成，所以可以將流動路徑阻力保持得更低。因此，可以提高工作流體從第一冷凝器部到蒸發(fā)部的流動效率。
8根據(jù)本發(fā)明的該實施方式，由于熱源熱連接到散熱器，所以散 熱器可以有步文才廣散熱源的熱。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，提供一種散熱器制造方法。該散 熱器制造方法包括將蒸發(fā)區(qū)域配置在第一位置中且將第一冷凝器 區(qū)域配置在第二位置中，該第二位置是比第一位置高且與第一位置 分開的位置，以及在蒸發(fā)區(qū)域與第 一 冷凝器區(qū)域之間形成表面上具 有疏水性的第 一 納米材并牛層。
才艮據(jù)本發(fā)明的該實施方式，形成表面上具有疏水性的第 一納米 材料層以形成用于工作流體乂人第 一冷凝器區(qū)i或到蒸發(fā)區(qū)i或的流動 路徑，這使得能夠實現(xiàn)更易于制造、更高的可靠性和更低的成本。
根據(jù)本發(fā)明該實施方式的散熱器制造方法，可以進 一 步包括將 第二冷凝器區(qū)域配置在第三位置中，該第三位置是比第一位置低且 與第 一位置分開的位置，以及在蒸發(fā)區(qū)域與第二冷凝器區(qū)域之間形 成表面上具有親水性的第二納米材料層。
沖艮據(jù)本發(fā)明的該實施方式，形成表面上具有親水性的第二納米 材料層以形成用于工作流體從第二冷凝器區(qū)域到蒸發(fā)區(qū)域的流動 路徑，這使得能夠實現(xiàn)更易于制造、更高的可靠性和更低的成本。
在才艮據(jù)本發(fā)明該實施方式的散熱器制造方法中，可以垂直或傾 斜地形成第一納米材并牛層。
才艮據(jù)本發(fā)明的該實施方式，在垂直配置第一納米材4牛層的情況 下，可以提供這樣的一種散熱器制造方法，其中可以更有效地沖丸4亍 工作流體從第 一冷凝器區(qū)域到蒸發(fā)區(qū)域的流動。在傾斜配置第 一納 米材料層的情況下，可以設置多個納米材料層和與其相對應的多個 第一冷凝器區(qū)域。由此，可以提供這樣一種散熱器的制造方法，在該散熱器中可以提高工作流體從第 一冷凝器區(qū)域到蒸發(fā)區(qū)域的流
動步丈率。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，提供一種散熱器制造方法，包括 在具有蒸發(fā)區(qū)的基板上形成表面上具有疏水性的納米材料層，以及 在納米材料層上在朝向蒸發(fā)區(qū)的方向上形成親水區(qū)。
根據(jù)本發(fā)明的該實施方式，在表面上具有疏水性的納米材料層 上形成親水區(qū)，以形成用于工作流體到蒸發(fā)區(qū)的流動路徑，這使得 能夠實現(xiàn)更易于制造、更高的可靠性和更低的成本。
在才艮據(jù)本發(fā)明該實施方式的散熱器制造方法中，可以通過切槽 處理或通過圖案化來形成親水區(qū)。
沖艮據(jù)本發(fā)明的該實施方式，可以通過切槽處理或通過圖案化來 形成親水區(qū)，這使得能夠實現(xiàn)微小結構和更高的可靠性。
根據(jù)本發(fā)明的該實施方式的散熱器，可以提高工作流體從冷凝 器部到蒸發(fā)部的流動效率。
根據(jù)本發(fā)明的散熱器制造方法，能夠實現(xiàn)更易于制造和更高的
可靠性。
本發(fā)明的這些和其他目的、特征和優(yōu)點根據(jù)以下如附圖中所圖 示i兌明的本發(fā)明的最佳實施方式的詳細描述而變4尋更加明顯。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的散熱器的平面圖； 圖2是圖1的散熱器的側視圖；圖3是圖1的散熱器的正視圖4是從圖2的A-A線只見察的散熱器的縱向截面圖5是示出了圖1的散熱器的操作的示意圖6是示出了圖1是散熱器的制造方法的流程圖7是順序地示出了冷凍劑注入到殼體中的方法的示意圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的散熱器的縱向截面
圖9是示出了圖8的散熱器的操作的示意圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的散熱器的平面圖11是從圖10的B-B線觀察的散熱器的縱向截面圖12是才艮據(jù)本發(fā)明的第四實施方式的散熱器的平面圖13是從圖12的C-C線》見察的散熱器的縱向截面圖14是/人圖13的D-D線^L察的散熱器的截面圖；以及
圖15是示出了作為包括根據(jù)本發(fā)明實施方式之一的散熱器的 電子裝置的臺式PC的透視圖。
具體實施例方式
下文中，將參考附圖來描述本發(fā)明的實施方式。(第一實施方式) (散熱器的結構)
圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的散熱器的平面圖。圖2是 圖1的散熱器的側視圖。圖3是圖1的散熱器的正視圖。圖4是從 圖2的A-A線觀察的散熱器的縱向截面圖。
如圖l-4中所示，散熱器10包括薄矩形殼體60。殼體60在 其中包括蒸發(fā)部20、液體流動^各徑40 (第一流動^各徑)、氣體流動 路徑50和冷凝器部30 (第一冷凝器部)。殼體60還包括密封在其 中的冷凍劑(未示出)(工作流體)。
液體流動路徑40和氣體流動^各徑50設置在冷凝器部30與蒸 發(fā)部20之間。液體流動路徑40和氣體流動^各徑50是用于冷凍劑 在冷凝器部30與蒸發(fā)部20之間的流動^各徑。
冷凝器部30配置在比蒸發(fā)部20高的位置。更具體地，冷凝器 部30在垂直方向上配置在蒸發(fā)器部分20上方，其中液體流動^各徑 40和氣體流動路徑50配置在它們之間。簡而言之，根據(jù)上述，冷 凝器部30、液體流動i 各徑40和氣體流動路徑50以及蒸發(fā)部20以 該次序i也垂直配置。
殼體60包括矩形主板構件61和側板構件62。
液體流動^各徑40由疏水流動^各徑構件41 (第一納米材:桿層) 制成。該疏水流動^各徑構件41形成在一個主4反構件61的內表面64 的垂直方向上的大致中部。疏水流動^各徑構件41經(jīng)由(隔著)殼 體60的內部空間而面對另 一個主才反構件61 。疏水流動路徑構件41 的表面主要充當液體流動路徑40。另外，內部空間主要充當氣體流
12動^各徑50。然而，不能清楚地劃分流動^各徑。實際上，液相冷凍劑 (下文稱為液體冷凍劑)可以在內部空間中流動，且氣相冷凍劑(下 文稱為氣體冷凍劑)可以在疏水流動i 各徑構件41的表面上流動。
蒸發(fā)部20經(jīng)由主板構件61與熱源70熱連接。術語"熱連接" 是指，除了直接連接之外，還可以是經(jīng)由例如熱導體的連接。例如， 熱源70是諸如CPU、電阻或產生熱的其他裝置的電子組件。
例如，本實施方式的散熱器10在每個側面上長度(e)是30 mm 50mm并且寬度(w)是2 mm ~ 5 mm。具有這才羊的尺寸的散 熱器IO散熱器用于作為熱源70的PC的CPU,其熱連4妄到散熱器 10?？梢圆鹏迵?jù)熱源70的尺寸來限定散熱器10的尺寸。例如，在熱 連接到散熱器10的熱源70是大尺寸顯示器等的熱源時，可以將長 度e設置為約2600 mm。散熱器10的尺寸^皮定義成^f吏得冷凍劑可 以適當?shù)亓鲃硬⒗淠?。此外，散熱?0的形狀不限于本實施方式 中所示的矩形形狀。散熱器10的操作溫度范圍例如大致為-40度~ + 200度。散熱器10的吸熱密度例如是8 W/mm2以下。
疏水流動^各徑構件41由疏水納米材沖+制成。疏水納米材泮牛例 如是碳納米管，^f旦是并不限于這些。疏水流動^各徑構件41至少在 表面上具有疏水性。換言之，可以整個號u水流動^各徑構件41具有 疏水性或可以其表面進4亍了 j 危水處理。
疏水流動3各徑構件41的厚度t例如為100 nm ~ 100 pm。在佳: 用碳納米管作為納米材料的情況下，將碳納米管的長度設置為100 nm 100(im。圖4中，為了易于理解，將疏水流動^各徑構件41相 對于殼體60的比例比實際結構更大。
除了疏水流動5^徑構件41之外，蒸發(fā)部20可以由納米材^f制 成。所以，與蒸發(fā)部20由金屬材料等制成的情況相比，納米材料在表面上具有納米結構，其表面積增加且因此^是高蒸發(fā)效率。例如，
碳納米管具有比銅(金屬散熱器的一種典型金屬材料)高約10倍 的導熱性。因此，在蒸發(fā)部20由碳納米管制成的情況下，與由諸 如銅的金屬材料制成的蒸發(fā)部相比，獲得了極大提高的蒸發(fā)效率。 因此，可以^吏蒸發(fā)部20更小。冷凝器部30也可以由納米材:纖制成。
殼體60由金屬材料制成。金屬材料例如為銅、不銹鋼或鋁， 但不限于上述。除金屬之外，可以使用諸如碳的具有高導熱性的材 料?？梢运兄靼鍢嫾?1和側板構件62分別由不同的材料形成， 可以其中的 一 些由相同材并牛制成，或者可以所有都由相同材沖+制 成。主板構件61和側板構件62可以通過銅焊(即，焊接)來結合， 或者可以用粘合劑材料結合，這取決于材料。
作為冷凍劑，可以4吏用純水，諸如乙醇、曱醇或異丙醇的醇類、 含氯氟烴、氫氯氟烴、氟、氨水、丙酮等，但是不限于上述。同時， 鑒于潛熱或全球環(huán)境的保護，純水是優(yōu)選的。
(散熱器的操作)
將描述上述結構的散熱器10的操作。圖5是示出了操作的示 意圖。假定散熱器10配置成使得主板構件61例如是豎直配置的。
當熱源70產生熱時，該熱經(jīng)由殼體60的主4反構件61傳遞到 蒸發(fā)部20。隨后，蒸發(fā)部20中的液體冷凍劑蒸發(fā)成氣體冷凍劑。 氣體冷凍劑在氣體流動路徑50中朝向冷凝器部30流動(箭頭A )。 隨著氣體冷凍劑在氣體流動^各徑50中流動，熱發(fā)生擴散，且氣體 冷凍劑在冷凝器部30中冷凝成液相(箭頭B)。因此，散熱器10 輻射熱(箭頭C )。液體冷凍劑在液體流動^各徑40中流動而返回到 蒸發(fā)部20 (箭頭D)。
14通過重復上述才喿作，熱源70的熱通過散熱器IO擴散。
如上所述，通過控制冷凍劑流動路徑使得液體冷凍劑在液體流 動路徑40中流動(箭頭D )且氣體冷凍劑在氣體流動路徑50中流 動(箭頭A),可以減少液體冷凍劑和氣體冷凍劑混合的擔憂。
如圖5中的箭頭A-D所示的才喿作區(qū)域J義為大致導向或大致標 準，并且沒有明確限定，因為各個4乘作區(qū)域可以才艮據(jù)由熱源70等 產生的熱量而變動。
將描述由箭頭D所示的液體流動贈4圣40中的'液體冷凍劑的流動。
液體冷凍劑在液體流動^各徑40中由于重力而乂人配置在專交高位 置的冷凝器部30流動到配置在較低位置的蒸發(fā)部20。由于液體流 動路徑40垂直配置，所以液體冷凍劑可以在液體流動路徑40中有
效流動。
液體流動^各徑40的主要部分是具有疏水性的疏水流動路徑構 件41的表面。由于疏水性，所以當液體冷凍劑在液體流動^各徑40 中流動時，可以^l尋相^"于發(fā)u K流動路徑構zf牛41的4妄觸角^f呆持為更 大。因此，可以進一步增加重力方向上的流動效率。在疏水流動^各 徑構件41由碳納米管制成的情況下，由于碳納米管在表面上具有 大的疏水性，所以液體冷凍劑可以在液體流動i 各徑40中以更高效 率A人冷;疑器部30流動到蒸發(fā)部20。
因此，與^f吏液體冷凍劑利用毛細力流動的情況相比，可以^使液 體冷凍劑的偏向分布更小JU吏流動鴻4圣阻力更小。因ot匕，減少了液 體冷凍劑向蒸發(fā)部20的供應量減少的4旦心，所以，冷凍劑的循環(huán) 不會受到不利影響，且可以實現(xiàn)操作穩(wěn)定性。應注意，可以將未示出的諸如散熱片的熱輻射構件熱連接至散
熱器10的主板構件61的表面。在這種情況下，通過散熱器10所 擴散的熱傳遞到散熱片，且從散熱片輻射。
(散熱器制造方法)
接著，將描述散熱器10的制造方法的一個實施方式。圖6是 示出了該制造方法的流程圖。
在主板構件61的內表面64上形成疏水流動^各徑構件41 (步驟 101)。具體地，例如，在內表面64上形成未示出的催化劑層，且 在該催化劑層上密實地形成疏水納米材料。通過等離子體CVD (化 學氣相沉積)或熱CVD (^f旦并不限于這些)在4崔4b劑層上形成納米材料。
接著，液體密封地結合主板構件61和側板構件62 (步驟102 ) 以形成殼體60。在結合時，精確地對準各個才反構件。因此，在殼體 60的內部空間中，形成冷凝器部30、作為疏水流動^各徑構件41的 表面的液體流動3各徑40、液體流動^各徑50和蒸發(fā)部20。
接著，將冷凍劑注入殼體60中并將其進行密封(步驟103)。 圖7是順序地示出了冷凍劑注入到殼體60中的方法的示意圖。殼 體60包4舌注入口 67和注入3各徑65。注入口 67和注入3各徑65例如 -沒置在一個主纟反構4牛61上。
如圖7A中所示，例如經(jīng)由注入口 67和注入^各徑65降4氐殼體 60內部空間的壓力，且經(jīng)由注入口 67和注入^各徑65 乂人未示出的分 配器4奪冷凍劑灌注到該內部空間中。如圖7B中所示，擠壓壓縮區(qū)66并封閉(暫時密封)注入路徑 65。經(jīng)由另一個注入^各徑65和另一個注入口 67來降^f氐殼體60內 部空間的壓力，且當殼體60內部空間的壓力達到目標壓力時，擠 壓壓縮區(qū)66并封閉(暫時密封)注入路徑65。
如圖7C中所示，在比壓縮區(qū)66更靠近注入口 67的一側，注 入路徑65例如通過激光焊接封閉(最終密封)。由此，緊密地密封 散熱器10的內部空間。通過如上所述將冷凍劑灌注到殼體60的內 部空間中并將其進行密封，制得散熱器10。
接著，將熱源70安裝到與蒸發(fā)部20相對應的一個主板構件61 的位置(步驟104 )。在熱源70是CPU的情況下，該過程例如是回 流焊4妄處理。
可以在不同區(qū)i或(例如，不同工廠)4丸4亍散熱器10的回流處 理和制造處理。所以，在回流處理之后4丸行冷凍劑的灌注的情況下， 需要將散熱器10運輸?shù)焦S或從工廠運輸，這導致成本、人力、 時間或工廠之間轉移的顆粒產生的問題。根據(jù)圖7的制造方法，可 以在完成散熱器IO之后執(zhí)行回流處理，從而解決上述問題。
根據(jù)本實施方式的散熱器10的制造方法，通過在散熱器殼體 60形成和冷凍劑注入之前，在預定區(qū)域形成具有疏水性的納米材 料，可以制造包括冷凝器部30、液體流動路徑40、氣體流動^各徑 50和蒸發(fā)部20的散熱器10。因此，可以簡化散熱器的制造方法。 另外，由于并非必須進行疏水處理等，使得能夠實現(xiàn)更低的成本、 更易于制造和更高的可靠性。
(第二實施方式)
(散熱器的結構)將描述本發(fā)明的第二實施方式。以下，將用相同參考標號指代j
與上述實施方式的散熱器IO相同的組件、功能等，將簡化或省略
相同的描述，且將主要描述不同的部分。
圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的散熱器的縱向截面圖。
如圖8所示，散熱器IIO具有與圖2的散熱器10的殼體60類 似的薄矩形殼體160。
殼體160在其中包括蒸發(fā)部120、第一冷凝器部130、第二冷 凝器部131、第一液體流動路徑140 (第一流動路徑)、第二液體流 動^各徑142 (第二流動路徑)、第一氣體;;庇動路徑150和第二氣體;危 動^各徑151。用未示出的;令凍劑來灌注殼體160。
在第一冷凝器部130與蒸發(fā)部120之間設置第一液體流動^各徑 140和第一氣體流動^各徑150。第一液體流動^各徑140和第一氣體 流動3各徑150是用于冷凍劑在第一冷凝器部130與蒸發(fā)部120之間
的流動^各徑。
在第二冷凝器部131與蒸發(fā)部120之間i殳置第二液體流動^各徑 142和第二氣體流動路徑151。第二液體流動^各徑142和第二氣體 流動3各徑151是用于冷凍劑在第二冷凝器部131與蒸發(fā)部120之間
的流動^各徑。
第一冷凝器部130配置得比蒸發(fā)部120高。具體地，第一冷凝 器130在沿垂直方向上配置得比蒸發(fā)部120高，第一液體流動^各徑 140和第一氣體力t動i 各徑150配置在它們之間。
18第二冷凝器部131配置得比蒸發(fā)部120低。具體地，第二冷凝 器131在沿垂直方向上配置得比蒸發(fā)部120 4氐，第二液體流動^各徑 142和第二氣體流動^各徑151配置在它們之間。
因此，根據(jù)以上所述，第一冷凝器部130、第一液體流動^各徑 140和第一氣體流動^各徑150、蒸發(fā)部120、第二液體流動^各徑142 和第二氣體流動踏jf圣151以及第二;令凝器部131以該次序垂直配置。
殼體160包4舌矩形主4反構件161和側^反構件162。
第一液體流動路徑140由疏水流動^各徑構件141 (第一納米材 料層)制成。疏水流動^各徑構件141形成在與一個主纟反構件161的 內表面164的蒸發(fā)部120緊接的上部分上。疏水流動路徑構件141 經(jīng)由殼體160的內部空間正對另 一個主才反構件161 。疏水流動^各徑 構件141的表面主要充當?shù)谝灰后w流動^各徑140。另外，內部空間 主要充當?shù)谝粴怏w流動3各徑150。然而，不能清楚i也劃分這些流動 路徑。實際上，液體冷凍劑可以在內部空間中流動，且氣體冷凍劑 可以在疏水流動3各徑構件141的表面上流動。
第二液體流動路徑142由親水流動踏4圣構件143 (第二納米材 料層)制成。親水流動i 各徑構件143形成在與一個主板構件161的 內表面164的蒸發(fā)部120緊接的下部分上。親水流動^各徑構件143 經(jīng)由殼體160的內部空間正對另一個主玲反構件161。親水流動^各徑 構件143的表面主要充當?shù)诙后w流動路徑142。另外，內部空間 主要充當?shù)诙怏w流動^各徑151。然而，不能清楚地劃分這些流動 路徑。實際上，液體冷凍劑可以在內部空間中流動，且氣體冷凍劑 可以在親7K:流動絲4圣構4牛143的表面上i乾動。
蒸發(fā)部120經(jīng)由主^反構^f牛161與熱源70熱連4妄。疏水流動^各徑構件141和親水流動3各徑構件143由納米才才并牛制 成。疏水流動路徑構件141至少在表面上具有疏水性。換言之，可 以整個疏水流動蹤4圣構4牛141具有逸t水性或可以其表面經(jīng)過了疏u K 處理。親水流動^^徑構件143至少在表面上具有親水性。4奐言之， 可以整個親水流動^各徑構^f牛143具有親7jc性或可以其表面經(jīng)過了親 水處理。疏水流動3各徑構件141和親水流動^各徑構件143可以由相同納 米材#+制成。在這種情況下，可以在用納米材并牛形成流動^各徑構4牛 之后，才丸4亍適當?shù)挠H水處理。親水處理可以例如為硝'酸處理或紫外輻射。除了疏水流動3各徑構4牛141和親7jc流動^各;f圣構^f牛143之外，蒸 發(fā)部120、第一冷凝器部130和第二冷凝器部131也可以由納米材料制成。疏水流動^各徑構件141和親水流動^各徑構件143的厚度例如為 100 nm ~ 100 pm。圖8中，為了易于理解偵:疏水流動^各徑構件141 和親水流動路徑構件143相對于殼體160的比例比實際構造更大。殼體160可以由金屬材料制成。散熱器110在每個側面上的長(e )例如是30 mm ~ 50 mm而 寬(w)是2 mm~5 mm。散熱器110的形習犬不限于本實施方式中所示的矩形形狀。(散熱器的操作)將描述如上構造的散熱器110的操作。圖9是示出了操作的示 意圖。假定散熱器110配置成使得主板構件161例如是垂直配置的。20，該熱通過殼體160的主々反構件161傳遞 到蒸發(fā)部120。隨后，蒸發(fā)部120中的液體冷凍劑蒸發(fā)成氣體冷凍 劑。氣體冷凍劑的一部分在第 一氣體流動路徑150中朝向第 一冷凝 器部130流動(箭頭A')。隨著氣體冷凍劑在第一氣體流動^各徑150 中流動，熱發(fā)生擴散，且氣體冷凍劑在第一冷凝器部130中冷凝成 液相(箭頭B')。由此散熱器110輻射熱(箭頭C')。液體冷凍劑在 第一液體流動^各徑140中流動而返回到蒸發(fā)部120 (箭頭D')。該 操作與圖5的箭頭A D的操作類似。同時，在蒸發(fā)部120中產生的氣體冷凍劑的其他部分在第二氣 體流動^各徑151中朝向第二冷凝器部131流動(箭頭E)。隨著氣體 冷凍劑在第二氣體流動路徑151中流動，熱發(fā)生擴散，且氣體冷凍 劑在第二冷凝器部131中冷凝成液相(箭頭F)。由此散熱器110輻 射熱(箭頭G)。液體冷凍劑在第二液體流動^各徑142中流動而返 回到蒸發(fā)部120 (箭頭H)。通過重復上述纟喿作，熱源170的熱通過 散熱器110擴散。如上所述，通過控制冷凍劑流動^各徑，佳J尋液體冷凍劑在第一 液體流動^各徑140和第二液體流動^各徑142中流動(箭頭D'、箭頭 H)且氣體冷凍劑在第一氣體流動路徑150和第二氣體流動^各徑151 中流動(箭頭A'、箭頭E)，可以減少液體冷凍劑和氣體冷凍劑混合的擔憂。如圖9中箭頭A' D'和箭頭E H所示的才喿作區(qū)域4叉為大致導 向或大致標準，且并未清楚限定才乘作區(qū)^^。將描述由箭頭H所示的第二液體流動路徑142中的液體冷凍劑的5危動。21液體冷凍劑在作為由納米材料制成的親水流動路徑構件143的 表面的第二液體流動3各徑142中利用毛細力從配置在4交〗氐位置上的 第二冷凝器部131流動至配置在舉交高位置上的蒸發(fā)部120。親水;克動^^圣構4牛143在表面上具有納米結構，即，10 nm 100 pm的極微小結構。例如，當碳納米管用作納米材料時，碳納米 管的直徑為10 nm~50 nm,且長度為100 nm ~ 100 [am。因此，液 體冷凍劑可以利用毛細力而在第二液體流動^各徑142中流動。由于 親水流動路徑構件143在表面上具有親水性，所以液體冷凍劑滲透 親水流動路徑構件143的表面。因此，更多液體冷凍劑可以利用毛 細力而在第二液體流動路徑142中流動，并且可以才是高/人第二冷凝 器部131到蒸發(fā)吾卩120的;危動歲丈率。如上所述，4艮據(jù)本實施方式的散熱器110,同時采用利用毛細 力^f吏液體冷凍劑流動第二液體流動^各徑142和通過重力偵 液體冷凍 劑流動的第一液體流動^各徑140。由此，將冷凍劑分離到第二液體 流動3各徑142側和第一液體流動^各徑140側。因此，可以4吏液體冷 凍劑的偏向分布更小，且可以^是高液體冷凍劑乂人第一冷凝器部130 和第二冷凝器部131到蒸發(fā)部120的流動效率。因此，減少了液體 冷凍劑向蒸發(fā)部120的供應量減少的擔心，所以，冷凍劑的循環(huán)不 會受到不利影響，且可以實現(xiàn)操作穩(wěn)定性。另外，相對于一個蒸發(fā) 部120，可以i殳置多個流動^各徑(即，第一液體流動^各徑140和第 二液體流動路徑142)和與其相對應的多個冷凝器部(即，第一冷 凝器部130和第二冷凝器部131),這提高了熱擴散效率。(散熱器制造方法)為了制造散熱器110，形成納米材沖+層以形成疏水流動^各徑構 件141 (與圖6的步驟101相對應)，且形成另一個納米材料層并使 其經(jīng)過適當?shù)挠H水處理，以形成親水流動蹈-徑構件143。納米材料例如是^灰納米管，^f旦是不限于上述這些。親水處理可以例如是石肖酸處理或紫外輻射。蒸發(fā)部120、第一冷凝器部130和第二冷凝器部131可以由納 米材料制成。蒸發(fā)部120、第一冷凝器部130和第二冷凝器部131 例如是親水的。在疏水流動5^徑構件141和親水流動路徑構件143的形成之 后，可以用圖6的步驟102 ~步驟104的制造方法來制造散熱器110。根據(jù)本實施方式的散熱器制造方法，并非必須在液體流動3各徑 的表面上形成紗布條結構等，且僅需要執(zhí)行親水處理以實現(xiàn)毛細作 用，這使得能夠實現(xiàn)更易于制造、更高的可靠性和更低的成本。(第三實施方式)圖10是根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的散熱器的平面圖。圖11 是從圖10的B-B線7見察的散熱器的縱向截面圖。如圖IO和圖11中所示，散熱器210包;l舌薄矩形殼體260。殼 體260在平面圖中是矩形。乂人側向方向^見察，中心部分配置得比左 端和右端部分4氐。殼體260在其中包括蒸發(fā)部220、多個液體流動3各徑240 (第 一流動路徑)、多個氣體流動路徑250和多個冷凝器部230 (第一冷 凝器部)。殼體260還包括密封在其中的冷凍劑(未示出)。液體流動路徑240和氣體流動路徑250分別設置在冷凝器部 230與蒸發(fā)部220之間。液體流動^各徑240和氣體流動路徑250是 用于在冷凝器部230與蒸發(fā)部220之間的冷凍劑的流動路徑。蒸發(fā)部220形成在殼體260中的最4氐位置上。冷凝器部230配置得比蒸發(fā)部220高。具體地，冷凝器部230 配置得蒸發(fā)器部分220更高，其中液體流動路徑240和氣體流動路 徑250配置在它們之間。圖11中，多個冷凝器部230配置在基本 上相同的高度，但是并不限于上述。液體流動路徑240和氣體流動 ^各徑250配置為傾斜。因此，才艮l居上述，冷凝器部230、液體流動 ^各徑240和氣體流動5各徑250以及蒸發(fā)部220以這個次序配置。殼體260包括作為上表面和底表面的主4反構件261和作為壁表 面的煩'W反才勾4牛262。液體流動^各徑240由疏水流動路徑構件241 (第一納米材津牛層) 制成。疏水流動路徑構件241形成在比蒸發(fā)部220高且比作為底表 面的一個主才反構件261的內表面264的冷;疑器部230 ^氐的部分上從 而是傾殺牛的。疏水流動路徑構件241經(jīng)由殼體260的內部空間面對 另一個主一反構件261。疏水流動路徑構件241的表面主要充當內部 空間中的液體流動^各徑240 。另夕卜，內部空間主要充當氣體流動3各 徑250。然而，不能清楚i也劃分這些流動3各徑。實際上，液體冷凍 劑可以在內部空間中;危動，且氣體;令凍劑可以在疏u7jc:流動踏4圣構^[牛241的表面上;充動。在平面圖中，本實施方式的散熱器210在每個側面上的長度(e ) (側—反構件262的伸長方向的長度)例如是30 mm ~ 50 mm而寬度 (w )(與側才反構4牛262的伸長方向垂直的側面的長度)是2 mm ~ 5 mm。散熱器210的形狀不限于本實施方式中所示的矩形形狀。蒸發(fā)部220經(jīng)由主板構件261與熱源70熱連4妄。疏水流動^各徑構件241由疏水納米材并+制成。疏水納米材并牛例 如是^友納米管，Y旦是并不限于上述。疏水流動路徑構件241至少在表面上具有疏7JC性。換言之，可以整個發(fā)b7K流動踏4圣構4牛241具有疏水性或可以其表面進行了疏水處理。疏水流動路徑構件241的厚 度t例如為100nm 100(im。在使用碳納米管作為納米材料的情況 下，將該碳納米管的長度設置為100 nm ~ 100 (am。除了疏水流動路徑構件241之外，蒸發(fā)部220和冷凝器部230 可以由納米材#+制成。殼體260例如由金屬材料制成。散熱器210與第一實施方式的散熱器10的不同之處在于，疏 水流動^各徑構件241、液體流動^各徑240和氣體流動^各徑250傾殺牛， 且設置了多個冷凝器部230、疏水流動路徑構件241、液體流動路 徑240和氣體流動^各徑250。通過將發(fā)i^jc流動^各徑構件241、'液體 流動路徑240和氣體流動路徑250形成為傾斜，可以形成多個冷凝 器部230、疏水流動^各徑構件241、液體流動^各徑240和氣體流動 ^各徑250。因此，可以沿不同方向分離冷凍劑。由此可以^使液體冷 凍劑的偏向分布更小。因此，可以提高液體冷凍劑從冷凝器部230 到蒸發(fā)部220的;虎動歲文率。由于液體流動贈4圣240在表面上具有疏水性，所以即使在不垂 直地配置液體流動^各徑240的情況下，液體冷凍劑也可以通過重力 流動到蒸發(fā)部220。在液體流動路徑240的傾斜角進一步變小的情 況下，疏水性通過重力增強流動。因此，可以不是垂直而是基本上 水平地設置散熱器，且可以根據(jù)多種設置條件來設置散熱器。在此，示出了其中設置兩個冷凝器部230、兩個疏水流動路徑 構件241、兩個液體流動路徑240和兩個氣體流動3各徑250的實例，25但是并不限于上述。例如，可以i殳置三個以上的冷凝器部230、疏 水流動^各徑構件241、液體流動^各徑240和氣體流動^各徑250。散熱器210的操作與第一實施方式的散熱器10的操作(圖5 ) 類似。在此，將^又描述液體流動路徑240中的液體冷凍劑的流動(與 圖5的箭頭D相3于應)。液體冷凍劑在液體流動^各徑240中通過重力從配置在4交高位置 的冷凝器部230流動到配置在較低位置的蒸發(fā)部220。由于液體流 動^各徑240傾斜，所以液體冷凍劑可以通過重力在液體流動^各徑240 中流動。液體流動路徑240是具有疏水性的疏水流動^各徑構件241的表 面。由于疏水性，液體冷凍劑在流入液體流動^各徑240中時不;參透 疏水流動^各徑構件241的表面，且因此可以將相對于疏水流動^各徑 構件241的4妄觸角保持得更大。由此可以進一步增加流動效率。在 疏水流動^各徑構件241由石灰納米管制成的情況下，由于石友納米管在 表面上具有大疏水性，所以液體冷凍劑可以以專交高歲文率在液體流動 路徑240中從冷凝器部230流動到蒸發(fā)部220。因此，與以毛細力〗吏液體冷凍劑流動的情況相比，可以4吏液體 冷凍劑的偏向分布變少且可以^吏流動^各徑阻力變小。此外，由于形成了多個冷凝器部230和液體流動路徑240，所 以進一步提高了液體冷凍劑到蒸發(fā)部220的循環(huán)效率。因此，減少 了液體冷凍劑到蒸發(fā)部220的供應量減少的擔心。散熱器210的制造方法與第一實施方式的散熱器10的制造方 法(圖6)類似，因此將省略其描述。(第四實施方式)(散熱器的結構)圖12是根據(jù)本發(fā)明的第四實施方式的散熱器的平面圖。圖13 是從圖12的C-C線觀察的散熱器的縱向截面圖。圖14是乂人圖13 的D-D線〗現(xiàn)察的散熱器的截面圖。如圖12 ~圖14中所示，散熱器310包括薄矩形殼體360。殼體360在其中包括蒸發(fā)部320、流動路徑340 (第一流動^各 徑)和冷凝器部330 (第一冷凝器部)。殼體360還包括密封在其中 的冷凍劑(未示出)。流動路徑340設置在冷凝器部330與蒸發(fā)部320之間。流動^各 徑340是用于在冷凝器部330與蒸發(fā)部320之間的冷凍劑的流動路徑。殼體360包括矩形底板構件361、矩形頂板構件363和側板構 件362。冷凝器部330配置得比蒸發(fā)部320高。具體地，冷凝器部30 在垂直方向上配置在蒸發(fā)器部分20上方，流動路徑340配置在它 們之間。簡而言之，根據(jù)上述，冷凝器部330、流動^各徑340和蒸 發(fā)部320垂直地配置。流動路徑340包括疏水流動^各徑構件341 (納米材料層)。疏水 流動路徑構件341形成在底4反構件361的內表面364上以圍繞蒸發(fā) 320。即，發(fā)u7j^危動路;f圣才勾^f牛341酉己置在基本上與蒸發(fā)吾P 320沖目 同的高度上。疏水流動^各徑構件341包4舌多個親水部345和疏水部分344。 親水部345沿朝向蒸發(fā)部320的方向基本上線性形成。具體地，親水部345以蒸發(fā)部320為中心放射形成，^旦是并不限于上述。此外， 在沒有4是供多個親水部345的情況下，可以4是供一個連續(xù)親^^部 345。每個親水部345均具有實現(xiàn)毛細力的寬度。親水部345在表面 上具有親水性。親水部345可以是通過圖案化形成的表面，或者可 以是槽狀的。在親水部345是槽狀的情況下，切槽的尺寸具有實現(xiàn) 毛細力的尺寸。疏水部分344是無親水部345的區(qū)域。為了〗更于理 解，圖中減少了親水部345的凄丈目。蒸發(fā)部320在平面圖中例如是矩形，但是并不限于上述。蒸發(fā) 部320經(jīng)由底凈反構4牛361與熱源70熱連4妄。散熱器310在每個側面上的長度(e)例:i口是30 mm ~ 50 mm 而寬度(w)是2 mm~5 mm。散熱器310的形狀不限于本實施方 式中所示的矩形形狀。疏水流動3各徑構件341由疏水納米材并牛制成。疏水納米材并午例 如是碳納米管，但是并不限于上述。疏水流動路徑構件341至少在 表面上具有疏水性。換言之，可以整個發(fā)L^K流動3各徑構4牛341具有 疏水性或可以其表面進行了疏水處理。疏水流動路徑構件341的厚 度t例如為100 nm ~ 100 (am。除了疏水流動^各徑構件341之外，蒸 發(fā)部320可以由納米材料制成。在使用碳納米管作為納米材料的情 況下，將該碳納米管的長度"i殳置為100nm~ 100pm。殼體360例如由金屬材一+制成。(散熱器的操作)將描述如上構造的散熱器310的才喿作?！﹊定散熱器310配置成 Y吏得冷;疑器部330、流動路徑340和蒸發(fā)部320垂直;也配置。當熱源70產生熱時，熱經(jīng)由殼體360的底板構件361傳遞到 蒸發(fā)部320。隨后，蒸發(fā)部320中的液體冷凍劑蒸發(fā)成氣體冷凍劑。 氣體冷凍劑在流動路徑340中朝向冷凝器部330流動。隨著氣體冷 凍劑在流動路徑340中流動，熱擴散，且氣體冷凍劑在冷凝器部330 中冷凝成液相。由此散熱器310輻射熱。液體冷凍劑在液體流動^各 徑340中朝向疏水流動i 各徑構件341流動。液體冷凍劑在疏水流動 路徑構件341中流動而返回到蒸發(fā)部320。通過重復上述才喿作，熱 源70的熱通過散熱器310擴散。
將描述液體冷凍劑在疏水流動^各徑構件341上的流動。疏水流 動鴻-徑構件341上的液體冷凍劑在疏水部分344上4皮排斥。在疏水 部分344上被排斥的液體冷凍劑聚集到親水部345。聚集到親水部 345的液體冷凍劑在線性形成為液體流動^各徑的親水部345中利用 毛細力朝向蒸發(fā)部320流動。
利用這種結構，不僅在其中流動路徑配置在蒸發(fā)部320上方的 情況下，而且在其中流動路徑340基本上與蒸發(fā)部320相同高度配 置的情況下，可以提高液體冷凍劑從冷凝器部330到蒸發(fā)部320的 ;克動步文率，JM呆持專交高《u動歲丈率。
由于液體冷凍劑主要通過毛細力流到蒸發(fā)部320,所以不<又在 垂直配置冷凝器部330、流動路徑340和蒸發(fā)部320的情況下，而 且在水平配置這些的情況下也可以4吏用散熱器310。
(散熱器制造方法)
接著，將描述散熱器310的制造方法的一個實施方式。
在除了底板構件361的內表面364的蒸發(fā)部320之外的區(qū)域上 形成疏水流動^^徑構件341。具體地，在內表面364上形成未示出的催化劑層，且在該催化劑層上密實地形成疏水納米材料。通過等
離子CVD或熱CVD (但并不限于這些)在催化劑層上形成納米材料。
可選地，納米材料層可以在內表面364的整個區(qū)域上形成，蒸 發(fā)部320可以在預定區(qū)域上形成，且可以形成另一個區(qū)域作為疏水 :流動^^圣構4牛341。
接著，疏水流動^各徑構件341的預定區(qū)域經(jīng)過親水處理以形成 親水部345。親水處理可以例如是在納米初啡牛層上扭j于的用于產生 羧基的硝酸處理或紫外輻射。線性地形成親水部345。親水部345 可以是通過圖案化或通過切槽處理形成的平面。
在底才反構件361的內表面364上形成疏水流動^各徑構件341和 在發(fā)u水流動3各徑構爿f牛341上形成親水部345之后，可以用圖6的步 驟102 ~步驟104的制造方法來制造散熱器310。
根據(jù)本實施方式的散熱器制造方法，親水部345通過切槽處理 或通過圖案化來形成、因此，可以形成4效小結構且使得能夠實現(xiàn)更 高可靠性的制造方法。
如上所述，才艮據(jù)本發(fā)明的實施方式的散熱器10、 110、 210或
310是基于通過使液體流動路徑變成疏水性而利用重力提高液體冷 凍劑的流動效率，以及通過使液體流動路徑變成親水性而利用毛細 力來提高液體冷凍劑的流動效率的基本構思得到的裝置。
(電子裝置的實例)
圖15是包括散熱器10的電子裝置的臺式PC的透一見圖。在PC 80的殼體81中，設置有電路板82，且例如CPU 83安裝在電蹈4反
3082上。作為熱源的CPU83與散熱器10熱連接，且散熱器10與未
示出的散熱片熱連接。
在該圖的實例中，CPU83在垂直方向上連4妄到散熱器10的主 板構件61的下部。盡管未示出，在使用散熱器110的情況下，CPU 83可以基本上熱連4妄在散熱器110的主才反構4牛161的中部。
在該圖的實例中，散熱器10基本上垂直配置。盡管未示出， 但是散熱器可以基本上水平地配置。在這種情況下，可以4吏用散熱 器210、 310。散熱器210、 310可以基本上水平配置，且熱源可以 熱連接到散熱器210、 310的底部表面的大致中部。
到多種^f奮改。
例如，散熱器IO、 IIO垂直配置，《旦并不限于這些。例如，散 熱器IO、 IIO可以傾存牛配置或基本上水平配置，或者可以包4舌具有 彼此分開的蒸發(fā)部和冷凝器部的散熱器。
所述側—見圖中散熱器10、 110的形狀和平面圖中散熱器210、 310的形狀為矩形。然而，所述側:視圖或平面圖中的形狀可以為圓 形、橢圓形、多邊形或另一^f壬意形狀?？蛇x;也，設備并不限于薄矩 形散熱器，而可以形成為熱管。
可以任意改變疏7jc流動路徑構件41、 141、 241或341、親水流 動^各徑構件143或親水部345的形狀等。
作為電子裝置，示例性地示出了圖15的臺式PC。然而，并不 限于上述，而是可以使用PDA (個人數(shù)字助理)、電子詞典、照相 才幾、顯示裝置、音頻/一見頻裝置、4殳影^f義、移動電話、游戲裝置、汽 車導航裝置、自動機械裝置、激光發(fā)生裝置或另一種電子設施作為
電子裝置。
權利要求
1.一種散熱器，包括配置在第一位置的蒸發(fā)部；配置在第二位置的第一冷凝器部，所述第二位置是比所述第一位置高且與所述第一位置分開的位置；工作流體，其在所述蒸發(fā)部中從液相蒸發(fā)為氣相，且在所述第一冷凝器部中從所述氣相冷凝為所述液相；以及由納米材料制成的第一流動路徑，其在表面上具有疏水性，且使在所述第一冷凝器中被冷凝為所述液相的所述工作流體流動到所述蒸發(fā)部。
2. 根據(jù)權利要求1所述的散熱器，進一步包括配置在第三位置的第二冷凝器部，所述第三位置是比所述第一位置^f氐且與所述第一位置分開的位置，且使所述工作流體/人所述氣相冷凝為所述液相；以及由納米材料制成的第二流動路徑，其在表面上具有親水性，且使在所述第二冷凝器中被冷凝為所述液相的所述工作流體流動到所述蒸發(fā)部。
3. 根據(jù)權利要求1所述的散熱器，其中，所述第一流動路徑是垂直配置的。
4. 根據(jù)權利要求1所述的散熱器，其中，所述第一流動路徑是傾^1"配置的。
5. 根據(jù)權利要求1所述的散熱器，其中，所述第一流動^各徑在朝向所述蒸發(fā)部的方向上包括親水部。
6. —種電子裝置，包括:^源；以及熱連4妄到所述熱源的散熱器，所述散熱器包4舌配置在第一位置的蒸發(fā)部；配置在第二位置的第一冷凝器部，所述第二位置是比所述第一部分高且與所述第一部分分開的位置；工作流體，其在所述蒸發(fā)部中/人液相蒸發(fā)為氣相，且在所述第一冷凝器部中從所述氣相冷凝為所述液相；以及由納米材料制成的第一流動^各徑，其在表面上具有疏水性，且4吏在所述第一冷凝器部中纟皮冷凝為所述液相的所述工作流體流動到所述蒸發(fā)部。
7. —種散熱器制造方法，包括將蒸發(fā)區(qū)域配置在第一位置，且將第一冷凝器區(qū)域配置在第二位置，所述第二位置是比所述第一部分高且與所述第一部分分開的位置；以及在所述蒸發(fā)區(qū)域與所述第 一冷凝器區(qū)域之間形成表面上具有疏水性的第 一納米材料層。
8. 根據(jù)權利要求7所述的散熱器制造方法，進一步包括將第二冷凝器配置在第三位置，所述第三位置是比所述第一位置4氐且與所述第一位置分開的位置；以及在所述蒸發(fā)區(qū)域與所述第二冷凝器區(qū)域之間形成表面上具有親水性的第二納米材料層。
9. 根據(jù)權利要求7所述的散熱器制造方法，其中，所述第一納米材料層是垂直地形成的。
10. 根據(jù)權利要求7所述的散熱器制造方法，其中，所述第一納米材料層是傾斜地形成的。
11. 一種散熱器制造方法，包括在具有蒸發(fā)區(qū)的基板上形成表面上具有疏水性的納米才才誶+層；以及在所述納米材料層上在朝向所述蒸發(fā)區(qū)的方向上形成親水區(qū)。
12. 根據(jù)權利要求11所述的散熱器制造方法，其中，所述親水區(qū)通過切沖曹處理形成。
13. 根據(jù)權利要求11所述的散熱器制造方法，其中，所述親水區(qū)通過圖案化形成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種散熱器、電子裝置和散熱器制造方法，該散熱器包括蒸發(fā)部、第一冷凝器部、工作流體和第一流動路徑。蒸發(fā)部配置在第一位置。第一冷凝器部配置在第二位置，該第二位置是比第一位置高且與第一位置分開的位置。工作流體在蒸發(fā)部中從液相蒸發(fā)為氣相，且在第一冷凝器部中從氣相冷凝為液相。第一流動路徑由納米材料制成、表面上具有疏水性，且使在第一冷凝位置中冷凝為液相的工作流體流動到蒸發(fā)部。
文檔編號H05K7/20GK101652055SQ20091016610
公開日2010年2月17日 申請日期2009年8月11日 優(yōu)先權日2008年8月11日
發(fā)明者橋本光生, 矢澤和明, 石田祐一, 良尊弘幸 申請人:索尼株式會社